JPS61138254A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS61138254A JPS61138254A JP25932784A JP25932784A JPS61138254A JP S61138254 A JPS61138254 A JP S61138254A JP 25932784 A JP25932784 A JP 25932784A JP 25932784 A JP25932784 A JP 25932784A JP S61138254 A JPS61138254 A JP S61138254A
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- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82—NANOTECHNOLOGY
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子の製造や印刷版等に利用するため
、任意の基板上へ化学反応を用い、選択的に膜形成を行
なう、パターン形成方法に関するものである。
、任意の基板上へ化学反応を用い、選択的に膜形成を行
なう、パターン形成方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
従来、半導体素子製造や印刷版製造におけるレジストパ
ターンや原版となる樹脂ノ９ターンの製造方法は、基板
上に光照射により重合、または分解する樹脂膜を形成し
、光をパターン状に照射したのち、現像して任意のパタ
ーンを形成する方法が一般に用いられてきた。しかし、
これらレジストや樹脂の・ンターンは、半導体素子の高
密度化や印刷物の高品質化のため、ますます微細化が要
望されている。
ターンや原版となる樹脂ノ９ターンの製造方法は、基板
上に光照射により重合、または分解する樹脂膜を形成し
、光をパターン状に照射したのち、現像して任意のパタ
ーンを形成する方法が一般に用いられてきた。しかし、
これらレジストや樹脂の・ンターンは、半導体素子の高
密度化や印刷物の高品質化のため、ますます微細化が要
望されている。
特にＶＬＳＩの製造においては、サブミクロンのレジス
トパターンを精度良く作成する必要が生じてきた。この
ような場合、レノスト樹脂そのものの物性にも犬きく作
用されるが、一般に微細なパターンを望むほど、すなわ
ち解像度をあげるためには、レノスト塗布厚を薄くする
必要があった。一方、サブミクロン・４ターンともなる
と湿式エツチングは利用できず、イオンエツチングやプ
ラズマエッチンクヤスノぐツタエツチング等ノドライエ
ツチングを用いなければならないが、レジストパターン
の耐ドライエツチング性を向上させるためには、レジス
ト材料にもよるが、一般にレジスト塗膜を厚くしておく
必要があった。
トパターンを精度良く作成する必要が生じてきた。この
ような場合、レノスト樹脂そのものの物性にも犬きく作
用されるが、一般に微細なパターンを望むほど、すなわ
ち解像度をあげるためには、レノスト塗布厚を薄くする
必要があった。一方、サブミクロン・４ターンともなる
と湿式エツチングは利用できず、イオンエツチングやプ
ラズマエッチンクヤスノぐツタエツチング等ノドライエ
ツチングを用いなければならないが、レジストパターン
の耐ドライエツチング性を向上させるためには、レジス
ト材料にもよるが、一般にレジスト塗膜を厚くしておく
必要があった。
したがって、上記２つの要求を満足させるためには、塗
膜が厚くても解像度が良いもの、ある（・は、塗膜が薄
くても耐ドライエツチング性が良いホトレノストを開発
すればよいのであるが、今のところそのような材料は得
られていない。
膜が厚くても解像度が良いもの、ある（・は、塗膜が薄
くても耐ドライエツチング性が良いホトレノストを開発
すればよいのであるが、今のところそのような材料は得
られていない。
（発明の目的）
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、高解像度、耐エ
ツチング性のすぐれた樹脂パターンを形成する方法を提
供することである。
ツチング性のすぐれた樹脂パターンを形成する方法を提
供することである。
（発明の構成）
本発明のパターン形成方法は、任意の基板上にエネルギ
ー線により化学反応を生じる感応基を含んだ感応性薄膜
