JP2008203442A - パターン形成方法、電子機器の製造方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下地上にレジスト膜を形成し、その上から選択的に露光および現像を行い、その後メッキ処理またはウエットエッチング処理することを含んでなるパターン形成方法において、メッキ処理またはウエットエッチング処理前に、下地表面を水溶性ポリマーおよび水を少なくとも含んでなる表面処理剤を用いて処理する。
【選択図】図3B
Description
意味する。この部材の機能や材料については特に制限はないが、電解メッキを施す場合には、一般的に、その際に通電するための、銅やその他の金属である。ウエットエッチングを施す場合には、半導体ウエハの上に生じた酸化膜や、マスクの開口パターン形成前の、開口パターンを形成すべき位置にあるマスク材料(マスク材料が酸化され得る場合にはその酸化物も含む)が該当する。半導体ウエハの上に生じた酸化膜をウエットエッチングで除去する作業は、半導体ウエハにゲート層を設ける場合に、しばしば行われ、強酸や強塩基が使用される場合が多い。
基材樹脂:ヒドロキシ基の30モル%をt−Boc(t−ブトキシカルボニル)化したポリp−ヒドロキシスチレン(Mw=11000)、100重量部
光酸発生剤:ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、2重量部
添加剤(クエンチャー):トリエタノールアミン、0.05重量部
溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、600重量部
<レジスト2の組成>
基材樹脂:メバロニックラクトンメタクリレート/2−アダマンチルメタクリレート(モル比1/1)、100重量部
酸発生剤:トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルホネート、2重量部
添加剤:トリエタノールアミン、0.02重量部
溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、700重量部
次に、表1に示すように表面処理液A〜Iを調製した。表1中カッコ内は重量部を示す。表面処理液G以外は全て、本発明に係る水溶性ポリマーを含んでなる表面処理剤である。表1中、PVAはポリビニルアルコール、PVPはポリビニルピロリドン、PHSはポリヒドロキシスチレンをそれぞれ示す。TN−80は旭電化製界面活性剤を表す。
レジスト表面に対する水の接触角を、接触角計にて測定した。
メッキ処理における寸法精度の評価として、その事前処理であるプラズマ処理による、開口部幅の広がり(拡大)とメッキ性の良否判断を採用した。
パターン開口後、めっき事前処理後のそれぞれにおいて、レジスト開口幅を走査型電子顕微鏡により計測し、めっき事前処理による開口幅の広がりを求めた。
めっきの成長速度は、めっき時間、めっき膜厚(段差計により計測)より算出した。めっき状態は、めっき表面を光学顕微鏡により観察し、次のように評価した。
上記のレジスト1を用いて下記のプロセスを実施した。
上記のレジスト1および表面処理液A〜Iを用いて下記のプロセスを実施した。
上記のレジスト2および表面処理液Cを用いて下記のプロセスを実施した。
102 基板保護膜
103 再生下側磁気シールド層
104 第一の非磁性絶縁層(再生下側ギャップ層)
105 磁気トランスデューサ
106a,b 端子
107 第二の非磁性絶縁層(再生上側ギャップ層)
108 再生上側磁気シールド層(記録下部磁極)
108a,108b 溝または凹部
109 記録ギャップ層
110 第三の非磁性絶縁層
111 第四の非磁性絶縁層
112 記録コイル
114 メッキベース層
113 渦巻き状の中心部領域
115 レジスト膜
115a 開口部
116 記録上部磁極
116a ポール
117 保護層
118 複合型磁気ヘッド
119 スライダ
120 磁気記録媒体
RE 再生ヘッド
WR 記録ヘッド
Claims (5)
- 下地上にレジスト膜を形成し、その上から選択的に露光および現像を行い、その後メッキ処理またはウエットエッチング処理することを含んでなるパターン形成方法において、当該メッキ処理またはウエットエッチング処理前に、当該下地表面を水溶性ポリマーおよび水を少なくとも含んでなる表面処理剤を用いて処理することを含むパターン形成方法。
- 前記水溶性ポリマーが、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリエチレンオキシド、フェノール性水酸基含有樹脂、これらの任意の誘導体およびそれらのコポリマーからなる群から選ばれた少なくとも1種類の材料からなる、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記表面処理剤中に前記水溶性ポリマーが0.1〜40重量%含まれている、請求項1または2に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト表面のぬれ性、前記メッキ処理における寸法精度および前記ウエットエッチング処理における寸法精度の少なくともいずれか一つに応じて、前記水溶性ポリマーおよび、存在する場合には溶媒の、種類、量、量比および溶液濃度からなる群から選ばれた少なくとも一つの因子を変更する、請求項1〜3のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のパターン形成方法を含む、磁気ヘッドの製造方法。
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