JPH01165776A - 金属超薄膜の製造方法およびパターン形成方法 - Google Patents
金属超薄膜の製造方法およびパターン形成方法Info
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- JPH01165776A JPH01165776A JP32310387A JP32310387A JPH01165776A JP H01165776 A JPH01165776 A JP H01165776A JP 32310387 A JP32310387 A JP 32310387A JP 32310387 A JP32310387 A JP 32310387A JP H01165776 A JPH01165776 A JP H01165776A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、任意の基板上へ化学反応を用い、選択的に金
属膜形成を可能とすることを特徴とした金属パターン形
成方法に関するものであシ、半導体素子の製造や薄膜導
電材料等に利用できるものである。
属膜形成を可能とすることを特徴とした金属パターン形
成方法に関するものであシ、半導体素子の製造や薄膜導
電材料等に利用できるものである。
従来の技術
従来、半導体素子製造等における配線パターンの製造方
法は、金属薄膜を蒸着等により形成した基板上に光照射
により重合または分解する樹脂膜（レジスト）を形成し
、光をパターン状に照射した後現像して任意のレジスト
パターンを形成したのち、金属薄膜をエツチングする方
法が一般に用いられて来た。ところが、これら金属パタ
ーンは、半導体素子の高密度化や印刷物の高品質化のた
め、ますます微細化が要望されるようになって来ている
。
法は、金属薄膜を蒸着等により形成した基板上に光照射
により重合または分解する樹脂膜（レジスト）を形成し
、光をパターン状に照射した後現像して任意のレジスト
パターンを形成したのち、金属薄膜をエツチングする方
法が一般に用いられて来た。ところが、これら金属パタ
ーンは、半導体素子の高密度化や印刷物の高品質化のた
め、ますます微細化が要望されるようになって来ている
。
特にＶＬＳＩの製造においては、サブミクロンの金属パ
ターンを精度良く作成する必要が生じてきた。このよう
な場合、レジスト樹脂そのものの物性にも大きく作用さ
れるが、一般に微細なパターンを望む程、すなわち、解
像度を上げるためにはレジスト塗布厚を薄くする必要が
あ−た。一方、サブミクロンパターンともなると湿式エ
ツチングは利用できずイオンエッチやプラズマエッチや
スパッタエッチ等のドライエツチングを用いなければな
らないが、レジストパターンの耐ドライエツチング性を
向上させるためには、レジスト材料にもよるが、一般に
レジスト塗膜を厚くしておく必要があった。
ターンを精度良く作成する必要が生じてきた。このよう
な場合、レジスト樹脂そのものの物性にも大きく作用さ
れるが、一般に微細なパターンを望む程、すなわち、解
像度を上げるためにはレジスト塗布厚を薄くする必要が
あ−た。一方、サブミクロンパターンともなると湿式エ
ツチングは利用できずイオンエッチやプラズマエッチや
スパッタエッチ等のドライエツチングを用いなければな
らないが、レジストパターンの耐ドライエツチング性を
向上させるためには、レジスト材料にもよるが、一般に
レジスト塗膜を厚くしておく必要があった。
発明が解決しようとする問題点
従って、上記２つの要求を満足させるためには塗膜が厚
くても解像度が良いもの、あるいは、塗膜が薄くても耐
ドライエツチング性が良いホトレジストを開発すれば良
いのであるが、今のところこのような材料は得られてい
ない。
くても解像度が良いもの、あるいは、塗膜が薄くても耐
ドライエツチング性が良いホトレジストを開発すれば良
いのであるが、今のところこのような材料は得られてい
ない。
本発明は、高解像度均一性のすぐれた金属パターンを形
成する方法を提供することを目的とする。
成する方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、絶縁基板上にエネルギー線（電子ビーム、イ
オンビーム、光、Ｘ線等）等により化学反応を生じる感
応基を含んだ感応性薄膜を形成し、たとえばエネルギー
線をパターン状に照射して前記感応基の一部を選択的に
死活又は活性化させたのち、前記感応性薄膜の感応基が
残存した部分にのみ後工程で金属を含む化学物質（金属
化合物）を結合させて超微細なパターン状の金属膜を形
成することを特徴とするものである。さらに、望ましく
は前記化学物質として、一端に前記感応基又は、感応基
を変性した基と反応する基を持ち、他端に前記感応基と
同じ働きをする感応基を持った分子を用い、選択的に化
学物質を結合させる工程と金属を含む化学物質を結合さ
せる工程を複数回くり返すことによ）パターン状の金属
超薄膜の積層体を形成することを特徴とするものである
。さらにまた、感応性薄膜を形成する手段として、ラン
グミュア・プロジェット法あるいは化学吸着法を用い、
エネルギー線感応基が基板表面に並んで露出されるよう
に単分子膜を累積形成しておくことにより、感度向上と
ともに超微細パターン形成を可能としたものである。
オンビーム、光、Ｘ線等）等により化学反応を生じる感
応基を含んだ感応性薄膜を形成し、たとえばエネルギー
線をパターン状に照射して前記感応基の一部を選択的に
死活又は活性化させたのち、前記感応性薄膜の感応基が
残存した部分にのみ後工程で金属を含む化学物質（金属
化合物）を結合させて超微細なパターン状の金属膜を形
成することを特徴とするものである。さらに、望ましく
は前記化学物質として、一端に前記感応基又は、感応基
を変性した基と反応する基を持ち、他端に前記感応基と
同じ働きをする感応基を持った分子を用い、選択的に化
学物質を結合させる工程と金属を含む化学物質を結合さ
せる工程を複数回くり返すことによ）パターン状の金属
超薄膜の積層体を形成することを特徴とするものである
。さらにまた、感応性薄膜を形成する手段として、ラン
グミュア・プロジェット法あるいは化学吸着法を用い、
エネルギー線感応基が基板表面に並んで露出されるよう
に単分子膜を累積形成しておくことにより、感度向上と
ともに超微細パターン形成を可能としたものである。
作用
本発明は、あらかじめ単分子膜あるいは単分子膜の表面
にたとえばアルデヒド基（−（ｊＨｏ）を形成しておく
ことにより、このアルデヒド基の還元作用を利用して、
水溶性金属化合物よシ分子状あるいは原子状の金属膜を
、単分子膜に付着形成できる作用を積極的に利用するも
のである。したがって、本発明によれば超微細な金属パ
ターン形成を容易に行うことが可能となる。
にたとえばアルデヒド基（−（ｊＨｏ）を形成しておく
ことにより、このアルデヒド基の還元作用を利用して、
水溶性金属化合物よシ分子状あるいは原子状の金属膜を
、単分子膜に付着形成できる作用を積極的に利用するも
のである。したがって、本発明によれば超微細な金属パ
ターン形成を容易に行うことが可能となる。
実施例
以下、本発明の方法を第１．２図を用いて説明する。
例えば、実施例では、５ｉ０２の形成された半導体８１
基板１上へ化学吸着法により、シラン界面活性剤例えば
、 ＣＨ２＝ ０Ｈ−（ＣＨ２）１−８１０１ｓ （ｎ
は整数で、１０〜２０が良い）を用い、基板１表面子膜
２を形成する。例えば、２．０Ｘ１０−’〜５．ＱＸ
１０−２Ｍｏｌ／７１の濃度で溶した８０％ｎ−ヘキサ
ン、１２％四塩化炭素、８％クロロホルム溶液中■ 成する（第１図ａ）。ここで、シラン界面活性剤のビニ
ル基４は基板表面に並んで成膜され（第１図ｂ）、しか
も、電子ビーム照射により、まわシのビニル基間で重合
反応が生じるので、次に、第１図Ｃに示すように電子ビ
ーム５をパターン状に照射する。すると、第１図ｄに示
すように、電子ビーム照射された部分ｅのビニル基の二
重結合は、互に結合し合い選択的に不活性化（死活）さ
れる。
基板１上へ化学吸着法により、シラン界面活性剤例えば
、 ＣＨ２＝ ０Ｈ−（ＣＨ２）１−８１０１ｓ （ｎ
は整数で、１０〜２０が良い）を用い、基板１表面子膜
２を形成する。例えば、２．０Ｘ１０−’〜５．ＱＸ
１０−２Ｍｏｌ／７１の濃度で溶した８０％ｎ−ヘキサ
ン、１２％四塩化炭素、８％クロロホルム溶液中■ 成する（第１図ａ）。ここで、シラン界面活性剤のビニ
ル基４は基板表面に並んで成膜され（第１図ｂ）、しか
も、電子ビーム照射により、まわシのビニル基間で重合
反応が生じるので、次に、第１図Ｃに示すように電子ビ
ーム５をパターン状に照射する。すると、第１図ｄに示
すように、電子ビーム照射された部分ｅのビニル基の二
重結合は、互に結合し合い選択的に不活性化（死活）さ
れる。
次に、室温でジボランｌＭｏ１／Ａ！のＴＭＦ溶液に浸
漬し、さらにＮａＯＨ０，Ｉ Ｍｏｌ／／ 、 ３０％
Ｈ２Ｏ２水溶液に浸漬し、未照射部のビニル基に水酸基
７を付加する（第１図ｅ、ｆ）。
漬し、さらにＮａＯＨ０，Ｉ Ｍｏｌ／／ 、 ３０％
Ｈ２Ｏ２水溶液に浸漬し、未照射部のビニル基に水酸基
７を付加する（第１図ｅ、ｆ）。
その後、さらにアルコールのアルデヒド反応ヲ用い、末
端の水酸基７をアルデヒド基（−ＣＨＯ）ａに変換後（
第１図ｇ）、さらに金属を含む化学物質例えば硝酸銀水
溶液（ＡｇＮ０３）に浸漬する。すると、前記単分子膜
２の表面のアルデヒド基によりムｇＮｏ３が還元されて
五ｇ９が選択的に単分子膜上に付着形成される（第１図
ｈ）。
端の水酸基７をアルデヒド基（−ＣＨＯ）ａに変換後（
第１図ｇ）、さらに金属を含む化学物質例えば硝酸銀水
溶液（ＡｇＮ０３）に浸漬する。すると、前記単分子膜
２の表面のアルデヒド基によりムｇＮｏ３が還元されて
五ｇ９が選択的に単分子膜上に付着形成される（第１図
ｈ）。
つまシ、以上の方法により、サブミクロンあるいはそれ
以上の超微細な単分子状の感応性薄膜上に原子又は分子
状の金属薄膜が選択的に形成された。従って１本実施例
の方法を用いることにより超微細な配線が形成でき半導
体装置等の電子デバイス製造上効果大なるものである。
以上の超微細な単分子状の感応性薄膜上に原子又は分子
状の金属薄膜が選択的に形成された。従って１本実施例
の方法を用いることにより超微細な配線が形成でき半導
体装置等の電子デバイス製造上効果大なるものである。
なお、このとき、基板全面に金属薄膜を形成したい場合
は、電子ビームの照射工程を省けば良いことは明らかで
あろう。
は、電子ビームの照射工程を省けば良いことは明らかで
あろう。
さらにまた、このとき金属がＡｇのような自然酸化膜を
形成しやすい物質であれば、轟然ムｇ金属表面は自然酸
化膜が形成される。従って、さらにＣＨ２＝ ＣＨ−（
ＣＨ２）ｎ −５ｉＣＪ３を、前記と同様の反結合８を
形成する（第２図ａ、ｂ）。すなわち、子が選択的に１
層結、合し、薄膜パターン１１が形成されたことになる
。
形成しやすい物質であれば、轟然ムｇ金属表面は自然酸
化膜が形成される。従って、さらにＣＨ２＝ ＣＨ−（
ＣＨ２）ｎ −５ｉＣＪ３を、前記と同様の反結合８を
形成する（第２図ａ、ｂ）。すなわち、子が選択的に１
層結、合し、薄膜パターン１１が形成されたことになる
。
以下、同様に表面に並んで形成されたシラン界面活性剤
のビニル基に水酸基を付加させる工程と、アルデヒド基
に変換する工程と、金属を付着させる工程と、シラン界
面活性剤を付加させる工程とをくり返すことにより、必
要な導電性を有する金属超微細パターンが形成できる。
のビニル基に水酸基を付加させる工程と、アルデヒド基
に変換する工程と、金属を付着させる工程と、シラン界
面活性剤を付加させる工程とをくり返すことにより、必
要な導電性を有する金属超微細パターンが形成できる。
すなわち、本実施例の方法を用いることにより有機単分
子膜と分子状あるいは原子状の金属層を交互に積層した
分子構築体を形成でき、超電子デバイスあるいは分子デ
バイスへの応用に極めて好都合である。
子膜と分子状あるいは原子状の金属層を交互に積層した
分子構築体を形成でき、超電子デバイスあるいは分子デ
バイスへの応用に極めて好都合である。
なお、上記例では、シラン界面活性剤の一８ｉ（’Ｊ５
ち、５１０２の形成された８１基板を例にして示したが
、その他に無機物では、Ａ７Ｉ２０５ 、ガラス等、有
機物ではポリビニルアルコール等が利用可能である。ま
た、基板表面が撥水性を示す他の物質で被われている場
合には、ラングミュアブロジェット膜を形成して基板表
面に全面親水性基を並べるが、０２プラズマ処理等で基
板表面を親水化しておく方法を用いることができる。な
お、ラングミュアプロジェット膜では、密着力は劣るが
、基板表面物質が撥水性の場合でも、累積を撥水面が基
板側になるように形成したところで止めれば、表面を完
全に親水性化することが可能である。
ち、５１０２の形成された８１基板を例にして示したが
、その他に無機物では、Ａ７Ｉ２０５ 、ガラス等、有
機物ではポリビニルアルコール等が利用可能である。ま
た、基板表面が撥水性を示す他の物質で被われている場
合には、ラングミュアブロジェット膜を形成して基板表
面に全面親水性基を並べるが、０２プラズマ処理等で基
板表面を親水化しておく方法を用いることができる。な
お、ラングミュアプロジェット膜では、密着力は劣るが
、基板表面物質が撥水性の場合でも、累積を撥水面が基
板側になるように形成したところで止めれば、表面を完
全に親水性化することが可能である。
また、０２プラズマ処理を行った場合には、基板表面が
酸化され、親水性を示すようになる。
酸化され、親水性を示すようになる。
なお、上記の実施例においては、感応性薄膜として、シ
リコン界面活性剤を吸着反応させる方法を示したが、あ
らかじめ−Ｃｌを一〇Ｈ基に置換した試薬（ＣＨ２＝
ＯＨ−（ＣＨ２）ｎ −Ｓｉ （ＯＨ） ５等）を用い
れば、ラングミュアプロジェット法でも、感応性薄膜を
形成できる。
リコン界面活性剤を吸着反応させる方法を示したが、あ
らかじめ−Ｃｌを一〇Ｈ基に置換した試薬（ＣＨ２＝
ＯＨ−（ＣＨ２）ｎ −Ｓｉ （ＯＨ） ５等）を用い
れば、ラングミュアプロジェット法でも、感応性薄膜を
形成できる。
なお、本発明の方法は、上記実施例に示したシラン界面
活性剤分子内の直鎖状ＣＨ２結合の間又は側鎖として機
能性分子例えば、−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−、−０６１４−−
０４ＮＨ３−、−Ｃ４ＳＨ２−、−０６Ｈ４−ＣＨ＝Ｃ
Ｈ、Ｃ６Ｈ４Ｓ 、 Ｃ６Ｈ４０−等のπ共役ポリ
マーを形成する分子を含めた試薬を用いることにより今
後分子デバイス製造技術としても応用できるものである
。
活性剤分子内の直鎖状ＣＨ２結合の間又は側鎖として機
能性分子例えば、−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−、−０６１４−−
０４ＮＨ３−、−Ｃ４ＳＨ２−、−０６Ｈ４−ＣＨ＝Ｃ
Ｈ、Ｃ６Ｈ４Ｓ 、 Ｃ６Ｈ４０−等のπ共役ポリ
マーを形成する分子を含めた試薬を用いることにより今
後分子デバイス製造技術としても応用できるものである
。
発明の効果
以上述べて来たように、本発明の方法を用いれば、パタ
ーン形成時のエネルギー線感応性薄膜は単層ないし数層
の単分子累積膜で形成しておくため、超微細金属パター
ンの形成が可能である。さらに選択膜成長反応を一３ｉ
ＣＪ３と一〇Ｈ基、 −ＣＲ２基、Ａｇの反応で行うこ
とにより、導電性が高いパターンが得られる。従って、
本発明の方法は超微細配線パターン形成特にＶＬＳＩ製
造等における配線の形成に大なる効果をもたらすもので
ある。
ーン形成時のエネルギー線感応性薄膜は単層ないし数層
の単分子累積膜で形成しておくため、超微細金属パター
ンの形成が可能である。さらに選択膜成長反応を一３ｉ
ＣＪ３と一〇Ｈ基、 −ＣＲ２基、Ａｇの反応で行うこ
とにより、導電性が高いパターンが得られる。従って、
本発明の方法は超微細配線パターン形成特にＶＬＳＩ製
造等における配線の形成に大なる効果をもたらすもので
ある。
また感応性薄膜形成に用いるＬＢ法および吸着法は、基
板表面との界面反応で進行するため、基板段差にそれほ
ど影響を受けず、ＶＬＳＩ素子上のような段差が多い基
板に利用する場合大きな効果がある。
板表面との界面反応で進行するため、基板段差にそれほ
ど影響を受けず、ＶＬＳＩ素子上のような段差が多い基
板に利用する場合大きな効果がある。
なお、以上の実施例では、−８ｉ（Ｊ３と一〇Ｈ，ムｇ
イオンと一〇ＨＯの界面反応を例に示したが、同様な反
応機構を示す物質であれば、これらに限定されるもので
はない。従って、本発明の方法は、超微細配線パターン
形成、特にＶＬＳＩ製造等における配線工程の改良に効
果大なるものである。
イオンと一〇ＨＯの界面反応を例に示したが、同様な反
応機構を示す物質であれば、これらに限定されるもので
はない。従って、本発明の方法は、超微細配線パターン
形成、特にＶＬＳＩ製造等における配線工程の改良に効
果大なるものである。
第１図は本発明の詳細な説明するための一実施例の工程
断面図を示し、同図ａ、ｃ、ａは基板断面の工程概念図
、同図す、（１，ｆ、ｇ、ｈはそれぞれ同図ａ、ｃ、ａ
；塩の丸印Ａ〜Ｃ部の分子レベルでの拡大図、第２図ａ
は本発明の第２の実施例における工程断面図、同すはａ
の丸印り部の拡大図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・感応性薄膜、５・
・・・・・エネルギー線、９・・・・・・ムｇ超薄嘆パ
ターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ′□を 第１図
断面図を示し、同図ａ、ｃ、ａは基板断面の工程概念図
、同図す、（１，ｆ、ｇ、ｈはそれぞれ同図ａ、ｃ、ａ
；塩の丸印Ａ〜Ｃ部の分子レベルでの拡大図、第２図ａ
は本発明の第２の実施例における工程断面図、同すはａ
の丸印り部の拡大図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・感応性薄膜、５・
・・・・・エネルギー線、９・・・・・・ムｇ超薄嘆パ
ターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ′□を 第１図
Claims (8)
- （１）単分子状の感光性薄膜上に、原子状又は分子状の
金属を化学反応により形成することを特徴とする金属超
薄膜の製造方法。 - （２）金属が銀を含み、感応性薄膜の一端にシリコンを
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金属
超薄膜の製造方法。 - （３）基板上に金属化合物と反応する感応基を持った単
分子状の感応性薄膜を形成する工程と、前記感応性薄膜
表面に金属を選択的に反応付着させることを特徴とした
金属超薄膜の製造方法。 - （４）金属化合物と反応する感応基がアルデヒド基であ
り、金属化合物が銀を含んでいることを特徴とした特許
請求の範囲第３項記載の金属超薄膜の製造方法。 - （５）ラングミュア・プロジェット法または吸着法等に
より、感応基が基板表面に並んで露出されるように単分
子状の感応性薄膜を形成することを特徴とする特許請求
の範囲第４項記載の金属超薄膜の形成方法。 - （６）基板上にエネルギー線により化学反応を生じる感
応基を含んだ単分子状の感応性薄膜を形成する工程と、
前記感応性薄膜にエネルギー線をパターン照射して感応
基をパターン状に死活又は活性化する工程と、前記感応
性薄膜の感応基が残存又は活性化された部分に選択的に
金属化合物質を反応付着させて金属パターンを形成する
工程を含むことを特徴としたパターン形成方法。 - （７）ラングミュア・プロジェット法または吸着法等に
より、感応基が基板表面に並んで露出されるように単分
子状の感応性薄膜を形成することを特徴とした特許請求
の範囲第６項記載のパターン形成方法。 - （８）エネルギー線により化学反応を生じる感応基とし
て、ビニル基又はアセチレン基を含んだことを特徴とし
た特許請求の範囲第６項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32310387A JPH0781189B2 (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 金属超薄膜の製造方法およびパターン形成方法 |
| EP88312156A EP0322233B1 (en) | 1987-12-21 | 1988-12-21 | Method for producing ultrathin metal film and ultrathin-thin metal pattern |
| US07/287,090 US4996075A (en) | 1987-12-21 | 1988-12-21 | Method for producing ultrathin metal film and ultrathin-thin metal pattern |
| DE3855073T DE3855073T2 (de) | 1987-12-21 | 1988-12-21 | Verfahren zur Herstellung von feinsten Metallfilmen und feinsten Metallbildern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32310387A JPH0781189B2 (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 金属超薄膜の製造方法およびパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165776A true JPH01165776A (ja) | 1989-06-29 |
| JPH0781189B2 JPH0781189B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=18151110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32310387A Expired - Fee Related JPH0781189B2 (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 金属超薄膜の製造方法およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781189B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629246A (ja) * | 1991-02-04 | 1994-02-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 選択的な無電解メッキの方法 |
| JP2003514995A (ja) * | 1999-11-26 | 2003-04-22 | インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト | 誘電体の金属化方法 |
| JPWO2010029635A1 (ja) * | 2008-09-11 | 2012-02-02 | パイオニア株式会社 | 金属配線の形成方法、及び金属配線を備えた電子部品 |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP32310387A patent/JPH0781189B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629246A (ja) * | 1991-02-04 | 1994-02-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 選択的な無電解メッキの方法 |
| JP2003514995A (ja) * | 1999-11-26 | 2003-04-22 | インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト | 誘電体の金属化方法 |
| JPWO2010029635A1 (ja) * | 2008-09-11 | 2012-02-02 | パイオニア株式会社 | 金属配線の形成方法、及び金属配線を備えた電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0781189B2 (ja) | 1995-08-30 |
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