JP2003167360A - フォトレジスト残渣除去液組成物 - Google Patents
フォトレジスト残渣除去液組成物Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
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Abstract
(57)【要約】
【解決すべき課題】 半導体回路素子の製造工程におい
て、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣
の除去性に優れ、かつ配線材料や層間絶縁膜等をアタッ
クしないフォトレジスト残渣除去液組成物を提供する。 【解決手段】 脂肪族ポリカルボン酸及びその塩からな
る群から選択される１種又は２種以上と還元性化合物及
びその塩からなる群から選択される１種又は２種以上と
を含有することを特徴とするフォトレジスト残渣除去液
組成物。
て、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣
の除去性に優れ、かつ配線材料や層間絶縁膜等をアタッ
クしないフォトレジスト残渣除去液組成物を提供する。 【解決手段】 脂肪族ポリカルボン酸及びその塩からな
る群から選択される１種又は２種以上と還元性化合物及
びその塩からなる群から選択される１種又は２種以上と
を含有することを特徴とするフォトレジスト残渣除去液
組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト残
渣除去液組成物、更に詳しくは半導体回路素子の製造に
おける層間絶縁膜材料や配線材料、キャパシタ、電極材
料のドライエッチング後のフォトレジスト残渣を除去す
るためのフォトレジスト残渣除去液組成物に関する（こ
こでフォトレジスト残渣とは、アッシング処理後に基板
表面に残留した不完全灰化物であるフォトレジスト残渣
と配線及びビアホール側面に残留するサイドウォールポ
リマー（側壁保護膜、ラビットイヤーとも呼ばれる）を
含む。）。
渣除去液組成物、更に詳しくは半導体回路素子の製造に
おける層間絶縁膜材料や配線材料、キャパシタ、電極材
料のドライエッチング後のフォトレジスト残渣を除去す
るためのフォトレジスト残渣除去液組成物に関する（こ
こでフォトレジスト残渣とは、アッシング処理後に基板
表面に残留した不完全灰化物であるフォトレジスト残渣
と配線及びビアホール側面に残留するサイドウォールポ
リマー（側壁保護膜、ラビットイヤーとも呼ばれる）を
含む。）。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチングは半導体回路素子の製
造工程において層間絶縁膜材料、配線材料等のパターン
形成に用いられる最も重要な技術である。ドライエッチ
ングはスパッタリング、ＣＶＤ、電解めっき、回転塗布
等により層間絶縁膜材料、配線材料等を成膜した基板上
にフォトレジストを塗布、露光、現像によりパターンを
形成し、次に該フォトレジストをマスクとして反応性ガ
スを用いたドライエッチングにより層間絶縁膜や配線パ
ターンを形成する技術である。このドライエッチング後
の基板は、アッシング処理を行い、マスクとして用いた
フォトレジストを灰化除去後に更に一部残留する残渣物
であるフォトレジスト残渣等をフォトレジスト剥離液に
より除去するのが通常である。
造工程において層間絶縁膜材料、配線材料等のパターン
形成に用いられる最も重要な技術である。ドライエッチ
ングはスパッタリング、ＣＶＤ、電解めっき、回転塗布
等により層間絶縁膜材料、配線材料等を成膜した基板上
にフォトレジストを塗布、露光、現像によりパターンを
形成し、次に該フォトレジストをマスクとして反応性ガ
スを用いたドライエッチングにより層間絶縁膜や配線パ
ターンを形成する技術である。このドライエッチング後
の基板は、アッシング処理を行い、マスクとして用いた
フォトレジストを灰化除去後に更に一部残留する残渣物
であるフォトレジスト残渣等をフォトレジスト剥離液に
より除去するのが通常である。
【０００３】ドライエッチング後に残留するフォトレジ
スト残渣は、従来一般に使用されている有機溶剤とアル
カノールアミンとを組み合わせたフォトレジスト剥離液
では完全に除去することはできない（例えば、特開平５
−２８１７５３号公報；米国特許第５４８０５８５
号）。その原因は、アッシング後のフォトレジスト残渣
の一部が被エッチング材料とともに無機化しているため
と考えられる。そこで、ドライエッチング後に残留する
フォトレジスト残渣の除去技術として、フッ素系化合物
を含有するもの（特開平７−２０１７９４号公報；欧州
特許公開第６６２７０５号）、ヒドロキシルアミンを含
有するもの（米国特許第５３３４３３２号）、第４級ア
ンモニウム化合物を含有するもの（特開平８−２６２７
４６；米国特許第５５６７５７４）等のフォトレジスト
残渣除去液が提案されている。
スト残渣は、従来一般に使用されている有機溶剤とアル
カノールアミンとを組み合わせたフォトレジスト剥離液
では完全に除去することはできない（例えば、特開平５
−２８１７５３号公報；米国特許第５４８０５８５
号）。その原因は、アッシング後のフォトレジスト残渣
の一部が被エッチング材料とともに無機化しているため
と考えられる。そこで、ドライエッチング後に残留する
フォトレジスト残渣の除去技術として、フッ素系化合物
を含有するもの（特開平７−２０１７９４号公報；欧州
特許公開第６６２７０５号）、ヒドロキシルアミンを含
有するもの（米国特許第５３３４３３２号）、第４級ア
ンモニウム化合物を含有するもの（特開平８−２６２７
４６；米国特許第５５６７５７４）等のフォトレジスト
残渣除去液が提案されている。
【０００４】しかし、これらのフォトレジスト残渣除去
液は、除去液が残留すると配線材料を腐食するためイソ
プロピルアルコール等の有機溶剤によるリンスを行うこ
とや、フォトレジスト残渣を完全に除去するためには高
温での処理が必要であったり、更にこれらのフォトレジ
スト残渣除去液は、その数１０％ないし１００％までの
割合で有機化合物を含有しており、環境への負荷が大き
く、好ましいものではない。また、除去すべきフォトレ
ジスト残渣と配線材料の組成が類似しているため、同時
に配線材料の腐食を引き起こすことから、ソルビトール
等を含むフォトレジスト剥離剤組成物（特開平８−２６
２７４６；米国特許第５５６７５７４）が提案されてい
る。
液は、除去液が残留すると配線材料を腐食するためイソ
プロピルアルコール等の有機溶剤によるリンスを行うこ
とや、フォトレジスト残渣を完全に除去するためには高
温での処理が必要であったり、更にこれらのフォトレジ
スト残渣除去液は、その数１０％ないし１００％までの
割合で有機化合物を含有しており、環境への負荷が大き
