JPS62291149A - 金属配線の形成方法 - Google Patents
金属配線の形成方法Info
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- JPS62291149A JPS62291149A JP13669586A JP13669586A JPS62291149A JP S62291149 A JPS62291149 A JP S62291149A JP 13669586 A JP13669586 A JP 13669586A JP 13669586 A JP13669586 A JP 13669586A JP S62291149 A JPS62291149 A JP S62291149A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は金属配線の形成方法に関し、特に半導体集積回
路の製造工程に用いられる金属配線の形成方法に関する
。
路の製造工程に用いられる金属配線の形成方法に関する
。
１′従来の技術）
一般に半導体基板上にフォ） ｌ／シストのパターンを
形成し、この基板上全面に金属膜を肢首し、前記フォト
レジストパターンの残存する部分の金属膜を剥離するい
わゆるリフトオフ方式の金属配線の形成方法においては
、配線か微細化、高密度化するにつれ、あるいは金属膜
の被着条件の同和によって、金属膜の選択的剥離（以下
リフｌ−オフと記す）が困難になり、微細配線部分での
リフトオフが不完全となりやすいという欠点があった。
形成し、この基板上全面に金属膜を肢首し、前記フォト
レジストパターンの残存する部分の金属膜を剥離するい
わゆるリフトオフ方式の金属配線の形成方法においては
、配線か微細化、高密度化するにつれ、あるいは金属膜
の被着条件の同和によって、金属膜の選択的剥離（以下
リフｌ−オフと記す）が困難になり、微細配線部分での
リフトオフが不完全となりやすいという欠点があった。
〔発明が解決しようとする問題点）
この様な欠点を除く方法としてアルキルベンゼンスルホ
ン酸などの強力な反応性をもった有機溶剤中に半導体基
板を浸漬し、さらにこの有機溶剤を超音波で励振すると
いっな強力なリフトオフ方法が実施されている。
ン酸などの強力な反応性をもった有機溶剤中に半導体基
板を浸漬し、さらにこの有機溶剤を超音波で励振すると
いっな強力なリフトオフ方法が実施されている。
しかしこの方法によると強力な反応をもった有機溶剤を
使用するため、有機溶剤が基板表面や配線形成端部に残
留し、後工程で配線自身を腐食さぜるという問題が発生
しやずか・）／ご。特に配線に２種類以Ｉ−の金属を使
用する場合は異種余属間の自己電池作１１１にｌ Ｆ）
１１１＜食が加速されやすく、この方法の大きな問題
点であ−）な。
使用するため、有機溶剤が基板表面や配線形成端部に残
留し、後工程で配線自身を腐食さぜるという問題が発生
しやずか・）／ご。特に配線に２種類以Ｉ−の金属を使
用する場合は異種余属間の自己電池作１１１にｌ Ｆ）
１１１＜食が加速されやすく、この方法の大きな問題
点であ−）な。
本発明の目的は上記のような欠点を除き、信頼性の高い
微細な金属配線の形成方法を提供することにある。
微細な金属配線の形成方法を提供することにある。
１層問題点を解決するための手段゛）
本発明の金属配線の形成方法は、半導体基板にフォトレ
ジストのパターンを形成する工程と、フｓｌ−’Ｉ、−
シス１へのパターンを禽む゛１′導体Ｊ、（板表面に欣
属膜を被着する工程と、超音波で励振されたアルキルベ
ンゼンスルホン酸を段む有機溶剤中に１へ導体基板を浸
漬して前記金属膜を選択的に除去する工程と、金属膜が
選択的に除去された半導体Ｊル板をメチレンクロライド
溶液で洗浄する」−程とを片んで構成される６、 １実施例］ 次に本発明の実施例を図面により説明する。
ジストのパターンを形成する工程と、フｓｌ−’Ｉ、−
シス１へのパターンを禽む゛１′導体Ｊ、（板表面に欣
属膜を被着する工程と、超音波で励振されたアルキルベ
ンゼンスルホン酸を段む有機溶剤中に１へ導体基板を浸
漬して前記金属膜を選択的に除去する工程と、金属膜が
選択的に除去された半導体Ｊル板をメチレンクロライド
溶液で洗浄する」−程とを片んで構成される６、 １実施例］ 次に本発明の実施例を図面により説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
め０）上程１１ｊαに示した゛Ｖ導体−７−Ｖプの断面
１−７１である。
め０）上程１１ｊαに示した゛Ｖ導体−７−Ｖプの断面
１−７１である。
まず第１図（ａ）に示す、しうに、シリ：１ンラ１（板
１十にシリコン酸化膜２及びアルミニウム、膜３を形成
し、これにスピン−７−１・法等でポジ１（リフォｌ−
Ｌ。
１十にシリコン酸化膜２及びアルミニウム、膜３を形成
し、これにスピン−７−１・法等でポジ１（リフォｌ−
Ｌ。
シスｌ−ＩＩ！ ４を被着形成する。
次に第１図（ＩＩ〉に示すように、フォＩ・マスク７を
通して］、１１−レシスｌ−膜４にｊπ択的に紫外線を
照射する。その後シリコン基板１をアルカリ性現像液に
浸漬すると露光部のフ」トレジスト膜４が溶解し、フォ
トレジストパターン・１Δか形成される。
通して］、１１−レシスｌ−膜４にｊπ択的に紫外線を
照射する。その後シリコン基板１をアルカリ性現像液に
浸漬すると露光部のフ」トレジスト膜４が溶解し、フォ
トレジストパターン・１Δか形成される。
次に第１図（Ｃ）に示すように、フ］１〜トシスＩ・パ
ターン４人中の有＋Ａ溶剤を発揮させるために］３ｒ）
