JPS6194041A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/20—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping substances to be applied floating on a fluid
- B05D1/202—Langmuir Blodgett films (LB films)
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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- G—PHYSICS
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- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/165—Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明σ、任意の基板上へ化学反応を用い、選択的に膜
形成を行うことを特徴としたパターン形成方法に関する
ものであり、半導体素子の製造や印刷版等に利用できる
ものである。
形成を行うことを特徴としたパターン形成方法に関する
ものであり、半導体素子の製造や印刷版等に利用できる
ものである。
従来例の構成とその問題点
従来、半導体素子製造や印刷版製造におけるレジストパ
ターンや原版となる樹脂パターンの製造方法に、基板上
に光照射により重合またげ分解する樹脂膜を形成し、光
をパターン状に照射した後現像して任意のパターンを形
成する方法が一般に用いられて来た。ところが、これら
レジストや樹脂のパターンは、半導体素子の高密度化や
印刷物の高品質化のため、１す１す微細化が要望される
ようになって来ている。
ターンや原版となる樹脂パターンの製造方法に、基板上
に光照射により重合またげ分解する樹脂膜を形成し、光
をパターン状に照射した後現像して任意のパターンを形
成する方法が一般に用いられて来た。ところが、これら
レジストや樹脂のパターンは、半導体素子の高密度化や
印刷物の高品質化のため、１す１す微細化が要望される
ようになって来ている。
特にＶＬＳＩの製造においてに、サブミクロンのレジス
トパターンを精度良く作成する必要が生じてきた。この
ような場合、レジスト樹脂そのものの物性にも大きく作
用されるが、一般に微細なパターンを望む程、すなわち
、解像度を上げるためにげｌ／シスト塗布厚を薄くする
必要があった。
トパターンを精度良く作成する必要が生じてきた。この
ような場合、レジスト樹脂そのものの物性にも大きく作
用されるが、一般に微細なパターンを望む程、すなわち
、解像度を上げるためにげｌ／シスト塗布厚を薄くする
必要があった。
一方、サブミクロンパターンともなると湿式エツチング
は利用できずイオンエッチやプラズマエッチやスパンタ
エッチ等のドライエツチングを用いなければならないが
、ｌ／シストパターンの４ドライエツチング性を向上σ
せるためにケ、１／シスト材料にもよるが、一般にレジ
スト塗膜を厚くしておく必要があった。
は利用できずイオンエッチやプラズマエッチやスパンタ
エッチ等のドライエツチングを用いなければならないが
、ｌ／シストパターンの４ドライエツチング性を向上σ
せるためにケ、１／シスト材料にもよるが、一般にレジ
スト塗膜を厚くしておく必要があった。
従って、上記２つの要求を満足させるためにげ塗膜が厚
くても解像度が良いもの、あるいけ、塗膜が薄くても耐
ドライエツチング性が良いホトレジストを開発すれば良
いのであるが、今のところこのような材料に得られてい
ない、 発明の目的 本発明ａ１高解像度、耐エツチング性のすぐれた樹脂パ
ターンを形成する方法を提供することを目的とした。
くても解像度が良いもの、あるいけ、塗膜が薄くても耐
ドライエツチング性が良いホトレジストを開発すれば良
いのであるが、今のところこのような材料に得られてい
ない、 発明の目的 本発明ａ１高解像度、耐エツチング性のすぐれた樹脂パ
ターンを形成する方法を提供することを目的とした。
発明の構成
本発明に、基板上にエネルギー線（電子ビーム。
イオンビーム、光、Ｘ線、等）により化学反応を生じる
感応基を含んだ感応性薄膜を形成し、エネルギー線をパ
ターン状に照射して前記感応基の一部を選択的に死活さ