く、好ましいものではない。また、除去すべきフォトレ
ジスト残渣と配線材料の組成が類似しているため、同時
に配線材料の腐食を引き起こすことから、ソルビトール
等を含むフォトレジスト剥離剤組成物（特開平８−２６
２７４６；米国特許第５５６７５７４）が提案されてい
る。
【０００５】その他に、本発明者らによって、脂肪族カ
ルボン酸とその塩を含有するフォトレジスト残渣除去液
が開示されている（特開平１１−３１６４６４号）。こ
の除去液は有機溶媒を含有していないため環境への負荷
が小さく、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、
ＴｉＮ等の金属配線については腐食することなく使用す
ることができる。しかし、近年配線の微細化に伴い、エ
ッチング、アッシング条件が過酷となり、より強固なレ
ジスト残渣が付着するようになっている。そのため、レ
ジスト残渣を完全に除去するために高温、長時間での処
理が必要となり、その結果Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃ
ｕの腐食が発生する場合が出てきた。そのため、従来の
ものと比較して、腐食防止効果が高い腐食防止剤が求め
られている。
ルボン酸とその塩を含有するフォトレジスト残渣除去液
が開示されている（特開平１１−３１６４６４号）。こ
の除去液は有機溶媒を含有していないため環境への負荷
が小さく、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、
ＴｉＮ等の金属配線については腐食することなく使用す
ることができる。しかし、近年配線の微細化に伴い、エ
ッチング、アッシング条件が過酷となり、より強固なレ
ジスト残渣が付着するようになっている。そのため、レ
ジスト残渣を完全に除去するために高温、長時間での処
理が必要となり、その結果Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃ
ｕの腐食が発生する場合が出てきた。そのため、従来の
ものと比較して、腐食防止効果が高い腐食防止剤が求め
られている。
【０００６】また、一般に半導体回路素子は多層配線構
造が導入されており、下部のアルミニウム配線と上部の
アルミニウム配線の接続は、層間絶縁膜にビアホールを
形成し、そのビアホールにタングステン等の金属を埋め
込むことで導通させる。比較的パターン寸法の大きい半
導体回路素子では、上部の配線とビアホールが完全に接
触し、上部の配線によってビアホールが被覆されてい
た。しかし、近年半導体回路素子の微細化に伴い、配線
及びビアホールの形成に高い精度が要求されるため、上
部の配線とビアホールの位置にずれが生じ、完全に接触
されず、ビアホールが被覆されずに上部の配線の下にタ
ングステン等の埋め込んだ金属が露出する場合が生じて
きた。このような配線構造はボーダーレスビア構造と呼
ばれているが、ボーダーレスビア構造のビアホール上に
配線を形成する時、上部の配線やビアホールに埋め込ん
だタングステンの表面にレジスト残渣が付着する。この
レジスト残渣を除去するために、上記のヒドロキシルア
ミン又は第４級アンモニウム化合物を含有する強アルカ
リ性のレジスト残渣除去液を使用した場合、電気化学反
応によってタングステンが溶解するという問題が生じ
る。そのため、リン酸アンモニウムを含有するもの（特
開平２０００−２３２０６３）が提案されている。しか
し、レジスト残渣除去性が不十分な場合は、界面活性剤
を添加する必要があったり、またこの場合には、リン化
合物を含有するため、環境への負荷が懸念される。
造が導入されており、下部のアルミニウム配線と上部の
アルミニウム配線の接続は、層間絶縁膜にビアホールを
形成し、そのビアホールにタングステン等の金属を埋め
込むことで導通させる。比較的パターン寸法の大きい半
導体回路素子では、上部の配線とビアホールが完全に接
触し、上部の配線によってビアホールが被覆されてい
た。しかし、近年半導体回路素子の微細化に伴い、配線
及びビアホールの形成に高い精度が要求されるため、上
部の配線とビアホールの位置にずれが生じ、完全に接触
されず、ビアホールが被覆されずに上部の配線の下にタ
ングステン等の埋め込んだ金属が露出する場合が生じて
きた。このような配線構造はボーダーレスビア構造と呼
ばれているが、ボーダーレスビア構造のビアホール上に
配線を形成する時、上部の配線やビアホールに埋め込ん
だタングステンの表面にレジスト残渣が付着する。この
レジスト残渣を除去するために、上記のヒドロキシルア
ミン又は第４級アンモニウム化合物を含有する強アルカ
リ性のレジスト残渣除去液を使用した場合、電気化学反
応によってタングステンが溶解するという問題が生じ
る。そのため、リン酸アンモニウムを含有するもの（特
開平２０００−２３２０６３）が提案されている。しか
し、レジスト残渣除去性が不十分な場合は、界面活性剤
を添加する必要があったり、またこの場合には、リン化
合物を含有するため、環境への負荷が懸念される。
【０００７】一方、近年半導体回路素子の微細化、高性
能化に伴い、新たな配線材料や層間絶縁膜材料が採用さ
れるようになっており、これに伴って、従来使用されて
きたフォトレジスト残渣除去液をそのまま使用すること
に限界が生じてきた。例えば半導体回路素子の微細化、
高速化への要求より、配線抵抗の低減を目的として、銅
配線の導入が検討され、ダマシンプロセスによる銅配線
の形成が可能となった。ダマシンプロセスは配線パター
ンを層間絶縁膜に溝として形成し、スパッタリングや電
解めっきを用いて銅を埋め込んだ後、不要なブランケッ
ト銅を化学的機械研磨（ＣＭＰ）等を用いて除去し、配
線パターンを形成するプロセスである。
能化に伴い、新たな配線材料や層間絶縁膜材料が採用さ
れるようになっており、これに伴って、従来使用されて
きたフォトレジスト残渣除去液をそのまま使用すること
に限界が生じてきた。例えば半導体回路素子の微細化、
高速化への要求より、配線抵抗の低減を目的として、銅
配線の導入が検討され、ダマシンプロセスによる銅配線
の形成が可能となった。ダマシンプロセスは配線パター
ンを層間絶縁膜に溝として形成し、スパッタリングや電
解めっきを用いて銅を埋め込んだ後、不要なブランケッ
ト銅を化学的機械研磨（ＣＭＰ）等を用いて除去し、配
線パターンを形成するプロセスである。
【０００８】この新たな配線材料である銅配線材料に対
するレジスト剥離液において、銅の腐食防止剤としてト
リアゾール化合物等を含有するもの（特開２００１−２
２０９５、特開２００１−２２０９６、特開２０００−
１６２７８８）があるが、上記と同様、温度をかけての
処理およびイソプロピルアルコール等のリンスが必要で
あったり、さらに有機溶剤を含有しているという問題を
有している。また、ベンゾトリアゾール誘導体を銅の腐
食防止剤として含むレジスト用剥離液組成物があるが
（特開２００１−８３７１２）、これも水溶性有機溶剤
を含むものであり、前記の問題を内在している。更にト
リアゾール化合物やベンゾトリアゾール誘導体は、生分
解性が悪く廃液処理への負荷が大きいことも問題として
挙げられる。更にトリアゾール化合物、ベンゾトリアゾ
ール誘導体は、水に対する溶解性が低いため、水リンス
の後にウェハ表面にこれらの腐食防止剤が残留し、後の
工程に悪影響を与える問題が生じる場合がある。
するレジスト剥離液において、銅の腐食防止剤としてト
リアゾール化合物等を含有するもの（特開２００１−２
２０９５、特開２００１−２２０９６、特開２０００−
１６２７８８）があるが、上記と同様、温度をかけての
処理およびイソプロピルアルコール等のリンスが必要で
あったり、さらに有機溶剤を含有しているという問題を
有している。また、ベンゾトリアゾール誘導体を銅の腐
食防止剤として含むレジスト用剥離液組成物があるが
（特開２００１−８３７１２）、これも水溶性有機溶剤
を含むものであり、前記の問題を内在している。更にト
リアゾール化合物やベンゾトリアゾール誘導体は、生分
解性が悪く廃液処理への負荷が大きいことも問題として
挙げられる。更にトリアゾール化合物、ベンゾトリアゾ
ール誘導体は、水に対する溶解性が低いため、水リンス
の後にウェハ表面にこれらの腐食防止剤が残留し、後の
工程に悪影響を与える問題が生じる場合がある。
【０００９】一方、近年同じく半導体回路素子の微細
化、高速化への要求より、配線間容量の低減を目的とし
て、低誘電率層間絶縁膜（いわゆるｌｏｗ−ｋ膜）の導
入が検討されている。一般にｌｏｗ−ｋ膜は、芳香族ア
リール化合物に代表される有機膜、ＨＳＱ(Hydrogen S
ilsesquioxane)やＭＳＱ(Methyl Silsesquioxane)に代
表されるシロキサン膜、多孔質シリカ膜等がある。この
ような配線材料や層間絶縁膜材料を用いて半導体回路素
子を製造する場合、下部の銅配線と上部の配線を接続す
るビアホールや上部配線溝の形成の際に、層間絶縁膜材
料又は各種ｌｏｗ−ｋ膜のドライエッチングが行われる
が、この時、従来の配線材料や層間絶縁膜材料を用いた
ものとは異なる組成のフォトレジスト残渣を形成する。
更に銅や各種ｌｏｗ−ｋ膜は、従来使用されてきた配線
材料や層間絶縁膜材料と比べ耐薬品性に劣り、ドライエ
ッチング後に残留するフォトレジスト残渣の除去には、
従来のアルミニウム配線用フォトレジスト残渣除去液を
そのまま使用することはできない。例えば、上記のフォ
トレジスト残渣除去液中に含有するアルカノールアミ
ン、第４級アンモニウム化合物、フッ素化合物は、耐腐
食性の劣る銅の腐食を引き起こし、更にアルカノールア
ミン、第４級アンモニウム化合物は、各種ｌｏｗ−ｋ膜
の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度変化等を
も引き起こす。また、ｌｏｗ−ｋ膜は耐薬品性が劣るた
め、フォトレジストの除去は低温で行うのが好ましい。
そのためこれまで、新しい材料に対して、さまざまな腐
食防止剤が検討されてきたが、酸性の除去液で十分な腐
食防止効果を示すもの、環境上好ましいものがなく、こ
れまでのところ満足のいくものは得られていない。
化、高速化への要求より、配線間容量の低減を目的とし
て、低誘電率層間絶縁膜（いわゆるｌｏｗ−ｋ膜）の導
入が検討されている。一般にｌｏｗ−ｋ膜は、芳香族ア
リール化合物に代表される有機膜、ＨＳＱ(Hydrogen S
ilsesquioxane)やＭＳＱ(Methyl Silsesquioxane)に代
表されるシロキサン膜、多孔質シリカ膜等がある。この
ような配線材料や層間絶縁膜材料を用いて半導体回路素
子を製造する場合、下部の銅配線と上部の配線を接続す
るビアホールや上部配線溝の形成の際に、層間絶縁膜材
料又は各種ｌｏｗ−ｋ膜のドライエッチングが行われる
が、この時、従来の配線材料や層間絶縁膜材料を用いた
ものとは異なる組成のフォトレジスト残渣を形成する。
更に銅や各種ｌｏｗ−ｋ膜は、従来使用されてきた配線
材料や層間絶縁膜材料と比べ耐薬品性に劣り、ドライエ
ッチング後に残留するフォトレジスト残渣の除去には、
従来のアルミニウム配線用フォトレジスト残渣除去液を
そのまま使用することはできない。例えば、上記のフォ
トレジスト残渣除去液中に含有するアルカノールアミ
ン、第４級アンモニウム化合物、フッ素化合物は、耐腐
食性の劣る銅の腐食を引き起こし、更にアルカノールア
ミン、第４級アンモニウム化合物は、各種ｌｏｗ−ｋ膜
の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度変化等を
も引き起こす。また、ｌｏｗ−ｋ膜は耐薬品性が劣るた
め、フォトレジストの除去は低温で行うのが好ましい。
そのためこれまで、新しい材料に対して、さまざまな腐
食防止剤が検討されてきたが、酸性の除去液で十分な腐
食防止効果を示すもの、環境上好ましいものがなく、こ
れまでのところ満足のいくものは得られていない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、半導体回路素子の製造工程において、従来使用され
てきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用いて
金属配線を施した基板について、従来より過酷な条件で
アッシング、ドライエッチングを行った際に生成する、
従来より強固に固着するフォトレジスト残渣を、配線を
腐食することなく除去する、フォトレジスト残渣除去液
を提供することにある。また、本発明の目的は、半導体
回路素子の製造工程において、新しい配線材料であるＣ
ｕを用いて金属配線を施した基板についてアッシング、
ドライエッチングを行った際に生成する、従来とは異な
った組成のフォトレジスト残渣を、配線を腐食すること
なく除去する、フォトレジスト残渣除去液を提供するこ
とにある。また本発明の目的は、半導体回路素子の製造
工程において、低誘電率層間絶縁膜を施した基板につい
てアッシング、ドライエッチングを行った際に生成す
る、従来とは異なった組成のフォトレジスト残渣を、層
間絶縁膜の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度
の劣化等を引き起こさずに除去する、フォトレジスト残
渣除去液を提供することにある。また、本発明の目的
は、半導体回路素子の製造工程において、従来使用され
てきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用いて
金属配線を施した基板について、従来と同様な条件でア
ッシング、ドライエッチングを行った際に生成するフォ
トレジスト残渣を、配線を腐食することなく除去する、