°（” ３０分程度の熱処理を行なった後高周波スバ
・ツタ法により千タン膜８及び白金膜りを例えば各々＋
ＯＤ Ｉ１ｍ程度披着する。
ターン４人中の有＋Ａ溶剤を発揮させるために］３ｒ）
°（” ３０分程度の熱処理を行なった後高周波スバ
・ツタ法により千タン膜８及び白金膜りを例えば各々＋
ＯＤ Ｉ１ｍ程度披着する。
次に第１図（（１）に示すように、この半導体基板を数
十〜数酢にｌｌｚの超音波で励振された、アルキルベン
センスルポン酸、アルキルスルホン酸及びメチレンクロ
ライ１〜の溶剤中に浸漬する。この操作によりリフｌ−
オフが促進されるため、微細なチタン膜８及び白金膜９
からなる金属配線パターン１０が容易に形成される。続
いてこの半導体基板をメチレンクロライド溶液中に浸漬
し洗浄する。
十〜数酢にｌｌｚの超音波で励振された、アルキルベン
センスルポン酸、アルキルスルホン酸及びメチレンクロ
ライ１〜の溶剤中に浸漬する。この操作によりリフｌ−
オフが促進されるため、微細なチタン膜８及び白金膜９
からなる金属配線パターン１０が容易に形成される。続
いてこの半導体基板をメチレンクロライド溶液中に浸漬
し洗浄する。
この洗浄によりアルキルベンゼンスルホン酸等の有機溶
剤の残留成分は比較的簡単に除去されるため、従来のよ
うに下地のアルミニウム膜３や金属配線が腐食されると
いう不都合は殆と発生しなくなる。次にこの半導体基板
をアルコール系溶剤、及び純水に浸漬した後、乾燥させ
ることにより所望の金属配線パターン１０が形成される
。
剤の残留成分は比較的簡単に除去されるため、従来のよ
うに下地のアルミニウム膜３や金属配線が腐食されると
いう不都合は殆と発生しなくなる。次にこの半導体基板
をアルコール系溶剤、及び純水に浸漬した後、乾燥させ
ることにより所望の金属配線パターン１０が形成される
。
以下従来技術により、金属配線パターン１０をマスクと
してア・ルミニウム膜３をエツチングすることにより、
アルミニウム、チタン白金からなる３層の金属配線が完
成する。
してア・ルミニウム膜３をエツチングすることにより、
アルミニウム、チタン白金からなる３層の金属配線が完
成する。
上記実施例に於ては、半導体集積回路のチタン膜と白金
膜とを含む金属配線の形成方法の場合に−）いて述べた
が、その他の基板に他の金属膜からなる配線を形成する
場合にも同様に本発明を適用できる事は明らかである。
膜とを含む金属配線の形成方法の場合に−）いて述べた
が、その他の基板に他の金属膜からなる配線を形成する
場合にも同様に本発明を適用できる事は明らかである。
ｒ発明の効果゛１
以上説明したように本発明は、フォトレジストのパター
ン−Ｉ−に形成された金属膜をアルキルベンゼンスルホ
ン酸を含む有機溶剤でリフｌ−オフを行なった後、メチ
レンクロライド溶液で洗浄することにより、金属膜の腐
食が防止されるため信頼性の向上した金属配線が得られ
る効果がある。
ン−Ｉ−に形成された金属膜をアルキルベンゼンスルホ
ン酸を含む有機溶剤でリフｌ−オフを行なった後、メチ
レンクロライド溶液で洗浄することにより、金属膜の腐
食が防止されるため信頼性の向上した金属配線が得られ
る効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する為
の工程順に示した半導体チップの断面図である。
の工程順に示した半導体チップの断面図である。
Claims (1)
- 半導体基板上にフォトレジストのパターンを形成する工
程と、前記フォトレジストのパターンを含む半導体基板
表面に金属膜を被着する工程と、超音波で励振されたア
ルキルベンゼンスルホン酸を含む有機溶剤中に前記半導
体基板を浸漬して前記金属膜を選択的に除去する工程と
、金属膜が選択的に除去された前記半導体基板をメチレ
ンクロライド溶液で洗浄する工程とを含むことを特徴と
する金属配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13669586A JPS62291149A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 金属配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13669586A JPS62291149A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 金属配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291149A true JPS62291149A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15181310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13669586A Pending JPS62291149A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 金属配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291149A (ja) |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP13669586A patent/JPS62291149A/ja active Pending
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