せたのち、前記感応性薄膜の感応基が残存した部分にの
み後工程で化学物質を６へ−・ 結合をせて超微細なパターン状の樹脂膜を形成すること
を特徴としたものである。さらに、前記化学物質として
、一端に前記感応基又は、感応基を変性した基と反応す
る基を持ち、他端に前記感応基と同じ働きをする感応基
を持った分子を用い、選択的に化学物質を結合させる工
程を複数回くり返すことによりパターン状の樹脂膜の厚
みを厚くしたり、さらに、結合させる分子内に耐ドライ
エツチ性の高い原子を含ませておき、耐ドライエツチ性
を向上σせることを特徴としたものでるる。
感応基を含んだ感応性薄膜を形成し、エネルギー線をパ
ターン状に照射して前記感応基の一部を選択的に死活さ
せたのち、前記感応性薄膜の感応基が残存した部分にの
み後工程で化学物質を６へ−・ 結合をせて超微細なパターン状の樹脂膜を形成すること
を特徴としたものである。さらに、前記化学物質として
、一端に前記感応基又は、感応基を変性した基と反応す
る基を持ち、他端に前記感応基と同じ働きをする感応基
を持った分子を用い、選択的に化学物質を結合させる工
程を複数回くり返すことによりパターン状の樹脂膜の厚
みを厚くしたり、さらに、結合させる分子内に耐ドライ
エツチ性の高い原子を含ませておき、耐ドライエツチ性
を向上σせることを特徴としたものでるる。
さらにまた、感応性薄膜を形成する手段として、ラング
ミュア・プロジェット法あるいは化学吸着法を用い、エ
ネルギー線感応基が基板表面に並んで露出されるように
単分子膜を累積形成しておくことにより、感度向上とと
もに超微細パターン形成を可能としたものである。
ミュア・プロジェット法あるいは化学吸着法を用い、エ
ネルギー線感応基が基板表面に並んで露出されるように
単分子膜を累積形成しておくことにより、感度向上とと
もに超微細パターン形成を可能としたものである。
一方、基板上に他の有機薄膜を介して、上述のパターン
形成を行ない、さらに、そのパターンをマスクにして、
下層の有機薄膜の一部をエツチング除去することにより
、パターンを有機薄膜に転６ ・＼ 写して用いることを特徴としたものである。
形成を行ない、さらに、そのパターンをマスクにして、
下層の有機薄膜の一部をエツチング除去することにより
、パターンを有機薄膜に転６ ・＼ 写して用いることを特徴としたものである。
実施例の説明
以下、本発明の方法を第１，２図を用いて説明する。
例えば、第１の実施例でに、ＳｉＯ２の形成されたＳ１
基板１上へ化学吸着法により、シラン界面活性剤例えば
、ＣＨ２＝ＯＨ−（ＣｊＨ２）ｎ−８ＩＧＩｓ（ｎげ整
数で、１０〜２ｏが良い。）を用い、基板１表面で反応
させ、ＣＨ２＝ ＣＨ−（ＣＨ２） ｎ−２，０×１０
−５〜５．０×１０′″２Ｍｏｌ／ｌの濃度で溶した８
ｏ％ｎ−ヘキサン、１２係四塩化炭素、８係クロロホル
ム溶液中に浸漬し、ＳｉＯ２表面で、一８ｉ−０−の結
合３を形成する（第１図ａ）。
基板１上へ化学吸着法により、シラン界面活性剤例えば
、ＣＨ２＝ＯＨ−（ＣｊＨ２）ｎ−８ＩＧＩｓ（ｎげ整
数で、１０〜２ｏが良い。）を用い、基板１表面で反応
させ、ＣＨ２＝ ＣＨ−（ＣＨ２） ｎ−２，０×１０
−５〜５．０×１０′″２Ｍｏｌ／ｌの濃度で溶した８
ｏ％ｎ−ヘキサン、１２係四塩化炭素、８係クロロホル
ム溶液中に浸漬し、ＳｉＯ２表面で、一８ｉ−０−の結
合３を形成する（第１図ａ）。
ここで、シラン界面活性剤のビニル基４げ基板表面に並
んで成膜され（第１図ｂ）、しかも、電子ビーム照射に
より、まわりのビニル基間で重合反応が生じるので、次
に、第１図Ｃに示すように電子ビーム６をパターン状に
照射する。すると、第７ ・＼−一 １図ｄに示すように、電子ビーム照射された部分６のビ
ニル基の二重結合に、互に結合し合い選択的に不活性化
（死活）される。
んで成膜され（第１図ｂ）、しかも、電子ビーム照射に
より、まわりのビニル基間で重合反応が生じるので、次
に、第１図Ｃに示すように電子ビーム６をパターン状に
照射する。すると、第７ ・＼−一 １図ｄに示すように、電子ビーム照射された部分６のビ
ニル基の二重結合に、互に結合し合い選択的に不活性化
（死活）される。
次に、室搗でジボラン１Ｍ０１／ｅのＴＭＦ溶液に浸漬
し、さらにＮａＯＨＯ，Ｉ Ｍｏｌ／／ 、 ３０ ％
Ｈ２Ｏ２水溶液に浸漬し、未照射部のビニル基に水酸基
７を付加する（第１図ｅ、ｆ）。
し、さらにＮａＯＨＯ，Ｉ Ｍｏｌ／／ 、 ３０ ％
Ｈ２Ｏ２水溶液に浸漬し、未照射部のビニル基に水酸基
７を付加する（第１図ｅ、ｆ）。
その後、さらに、ＣＨ２−ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ−８ＩＣ
ｅ３を、前記と同様の反応で水酸基７と反応させて、〇 ｈ）。すなわち、この工程でＯＨ２＝ ０Ｈ−（ＯＨ２
）ｎターン９が形成されたことになる。
ｅ３を、前記と同様の反応で水酸基７と反応させて、〇 ｈ）。すなわち、この工程でＯＨ２＝ ０Ｈ−（ＯＨ２
）ｎターン９が形成されたことになる。
以下、同様に表面に並んで形成されたシラン界面活性剤
のビニル基に水酸基を付加きせる工程と、シラン界面活
性剤を付加きせる工程とをくり返すことにより、必要な
厚みを有するシラン界面活性剤が累積した厚み３０〜３
００八程度の超微細パターンが形成できる。
のビニル基に水酸基を付加きせる工程と、シラン界面活
性剤を付加きせる工程とをくり返すことにより、必要な
厚みを有するシラン界面活性剤が累積した厚み３０〜３
００八程度の超微細パターンが形成できる。
なお、上記例でげ、シラン界面活性剤の一８ｉＣｅ５と
反応して−８１−〇−結合を生じる基板、すｏ− なわち、５ｉ０２の形成された８１基板を例にして示し
たが、その他に無機物でげ、Ａｅ２０３．ガラス等、有
機物でａポリビニルアルコール等が利用可能である。ま
た、基板表面が撥水性を示す他の物質で被われている場
合には、ラングミュアブロジェット膜を形成して基板表
面に全面親水性基を並べるが、０２プラズマ処理等で基
板表面を親水化しておく方法を用いることができる。な
お、ラングミュアプロジェット膜でに、密着力は劣るが
、基板表面物質が撥水性の場合でも、累積を撥水面が基
板側に′ｆＸるように形成したｋころで止めれれば、表
面を完全に親水性化することが可能である。
反応して−８１−〇−結合を生じる基板、すｏ− なわち、５ｉ０２の形成された８１基板を例にして示し
たが、その他に無機物でげ、Ａｅ２０３．ガラス等、有
機物でａポリビニルアルコール等が利用可能である。ま
た、基板表面が撥水性を示す他の物質で被われている場
合には、ラングミュアブロジェット膜を形成して基板表
面に全面親水性基を並べるが、０２プラズマ処理等で基
板表面を親水化しておく方法を用いることができる。な
お、ラングミュアプロジェット膜でに、密着力は劣るが
、基板表面物質が撥水性の場合でも、累積を撥水面が基
板側に′ｆＸるように形成したｋころで止めれれば、表
面を完全に親水性化することが可能である。
また、０２プラズマ処理を行った場合に汀、基板表面が
酸化され、親水性を示すようになる。
酸化され、親水性を示すようになる。
例えば、第２図に示すように、基板１の上に有機薄膜例
えばゴム系のレジスト１０を塗布し、０２プラズマ（例
えば、０．０１ＴＯｒｒ１００Ｗ３０秒程度）処理層１
０’を形成後、シラン界面活性剤を９べ−７ 前記実施例と同じ方法を用いて、レジスト表面に吸着き
せる（第２図ａ）。
えばゴム系のレジスト１０を塗布し、０２プラズマ（例
えば、０．０１ＴＯｒｒ１００Ｗ３０秒程度）処理層１
０’を形成後、シラン界面活性剤を９べ−７ 前記実施例と同じ方法を用いて、レジスト表面に吸着き
せる（第２図ａ）。
以下、前記実施例と同様の工程をくり返し、Ｓｌを含ん
だ界面活性剤よりなるパターン９を形成した（第２図ｂ
）後、Ｓｉを含んだ界面活性剤のパターンをマスクに０
２プラズマでレジスト１ｏをエツチングすることにより
、界面活性剤のパターンをホトレジストに転写すること
ができる（第２図Ｃ）。この場合、有機薄膜としてゴム
系のレジストを用いたが、０２プラズマでエツチングさ
れる物質であれば伺んでも良いことに明らかでろろう。
だ界面活性剤よりなるパターン９を形成した（第２図ｂ
）後、Ｓｉを含んだ界面活性剤のパターンをマスクに０
２プラズマでレジスト１ｏをエツチングすることにより
、界面活性剤のパターンをホトレジストに転写すること
ができる（第２図Ｃ）。この場合、有機薄膜としてゴム
系のレジストを用いたが、０２プラズマでエツチングさ
れる物質であれば伺んでも良いことに明らかでろろう。
なお、Ｓｌを含む界面活性剤のパターンａ１０２プラズ
マに対し、５ｉ０２が形成されるので累積膜厚をそれほ
ど厚くしなくても、十分耐エッチ性を確保できる利点が
ある。一方、ホトレジストニハターンを転写してやれば
、ホトレジストの厚みは十分厚くしておくことができる
ので、一般にＶＬＳＩ製造工程に用いられるドライエッ
チ（例えばイオンエツチングやスパッタエツチング）ニ
対しても十分な耐エツチング性のある超微細なし１０、
、 。
マに対し、５ｉ０２が形成されるので累積膜厚をそれほ
ど厚くしなくても、十分耐エッチ性を確保できる利点が
ある。一方、ホトレジストニハターンを転写してやれば
、ホトレジストの厚みは十分厚くしておくことができる
ので、一般にＶＬＳＩ製造工程に用いられるドライエッ
チ（例えばイオンエツチングやスパッタエツチング）ニ
対しても十分な耐エツチング性のある超微細なし１０、
、 。
シストパターンとして利用できる。
なお、上記２つの実施例においてに、感応性薄膜として
、シリコン界面活性剤を吸着反応させる方法を示したが
、あらかじめ−ＣＩ を−ＣＨ基に置換した試薬（Ｃ
Ｈ２＝ ０Ｈ−（ＣＨ２）ｎ−３ｉ（ＯＨ）３等）を用
いれば、ラングミュアプロジェット法でも、感応性薄膜
を形成できる。
、シリコン界面活性剤を吸着反応させる方法を示したが
、あらかじめ−ＣＩ を−ＣＨ基に置換した試薬（Ｃ
Ｈ２＝ ０Ｈ−（ＣＨ２）ｎ−３ｉ（ＯＨ）３等）を用
いれば、ラングミュアプロジェット法でも、感応性薄膜
を形成できる。
発明の効果
以上述べて来たように、本発明の方法を用いれば、パタ
ーン形成時のエネルギー線感応性薄膜げ単層ないし数層
の単分子累積膜で形成しておくため、超微細パターンの
形成が可能である。さらに選択膜成長反応を一８ｉＣ４
３と−ＣＨ基の反応で行うことにより、耐酸素ドライエ
ツチング性が高いパターンが得られる。従って、下層と
して有機薄膜を用いれば、酸素ドライエツチングにより
有機薄膜へのパターン転写が容易である。
ーン形成時のエネルギー線感応性薄膜げ単層ないし数層
の単分子累積膜で形成しておくため、超微細パターンの
形成が可能である。さらに選択膜成長反応を一８ｉＣ４
３と−ＣＨ基の反応で行うことにより、耐酸素ドライエ
ツチング性が高いパターンが得られる。従って、下層と
して有機薄膜を用いれば、酸素ドライエツチングにより
有機薄膜へのパターン転写が容易である。
また感応性薄膜形成に用いるＬＢ法および吸着法は、基
板表面との界面反応で進行するため、基板段差にそれほ
ど影響を受けず、ＶＬＳＩ素子上のような段差が多い基
板に利用する場合大きな効果がある。
板表面との界面反応で進行するため、基板段差にそれほ
ど影響を受けず、ＶＬＳＩ素子上のような段差が多い基
板に利用する場合大きな効果がある。
なお、以上の実施例で汀、−３ｉＣｄ３ と−〇Ｈの
界面反応を例に示したが、同様な反応機構を示す物質で
あれば、これらに限定されるもので汀ない。従って、本
発明の方法は、超微細パターン形成、特［ＶＬＳＩ製造
等におけるホトリソ工程の改良に効果大なるものである
。
界面反応を例に示したが、同様な反応機構を示す物質で
あれば、これらに限定されるもので汀ない。従って、本
発明の方法は、超微細パターン形成、特［ＶＬＳＩ製造
等におけるホトリソ工程の改良に効果大なるものである
。
なお、本発明の方法げ、上記実施例に示したシラン界面
活性剤分子内の直鎖状ＣＨ２結合の間又は側鎖として機
能性分子例えば、−ｃ＝ｃ−Ｑ＝Ｃ−、−ｃ６Ｈ４−−
０４ＮＨ５−、−Ｃ，ＳＨ２＋。
活性剤分子内の直鎖状ＣＨ２結合の間又は側鎖として機
能性分子例えば、−ｃ＝ｃ−Ｑ＝Ｃ−、−ｃ６Ｈ４−−
０４ＮＨ５−、−Ｃ，ＳＨ２＋。
−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−、−ｃ６Ｈ，−ｓ＋、−０６
Ｈ４−〇−等のπ共役ポリマーを形成する分子を含めた
試薬を用いることにより今後分子デバイス製造技術とし
ても応用できるものである。
Ｈ４−〇−等のπ共役ポリマーを形成する分子を含めた
試薬を用いることにより今後分子デバイス製造技術とし
ても応用できるものである。
第１図ａ本発明の詳細な説明するための一実施例の工程
断面図を示し、同図ａ、ｃ、 ｅ、ｇ［基板断面の工程
概念図、同図す、（１，ｆ、ｈげそれぞれ同図ａ、ａ、
ｅ、ｇの丸印Ａ−Ｄ部の分子レベルでの拡大図、第２図
ａ Ｎｃげ本発明の第２の実施例における工程断面図で
あり、第１の実施例を用いて有機薄膜にパターンを転写
する工程を説明するための概念図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・感応性薄膜、５・・
・・・・エネルギー線、１ｏ・・・・・・有機薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 手続補正書 昭和６０年８ 月 ８ｐ 昭和５９年特許願第２１６６４１ 号２発明の名称 パターン形成方法 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人
住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 図面 ２へ−７ ６、補正の内容 （１）明細書第７頁第１３行の「分子が」を「９分子が
」に補正します。 （２）同第７頁第１４行の「９が形成」を「１０が形成
」に補正します。 （３）同第８頁第１８行の「レジスト１０」を「レジス
ト１１」に補正します。 （４）同第８頁第２０行の「処理層１０′」を「処理層
１１′」に補正します。 （５）同第９頁第４行の「パターン９」を「パターン１
０」に補正し１す。 （６）同第９頁第６行の「後、Ｓｌを含んだ」を「後、
捷ずパターン１０をマスクに０２１０％添加のＣＦ４
ガス中にてプラズマ処理し、あらかじめ死活されていた
部分のＳｔを含む感光性薄膜を選択的に除去し、Ｓｉを
含んだ」に補正します。 （７）同第９頁第６行の「レジスト１０」を「レジスト
１１」に補正し捷す。 （８）図面の第１図Φ）、第１図（ｄ）、第１図（ｑ）
、第３べ一／゛ １図（ｈ）、第２図（、）、第２図Φ）、第２図（Ｃ）
を別紙の通り補正します。 第１図 第１図 第２図
断面図を示し、同図ａ、ｃ、 ｅ、ｇ［基板断面の工程
概念図、同図す、（１，ｆ、ｈげそれぞれ同図ａ、ａ、
ｅ、ｇの丸印Ａ−Ｄ部の分子レベルでの拡大図、第２図
ａ Ｎｃげ本発明の第２の実施例における工程断面図で
あり、第１の実施例を用いて有機薄膜にパターンを転写
する工程を説明するための概念図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・感応性薄膜、５・・
・・・・エネルギー線、１ｏ・・・・・・有機薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 手続補正書 昭和６０年８ 月 ８ｐ 昭和５９年特許願第２１６６４１ 号２発明の名称 パターン形成方法 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人
住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 図面 ２へ−７ ６、補正の内容 （１）明細書第７頁第１３行の「分子が」を「９分子が
」に補正します。 （２）同第７頁第１４行の「９が形成」を「１０が形成
」に補正します。 （３）同第８頁第１８行の「レジスト１０」を「レジス
ト１１」に補正します。 （４）同第８頁第２０行の「処理層１０′」を「処理層
１１′」に補正します。 （５）同第９頁第４行の「パターン９」を「パターン１
０」に補正し１す。 （６）同第９頁第６行の「後、Ｓｌを含んだ」を「後、
捷ずパターン１０をマスクに０２１０％添加のＣＦ４
ガス中にてプラズマ処理し、あらかじめ死活されていた
部分のＳｔを含む感光性薄膜を選択的に除去し、Ｓｉを
含んだ」に補正します。 （７）同第９頁第６行の「レジスト１０」を「レジスト
１１」に補正し捷す。 （８）図面の第１図Φ）、第１図（ｄ）、第１図（ｑ）
、第３べ一／゛ １図（ｈ）、第２図（、）、第２図Φ）、第２図（Ｃ）
を別紙の通り補正します。 第１図 第１図 第２図
Claims (6)
- （１）任意の基板上にエネルギー線により化学反応を生
じる感応基を含んだ感応性薄膜を形成する工程と、前記
感応性薄膜にエネルギー線をパターン照射して感応基を
パターン状に死活する工程と、前記感応性薄膜の感応基
が残存した部分に選択的に化学物質を結合させる工程を
含むことを特徴としたパターン形成方法。 - （２）化学物質として、一端に前記感応基と反応する基
を持ち他端に前記感応基と同じ働きをする感応基を持っ
た分子を用い、選択的に化学物質を結合させる工程を複
数回くり返して行うことを特徴とした特許請求の範囲第
１項記載のパターン形成方法。 - （３）感応性薄膜を形成する工程において、ラングミュ
ア・プロジェット法または吸着法等により、感応基が基
板表面に並んで露出されるように単分子状の感応性薄膜
を形成することを特徴とした特許請求の範囲第１項記載
のパターン形成方法。 - （４）化学物質としてＳｉを含有した物質を用いること
を特徴とした特許請求の範囲第１項記載のパターン形成
方法。 - （５）任意の基板上へ有機薄膜を介して感応性薄膜を形
成しておき、選択的にＳｉを含む化学物質を結合させた
後、酸素プラズマで処理することにより、Ｓｉを含む化
学物質によるパターンを有機薄膜に転写することを特徴
とした特許請求の範囲第４項記載のパターン形成方法。 - （６）エネルギー線により化学反応を生じる感応基とし
て、ビニル基を含んだことを特徴とした特許請求の範囲
第１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21664184A JPS6194041A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | パタ−ン形成方法 |
| US06/751,256 US4751171A (en) | 1984-07-03 | 1985-07-02 | Pattern forming method |
| US07/030,612 US4824766A (en) | 1984-07-03 | 1987-03-27 | Pattern forming method |
| US07/292,553 US4908299A (en) | 1984-07-03 | 1988-12-30 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21664184A JPS6194041A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194041A true JPS6194041A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16691619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21664184A Expired - Lifetime JPS6194041A (ja) | 1984-07-03 | 1984-10-16 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194041A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221151A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS62262867A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単分子累積膜パタ−ン形成方法 |
| JPS62293242A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
| JPS6396655A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JP2009158691A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Sharp Corp | 有機デバイスおよびその製造方法 |
Citations (5)
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| JPS50134649A (ja) * | 1974-04-10 | 1975-10-24 | ||
| JPS5642229A (en) * | 1979-06-25 | 1981-04-20 | University Patents Inc | New photooresist composition |
| JPS58111029A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | Kureha Chem Ind Co Ltd | ジアセチレン化合物累積膜の製造方法 |
| JPS58112078A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-04 | Daikin Ind Ltd | フルオロアルキルアクリレ−ト類の重合体被膜を基体表面に形成する方法 |
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-
1984
- 1984-10-16 JP JP21664184A patent/JPS6194041A/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |