JP2003514995A - 誘電体の金属化方法 - Google Patents
誘電体の金属化方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 53
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 33
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 33
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 12
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 polysiloxanes Polymers 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 6
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 4
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 3
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)CCN(CCO)CCO BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N platinum(2+) Chemical compound [Pt+2] HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 1
- 101000854908 Homo sapiens WD repeat-containing protein 11 Proteins 0.000 description 1
- VYYAMXIAOGROMF-UHFFFAOYSA-N NCC[Pt](C#N)(C#N)N Chemical compound NCC[Pt](C#N)(C#N)N VYYAMXIAOGROMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100020705 WD repeat-containing protein 11 Human genes 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010504 bond cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N phosphanyl Chemical group [PH2] FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- UBQKCCHYAOITMY-UHFFFAOYSA-N pyridin-2-ol Chemical class OC1=CC=CC=N1 UBQKCCHYAOITMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006277 sulfonation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0525—Patterning by phototackifying or by photopatterning adhesive
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemically Coating (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、誘電体を金属化する方法に関し、その金属化の間、感光性誘電体が基板に付与される。誘電体は、次いで、マスクを通して露光され、金属によってシーディングされ、熱処理される。その後、誘電体は化学的に金属化される。あるいは、誘電体は、基板に付与された後で、第１に、金属によってシーディングされ得、次いで、マスクを通して露光され得る。その後、シーディング材料の超過分が除去され、誘電体は化学的に金属化される。
Description
【０００１】
本発明は、誘電体を金属化する方法に関する。
【０００２】
マイクロエレクトロニクスにおいて、金属導体は、とりわけ、化学または電気
化学的な堆積方法によって製造される。より信頼でき、かつ、より経済的な方法
に向かう傾向が続いている。集積回路（ＩＣ）またはマルチチップモジュール（
ＭＣＭ）の金属導体トラックは、例えば、銅から成る。導体トラックは、ポリイ
ミドまたはシリカなどの有機誘電体または無機誘電体によって絶縁される。特に
、いわゆるＩＣの外部端子の配線し直しに関して、性能を増加させ、かつ、費用
を削減するための簡単かつ選択可能な方法が必要である。現在の慣例的な方法は
一般的に複雑かつ高価である。なぜならば、多数の個別のプロセスからなり、部
分的に、高価な真空プロセス（例えば、Ｈ．Ｅｉｇｌｅｒ，Ｗ．Ｂｅｙｅｒの「
Ｍｏｄｅｒｎｅ Ｐｒｏｄｕｋｔｉｏｎｓｐｒｏｚｅｓｓｅ ｄｅｒ Ｅｌｅｋ
ｔｒｏｔｅｃｈｎｉｋ，Ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋ ｕｎｄ Ｍｉｋｒｏｓｙｓｔｅ
ｍｔｅｃｈｎｉｋ：Ｅｎｔｗｕｒｆ−Ｏｐｔｉｍｉｅｒｕｎｇ−Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｉｅｔｒａｎｓｆｅｒ」、ｅｘｐｅｒｔ−Ｖｅｒｌａｇ、１９９６、３０４
〜３０９頁を参照）を含むからである。
化学的な堆積方法によって製造される。より信頼でき、かつ、より経済的な方法
に向かう傾向が続いている。集積回路（ＩＣ）またはマルチチップモジュール（
ＭＣＭ）の金属導体トラックは、例えば、銅から成る。導体トラックは、ポリイ
ミドまたはシリカなどの有機誘電体または無機誘電体によって絶縁される。特に
、いわゆるＩＣの外部端子の配線し直しに関して、性能を増加させ、かつ、費用
を削減するための簡単かつ選択可能な方法が必要である。現在の慣例的な方法は
一般的に複雑かつ高価である。なぜならば、多数の個別のプロセスからなり、部
分的に、高価な真空プロセス（例えば、Ｈ．Ｅｉｇｌｅｒ，Ｗ．Ｂｅｙｅｒの「
Ｍｏｄｅｒｎｅ Ｐｒｏｄｕｋｔｉｏｎｓｐｒｏｚｅｓｓｅ ｄｅｒ Ｅｌｅｋ
ｔｒｏｔｅｃｈｎｉｋ，Ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋ ｕｎｄ Ｍｉｋｒｏｓｙｓｔｅ
ｍｔｅｃｈｎｉｋ：Ｅｎｔｗｕｒｆ−Ｏｐｔｉｍｉｅｒｕｎｇ−Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｉｅｔｒａｎｓｆｅｒ」、ｅｘｐｅｒｔ−Ｖｅｒｌａｇ、１９９６、３０４
〜３０９頁を参照）を含むからである。
【０００３】
従って、例えば、真空プロセスによって金属薄膜（すなわち、電気めっきの開
始層）を誘電体に付与することは公知である。次いで、フォトレジストが、この
金属層にスピンコーティングによって付与され、露光され、現像される。リソグ
ラフィック構造の結果として、表面の特定の部分が露出され、次いで、この露出
した金属表面は、電気めっきによって金属化される。フォトレジストがはぎ取ら
れた後、薄膜の電気めっき開始層がエッチングされる（例えば、Ｗ．Ｍｅｎｚ，
Ｐ．Ｂｌｅｙの「Ｍｉｋｒｏｓｙｓｔｅｍｔｅｃｈｎｉｋ ｆｕｒ Ｉｎｇｅｎ
ｉｅｕｒｅ」、ＶＣＨ Ｖｅｒｌａｇｓｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｂＨ、１
９９３、１９２〜１９４、１９８〜１９９、および２５１頁を参照）。しかし、
このような手順は、複雑かつ高価である。
始層）を誘電体に付与することは公知である。次いで、フォトレジストが、この
金属層にスピンコーティングによって付与され、露光され、現像される。リソグ
ラフィック構造の結果として、表面の特定の部分が露出され、次いで、この露出
した金属表面は、電気めっきによって金属化される。フォトレジストがはぎ取ら
れた後、薄膜の電気めっき開始層がエッチングされる（例えば、Ｗ．Ｍｅｎｚ，
Ｐ．Ｂｌｅｙの「Ｍｉｋｒｏｓｙｓｔｅｍｔｅｃｈｎｉｋ ｆｕｒ Ｉｎｇｅｎ
ｉｅｕｒｅ」、ＶＣＨ Ｖｅｒｌａｇｓｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｂＨ、１
９９３、１９２〜１９４、１９８〜１９９、および２５１頁を参照）。しかし、
このような手順は、複雑かつ高価である。
【０００４】
ＤＥ １９８ ５１ １０１ Ａ１は、プラスチック基板の表面上に金属層を
選択的に堆積する方法を開示する。コーティングされるべき表面の部分が電磁放
射線によって照射され、化学結合が切断され、官能基が反応中心として生成され
る。照射は、特に、３２０ｎｍより小さな、好適には２２２ｎｍの波長の紫外線
を使用して行われる。マスクの助けによって、または、書込みレーザビームによ
って行われる照射の後、貴金属化合物が表面の反応性官能基に固定される。この
目的のために、プラスチック部分は、膨潤溶液（例えば、５モルの水溶性ＮａＯ
Ｈ溶液）内に浸漬されるか、または、堆積されるべき物質を含む溶液（すなわち
、シード溶液）に直接接触させられるかのいずれかである。次いで、金属層は、
非電流の金属化バス内に堆積される。
選択的に堆積する方法を開示する。コーティングされるべき表面の部分が電磁放
射線によって照射され、化学結合が切断され、官能基が反応中心として生成され
る。照射は、特に、３２０ｎｍより小さな、好適には２２２ｎｍの波長の紫外線
を使用して行われる。マスクの助けによって、または、書込みレーザビームによ
って行われる照射の後、貴金属化合物が表面の反応性官能基に固定される。この
目的のために、プラスチック部分は、膨潤溶液（例えば、５モルの水溶性ＮａＯ
Ｈ溶液）内に浸漬されるか、または、堆積されるべき物質を含む溶液（すなわち
、シード溶液）に直接接触させられるかのいずれかである。次いで、金属層は、
非電流の金属化バス内に堆積される。
【０００５】
このような手順は、マイクロエレクトロニクスにおいて実行可能でない。なぜ
ならば、化学結合を切断するためには、特に２２２ｎｍの波長を有する高エネル
ギーの照射が必要であるからである。しかし、この波長を有する十分に強力なラ
ンプがないため、照射時間は、標準的な露光の場合に比べて実質的により長く（
１０より大きな倍数）なる。しかし、結果として、シーディング可能な基板の処
理量が非常に制限され、さらに、必要なエキシマＵＶランプは非常に高価である
。さらに、高価なマスクを汚し得る低分子量の破片が、結合の切断の間に遊離さ
れる。公知のプロセスのさらなる不利益は、ポジティブワーキングでしかない（
すなわち、露光された部分のみがシーディングされ得る）ということである。反
対に、露光されていない部分がシーディングされるネガティブモードの手順は可
能でない。このことは、例えば、既存のプロセスにおいて、ネガティブマスクの
みが必要な場合に新しいマスクを追加するためには、高額な費用がかかることを
意味し得る。
ならば、化学結合を切断するためには、特に２２２ｎｍの波長を有する高エネル
ギーの照射が必要であるからである。しかし、この波長を有する十分に強力なラ
ンプがないため、照射時間は、標準的な露光の場合に比べて実質的により長く（
１０より大きな倍数）なる。しかし、結果として、シーディング可能な基板の処
理量が非常に制限され、さらに、必要なエキシマＵＶランプは非常に高価である
。さらに、高価なマスクを汚し得る低分子量の破片が、結合の切断の間に遊離さ
れる。公知のプロセスのさらなる不利益は、ポジティブワーキングでしかない（
すなわち、露光された部分のみがシーディングされ得る）ということである。反
対に、露光されていない部分がシーディングされるネガティブモードの手順は可
能でない。このことは、例えば、既存のプロセスにおいて、ネガティブマスクの
みが必要な場合に新しいマスクを追加するためには、高額な費用がかかることを
意味し得る。
【０００６】
本発明は、誘電体を選択的に金属化する適切な方法を提供することを目的とし
、この方法は、特に、マイクロエレクトロニクスにおいて使用され得、既存のプ
ロセスラインの条件と適合する要件が満たされることが必要とされる。
、この方法は、特に、マイクロエレクトロニクスにおいて使用され得、既存のプ
ロセスラインの条件と適合する要件が満たされることが必要とされる。
【０００７】
これは、本発明によって、感光性の誘電体が基板に付与され、この誘電体がマ
スクを通して露光され、金属によってシーディングされ、熱処理され、次いで、
化学的に金属化される手順によって達成される。あるいは、基板に付与された後
、誘電体は、第１に、金属によってシーディングされ、次いで、マスクを通して
露光されることも可能である。その後、過剰のシーディング材料が除去され、誘
電体は化学的に金属化される。
スクを通して露光され、金属によってシーディングされ、熱処理され、次いで、
化学的に金属化される手順によって達成される。あるいは、基板に付与された後
、誘電体は、第１に、金属によってシーディングされ、次いで、マスクを通して
露光されることも可能である。その後、過剰のシーディング材料が除去され、誘
電体は化学的に金属化される。
【０００８】
従って、本発明による方法は、第１に感光性誘電体を基板に付与する様態で行
われる。誘電体は、好適には、溶解された状態またはペースト状で（すなわち、
概略液相で）基板に付与され、次いで、乾燥される。その後、誘電体は、マスク
を通して露光され、選択的にシーディングされる。「シーディング」は、本明細
書中、表面にシードを結合させることと、シードの化学的活性化とを意味するこ
とが理解される。その後、誘電体は熱処理される（すなわち、加熱され、化学的
に金属化される）。加熱は一般的に、９０〜４５０℃の温度で行われる。
われる。誘電体は、好適には、溶解された状態またはペースト状で（すなわち、
概略液相で）基板に付与され、次いで、乾燥される。その後、誘電体は、マスク
を通して露光され、選択的にシーディングされる。「シーディング」は、本明細
書中、表面にシードを結合させることと、シードの化学的活性化とを意味するこ
とが理解される。その後、誘電体は熱処理される（すなわち、加熱され、化学的
に金属化される）。加熱は一般的に、９０〜４５０℃の温度で行われる。
【０００９】
他の手順において、シーディング材料は、第１に、誘電体の全表面上に吸収さ
れ、次いで、マスクを通して露光することにより、シードの選択可能な固定およ
び活性化が行われる。その後、過剰のシーディング材料が除去され、誘電体は化
学的に金属化される。一般的には、水または溶剤によって洗浄することにより、
シーディング材料は除去される。
れ、次いで、マスクを通して露光することにより、シードの選択可能な固定およ
び活性化が行われる。その後、過剰のシーディング材料が除去され、誘電体は化
学的に金属化される。一般的には、水または溶剤によって洗浄することにより、
シーディング材料は除去される。
【００１０】
両方の場合において、シーディング（金属による）は、好適には、金属含有シ
ード溶液または乳濁液によって誘電体を処理することにより行われる。しかし、
誘電体は、例えば、シードを含む大気、または容易に揮発する金属化合物にも暴
露され得る。
ード溶液または乳濁液によって誘電体を処理することにより行われる。しかし、
誘電体は、例えば、シードを含む大気、または容易に揮発する金属化合物にも暴
露され得る。
【００１１】
誘電体を露光する際に、狭窄な溝および穴構造を有するマスクを使用すること
が有益であることも証明されている。実際に、それによって、特に望ましい結果
が得られる。穴は、好適には、約１〜３μｍの直径を有し、穴と穴との距離は、
同様に約１〜３μｍである。
が有益であることも証明されている。実際に、それによって、特に望ましい結果
が得られる。穴は、好適には、約１〜３μｍの直径を有し、穴と穴との距離は、
同様に約１〜３μｍである。
【００１２】
誘電体は、好適には、ポリマーと光学的に活性な成分とを含む。しかし、それ
自体が感光性を有するポリマーもまた、有利に使用され得る（すなわち、この場
合、誘電体は、光により構造化が可能な（ｐｈｏｔｏｓｔｒｕｋｔｕｒｉｅｒｂ
ａｒｅｓ）なポリマーである）。その上、ポリマーはまた、コポリマーまたはポ
リマーブレンドであり得る。
自体が感光性を有するポリマーもまた、有利に使用され得る（すなわち、この場
合、誘電体は、光により構造化が可能な（ｐｈｏｔｏｓｔｒｕｋｔｕｒｉｅｒｂ
ａｒｅｓ）なポリマーである）。その上、ポリマーはまた、コポリマーまたはポ
リマーブレンドであり得る。
【００１３】
ポリマーは、高い化学的および熱的安定性を都合よく有する。結果として、は
んだ付けプロセスおよび清浄プロセスならびに化学的金属化は、損傷をうけない
耐久性を有する。ポリマーは、有機性または無機／有機性であり得る。具体的に
は、下記の種類のポリマーを使用することが有利であると証明されている。ポリ
イミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾイミダゾール、主に芳香族ポリエ
ーテル、ポリエーテルケトンおよびポリエーテルスルホン、ベンゾシクロブテン
、ポリキノリン、ポリキノキサリンおよびポリシロキサン（シリコーン）。これ
らのポリマーを互いに有するコポリマーまたはブレンドも同様に適切である。
んだ付けプロセスおよび清浄プロセスならびに化学的金属化は、損傷をうけない
耐久性を有する。ポリマーは、有機性または無機／有機性であり得る。具体的に
は、下記の種類のポリマーを使用することが有利であると証明されている。ポリ
イミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾイミダゾール、主に芳香族ポリエ
ーテル、ポリエーテルケトンおよびポリエーテルスルホン、ベンゾシクロブテン
、ポリキノリン、ポリキノキサリンおよびポリシロキサン（シリコーン）。これ
らのポリマーを互いに有するコポリマーまたはブレンドも同様に適切である。
【００１４】
光により構造化が可能なポリマーは広く公知であり、市販もされている。本発
明による方法において、下記のポリマーが、好適には、誘電体として使用される
。ポリベンゾオキサゾール（例えば、ＥＰ ０ ０２３ ６６２ Ｂ１およびＥ
Ｐ ０ ２６４ ６７８ Ｂ１を参照）またはポリイミドに基づくポジティブに
光構造化が可能なポリマー、ならびに、ポリイミド（例えば、米国特許第３ ９
５７ ５１２号およびＲｅ．３０ １８６を参照）に基づくネガティブに光構造
化が可能なポリマー。
明による方法において、下記のポリマーが、好適には、誘電体として使用される
。ポリベンゾオキサゾール（例えば、ＥＰ ０ ０２３ ６６２ Ｂ１およびＥ
Ｐ ０ ２６４ ６７８ Ｂ１を参照）またはポリイミドに基づくポジティブに
光構造化が可能なポリマー、ならびに、ポリイミド（例えば、米国特許第３ ９
５７ ５１２号およびＲｅ．３０ １８６を参照）に基づくネガティブに光構造
化が可能なポリマー。
【００１５】
本発明による方法は、下記の実質的な利点を有する。
・露光は、誘電体の組成に応じて、近紫外線または深紫外線の領域（すなわち、
２００〜４５０ｎｍ）において行われ得る。３５０〜４５０ｎｍの範囲が特に適
切である。これにより、プロセスラインにすでに使用されている経済的な照射ユ
ニットを使用することが可能である。 ・十分な処理量を保証するための照射時間が短い。 ・誘電体の組成に応じて、照射された部分または照射されていない部分が選択的
にシーディングされ得る。 ・露光の間、誘電体（すなわち、ポリマー）の表面は、劣化または切断されず、
有害な低分子量生成物を生成し得ない。
２００〜４５０ｎｍ）において行われ得る。３５０〜４５０ｎｍの範囲が特に適
切である。これにより、プロセスラインにすでに使用されている経済的な照射ユ
ニットを使用することが可能である。 ・十分な処理量を保証するための照射時間が短い。 ・誘電体の組成に応じて、照射された部分または照射されていない部分が選択的
にシーディングされ得る。 ・露光の間、誘電体（すなわち、ポリマー）の表面は、劣化または切断されず、
有害な低分子量生成物を生成し得ない。
【００１６】
基板は、一般的には、シリコンまたはセラミックの材料から成り、誘電層の下
に、金属層および絶縁層を含む電子回路をすでに有することが可能である。しか
し、基板はまた、ガラスまたは金属から成り得る。
に、金属層および絶縁層を含む電子回路をすでに有することが可能である。しか
し、基板はまた、ガラスまたは金属から成り得る。
【００１７】
誘電体は、溶解された状態またはペースト状で基板に付与され得る。適切な技
術として、例えば、スピンコーティング、注入成形、計量分配、ナイフコーティ
ング、タンポン印刷、インクジェット印刷、およびスクリーン印刷が挙げられる
。特に、ペーストとして、かつ、スクリーン印刷に使用される場合、充填剤もま
た誘電体に追加され得る。
術として、例えば、スピンコーティング、注入成形、計量分配、ナイフコーティ
ング、タンポン印刷、インクジェット印刷、およびスクリーン印刷が挙げられる
。特に、ペーストとして、かつ、スクリーン印刷に使用される場合、充填剤もま
た誘電体に追加され得る。
【００１８】
シーディングは、金属含有シード溶液または乳濁液によって（例えば、誘電体
の浸漬によって）行われ得る。この目的のために、シード溶液または乳濁液は、
イオン化した状態またはコロイド状の１つ以上の金属化合物を含む。シードは、
レドックス化学反応に準安定な溶液から金属の堆積を触媒する材料である。適切
なシードは、特に、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ
）、銀（Ａｇ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、お
よび金（Ａｕ）などの貴金属、または対応する化合物および錯体（有機性および
／または無機性の）である。このような化合物は、例えば、Ｐｄアセテートおよ
びＰｄクロライドなどのパラジウム化合物である。
の浸漬によって）行われ得る。この目的のために、シード溶液または乳濁液は、
イオン化した状態またはコロイド状の１つ以上の金属化合物を含む。シードは、
レドックス化学反応に準安定な溶液から金属の堆積を触媒する材料である。適切
なシードは、特に、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ
）、銀（Ａｇ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、お
よび金（Ａｕ）などの貴金属、または対応する化合物および錯体（有機性および
／または無機性の）である。このような化合物は、例えば、Ｐｄアセテートおよ
びＰｄクロライドなどのパラジウム化合物である。
【００１９】
適切な錯体化合物は、特に、官能基化されたシス−ジアミノ−ジ（プソノイド
）ハロ化または−アルニケル化されたＰｄ（ＩＩ）化合物またはＰｔ（ＩＩ）化
合物の錯体である。それらは、化学反応を受けることが可能な基を有するためで
ある。この反応は、例えば、リガンドが中心原子に配位結合されていないアミノ
基を多く有する程、より選択的になる。このことは、例えば、シス−η２−Ｎ，
Ｎ−ビス（２−アミノエチル）アミノジシアノ白金（ＩＩ）の場合と同様である
。酸化状態がすでに０の金属の錯体が特に適切である。なぜならば、その結果と
して、シードまたはクラスターの形成が相当簡易化され、修飾された表面上で特
に行われるからである。このような錯体は、例えば、パラジウムおよび白金のト
リフォスフィノ（ｔｒｉｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）錯体である。このような錯体のリ
ガンドシステムは、例えば、スルホン化またはアミノ化によって非常に簡単に修
飾され得る。修飾されたシステムの例として、３−［ビス（３−スルホフェニル
）フォスフィノ］−ベンゾスルホン酸および１，３，５−トリアザ−７−フォス
フォトリシクロ−［３．１．１．１］デカンが挙げられる。リガンドシステムの
修飾の結果として、錯体は、誘電体の照射された部分または照射されていない部
分のいずれかへと拡散する。そこにおいて、錯体は、イオン結合を介して誘電体
の官能基に追加され得るか、または、誘電体に直接反応する。
）ハロ化または−アルニケル化されたＰｄ（ＩＩ）化合物またはＰｔ（ＩＩ）化
合物の錯体である。それらは、化学反応を受けることが可能な基を有するためで
ある。この反応は、例えば、リガンドが中心原子に配位結合されていないアミノ
基を多く有する程、より選択的になる。このことは、例えば、シス−η２−Ｎ，
Ｎ−ビス（２−アミノエチル）アミノジシアノ白金（ＩＩ）の場合と同様である
。酸化状態がすでに０の金属の錯体が特に適切である。なぜならば、その結果と
して、シードまたはクラスターの形成が相当簡易化され、修飾された表面上で特
に行われるからである。このような錯体は、例えば、パラジウムおよび白金のト
リフォスフィノ（ｔｒｉｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）錯体である。このような錯体のリ
ガンドシステムは、例えば、スルホン化またはアミノ化によって非常に簡単に修
飾され得る。修飾されたシステムの例として、３−［ビス（３−スルホフェニル
）フォスフィノ］−ベンゾスルホン酸および１，３，５−トリアザ−７−フォス
フォトリシクロ−［３．１．１．１］デカンが挙げられる。リガンドシステムの
修飾の結果として、錯体は、誘電体の照射された部分または照射されていない部
分のいずれかへと拡散する。そこにおいて、錯体は、イオン結合を介して誘電体
の官能基に追加され得るか、または、誘電体に直接反応する。
【００２０】
本発明による方法において、感光性の金属錯体がさらに適切である。これらは
、η２−ビピリジル−４，４’−ジアミノ−η２−スチルベンパラジウム（ＩＩ
）の場合と同様に、特に、アルケンリガンドを有するか、または、露光の際に反
応を受けるリガンドを有する貴金属錯体である。露光の際、このような錯体は、
誘電体の照射された部分または照射されていない部分と選択的に反応する。さら
に、金属錯体は、一般的に、単核または多核の構造を有し得る。多核の錯体（い
わゆる、クラスター）は、まるで成形金属シードのように振舞う。
、η２−ビピリジル−４，４’−ジアミノ−η２−スチルベンパラジウム（ＩＩ
）の場合と同様に、特に、アルケンリガンドを有するか、または、露光の際に反
応を受けるリガンドを有する貴金属錯体である。露光の際、このような錯体は、
誘電体の照射された部分または照射されていない部分と選択的に反応する。さら
に、金属錯体は、一般的に、単核または多核の構造を有し得る。多核の錯体（い
わゆる、クラスター）は、まるで成形金属シードのように振舞う。
【００２１】
シード溶液の適切な溶媒は、水または有機溶媒および対応する混合物である。
下記の有機溶媒が特に適切である。エタノール、イソプロパノール、アセトン、
ブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、−ブチ
ロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、エチルアセテート、ブチルアセテート、エ
トキシエチルアセテート、およびエトキシエチルプロピオネート。シード溶液は
また、イオンまたは非イオン性の界面活性剤と、トリエチルアミンおよびテトラ
メチルアンモニウム水酸化物などのアミン類とを含み得る。
下記の有機溶媒が特に適切である。エタノール、イソプロパノール、アセトン、
ブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、−ブチ
ロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、エチルアセテート、ブチルアセテート、エ
トキシエチルアセテート、およびエトキシエチルプロピオネート。シード溶液は
また、イオンまたは非イオン性の界面活性剤と、トリエチルアミンおよびテトラ
メチルアンモニウム水酸化物などのアミン類とを含み得る。
【００２２】
本発明について、実施形態を参照してより詳細に説明する。
【００２３】
高温において安定性のあるポリマー（特に、ポリイミドおよびポリベンゾオキ
サゾール）の感光性前駆体は、好適には、金属化された誘電体を製造するために
使用される。これらの前駆体または対応する溶液は市販されている。感光性ポリ
イミド前駆体は、例えば、ネガティブワーキングのポリアミド酸エステルであり
、感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体は、例えば、ジアゾナフトキノンが追加
されたポジティブワーキングのポリヒドロキシアミドである。これらのポリマー
前駆体は、例えば、Ｎ−メチルピロリドンに可溶であり、スピンコーティングの
間に基板上に均一な層を形成し、ｉラインおよびｇラインの光の露光に感光性で
ある。加熱プロセスは、結果として、それぞれ４００℃および４５０℃まで熱的
に安定しているポリイミドおよびポリベンゾオキサゾールなどの対応するポリマ
ーを形成する。得られる誘電体は、酸性および中性のエッチング溶液に耐久性が
ある。
サゾール）の感光性前駆体は、好適には、金属化された誘電体を製造するために
使用される。これらの前駆体または対応する溶液は市販されている。感光性ポリ
イミド前駆体は、例えば、ネガティブワーキングのポリアミド酸エステルであり
、感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体は、例えば、ジアゾナフトキノンが追加
されたポジティブワーキングのポリヒドロキシアミドである。これらのポリマー
前駆体は、例えば、Ｎ−メチルピロリドンに可溶であり、スピンコーティングの
間に基板上に均一な層を形成し、ｉラインおよびｇラインの光の露光に感光性で
ある。加熱プロセスは、結果として、それぞれ４００℃および４５０℃まで熱的
に安定しているポリイミドおよびポリベンゾオキサゾールなどの対応するポリマ
ーを形成する。得られる誘電体は、酸性および中性のエッチング溶液に耐久性が
ある。
【００２４】
（実施例１）
ポリイミド（ＰＩ）の感光性前駆体の市販の溶液が、水平なスピンコーターに
よって３０００ｒｐｍ（スピンコーティング時間：２０秒間）でシリコン基板に
付与される。次いで、１００℃のホットプレート上で４分間の乾燥が行われる。
得られる膜は、マスクを通して接触照射ユニット（照射線量：２５０ｍＪ／ｃｍ
）によって照射される。それによって、ＰＩ前駆体は架橋する。次いで、基板は
、２００ｍｇのビス（アセタト）ビス（トリフェニルフォスフィノ）パラジウム
を含むパラジウム錯体溶液内に１０分間浸漬され、この錯体は、９５０ｍｌのイ
ソプロパノールと５０ｍｌの鉱質除去された水に溶解されており、この基板は、
次いで、イソプロパノールおよび鉱質除去された水によって洗浄される。パラジ
ウム錯体は、ポリイミドの架橋されていない部分（すなわち、照射されていない
部分）にのみ追加される。基板は、窒素雰囲気のもとで３００℃のホットプレー
ト上で３０分間加熱される。次いで、パラジウム錯体は、アルカリ性のホウ化水
素溶液（１０００ｍｌの水に溶解された１ｇのホウ化水素ナトリウムおよび５ｇ
の水酸化物ナトリウム）によって（室温で２分間）還元される。次いで、市販の
化学的銅バスに１５分間浸漬することによって、シーディングされた部分の選択
的な化学的銅めっきが行われる。それによって、均一かつ強力に付着した銅層が
得られる。銅バスは、例えば、下記の成分を有する準安定の溶液である。その成
分は、銅塩、テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミンまたはエチ
レンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）などの錯化剤、ホルムアルデヒドなどの還
元剤、および安定剤である。
よって３０００ｒｐｍ（スピンコーティング時間：２０秒間）でシリコン基板に
付与される。次いで、１００℃のホットプレート上で４分間の乾燥が行われる。
得られる膜は、マスクを通して接触照射ユニット（照射線量：２５０ｍＪ／ｃｍ
）によって照射される。それによって、ＰＩ前駆体は架橋する。次いで、基板は
、２００ｍｇのビス（アセタト）ビス（トリフェニルフォスフィノ）パラジウム
を含むパラジウム錯体溶液内に１０分間浸漬され、この錯体は、９５０ｍｌのイ
ソプロパノールと５０ｍｌの鉱質除去された水に溶解されており、この基板は、
次いで、イソプロパノールおよび鉱質除去された水によって洗浄される。パラジ
ウム錯体は、ポリイミドの架橋されていない部分（すなわち、照射されていない
部分）にのみ追加される。基板は、窒素雰囲気のもとで３００℃のホットプレー
ト上で３０分間加熱される。次いで、パラジウム錯体は、アルカリ性のホウ化水
素溶液（１０００ｍｌの水に溶解された１ｇのホウ化水素ナトリウムおよび５ｇ
の水酸化物ナトリウム）によって（室温で２分間）還元される。次いで、市販の
化学的銅バスに１５分間浸漬することによって、シーディングされた部分の選択
的な化学的銅めっきが行われる。それによって、均一かつ強力に付着した銅層が
得られる。銅バスは、例えば、下記の成分を有する準安定の溶液である。その成
分は、銅塩、テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミンまたはエチ
レンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）などの錯化剤、ホルムアルデヒドなどの還
元剤、および安定剤である。
【００２５】
（実施例２）
手順は、実施例１に対応するが、金属化は、市販の化学的ニッケルバスを使用
して行われる。ニッケルバスは、例えば、下記の成分を含む準安定の溶液である
。この成分は、ニッケル塩、クエン酸または酒石酸塩などの錯化剤、および、次
亜燐酸ナトリウムなどの還元剤である。ここでもまた、均一かつ強力に付着した
金属層が得られる。
して行われる。ニッケルバスは、例えば、下記の成分を含む準安定の溶液である
。この成分は、ニッケル塩、クエン酸または酒石酸塩などの錯化剤、および、次
亜燐酸ナトリウムなどの還元剤である。ここでもまた、均一かつ強力に付着した
金属層が得られる。
【００２６】
（実施例３）
感光性前駆体であるポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）の市販の溶液が、水平
なスピンコーターによって３５００ｒｐｍ（スピンコーティング時間：２０秒間
）でガラス基板に付与される。次いで、９０℃で６０秒間および次いで１２０℃
で１２０秒間の乾燥が行われる。得られる膜は、マスクを通して接触照射ユニッ
ト（照射線量：３００ｍＪ／ｃｍ）によって照射される。照射の結果、膜内にカ
ルボキシル基が生成される。次いで、基板は、２００ｍｇのη２−ビピリジル−
４，４’−ジアミノ−η２−スチルベン白金（ＩＩ）を含むパラジウム錯体溶液
内に１０分間浸漬され、この錯体は、１０００ｍｌのイソプロパノール／水の混
合液（体積比３：１）に溶解されている。それによって、パラジウム錯体は、カ
ルボキシル基に追加される。これにより、膜の照射された部分のみがシーディン
グされる。基板は、窒素雰囲気のもとで、２５０℃で３分間および３５０℃で３
分間、ホットプレート上で加熱される。次いで、パラジウム錯体は、ヒドラジン
溶液（水に対して５％の強溶液（ｉｇｅ Ｌｏｓｕｎｇ））によって（室温で５
分間）還元される。次いで、照射された部分は、実施例１に対応する様態で金属
化される。それによって、均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
なスピンコーターによって３５００ｒｐｍ（スピンコーティング時間：２０秒間
）でガラス基板に付与される。次いで、９０℃で６０秒間および次いで１２０℃
で１２０秒間の乾燥が行われる。得られる膜は、マスクを通して接触照射ユニッ
ト（照射線量：３００ｍＪ／ｃｍ）によって照射される。照射の結果、膜内にカ
ルボキシル基が生成される。次いで、基板は、２００ｍｇのη２−ビピリジル−
４，４’−ジアミノ−η２−スチルベン白金（ＩＩ）を含むパラジウム錯体溶液
内に１０分間浸漬され、この錯体は、１０００ｍｌのイソプロパノール／水の混
合液（体積比３：１）に溶解されている。それによって、パラジウム錯体は、カ
ルボキシル基に追加される。これにより、膜の照射された部分のみがシーディン
グされる。基板は、窒素雰囲気のもとで、２５０℃で３分間および３５０℃で３
分間、ホットプレート上で加熱される。次いで、パラジウム錯体は、ヒドラジン
溶液（水に対して５％の強溶液（ｉｇｅ Ｌｏｓｕｎｇ））によって（室温で５
分間）還元される。次いで、照射された部分は、実施例１に対応する様態で金属
化される。それによって、均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
【００２７】
下記の溶液もまた、溶液以外は同一の条件下で、シーディング溶液として使用
され得る。そのシーディング溶液は、２５０ｍｇの白金錯体シス［Ｐｔ1（ｈｐ
）4（ＮＨ3）8（ＮＯ3）2］（ＮＯ3）・３Ｈ2Ｏが５００ｍｌの水に溶解され、
０．５ｍｌの２４％アンモニア強溶液が追加されている。「ｈｐ」は、脱プロト
ン化された２−ヒドロキシピリジンを表す。同じ結果が得られる。
され得る。そのシーディング溶液は、２５０ｍｇの白金錯体シス［Ｐｔ1（ｈｐ
）4（ＮＨ3）8（ＮＯ3）2］（ＮＯ3）・３Ｈ2Ｏが５００ｍｌの水に溶解され、
０．５ｍｌの２４％アンモニア強溶液が追加されている。「ｈｐ」は、脱プロト
ン化された２−ヒドロキシピリジンを表す。同じ結果が得られる。
【００２８】
（実施例４）
感光性ＰＢＯ前駆体の溶液が、実施例３に従って、スピンコーティングによっ
て基板に付与され、乾燥され、マスクを通して照射される。次いで、基板は、４
０℃で１分間、ジエチレングリコールモノエチルエーテルおよび鉱質除去された
水を含む膨潤溶液（体積比１：１）内に浸漬される。ここで、照射された部分の
みが膨潤される。次いで、基板が室温で１０分間、塩化パラジウムの水溶液（３
００ｍｇ／ｌ）内に浸漬される場合、パラジウムイオンは、照射されたＰＢＯ部
分内に埋め込まれる。中性のホウ化水素ナトリウム溶液（１０００ｍｌの水に溶
解された２ｇの溶液）内への浸漬によるパラジウム塩の還元（４分間）の後、Ｐ
ＢＯは、窒素雰囲気のもとで２８５℃のホットプレート上で２０分間加熱され、
次いで、実施例２と同様に金属化される。均一かつ強力に付着した銅層が得られ
る。
て基板に付与され、乾燥され、マスクを通して照射される。次いで、基板は、４
０℃で１分間、ジエチレングリコールモノエチルエーテルおよび鉱質除去された
水を含む膨潤溶液（体積比１：１）内に浸漬される。ここで、照射された部分の
みが膨潤される。次いで、基板が室温で１０分間、塩化パラジウムの水溶液（３
００ｍｇ／ｌ）内に浸漬される場合、パラジウムイオンは、照射されたＰＢＯ部
分内に埋め込まれる。中性のホウ化水素ナトリウム溶液（１０００ｍｌの水に溶
解された２ｇの溶液）内への浸漬によるパラジウム塩の還元（４分間）の後、Ｐ
ＢＯは、窒素雰囲気のもとで２８５℃のホットプレート上で２０分間加熱され、
次いで、実施例２と同様に金属化される。均一かつ強力に付着した銅層が得られ
る。
【００２９】
（実施例５）
感光性ポリイミド前駆体の溶液が、実施例１に従って、スピンコーティングに
よって基板に付与され、乾燥される。次いで、基板は、テトラキス（トリフェニ
ルフォスフィノ）−パラジウム（０）溶液内に１０分間浸漬され、この溶液は、
１０００ｍｌのトルエン内に溶解された１５０ｍｇのパラジウム錯体を含み、こ
の基板は、トルエン／メタノール（１：１）によって１分間洗浄され、１００℃
で２分間乾燥される。次いで、構造化のための露光が、接触照射ユニット（照射
線量：２５０ｍｌ／ｃｍ）を用いて行われる。次いで、基板は、トルエンによっ
て２分間洗浄され、トルエン／エタノールによって１分間洗浄され、メタノール
によって１分間洗浄され、３００℃で加熱されて、実施例１に従って金属化され
る。照射された部分に、均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
よって基板に付与され、乾燥される。次いで、基板は、テトラキス（トリフェニ
ルフォスフィノ）−パラジウム（０）溶液内に１０分間浸漬され、この溶液は、
１０００ｍｌのトルエン内に溶解された１５０ｍｇのパラジウム錯体を含み、こ
の基板は、トルエン／メタノール（１：１）によって１分間洗浄され、１００℃
で２分間乾燥される。次いで、構造化のための露光が、接触照射ユニット（照射
線量：２５０ｍｌ／ｃｍ）を用いて行われる。次いで、基板は、トルエンによっ
て２分間洗浄され、トルエン／エタノールによって１分間洗浄され、メタノール
によって１分間洗浄され、３００℃で加熱されて、実施例１に従って金属化され
る。照射された部分に、均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
【００３０】
（実施例６）
感光性ポリイミド前駆体の溶液が、実施例１に従って、スピンコーティングに
よってシリコン基板（４インチ）に付与され、乾燥される。次いで、１０ｍｌの
ジ−μ−クロロテトラエチレンジロジウム（Ｉ）のエタノール溶液（５０ｍｇ／
ｌ）が、基板上に噴霧され、次いで、基板は、６５℃で３分間乾燥される。基板
は、次いで、マスクを通して接触照射ユニット（照射線量：２００ｍＪ／ｃｍ２
）によって露光される。ポリイミドは、照射された部分で架橋され、その上、ロ
ジウム錯体は分解される。次いで、ポリイミドは、市販のポリイミド現像剤（主
用な成分：酢酸ブチルおよびγ−ブチロラクトン）によって６０秒間現像され、
酢酸ブチル、イソプロパノール、イソプロパノール／鉱質除去された水（１：１
）、および鉱質除去された水によってそれぞれ６０秒間洗浄され、１００℃で４
分間乾燥される。次いで、ロジウム錯体は、ｐＨ８に調整された水／エタノール
（１：１）のアスコルビン酸溶液内への浸漬（１０分間）によって還元され、ポ
リイミドは、窒素雰囲気のもとで３２５℃で４０分間加熱され、次いで、実施例
２に従って金属化される。均一かつ強力に付着した金属層が得られる。
よってシリコン基板（４インチ）に付与され、乾燥される。次いで、１０ｍｌの
ジ−μ−クロロテトラエチレンジロジウム（Ｉ）のエタノール溶液（５０ｍｇ／
ｌ）が、基板上に噴霧され、次いで、基板は、６５℃で３分間乾燥される。基板
は、次いで、マスクを通して接触照射ユニット（照射線量：２００ｍＪ／ｃｍ２
）によって露光される。ポリイミドは、照射された部分で架橋され、その上、ロ
ジウム錯体は分解される。次いで、ポリイミドは、市販のポリイミド現像剤（主
用な成分：酢酸ブチルおよびγ−ブチロラクトン）によって６０秒間現像され、
酢酸ブチル、イソプロパノール、イソプロパノール／鉱質除去された水（１：１
）、および鉱質除去された水によってそれぞれ６０秒間洗浄され、１００℃で４
分間乾燥される。次いで、ロジウム錯体は、ｐＨ８に調整された水／エタノール
（１：１）のアスコルビン酸溶液内への浸漬（１０分間）によって還元され、ポ
リイミドは、窒素雰囲気のもとで３２５℃で４０分間加熱され、次いで、実施例
２に従って金属化される。均一かつ強力に付着した金属層が得られる。
【００３１】
（実施例７）
感光性ポリイミド前駆体の溶液が、実施例１に従って、スピンコーティングに
よって基板に付与され、乾燥される。次いで、２００ｍｇのη２−ビピリジル−
４，４’−ジアミノ−η２−スチルベン白金（ＩＩ）を含む白金錯体溶液、およ
び、２００ｍｌのγ−ブチロラクトンと、２００ｍｌのイソプロパノールと、５
ｍｌの水との混合液内に溶解されている６ｇのポリプロピレングリコールが、２
５００ｒｐｍ（２５秒）のスピンコーティングによって基板に付与され、得られ
る膜は、１１０℃で４分間乾燥される。接触照射ユニット（照射線量：３５０ｍ
ｇ／ｃｍ）によって、構造化のための照射が行われ、その間、白金錯体が活性化
され、ポリイミドが架橋され、実施例６に従ってポリイミドが現像されて、その
後、次いで、３５０℃で１時間加熱される。次いで、照射された部分は、実施例
１に従って金属化される。均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
よって基板に付与され、乾燥される。次いで、２００ｍｇのη２−ビピリジル−
４，４’−ジアミノ−η２−スチルベン白金（ＩＩ）を含む白金錯体溶液、およ
び、２００ｍｌのγ−ブチロラクトンと、２００ｍｌのイソプロパノールと、５
ｍｌの水との混合液内に溶解されている６ｇのポリプロピレングリコールが、２
５００ｒｐｍ（２５秒）のスピンコーティングによって基板に付与され、得られ
る膜は、１１０℃で４分間乾燥される。接触照射ユニット（照射線量：３５０ｍ
ｇ／ｃｍ）によって、構造化のための照射が行われ、その間、白金錯体が活性化
され、ポリイミドが架橋され、実施例６に従ってポリイミドが現像されて、その
後、次いで、３５０℃で１時間加熱される。次いで、照射された部分は、実施例
１に従って金属化される。均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１０月１２日（２００１．１０．１２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（実施例１）
ポリイミド（ＰＩ）の感光性前駆体の市販の溶液が、水平なスピンコーターに
よって３０００ｒｐｍ（スピンコーティング時間：２０秒間）でシリコン基板に
付与される。次いで、１００℃のホットプレート上で４分間の乾燥が行われる。
得られる膜は、マスクを通して接触照射ユニット（照射線量：２５０ｍＪ／ｃｍ 2 ）によって照射される。それによって、ＰＩ前駆体は架橋する。次いで、基板
は、２００ｍｇのビス（アセタト）ビス（トリフェニルフォスフィノ）パラジウ
ムを含むパラジウム錯体溶液内に１０分間浸漬され、この錯体は、９５０ｍｌの
イソプロパノールと５０ｍｌの鉱質除去された水に溶解されており、この基板は
、次いで、イソプロパノールおよび鉱質除去された水によって洗浄される。パラ
ジウム錯体は、ポリイミドの架橋されていない部分（すなわち、照射されていな
い部分）にのみ追加される。基板は、窒素雰囲気のもとで３００℃のホットプレ
ート上で３０分間加熱される。次いで、パラジウム錯体は、アルカリ性のホウ化
水素溶液（１０００ｍｌの水に溶解された１ｇのホウ化水素ナトリウムおよび５
ｇの水酸化物ナトリウム）によって（室温で２分間）還元される。次いで、市販
の化学的銅バスに１５分間浸漬することによって、シーディングされた部分の選
択的な化学的銅めっきが行われる。それによって、均一かつ強力に付着した銅層
が得られる。銅バスは、例えば、下記の成分を有する準安定の溶液である。その
成分は、銅塩、テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミンまたはエ
チレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）などの錯化剤、ホルムアルデヒドなどの
還元剤、および安定剤である。
よって３０００ｒｐｍ（スピンコーティング時間：２０秒間）でシリコン基板に
付与される。次いで、１００℃のホットプレート上で４分間の乾燥が行われる。
得られる膜は、マスクを通して接触照射ユニット（照射線量：２５０ｍＪ／ｃｍ 2 ）によって照射される。それによって、ＰＩ前駆体は架橋する。次いで、基板
は、２００ｍｇのビス（アセタト）ビス（トリフェニルフォスフィノ）パラジウ
ムを含むパラジウム錯体溶液内に１０分間浸漬され、この錯体は、９５０ｍｌの
イソプロパノールと５０ｍｌの鉱質除去された水に溶解されており、この基板は
、次いで、イソプロパノールおよび鉱質除去された水によって洗浄される。パラ
ジウム錯体は、ポリイミドの架橋されていない部分（すなわち、照射されていな
い部分）にのみ追加される。基板は、窒素雰囲気のもとで３００℃のホットプレ
ート上で３０分間加熱される。次いで、パラジウム錯体は、アルカリ性のホウ化
水素溶液（１０００ｍｌの水に溶解された１ｇのホウ化水素ナトリウムおよび５
ｇの水酸化物ナトリウム）によって（室温で２分間）還元される。次いで、市販
の化学的銅バスに１５分間浸漬することによって、シーディングされた部分の選
択的な化学的銅めっきが行われる。それによって、均一かつ強力に付着した銅層
が得られる。銅バスは、例えば、下記の成分を有する準安定の溶液である。その
成分は、銅塩、テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミンまたはエ
チレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）などの錯化剤、ホルムアルデヒドなどの
還元剤、および安定剤である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（実施例３）
感光性前駆体であるポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）の市販の溶液が、水平
なスピンコーターによって３５００ｒｐｍ（スピンコーティング時間：２０秒間
）でガラス基板に付与される。次いで、９０℃で６０秒間および次いで１２０℃
で１２０秒間の乾燥が行われる。得られる膜は、マスクを通して接触照射ユニッ
ト（照射線量：３００ｍＪ／ｃｍ 2 ）によって照射される。照射の結果、膜内に
カルボキシル基が生成される。次いで、基板は、２００ｍｇのη２−ビピリジル
−４，４’−ジアミノ−η２−スチルベン白金（ＩＩ）を含むパラジウム錯体溶
液内に１０分間浸漬され、この錯体は、１０００ｍｌのイソプロパノール／水の
混合液（体積比３：１）に溶解されている。それによって、パラジウム錯体は、
カルボキシル基に追加される。これにより、膜の照射された部分のみがシーディ
ングされる。基板は、窒素雰囲気のもとで、２５０℃で３分間および３５０℃で
３分間、ホットプレート上で加熱される。次いで、パラジウム錯体は、ヒドラジ
ン溶液（水に対して５％の強溶液（ｉｇｅ Ｌｏｓｕｎｇ））によって（室温で
５分間）還元される。次いで、照射された部分は、実施例１に対応する様態で金
属化される。それによって、均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
なスピンコーターによって３５００ｒｐｍ（スピンコーティング時間：２０秒間
）でガラス基板に付与される。次いで、９０℃で６０秒間および次いで１２０℃
で１２０秒間の乾燥が行われる。得られる膜は、マスクを通して接触照射ユニッ
ト（照射線量：３００ｍＪ／ｃｍ 2 ）によって照射される。照射の結果、膜内に
カルボキシル基が生成される。次いで、基板は、２００ｍｇのη２−ビピリジル
−４，４’−ジアミノ−η２−スチルベン白金（ＩＩ）を含むパラジウム錯体溶
液内に１０分間浸漬され、この錯体は、１０００ｍｌのイソプロパノール／水の
混合液（体積比３：１）に溶解されている。それによって、パラジウム錯体は、
カルボキシル基に追加される。これにより、膜の照射された部分のみがシーディ
ングされる。基板は、窒素雰囲気のもとで、２５０℃で３分間および３５０℃で
３分間、ホットプレート上で加熱される。次いで、パラジウム錯体は、ヒドラジ
ン溶液（水に対して５％の強溶液（ｉｇｅ Ｌｏｓｕｎｇ））によって（室温で
５分間）還元される。次いで、照射された部分は、実施例１に対応する様態で金
属化される。それによって、均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（実施例５）
感光性ポリイミド前駆体の溶液が、実施例１に従って、スピンコーティングに
よって基板に付与され、乾燥される。次いで、基板は、テトラキス（トリフェニ
ルフォスフィノ）−パラジウム（０）溶液内に１０分間浸漬され、この溶液は、
１０００ｍｌのトルエン内に溶解された１５０ｍｇのパラジウム錯体を含み、こ
の基板は、トルエン／メタノール（１：１）によって１分間洗浄され、１００℃
で２分間乾燥される。次いで、構造化のための露光が、接触照射ユニット（照射
線量：２５０ｍｌ／ｃｍ 2 ）を用いて行われる。次いで、基板は、トルエンによ
って２分間洗浄され、トルエン／エタノールによって１分間洗浄され、メタノー
ルによって１分間洗浄され、３００℃で加熱されて、実施例１に従って金属化さ
れる。照射された部分に、均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
よって基板に付与され、乾燥される。次いで、基板は、テトラキス（トリフェニ
ルフォスフィノ）−パラジウム（０）溶液内に１０分間浸漬され、この溶液は、
１０００ｍｌのトルエン内に溶解された１５０ｍｇのパラジウム錯体を含み、こ
の基板は、トルエン／メタノール（１：１）によって１分間洗浄され、１００℃
で２分間乾燥される。次いで、構造化のための露光が、接触照射ユニット（照射
線量：２５０ｍｌ／ｃｍ 2 ）を用いて行われる。次いで、基板は、トルエンによ
って２分間洗浄され、トルエン／エタノールによって１分間洗浄され、メタノー
ルによって１分間洗浄され、３００℃で加熱されて、実施例１に従って金属化さ
れる。照射された部分に、均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（実施例６）
感光性ポリイミド前駆体の溶液が、実施例１に従って、スピンコーティングに
よってシリコン基板（４インチ）に付与され、乾燥される。次いで、１０ｍｌの
ジ−μ−クロロテトラエチレンジロジウム（Ｉ）のエタノール溶液（５０ｍｇ／
ｌ）が、基板上に噴霧され、次いで、基板は、６５℃で３分間乾燥される。基板
は、次いで、マスクを通して接触照射ユニット（照射線量：２００ｍＪ／ｃｍ 2
）によって露光される。ポリイミドは、照射された部分で架橋され、その上、ロ
ジウム錯体は分解される。次いで、ポリイミドは、市販のポリイミド現像剤（主
用な成分：酢酸ブチルおよびγ−ブチロラクトン）によって６０秒間現像され、
酢酸ブチル、イソプロパノール、イソプロパノール／鉱質除去された水（１：１
）、および鉱質除去された水によってそれぞれ６０秒間洗浄され、１００℃で４
分間乾燥される。次いで、ロジウム錯体は、ｐＨ８に調整された水／エタノール
（１：１）のアスコルビン酸溶液内への浸漬（１０分間）によって還元され、ポ
リイミドは、窒素雰囲気のもとで３２５℃で４０分間加熱され、次いで、実施例
２に従って金属化される。均一かつ強力に付着した金属層が得られる。
よってシリコン基板（４インチ）に付与され、乾燥される。次いで、１０ｍｌの
ジ−μ−クロロテトラエチレンジロジウム（Ｉ）のエタノール溶液（５０ｍｇ／
ｌ）が、基板上に噴霧され、次いで、基板は、６５℃で３分間乾燥される。基板
は、次いで、マスクを通して接触照射ユニット（照射線量：２００ｍＪ／ｃｍ 2
）によって露光される。ポリイミドは、照射された部分で架橋され、その上、ロ
ジウム錯体は分解される。次いで、ポリイミドは、市販のポリイミド現像剤（主
用な成分：酢酸ブチルおよびγ−ブチロラクトン）によって６０秒間現像され、
酢酸ブチル、イソプロパノール、イソプロパノール／鉱質除去された水（１：１
）、および鉱質除去された水によってそれぞれ６０秒間洗浄され、１００℃で４
分間乾燥される。次いで、ロジウム錯体は、ｐＨ８に調整された水／エタノール
（１：１）のアスコルビン酸溶液内への浸漬（１０分間）によって還元され、ポ
リイミドは、窒素雰囲気のもとで３２５℃で４０分間加熱され、次いで、実施例
２に従って金属化される。均一かつ強力に付着した金属層が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（実施例７）
感光性ポリイミド前駆体の溶液が、実施例１に従って、スピンコーティングに
よって基板に付与され、乾燥される。次いで、２００ｍｇのη２−ビピリジル−
４，４’−ジアミノ−η２−スチルベン白金（ＩＩ）を含む白金錯体溶液、およ
び、２００ｍｌのγ−ブチロラクトンと、２００ｍｌのイソプロパノールと、５
ｍｌの水との混合液内に溶解されている６ｇのポリプロピレングリコールが、２
５００ｒｐｍ（２５秒）のスピンコーティングによって基板に付与され、得られ
る膜は、１１０℃で４分間乾燥される。接触照射ユニット（照射線量：３５０ｍ
ｇ／ｃｍ 2 ）によって、構造化のための照射が行われ、その間、白金錯体が活性
化され、ポリイミドが架橋され、実施例６に従ってポリイミドが現像されて、そ
の後、次いで、３５０℃で１時間加熱される。次いで、照射された部分は、実施
例１に従って金属化される。均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
よって基板に付与され、乾燥される。次いで、２００ｍｇのη２−ビピリジル−
４，４’−ジアミノ−η２−スチルベン白金（ＩＩ）を含む白金錯体溶液、およ
び、２００ｍｌのγ−ブチロラクトンと、２００ｍｌのイソプロパノールと、５
ｍｌの水との混合液内に溶解されている６ｇのポリプロピレングリコールが、２
５００ｒｐｍ（２５秒）のスピンコーティングによって基板に付与され、得られ
る膜は、１１０℃で４分間乾燥される。接触照射ユニット（照射線量：３５０ｍ
ｇ／ｃｍ 2 ）によって、構造化のための照射が行われ、その間、白金錯体が活性
化され、ポリイミドが架橋され、実施例６に従ってポリイミドが現像されて、そ
の後、次いで、３５０℃で１時間加熱される。次いで、照射された部分は、実施
例１に従って金属化される。均一かつ強力に付着した銅層が得られる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ロヴァック， クラウス
ドイツ国 デー−91054 エアランゲン，
ルートヴィッヒ−トーマ−シュトラーセ
４
(72)発明者 ラトリック， ヴォルフガング
ドイツ国 デー−80993 ミュンヘン，
コブレンツァー シュトラーセ 19
(72)発明者 ハウスマン， ヨルク
ドイツ国 デー−91056 エアランゲン，
アム オイローパカナル 40
Ｆターム(参考） 4K022 AA13 AA15 BA08 BA14 BA35
CA01 CA06 CA08 CA12 CA20
CA21 CA22 CA26 DA01
4M104 AA01 BB04 BB05 BB06 BB07
BB08 BB09 CC01 DD28 DD51
DD53 DD78 EE02 EE18 FF13
HH14
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電体を金属化する方法であって、 感光性ポリマー前駆体を含む感光性誘電体が、基板に付与され、 該感光性ポリマー前駆体は、マスクを通して露光され、金属によってシーディ
ングされ、熱処理されるか、または、金属によってシーディングされ、マスクを
通して露光され、過剰のシーディング材料が除去されるかのいずれかであり、 次いで、該感光性ポリマー前駆体は、化学的に金属化される、 ことを特徴とする、方法。 - 【請求項２】 前記感光性ポリマー前駆体は、溶解された状態またはペース
ト状で前記基板に付与され、次いで、乾燥されることを特徴とする、請求項１に
記載の方法。 - 【請求項３】 前記感光性ポリマー前駆体は、金属含有シード溶液または乳
濁液によって処理されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記感光性ポリマー前駆体は、狭窄な溝および穴構造を有す
るマスクを通して露光されることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記
載の方法。 - 【請求項５】 前記感光性ポリマー前駆体は、高い化学的および熱的安定性
を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】 前記感光性ポリマー前駆体は、貴金属化合物によってシーデ
ィングされることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 前記シーディング材料は、酸化状態が０の金属を含むことを
特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】 前記シーディング材料は、感光性金属錯体を含むことを特徴
とする、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19957130A DE19957130A1 (de) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | Metallisierungsverfahren für Dielektrika |
| DE19957130.9 | 1999-11-26 | ||
| PCT/DE2000/003133 WO2001038603A2 (de) | 1999-11-26 | 2000-09-07 | Metallisierungsverfahren für dielektrika |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003514995A true JP2003514995A (ja) | 2003-04-22 |
| JP4121743B2 JP4121743B2 (ja) | 2008-07-23 |
Family
ID=7930546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001539940A Expired - Fee Related JP4121743B2 (ja) | 1999-11-26 | 2000-09-07 | 誘電体の金属化方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6635410B2 (ja) |
| EP (1) | EP1232294B1 (ja) |
| JP (1) | JP4121743B2 (ja) |
| DE (2) | DE19957130A1 (ja) |
| WO (1) | WO2001038603A2 (ja) |
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| KR101249678B1 (ko) | 2011-09-19 | 2013-04-05 | 동국대학교 산학협력단 | 감광제를 이용하여 금속층에 그래핀을 제조하는 방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7037663B2 (en) | 1998-02-19 | 2006-05-02 | Eastern Virginia Medical School | Human zona pellucida protein 3 and uses thereof |
| BE1015271A3 (fr) | 2003-01-03 | 2004-12-07 | Semika S A | Dispersion photosensible a viscosite ajustable pour le depot de metal sur un substrat isolant et son utilisation. |
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-
1999
- 1999-11-26 DE DE19957130A patent/DE19957130A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-09-07 EP EP00972586A patent/EP1232294B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-07 WO PCT/DE2000/003133 patent/WO2001038603A2/de active IP Right Grant
- 2000-09-07 DE DE50009379T patent/DE50009379D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-07 JP JP2001539940A patent/JP4121743B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-28 US US10/156,484 patent/US6635410B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
| DE19957130A1 (de) | 2001-05-31 |
| US6635410B2 (en) | 2003-10-21 |
| DE50009379D1 (de) | 2005-03-03 |
| EP1232294A2 (de) | 2002-08-21 |
| WO2001038603A2 (de) | 2001-05-31 |
| JP4121743B2 (ja) | 2008-07-23 |
| EP1232294B1 (de) | 2005-01-26 |
| WO2001038603A3 (de) | 2002-01-10 |
| US20020172892A1 (en) | 2002-11-21 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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