フォトレジスト残渣除去液を提供することにある。また
本発明の目的は、半導体回路素子の製造工程において、
ビアホールで接続する金属配線であって、ビアホールに
埋め込んだ金属が一部露出する金属配線を施した基板に
ついてアッシング、ドライエッチングを行なった際に生
成するフォトレジスト残渣を、露出した金属配線を溶解
することなく除去する、フォトレジスト残渣除去液を提
供することにある。また、本発明の目的は、半導体回路
素子の製造工程において、アッシング、ドライエッチン
グを行った際に生成するフォトレジスト残渣の除去を低
温でも良好に行うことができるフォトレジスト除去液を
提供することにある。
は、半導体回路素子の製造工程において、従来使用され
てきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用いて
金属配線を施した基板について、従来より過酷な条件で
アッシング、ドライエッチングを行った際に生成する、
従来より強固に固着するフォトレジスト残渣を、配線を
腐食することなく除去する、フォトレジスト残渣除去液
を提供することにある。また、本発明の目的は、半導体
回路素子の製造工程において、新しい配線材料であるＣ
ｕを用いて金属配線を施した基板についてアッシング、
ドライエッチングを行った際に生成する、従来とは異な
った組成のフォトレジスト残渣を、配線を腐食すること
なく除去する、フォトレジスト残渣除去液を提供するこ
とにある。また本発明の目的は、半導体回路素子の製造
工程において、低誘電率層間絶縁膜を施した基板につい
てアッシング、ドライエッチングを行った際に生成す
る、従来とは異なった組成のフォトレジスト残渣を、層
間絶縁膜の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強度
の劣化等を引き起こさずに除去する、フォトレジスト残
渣除去液を提供することにある。また、本発明の目的
は、半導体回路素子の製造工程において、従来使用され
てきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用いて
金属配線を施した基板について、従来と同様な条件でア
ッシング、ドライエッチングを行った際に生成するフォ
トレジスト残渣を、配線を腐食することなく除去する、
フォトレジスト残渣除去液を提供することにある。また
本発明の目的は、半導体回路素子の製造工程において、
ビアホールで接続する金属配線であって、ビアホールに
埋め込んだ金属が一部露出する金属配線を施した基板に
ついてアッシング、ドライエッチングを行なった際に生
成するフォトレジスト残渣を、露出した金属配線を溶解
することなく除去する、フォトレジスト残渣除去液を提
供することにある。また、本発明の目的は、半導体回路
素子の製造工程において、アッシング、ドライエッチン
グを行った際に生成するフォトレジスト残渣の除去を低
温でも良好に行うことができるフォトレジスト除去液を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課
題、アルミニウムや銅を腐食せず、新しい材料であるｌ
ｏｗ−ｋ膜の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強
度変化等を引き起こさないフォトレジスト残渣除去液組
成物を開発すべく、鋭意研究を行った結果、脂肪族ポリ
カルボン酸及びその塩から選択される１種又は２種以上
と還元性化合物を１種又は２種以上とを含有することを
特徴とするフォトレジスト残渣除去液組成物は、上記課
題を解決することを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
題、アルミニウムや銅を腐食せず、新しい材料であるｌ
ｏｗ−ｋ膜の膜減り、構造変化、誘電率変化、機械的強
度変化等を引き起こさないフォトレジスト残渣除去液組
成物を開発すべく、鋭意研究を行った結果、脂肪族ポリ
カルボン酸及びその塩から選択される１種又は２種以上
と還元性化合物を１種又は２種以上とを含有することを
特徴とするフォトレジスト残渣除去液組成物は、上記課
題を解決することを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１２】すなわち本発明は、脂肪族ポリカルボン酸
及びその塩からなる群から選択される１種又は２種以上
と還元性化合物及びその塩からなる群から選択される１
種又は２種以上とを含有することを特徴とする、フォト
レジスト残渣除去液組成物にう関する。また、本発明
は、水溶液であることを特徴とする、前記フォトレジス
ト残渣除去液組成物に関する。さらに、本発明は、脂肪
族ポリカルボン酸が、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、リ
ンゴ酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択され
る１種又は２種以上であることを特徴とする、前記フォ
トレジスト残渣除去液組成物に関する。また、本発明
は、還元性化合物が、グリオキシル酸、アスコルビン
酸、グルコース、マンノースからなる群から選択される
１種又は２種以上であることを特徴とする、前記フォト
レジスト残渣除去液組成物に関する。
及びその塩からなる群から選択される１種又は２種以上
と還元性化合物及びその塩からなる群から選択される１
種又は２種以上とを含有することを特徴とする、フォト
レジスト残渣除去液組成物にう関する。また、本発明
は、水溶液であることを特徴とする、前記フォトレジス
ト残渣除去液組成物に関する。さらに、本発明は、脂肪
族ポリカルボン酸が、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、リ
ンゴ酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択され
る１種又は２種以上であることを特徴とする、前記フォ
トレジスト残渣除去液組成物に関する。また、本発明
は、還元性化合物が、グリオキシル酸、アスコルビン
酸、グルコース、マンノースからなる群から選択される
１種又は２種以上であることを特徴とする、前記フォト
レジスト残渣除去液組成物に関する。
【００１３】さらに、本発明は、還元性化合物の使用濃
度が、０．００１〜１０ｗｔ％であることを特徴とす
る、前記フォトレジスト残渣除去液組成物に関する。ま
た、本発明は、前記フォトレジスト残渣除去液組成物の
フォトレジスト残渣除去への使用に関する。本発明のフ
ォトレジスト残渣除去液組成物は、還元性化合物を含有
することにより、金属材料として、特に銅、アルミニウ
ム、又はタングステン等のいずれを用いた場合でも、従
来のものに比べ、ドライエッチング後に残留するフォト
レジスト残渣に対する除去性に優れるとともに、これら
の金属材料の腐食を防止する。よって、過酷なエッチン
グ、アッシング条件によって強固に付着したフォトレジ
スト残渣であっても金属材料を腐食せずに除去すること
が可能となる。また、耐腐食性に劣るとされていた銅に
対しても用いることができ、さらに、新しい材料である
ｌｏｗ−ｋ膜に対しても、従来問題となっていた膜減
り、誘電率変化、機械的強度変化を引き起こさないもの
であり、高精度の配線材料に用いることができる。ま
た、水溶液として用いる場合には有機溶剤を含まないた
め、環境への負荷が少ない。さらに、アルコール等の有
機溶剤を用いたリンスを行うことなく、さらに、低温で
フォトレジスト残渣の除去を行うことができる。
度が、０．００１〜１０ｗｔ％であることを特徴とす
る、前記フォトレジスト残渣除去液組成物に関する。ま
た、本発明は、前記フォトレジスト残渣除去液組成物の
フォトレジスト残渣除去への使用に関する。本発明のフ
ォトレジスト残渣除去液組成物は、還元性化合物を含有
することにより、金属材料として、特に銅、アルミニウ
ム、又はタングステン等のいずれを用いた場合でも、従
来のものに比べ、ドライエッチング後に残留するフォト
レジスト残渣に対する除去性に優れるとともに、これら
の金属材料の腐食を防止する。よって、過酷なエッチン
グ、アッシング条件によって強固に付着したフォトレジ
スト残渣であっても金属材料を腐食せずに除去すること
が可能となる。また、耐腐食性に劣るとされていた銅に
対しても用いることができ、さらに、新しい材料である
ｌｏｗ−ｋ膜に対しても、従来問題となっていた膜減
り、誘電率変化、機械的強度変化を引き起こさないもの
であり、高精度の配線材料に用いることができる。ま
た、水溶液として用いる場合には有機溶剤を含まないた
め、環境への負荷が少ない。さらに、アルコール等の有
機溶剤を用いたリンスを行うことなく、さらに、低温で
フォトレジスト残渣の除去を行うことができる。
【００１４】本発明においてフォトレジスト残渣除去液
組成物に用いる還元性化合物とは、グリオキシル酸、グ
ルタルアルデヒド、グリオキザールといったアルデヒド
基を有する有機化合物、アスコルビン酸、グルコノヘプ
トン酸といった反応性多重結合を有する糖酸、アラビノ
ース、ガラクトース、グルコース、グルコヘプトース、
グルコヘプツロース、ソルボース、フルクトース、マン
ノース、ラクトースといった還元糖、カテコール、ピロ
ガロール、没食子酸及びその誘導体といった芳香族ヒド
ロキシ化合物、２−ブチン−１，４−ジオール、２−ブ
チン−１−オール、３−ブチン−１−オールといった反
応性多重結合を有する有機化合物等のうち、脂肪族ポリ
カルボン酸と組み合わせて用いると金属材料の腐食防止
剤として機能する化合物を意味する。従って、還元性を
有する化合物であっても、ジメチルアミンボラン、トリ
メチルアミンボラン等のアミン類のように水溶液中で安
定でないもの、ヒドラジン、ヒドロキシルアミンのよう
に銅と水溶性錯体を形成して銅を腐食するもの、また、
ホスフィン酸及びその塩等も銅を腐食することから、こ
れらの化合物は、還元性を有していても、本発明でいう
還元性化合物には含まれない。本発明において特に好ま
しい還元性化合物としては、例えば、グリオキシル酸、
アスコルビン酸、グルコース、マンノースが挙げられ
る。
組成物に用いる還元性化合物とは、グリオキシル酸、グ
ルタルアルデヒド、グリオキザールといったアルデヒド
基を有する有機化合物、アスコルビン酸、グルコノヘプ
トン酸といった反応性多重結合を有する糖酸、アラビノ
ース、ガラクトース、グルコース、グルコヘプトース、
グルコヘプツロース、ソルボース、フルクトース、マン
ノース、ラクトースといった還元糖、カテコール、ピロ
ガロール、没食子酸及びその誘導体といった芳香族ヒド
ロキシ化合物、２−ブチン−１，４−ジオール、２−ブ
チン−１−オール、３−ブチン−１−オールといった反
応性多重結合を有する有機化合物等のうち、脂肪族ポリ
カルボン酸と組み合わせて用いると金属材料の腐食防止
剤として機能する化合物を意味する。従って、還元性を
有する化合物であっても、ジメチルアミンボラン、トリ
メチルアミンボラン等のアミン類のように水溶液中で安
定でないもの、ヒドラジン、ヒドロキシルアミンのよう
に銅と水溶性錯体を形成して銅を腐食するもの、また、
ホスフィン酸及びその塩等も銅を腐食することから、こ
れらの化合物は、還元性を有していても、本発明でいう
還元性化合物には含まれない。本発明において特に好ま
しい還元性化合物としては、例えば、グリオキシル酸、
アスコルビン酸、グルコース、マンノースが挙げられ
る。
【００１５】本発明におけるフォトレジスト残渣除去液
組成物に用いる還元性化合物は、銅やアルミニウムの腐
食防止剤として機能する。そのメカニズムについては必
ずしも明確とはいえないが、１つには除去液の酸化還元
電位の制御、即ち、各種金属間の電子の授受を制御し腐
食を防止することが考えられる。通常、水溶液中の金属
の腐食は、水溶液のｐＨ、酸化還元電位、温度、キレー
ト剤の有無並びに水溶液中で共存している他の金属に影
響されると言われており、中でも溶液のｐＨ、酸化還元
電位が重要な因子を占める。従って、上記の還元性化合
物は、これらの因子を制御することによって水溶液中の
金属の腐食を防止すると推測することができる。
組成物に用いる還元性化合物は、銅やアルミニウムの腐
食防止剤として機能する。そのメカニズムについては必
ずしも明確とはいえないが、１つには除去液の酸化還元
電位の制御、即ち、各種金属間の電子の授受を制御し腐
食を防止することが考えられる。通常、水溶液中の金属
の腐食は、水溶液のｐＨ、酸化還元電位、温度、キレー
ト剤の有無並びに水溶液中で共存している他の金属に影
響されると言われており、中でも溶液のｐＨ、酸化還元
電位が重要な因子を占める。従って、上記の還元性化合
物は、これらの因子を制御することによって水溶液中の
金属の腐食を防止すると推測することができる。
【００１６】例として、図１に水溶液中の銅（Ｃｕ）の
状態を表すｐＨ−酸化還元電位図(M.Pourbaix: Atlas o
f Electrochemical Equilibria in Aqueous Solution(N
ational Association of Corrosion Engineers, Housto
n, 1974)を示す。銅は酸性溶液ではＣｕ（金属領域）と
Ｃｕ2+（溶解領域）があり、一般的な酸性溶液は、酸化
還元電位が高くＣｕ2+となって溶液中に溶解する。その
ため、Ｃｕの腐食を防止するためには、溶液の酸化還元
電位を金属領域まで低下させる必要があり、酸性溶液に
還元性化合物を添加することによって達成することが可
能であると考えられる。しかし、全ての還元性を有する
化合物が腐食防止剤として効果が認められているわけで
はなく、例えば、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン等の
アミン類やホスフィン酸は、還元性を有する化合物であ
るがＣｕ等を著しく腐食する。これは、腐食が酸化還元
電位以外のｐＨや共存イオンによって大きく左右される
ことを示しており、本発明における還元性化合物は、シ
ュウ酸等の脂肪族ポリカルボン酸と組み合わせて、これ
らの要因を考慮に入れて適切に選択されたものである。
状態を表すｐＨ−酸化還元電位図(M.Pourbaix: Atlas o
f Electrochemical Equilibria in Aqueous Solution(N
ational Association of Corrosion Engineers, Housto
n, 1974)を示す。銅は酸性溶液ではＣｕ（金属領域）と
Ｃｕ2+（溶解領域）があり、一般的な酸性溶液は、酸化
還元電位が高くＣｕ2+となって溶液中に溶解する。その
ため、Ｃｕの腐食を防止するためには、溶液の酸化還元
電位を金属領域まで低下させる必要があり、酸性溶液に
還元性化合物を添加することによって達成することが可
能であると考えられる。しかし、全ての還元性を有する
化合物が腐食防止剤として効果が認められているわけで
はなく、例えば、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン等の
アミン類やホスフィン酸は、還元性を有する化合物であ
るがＣｕ等を著しく腐食する。これは、腐食が酸化還元
電位以外のｐＨや共存イオンによって大きく左右される
ことを示しており、本発明における還元性化合物は、シ
ュウ酸等の脂肪族ポリカルボン酸と組み合わせて、これ
らの要因を考慮に入れて適切に選択されたものである。
【００１７】従って、本発明のフォトレジスト残渣除去
液は、半導体回路素子の製造工程において、従来使用さ
れてきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用い
て金属配線を施した基板について、従来より過酷な条件
でアッシング、ドライエッチング等を行った際に生成す
る、従来より強固に固着するフォトレジスト残渣を、配
線を腐食することなく除去することができる。また、本
発明のフォトレジスト残渣除去液は、新しい配線材料で
あるＣｕを用いて金属配線を施した基板についてアッシ
ング、ドライエッチング等を行った際に生成する、従来
とは異なった組成のフォトレジスト残渣であっても、配
線を腐食することなく除去することができる。また本発
明のフォトレジスト残渣除去液は、低誘電率層間絶縁膜
を施した基板についてアッシング、ドライエッチング等
を行った際に生成する、従来とは異なった組成のフォト
レジスト残渣を、層間絶縁膜の膜減り、構造変化、誘電
率変化、機械的強度の劣化等を引き起こさずに除去する
ことができる。また、本発明のフォトレジスト残渣除去
液は、従来使用されてきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔ
ｉ，ＴｉＮ等を用いて金属配線を施した基板について、
従来と同様な条件でアッシング、ドライエッチング等を
行った場合においても生成するフォトレジスト残渣を、
配線を腐食することなく除去することができる。また本
発明のフォトレジスト残渣除去液は、ビアホールで接続
する金属配線であって、ビアホールに埋め込んだ金属が
一部露出する金属配線を施した基板についてアッシン
グ、ドライエッチングを行なった際に生成するフォトレ
ジスト残渣を、露出した金属配線を溶解することなく除
去することができる。また、本発明のフォトレジスト残
渣除去液は、フォトレジスト残渣の除去を低温でも良好
に行うことができる。
液は、半導体回路素子の製造工程において、従来使用さ
れてきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ等を用い
て金属配線を施した基板について、従来より過酷な条件
でアッシング、ドライエッチング等を行った際に生成す
る、従来より強固に固着するフォトレジスト残渣を、配
線を腐食することなく除去することができる。また、本
発明のフォトレジスト残渣除去液は、新しい配線材料で
あるＣｕを用いて金属配線を施した基板についてアッシ
ング、ドライエッチング等を行った際に生成する、従来
とは異なった組成のフォトレジスト残渣であっても、配
線を腐食することなく除去することができる。また本発
明のフォトレジスト残渣除去液は、低誘電率層間絶縁膜
を施した基板についてアッシング、ドライエッチング等
を行った際に生成する、従来とは異なった組成のフォト
レジスト残渣を、層間絶縁膜の膜減り、構造変化、誘電
率変化、機械的強度の劣化等を引き起こさずに除去する
ことができる。また、本発明のフォトレジスト残渣除去
液は、従来使用されてきたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｗ，Ｔ
ｉ，ＴｉＮ等を用いて金属配線を施した基板について、
従来と同様な条件でアッシング、ドライエッチング等を
行った場合においても生成するフォトレジスト残渣を、
配線を腐食することなく除去することができる。また本
発明のフォトレジスト残渣除去液は、ビアホールで接続
する金属配線であって、ビアホールに埋め込んだ金属が
一部露出する金属配線を施した基板についてアッシン
グ、ドライエッチングを行なった際に生成するフォトレ
ジスト残渣を、露出した金属配線を溶解することなく除
去することができる。また、本発明のフォトレジスト残
渣除去液は、フォトレジスト残渣の除去を低温でも良好
に行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明のフォトレジスト残渣除去
液組成物に用いる脂肪族ポリカルボン酸及びその塩と
は、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸などのジカ
ルボン酸類やリンゴ酸、酒石酸などのオキシジカルボン
酸類、クエン酸などのオキシトリカルボン酸類およびそ
れらの塩等が挙げられる。
液組成物に用いる脂肪族ポリカルボン酸及びその塩と
は、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸などのジカ
ルボン酸類やリンゴ酸、酒石酸などのオキシジカルボン
酸類、クエン酸などのオキシトリカルボン酸類およびそ
れらの塩等が挙げられる。
【００１９】アッシング後に残留するフォトレジスト残
渣は、ドライエッチングを行う材料によって組成が異な
る。銅配線上の層間絶縁膜などをドライエッチングした
場合、アッシング後のビアホールの底面や側壁に存在す
るフォトレジスト残渣は、銅の酸化物を含有する。従っ
て、フォトレジスト残渣を除去する成分として、脂肪族
ポリカルボン酸が挙げられ、適切に選択する事により、
溶解除去可能となる。また、アルミニウム配線をドライ
エッチングした場合、アッシング後の配線側壁や表面に
存在するフォトレジスト残渣は、主にアルミニウムの酸
化物を含有する。従って、フォトレジスト残渣を除去す
る成分として、脂肪族ポリカルボン酸が挙げられ、適切
に選択する事により、溶解除去可能となる。従って、脂
肪族ポリカルボン酸類は、銅酸化物やアルミニウム酸化
物の除去性に優れ、かつ銅配線、アルミニウム配線の腐
食を最小限に抑制することができるため、本発明のフォ
トレジスト残渣除去液組成物にフォトレジスト残渣を除
去する成分として用い、中でも、シュウ酸が好ましい。
渣は、ドライエッチングを行う材料によって組成が異な
る。銅配線上の層間絶縁膜などをドライエッチングした
場合、アッシング後のビアホールの底面や側壁に存在す
るフォトレジスト残渣は、銅の酸化物を含有する。従っ
て、フォトレジスト残渣を除去する成分として、脂肪族
ポリカルボン酸が挙げられ、適切に選択する事により、
溶解除去可能となる。また、アルミニウム配線をドライ
エッチングした場合、アッシング後の配線側壁や表面に
存在するフォトレジスト残渣は、主にアルミニウムの酸
化物を含有する。従って、フォトレジスト残渣を除去す
る成分として、脂肪族ポリカルボン酸が挙げられ、適切
に選択する事により、溶解除去可能となる。従って、脂
肪族ポリカルボン酸類は、銅酸化物やアルミニウム酸化
物の除去性に優れ、かつ銅配線、アルミニウム配線の腐
食を最小限に抑制することができるため、本発明のフォ
トレジスト残渣除去液組成物にフォトレジスト残渣を除
去する成分として用い、中でも、シュウ酸が好ましい。
【００２０】本発明においてフォトレジスト残渣除去液
組成物に用いる還元性化合物とは、前記のとおり、グリ
オキシル酸、グルタルアルデヒド、グリオキザールとい
ったアルデヒド基を有する有機化合物、アスコルビン
酸、グルコノヘプトン酸といった反応性多重結合を有す
る糖酸、アラビノース、ガラクトース、グルコース、グ
ルコヘプトース、グルコヘプツロース、ソルボース、フ
ルクトース、マンノース、ラクトースといった還元糖、
カテコール、ピロガロール、没食子酸及びその誘導体と
いった芳香族ヒドロキシ化合物、２−ブチン−１，４−
ジオール、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−
オールといった反応性多重結合を有する有機化合物等で
あり、特に好ましい還元性化合物としては、例えば、グ
リオキシル酸、アスコルビン酸、グルコース、マンノー
スが挙げられる。
組成物に用いる還元性化合物とは、前記のとおり、グリ
オキシル酸、グルタルアルデヒド、グリオキザールとい
ったアルデヒド基を有する有機化合物、アスコルビン
酸、グルコノヘプトン酸といった反応性多重結合を有す
る糖酸、アラビノース、ガラクトース、グルコース、グ
ルコヘプトース、グルコヘプツロース、ソルボース、フ
ルクトース、マンノース、ラクトースといった還元糖、
カテコール、ピロガロール、没食子酸及びその誘導体と
いった芳香族ヒドロキシ化合物、２−ブチン−１，４−
ジオール、２−ブチン−１−オール、３−ブチン−１−
オールといった反応性多重結合を有する有機化合物等で
あり、特に好ましい還元性化合物としては、例えば、グ
リオキシル酸、アスコルビン酸、グルコース、マンノー
スが挙げられる。
【００２１】本発明における脂肪族ポリカルボン酸を含
有するフォトレジスト残渣除去液組成物は、中和及び微
生物による活性汚泥法で処理できる。また、フッ素化合
物やリン化合物を含有しないため、廃液を分別回収して
廃液業者に処理を委託する必要がなく、環境への負荷が
小さいこと、廃液処理費用の低減可能であることという
観点からも利点がある。
有するフォトレジスト残渣除去液組成物は、中和及び微
生物による活性汚泥法で処理できる。また、フッ素化合
物やリン化合物を含有しないため、廃液を分別回収して
廃液業者に処理を委託する必要がなく、環境への負荷が
小さいこと、廃液処理費用の低減可能であることという
観点からも利点がある。
【００２２】脂肪族ポリカルボン酸類の濃度はその除去
対象によって、適宜決定されるが、除去能力および配線
材料の腐食を考慮すると、好ましくは、０．０５〜１０
ｗｔ％であり、特に好ましくは０．１〜５．０ｗｔ％で
ある。還元性化合物は、配線材料等に使用される金属の
腐食を防止するために用いられるが、使用濃度は、フォ
トレジスト残渣除去性、配線材料及び層間絶縁膜材料に
対するアタック性、経済性更に沈殿物及び結晶発生の有
無の観点から決定され、好ましくは、０．００１〜１０
ｗｔ％範囲であり、さらに好ましくは０．０１〜５ｗｔ
％である。本発明においてフォトレジスト残渣除去液組
成物の使用温度は、材料に対する腐食性を考慮すると、
低温で行うことが好ましく、２５〜４０℃が好ましい。
対象によって、適宜決定されるが、除去能力および配線
材料の腐食を考慮すると、好ましくは、０．０５〜１０
ｗｔ％であり、特に好ましくは０．１〜５．０ｗｔ％で
ある。還元性化合物は、配線材料等に使用される金属の
腐食を防止するために用いられるが、使用濃度は、フォ
トレジスト残渣除去性、配線材料及び層間絶縁膜材料に
対するアタック性、経済性更に沈殿物及び結晶発生の有
無の観点から決定され、好ましくは、０．００１〜１０
ｗｔ％範囲であり、さらに好ましくは０．０１〜５ｗｔ
％である。本発明においてフォトレジスト残渣除去液組
成物の使用温度は、材料に対する腐食性を考慮すると、
低温で行うことが好ましく、２５〜４０℃が好ましい。
【００２３】
【実施例】次に、本発明のフォトレジスト残渣除去液組
成物について、実施例および比較例によって、本発明を
更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定さ
れるものではない。 １）フォトレジスト残渣除去液評価試験１．（Ｃｕ／ｌ
ｏｗ−ｋ） シリコンウェハ上にＣｕ、層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）
等を順次成膜し、層間絶縁膜上に塗布、露光、現像した
レジストをマスクとしてドライエッチングを行いビアホ
ールを形成後、アッシングによりレジストの除去を行
い、フォトレジスト残渣が生成したウェハを得た。続い
て、そのウェハをフォトレジスト残渣除去液中に２５
℃、１０分間浸漬処理し、超純水にて流水リンス処理、
乾燥を行った後、電子顕微鏡によりフォトレジスト残渣
の除去性及びＣｕに対する腐食性、ｌｏｗ−ｋ膜へのア
タックを確認した。その結果を表１に示す。
成物について、実施例および比較例によって、本発明を
更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定さ
れるものではない。 １）フォトレジスト残渣除去液評価試験１．（Ｃｕ／ｌ
ｏｗ−ｋ） シリコンウェハ上にＣｕ、層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）
等を順次成膜し、層間絶縁膜上に塗布、露光、現像した
レジストをマスクとしてドライエッチングを行いビアホ
ールを形成後、アッシングによりレジストの除去を行
い、フォトレジスト残渣が生成したウェハを得た。続い
て、そのウェハをフォトレジスト残渣除去液中に２５
℃、１０分間浸漬処理し、超純水にて流水リンス処理、
乾燥を行った後、電子顕微鏡によりフォトレジスト残渣
の除去性及びＣｕに対する腐食性、ｌｏｗ−ｋ膜へのア
タックを確認した。その結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】２）フォトレジスト残渣除去液評価試験
２．（Ａｌ−Ｃｕ） シリコンウェハ上にＡｌ−Ｃｕを成膜し、そのＡｌ−Ｃ
ｕ上に塗布、露光、現像したレジストをマスクとしてド
ライエッチングを行い、Ａｌ−Ｃｕ配線を形成後、アッ
シングによりレジストの除去を行い、フォトレジスト残
渣が生成したウェハを得た。続いて、そのウェハをフォ
トレジスト残渣除去液中に２５℃、１０分間浸漬処理
し、超純水にて流水リンス処理、乾燥を行った後、電子
顕微鏡によりフォトレジスト残渣の除去性及びＡｌ−Ｃ
ｕに対する腐食性を確認した。その結果を表２に示す。
２．（Ａｌ−Ｃｕ） シリコンウェハ上にＡｌ−Ｃｕを成膜し、そのＡｌ−Ｃ
ｕ上に塗布、露光、現像したレジストをマスクとしてド
ライエッチングを行い、Ａｌ−Ｃｕ配線を形成後、アッ
シングによりレジストの除去を行い、フォトレジスト残
渣が生成したウェハを得た。続いて、そのウェハをフォ
トレジスト残渣除去液中に２５℃、１０分間浸漬処理
し、超純水にて流水リンス処理、乾燥を行った後、電子
顕微鏡によりフォトレジスト残渣の除去性及びＡｌ−Ｃ
ｕに対する腐食性を確認した。その結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】３）フォトレジスト残渣除去液評価試験
３．（ボーダーレスビア構造） シリコンウェハ上に層間絶縁膜を成膜し、塗布、露光、
現像したレジストをマスクとしてドライエッチングを行
った穴にＷを埋め込んだ。その後Ａｌ−Ｃｕを成膜し、
塗布、露光、現像したレジストをマスクとしてドライエ
ッチングを行い、Ａｌ−Ｃｕ配線を形成後、アッシング
によりレジストの除去を行い、フォトレジスト残渣が生
成したウェハを得た。続いて、そのウェハをフォトレジ
スト残渣除去液中に２５℃、１０分間浸漬処理し、超純
水にて流水リンス処理、乾燥を行った後、電子顕微鏡に
よりフォトレジスト残渣の除去性及びＡｌ−Ｃｕ、Ｗに
対する腐食性を確認した。その結果を表３に示す。
３．（ボーダーレスビア構造） シリコンウェハ上に層間絶縁膜を成膜し、塗布、露光、
現像したレジストをマスクとしてドライエッチングを行
った穴にＷを埋め込んだ。その後Ａｌ−Ｃｕを成膜し、
塗布、露光、現像したレジストをマスクとしてドライエ
ッチングを行い、Ａｌ−Ｃｕ配線を形成後、アッシング
によりレジストの除去を行い、フォトレジスト残渣が生
成したウェハを得た。続いて、そのウェハをフォトレジ
スト残渣除去液中に２５℃、１０分間浸漬処理し、超純
水にて流水リンス処理、乾燥を行った後、電子顕微鏡に
よりフォトレジスト残渣の除去性及びＡｌ−Ｃｕ、Ｗに
対する腐食性を確認した。その結果を表３に示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】以上の結果から、本フォトレジスト残渣除
去液は、種々の層間絶縁膜材料や金属材料を用いた半導
体回路素子の製造工程において、配線材料や層間絶縁膜
材料へのアタックがなく、ドライエッチング後に残留す
るフォトレジスト残渣の除去できることができた。
去液は、種々の層間絶縁膜材料や金属材料を用いた半導
体回路素子の製造工程において、配線材料や層間絶縁膜
材料へのアタックがなく、ドライエッチング後に残留す
るフォトレジスト残渣の除去できることができた。
【００３０】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト残渣除去液組成
物を用いることにより、半導体回路素子の製造工程にお
いて、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残
渣の除去性に優れ、かつ配線材料の腐食や層間絶縁膜等
に対してアタックがなく、フォトレジスト残渣の除去を
行うことができる。
物を用いることにより、半導体回路素子の製造工程にお
いて、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残
渣の除去性に優れ、かつ配線材料の腐食や層間絶縁膜等
に対してアタックがなく、フォトレジスト残渣の除去を
行うことができる。
【図１】 水溶液中の銅（Ｃｕ）の状態を表すｐＨ−酸
化還元電位図を示す。
化還元電位図を示す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H096 AA25 HA23 JA04 LA03 LA07
4H003 DA15 DB03 EB07 EB08 EB41
FA15
5F004 AA09 EB02
5F043 AA40 BB27 DD12 DD15 GG02
GG10
5F046 MA02
Claims (6)
- 【請求項１】 脂肪族ポリカルボン酸及びその塩からな
る群から選択される１種又は２種以上と還元性化合物及
びその塩からなる群から選択される１種又は２種以上と
を含有することを特徴とするフォトレジスト残渣除去液
組成物。 - 【請求項２】 水溶液であることを特徴とする、請求項
１に記載のフォトレジスト残渣除去液組成物。 - 【請求項３】 脂肪族ポリカルボン酸が、シュウ酸、マ
ロン酸、酒石酸、リンゴ酸、コハク酸及びクエン酸から
なる群から選択される１種又は２種以上であることを特
徴とする、請求項１又は２に記載のフォトレジスト残渣
除去液組成物。 - 【請求項４】 還元性化合物が、グリオキシル酸、アス
コルビン酸、グルコース、マンノースからなる群から選
択される１種又は２種以上であることを特徴とする、請
求項１〜３のいずれかに記載のフォトレジスト残渣除去
液組成物。 - 【請求項５】 還元性化合物の使用濃度が、０．００１
〜１０ｗｔ％であることを特徴とする、請求項１〜４の
いずれかに記載のフォトレジスト残渣除去液組成物。 - 【請求項６】 請求項１〜５に記載のフォトレジスト残
渣除去液組成物のフォトレジスト残渣除去への使用。
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