を形成し、この感応性薄膜にエネルギー線をパターン照
射して感応基をパターン状に死活化または活性化させた
のち、残存した部分に選択的に化学物質を結合させてパ
ターンを形成する方法において、前記化学物質として両
端に塩素を結合した直鎖状シロキサン分子を用いたもの
である。
ー線により化学反応を生じる感応基を含んだ感応性薄膜
を形成し、この感応性薄膜にエネルギー線をパターン照
射して感応基をパターン状に死活化または活性化させた
のち、残存した部分に選択的に化学物質を結合させてパ
ターンを形成する方法において、前記化学物質として両
端に塩素を結合した直鎖状シロキサン分子を用いたもの
である。
また、表面が親水性の基板を用い、感応性薄膜として、
一端にビニル基またはシアノ基他端にクロルシラン基を
有する直鎖状炭化水素を用い、前記基板に化学吸着反応
で感応基が基板表面に並んで露出されるように単分子状
の感応性薄膜を形成するものである。
一端にビニル基またはシアノ基他端にクロルシラン基を
有する直鎖状炭化水素を用い、前記基板に化学吸着反応
で感応基が基板表面に並んで露出されるように単分子状
の感応性薄膜を形成するものである。
また、クロルシラン基の代シに、シラノール基等の親水
基をもつ直鎖状炭化水素を用い、ラングミュアブロジェ
ット法により感応性薄膜を形成するものである。
基をもつ直鎖状炭化水素を用い、ラングミュアブロジェ
ット法により感応性薄膜を形成するものである。
また、表面が疎水性の基板を用い、プラズマ処理、ある
いは界面活性剤のコーティングや吸着等によシ表面を親
水化する工程をもつものである。
いは界面活性剤のコーティングや吸着等によシ表面を親
水化する工程をもつものである。
また、任意の基板上へ有機薄膜を介して感応性薄膜を形
成しておき、選択的にシロキサン分子を結合させたのち
、酸素プラズマで処理することにより、シロキサン分子
による・４ターンを有機薄膜に転写するものである。
成しておき、選択的にシロキサン分子を結合させたのち
、酸素プラズマで処理することにより、シロキサン分子
による・４ターンを有機薄膜に転写するものである。
また、結合反応後、残存したシロキサン分子の一端の塩
素を水酸基に置換する工程と、前記水酸基にさらに両端
に塩素を結合した直鎖状シロキサン分子を結合反応させ
る工程を少なくとも１回以上行なうものである。
素を水酸基に置換する工程と、前記水酸基にさらに両端
に塩素を結合した直鎖状シロキサン分子を結合反応させ
る工程を少なくとも１回以上行なうものである。
（実施例の説明）
本発明の実施例を第１図および第２図に基づいて説明す
る。
る。
第１図は第１の実施例を示す。同図（、）において、Ｓ
ｓ Ｏ２の形成されたＳｉ基板１の上に化学吸着法に
より、シラン界面活性剤（たとえば、 ＣＨ２＝ＣＨ−
（ＣＨ２）ｎ−８ｉＣｔ３ （ｎは整数で、１０ないし
２ｏ））を用い、いし５．ＯＸ １０ Ｍｏｌ ／−
ｅの濃度で溶かした８０％ｎ−ヘキサン、１２％四塩化
炭素、８チクロロホ３を形成する。ここで第１図（ｂ）
に示すように、シラン界面活性剤のビニル基４は基板表
面に並んで成膜される。そして、電子ビーム照射によシ
まわシのビニル基間で重合反応が生じるので、つぎに、
第１図（ｃ）に示すように、電子ビーム５を・４ターン
状に照射する。すると、第１図（ｄ）に示すように電子
ビーム５で照射された部分６のビニル基の二重結合は、
互いに結合しあい、選択的に不活性化（死活化）される
。
ｓ Ｏ２の形成されたＳｉ基板１の上に化学吸着法に
より、シラン界面活性剤（たとえば、 ＣＨ２＝ＣＨ−
（ＣＨ２）ｎ−８ｉＣｔ３ （ｎは整数で、１０ないし
２ｏ））を用い、いし５．ＯＸ １０ Ｍｏｌ ／−
ｅの濃度で溶かした８０％ｎ−ヘキサン、１２％四塩化
炭素、８チクロロホ３を形成する。ここで第１図（ｂ）
に示すように、シラン界面活性剤のビニル基４は基板表
面に並んで成膜される。そして、電子ビーム照射によシ
まわシのビニル基間で重合反応が生じるので、つぎに、
第１図（ｃ）に示すように、電子ビーム５を・４ターン
状に照射する。すると、第１図（ｄ）に示すように電子
ビーム５で照射された部分６のビニル基の二重結合は、
互いに結合しあい、選択的に不活性化（死活化）される
。
つぎに、第１図（、）および（ｆ）で示すように室温で
ジ？ランＩ Ｍｏ１ＡのＴＨＦ溶液に浸漬し、さらにＮ
ａＯＨ０，Ｉ Ｍａｌ／４３．３０４ Ｈ２Ｏ２水溶液
に浸漬し、未照射部のビニル基に水酸基７を付加する。
ジ？ランＩ Ｍｏ１ＡのＴＨＦ溶液に浸漬し、さらにＮ
ａＯＨ０，Ｉ Ｍａｌ／４３．３０４ Ｈ２Ｏ２水溶液
に浸漬し、未照射部のビニル基に水酸基７を付加する。
その後、さらに第１図（ｇ）および（ｈ）に示すように
、（ｎは整数）等の両端に塩素を結合しだ直鎖状・シロ
キサン（以下、シロキサン分子と（・う）を、上記と同
様の反応で水酸化基７と反応させて一５ｔ−Ｏ−の結合
８を形成する。すなわち、この工程で、シロキサン分子
９が選択的に１層結合した薄膜パターン１０が形成され
たことになる。
、（ｎは整数）等の両端に塩素を結合しだ直鎖状・シロ
キサン（以下、シロキサン分子と（・う）を、上記と同
様の反応で水酸化基７と反応させて一５ｔ−Ｏ−の結合
８を形成する。すなわち、この工程で、シロキサン分子
９が選択的に１層結合した薄膜パターン１０が形成され
たことになる。
以下同様に表面に並んで形成されたーＳ ｉ −ＣＬ
（クロルシラン基）を加水分解し、−８ｉ−ＯＨ（’／
ランール基）に変換する工程と、シロキサン分子を付
カロさせる工程をくり返えすことにより、必要な厚さを
有するシロキサン分子が累積しく厚さ数十にないし数百
ｋ）の超微細Ａターン力；形成できる。
（クロルシラン基）を加水分解し、−８ｉ−ＯＨ（’／
ランール基）に変換する工程と、シロキサン分子を付
カロさせる工程をくり返えすことにより、必要な厚さを
有するシロキサン分子が累積しく厚さ数十にないし数百
ｋ）の超微細Ａターン力；形成できる。
なお、上記例ではシラン界面活性剤の一５ｉＣｔ３して
示したが、その他に無機物ではＡｔ２０３、ガラス等、
有機物ではポリビニルアルコール等が利用可能である。
示したが、その他に無機物ではＡｔ２０３、ガラス等、
有機物ではポリビニルアルコール等が利用可能である。
また基板表面が撥水性を示す他の物質で被われている場
合には、ラングミュアブロジェット膜を形成して基板表
面に全面親水性基を並べるか、０２ｆラズマ処理等で基
板表面を親水化しておくか、界面活性剤をコーディング
あるいは吸着させる方法を用いることができる。なお、
ラングミュアブロジェット膜では、密着力は劣るが、基
板表面物質が撥水性の場合でも、累積を撥水面が基板側
になるように形成したところで止めれば、表面を完全に
親水性化することが可能である。
合には、ラングミュアブロジェット膜を形成して基板表
面に全面親水性基を並べるか、０２ｆラズマ処理等で基
板表面を親水化しておくか、界面活性剤をコーディング
あるいは吸着させる方法を用いることができる。なお、
ラングミュアブロジェット膜では、密着力は劣るが、基
板表面物質が撥水性の場合でも、累積を撥水面が基板側
になるように形成したところで止めれば、表面を完全に
親水性化することが可能である。
また、０２ｆラズマ処理を行なった場合には、基板表面
が酸化され、親水性を示すようになる。
が酸化され、親水性を示すようになる。
さらにまた、エネルギー線感応基としては、上記のビニ
ル基のほか、アセチレン基、シアノ基等でもよい。
ル基のほか、アセチレン基、シアノ基等でもよい。
一方、逆にエネルギー線感応基を持つ感応性薄膜だ特定
のガラス雰囲気中で・やターン照射し、部分的に、後工
程のシロキサン分子と反応する活性基に変換させる方法
がある。たとえば、０□がスやＨ２Ｏがス雰囲気中で電
子ビームをパターン状に照射し感応膜のビニル基に直接
水酸基を付加させてツクターン状に活性化させてからシ
ロキサン分子を付加させる方法を用いることもできる。
のガラス雰囲気中で・やターン照射し、部分的に、後工
程のシロキサン分子と反応する活性基に変換させる方法
がある。たとえば、０□がスやＨ２Ｏがス雰囲気中で電
子ビームをパターン状に照射し感応膜のビニル基に直接
水酸基を付加させてツクターン状に活性化させてからシ
ロキサン分子を付加させる方法を用いることもできる。
第２の実施例として、第１の実施例に示した方法を有機
薄膜を形成した基板上で行ない、第１の実施例で形成し
たパターンを有機薄膜に転写するものである。
薄膜を形成した基板上で行ない、第１の実施例で形成し
たパターンを有機薄膜に転写するものである。
第２図にその実施例を示す。同図（、）に示すように基
板１の上に有機薄膜たとえばゴム系のレノスト１１を塗
布し、０□プラズマ（たとえば、０．０１Ｔｏｒｒ １
００Ｗ３０秒）処理層１１′を形成し、シラン界面活性
剤を第１実施例と同じ方法を用いて、レノスト表面に吸
着させる。つぎに第１実施例と同様の工程をくり返えし
、第２図（ｂ）に示すようにＳｉを含んだ界面活性剤よ
りなるパターン１０を形成したのち、第２図（ｃ）に示
すようにＳｉを含んだ界面活性剤のノ々ターンをマスク
に０２プラズマレジスト１１ 、１１’をエツチングす
ることにより、界面活性剤のパターンをホトレジストに
転写することができる。この場合有機薄膜としてゴム系
のレノストを用いたが、０□プラズマでエツチングされ
る物質であればなんでもよい。なお、Ｓｉを含む界面活
性剤の／Ｊパターン、０２プラズマに対シ、Ｓ ｉＯ２
が形成されるので、累積膜厚をそれほど厚くしなくとも
、十分耐エツチング性を確保できる利点がある。一方、
ホトレジストにパターンを転写すれば、ホトレジストの
厚さは十分厚くしておくことができるので、一般にＶＬ
ＳＩｆｉ造工程に用いられるドライエツチング（たとえ
ば、イオンエツチングやスノクツタエノチング）に対し
ても十分な耐エツチング性のある超微細なレジスト・パ
ターンとして利用できる。
板１の上に有機薄膜たとえばゴム系のレノスト１１を塗
布し、０□プラズマ（たとえば、０．０１Ｔｏｒｒ １
００Ｗ３０秒）処理層１１′を形成し、シラン界面活性
剤を第１実施例と同じ方法を用いて、レノスト表面に吸
着させる。つぎに第１実施例と同様の工程をくり返えし
、第２図（ｂ）に示すようにＳｉを含んだ界面活性剤よ
りなるパターン１０を形成したのち、第２図（ｃ）に示
すようにＳｉを含んだ界面活性剤のノ々ターンをマスク
に０２プラズマレジスト１１ 、１１’をエツチングす
ることにより、界面活性剤のパターンをホトレジストに
転写することができる。この場合有機薄膜としてゴム系
のレノストを用いたが、０□プラズマでエツチングされ
る物質であればなんでもよい。なお、Ｓｉを含む界面活
性剤の／Ｊパターン、０２プラズマに対シ、Ｓ ｉＯ２
が形成されるので、累積膜厚をそれほど厚くしなくとも
、十分耐エツチング性を確保できる利点がある。一方、
ホトレジストにパターンを転写すれば、ホトレジストの
厚さは十分厚くしておくことができるので、一般にＶＬ
ＳＩｆｉ造工程に用いられるドライエツチング（たとえ
ば、イオンエツチングやスノクツタエノチング）に対し
ても十分な耐エツチング性のある超微細なレジスト・パ
ターンとして利用できる。
なお、上記２つの実施例においては、感応性薄膜として
、シリコン界面活性剤を吸着反応させる方法を示したが
、あらかじめ−Ｃｔを一〇Ｈ基に置換した試薬（ＣＨ２
＝ ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ−８ｔ（ＯＨ）３等）を用いれ
ば、ラングミュアブロジェット法でも感応性薄膜を形成
することができる。
、シリコン界面活性剤を吸着反応させる方法を示したが
、あらかじめ−Ｃｔを一〇Ｈ基に置換した試薬（ＣＨ２
＝ ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ−８ｔ（ＯＨ）３等）を用いれ
ば、ラングミュアブロジェット法でも感応性薄膜を形成
することができる。
（発明の効果）
本発明によれば、パターン形成時のエネルギー線感応性
薄膜は単層ないし数層の単分子累積膜で形成しておくた
め、超微細Ａ？ターンの形成が可能である。さらに選択
膜成長反応をシロキサン分子の付加反応で行なうことに
より、耐酸性ドライエツチング性が高いＡ’ターンが得
られる。したがって、下層として有機薄膜を用℃・れば
、酸素ドライエツチングによシ有機薄膜へのパターン転
写が容易である。
薄膜は単層ないし数層の単分子累積膜で形成しておくた
め、超微細Ａ？ターンの形成が可能である。さらに選択
膜成長反応をシロキサン分子の付加反応で行なうことに
より、耐酸性ドライエツチング性が高いＡ’ターンが得
られる。したがって、下層として有機薄膜を用℃・れば
、酸素ドライエツチングによシ有機薄膜へのパターン転
写が容易である。
また感応性薄膜形成に用いるＬＢ法、および化学吸着法
は、基板表面との界面反応で進行するため、基板段差に
それほど影響を受けず、ＶＬＳ Ｉ素子上のような段差
が多い基板に利用する場合大きな効果がある。
は、基板表面との界面反応で進行するため、基板段差に
それほど影響を受けず、ＶＬＳ Ｉ素子上のような段差
が多い基板に利用する場合大きな効果がある。
なお、以上の実施例では−Ｓ ｒ ＣＺｓと−ＯＨの界
面反応を例に示したが、同様な反応機構を示す物質で゛
あれば、これらに限定されるものではない。従って、本
発明の方法は、超微細パターン形成、特にＶＬＳ Ｉ製
造等におけるホトリン工程の改良に効果大なるものであ
る。
面反応を例に示したが、同様な反応機構を示す物質で゛
あれば、これらに限定されるものではない。従って、本
発明の方法は、超微細パターン形成、特にＶＬＳ Ｉ製
造等におけるホトリン工程の改良に効果大なるものであ
る。
なお、本発明の方法は、上記実施例に示したシラン界面
活性剤分子内の直鎖状ＣＨ２結合の間又は側鎖として機
能性分子例えば−ＣミＣ−Ｃ＝−。
活性剤分子内の直鎖状ＣＨ２結合の間又は側鎖として機
能性分子例えば−ＣミＣ−Ｃ＝−。
−ＣＨ−、−Ｃ４ＮＨ３−、−Ｃ４ＳＨ２−、−Ｃ６Ｉ
（４−ＣＨ＝ＣＨ−。
（４−ＣＨ＝ＣＨ−。
−ＣＨ−８−、−Ｃ６Ｉ（４−０−等のπ共役ポリマー
を形成する分子を含めた試薬を用いることにより分子デ
バイス製造技術としても応用できるものである。
を形成する分子を含めた試薬を用いることにより分子デ
バイス製造技術としても応用できるものである。
第１図は本発明の第１実施例のパターン形成方法の工程
断面図で、（ａ） 、 （ｃ） 、 （６） 、 （ｇ
）は基板断面図、（ｂ） 、 （ｄ） 、 （ｆ） 、
（ｈ）はそれぞれ（ａ） 、 （ｃ） 、 （ｅ）
、 （ｇ）のＡ。 Ｂ、Ｃ，Ｄ部の拡大図、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、
（ｃ）は本発明の第２実施例のパターン形成方法の工
程を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・感応性膜、３，８・・・Ｓｉの
結合、４・・・ビニル基、５・・・電子ビーム；６・・
・照射部分、７・・・水酸基、９・・・シロキサン分子
、１０・・・薄膜パターン、１１ 、１１’・・・有機
薄膜。 第１図 （ａ） Δ 、４ （ｃ） （ｄ）５ 第１図 （ｅ） （ｆ）
断面図で、（ａ） 、 （ｃ） 、 （６） 、 （ｇ
）は基板断面図、（ｂ） 、 （ｄ） 、 （ｆ） 、
（ｈ）はそれぞれ（ａ） 、 （ｃ） 、 （ｅ）
、 （ｇ）のＡ。 Ｂ、Ｃ，Ｄ部の拡大図、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、
（ｃ）は本発明の第２実施例のパターン形成方法の工
程を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・感応性膜、３，８・・・Ｓｉの
結合、４・・・ビニル基、５・・・電子ビーム；６・・
・照射部分、７・・・水酸基、９・・・シロキサン分子
、１０・・・薄膜パターン、１１ 、１１’・・・有機
薄膜。 第１図 （ａ） Δ 、４ （ｃ） （ｄ）５ 第１図 （ｅ） （ｆ）
Claims (6)
- （１）任意の基板上にエネルギー線により化学反応を生
じる感応基を含んだ感応性薄膜を形成し、該感応性薄膜
にエネルギー線をパターン照射して、感応基をパターン
状に死活化または活性化させたのち、残存した部分に選
択的に化学物質を結合させてパターンを形成する方法に
おいて、前記化学物質として両端に塩素を結合した直鎖
状シロキサン分子を用いたことを特徴とするパターン形
成方法。 - （２）表面が親水性の基板を用い感応性薄膜として、一
端にビニル基またはシアノ基を、他端にクロルシラン基
を有する直鎖状炭化水素を用い、前記基板に化学吸着反
応で感応基が基板表面に並んで露出されるように単分子
状の感応性薄膜を形成することを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項記載のパターン形成方法。 - （３）クロルシラン基の代りにシラノール基等の親水基
をもつ直鎖状炭化水素を用い、ラングミュアブロジェッ
ト法により感応性薄膜を形成することを特徴とする特許
請求の範囲第（２）項記載のパターン形成方法。 - （４）表面が疎水性の基板を用い、プラズマ処理あるい
は界面活性剤のコーティングや吸着等により表面を親水
性化する工程を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
（２）項記載のパターン形成方法。 - （５）任意の基板上へ有機薄膜を介して感応性薄膜を形
成しておき、選択的にシロキサン分子を結合させたのち
、酸素プラズマで処理することにより、シロキサン分子
によるパターンを有機薄膜に転写することを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載のパターン形成方法。 - （６）結合反応後、残存したシロキサン分子の一端の塩
素を水酸基に置換する工程と、前記水酸基にさらに両端
に塩素を結合した直鎖状シロキサン分子を結合反応させ
る工程を少なくとも１回以上行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25932784A JPS61138254A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | パタ−ン形成方法 |
| US06/751,256 US4751171A (en) | 1984-07-03 | 1985-07-02 | Pattern forming method |
| US07/030,612 US4824766A (en) | 1984-07-03 | 1987-03-27 | Pattern forming method |
| US07/292,553 US4908299A (en) | 1984-07-03 | 1988-12-30 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25932784A JPS61138254A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61138254A true JPS61138254A (ja) | 1986-06-25 |
Family
ID=17332547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25932784A Expired - Lifetime JPS61138254A (ja) | 1984-07-03 | 1984-12-10 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61138254A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319646A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH01123232A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| WO2004108986A1 (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Nikko Materials Co., Ltd. | 無電解めっき方法及び金属めっき物 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50134649A (ja) * | 1974-04-10 | 1975-10-24 | ||
| JPS53134366A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | Method of forming resist film |
| JPS58186935A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成法 |
| JPS59148335A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ン形成法 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP25932784A patent/JPS61138254A/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8182873B2 (en) | 2003-06-09 | 2012-05-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method for electroless plating and metal-plated article |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |