KR950004910B1

KR950004910B1 - 다층감광막 사진식각방법

Info

Publication number: KR950004910B1
Application number: KR1019920016931A
Authority: KR
Inventors: 한우성
Original assignee: 삼성전자주식회사; 김광호
Priority date: 1992-09-17
Filing date: 1992-09-17
Publication date: 1995-05-15
Also published as: JPH06214397A; DE4331519A1; KR940007613A

Abstract

내용 없음.

Description

다층감광막 사진식각방법

제1a도 내지 제1h도는 종래의 다층감광법의 공정순서를 도시한 도면.

제2도는 종래의 다층감광법의 문제점을 도시한 도면.

제3a도 내지 제3g도는 본 발명의 실시예에 따른 다층감광막 사진식각방법을 도시한 공정순서도.

제4a도 내지 제4c도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도면.

제5a도 내지 제5d도는 본 발명의 또다른 실시예를 도시한 도면.

제6a도 내지 제6d도는 본 발명의 또다른 실시예를 도시한 도면.

제7도는 포토레지스트의 실릴화 및 글래스화 과정을 설명하는 도면.

본 발명은 반도체장치의 사진식각공정에 관한 것으로, 특히 다층감광막(Multi-layer resist) 사진식각방법에 관한 것이다.

반도체소자의 집적도가 높아짐에 따라 미세하면서도 높은 정밀도를 갖는 패턴형성기술이 요구되고 있는바 일반적인 패턴형성의 사진식각공정은 웨이퍼의 전처리, 감광막 도포, 소프트 베이크, 마스크 정렬, 노광, 현상, 하드베이크, 식각 및 감광막 제거공정으로 이루어진다. 그러나, 이러한 사진 식각공정에 있어서는 마스크를 통과한 빛이 감광막의 표면에 도달할 때 빛의 회절현상에 의해 패턴의 가장자리가 선명하지 않아 미세패턴형성이 곤란하며 초점심도가 낮아지는 등 공정의 안정도가 저하되는 문제점이 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 한가지 방법으로서 다층감광법이 제시되었는데 이 방법은 패턴형성층을 박막의 레지스트로 하고 이것을 하층레지스트에 전사(Transfer)시켜서 두꺼운 레지스트층을 얻는 것으로 패턴형성층을 얇게 하므로써 해상도를 향상시킬 수 있다.

이 방법에서는 하층으로의 패턴전사에 O₂RIE(Reactive ion etching)를 사용하는 것이 보통이다. 따라서 상층의 얇은 레지스트층에 O₂RIE내성(耐性)을 부여한 2층형과 상층레지스트는 통상의 레지스트로 하고 무기재료로 구성되는 중간층을 끼운 3층형으로 나뉜다. 2층형으로는 Si함유레지스트가 주류를 이룬다.

제1a도 내지 제1h도에 종래의 3층 감광법의 공정을 순서에 따라 도시하였는 바 이를 설명하면 다음과 같다.

제1a도에 도시된 바와 같이 반도체웨이퍼(1)위에 레지스트(2)를 도포한 후 200℃∼250℃의 온도로 1분이상 핫플레이트(hot plate)에서 베이크(bake)하여 레지스트(2)를 경화시킨다. 이렇게 하면 레지스트내의 수지(resin)성분과 PAC(Photo active compound)가 가교결합(cross-linking)(2A)하여 단단해지게 된다(제1b도).

다음에 제1c도에 도시된 바와 같이 상기 레지스트(2A)위에 PE(Plasma enhanced) SiH₄베이스(base)의 산화막(3)을 180℃∼200℃의 온도범위에서 1,000Å∼2,000Å 두께로 침적시킨다. 이때, 이 산화막은 SOG(Spin on glass)를 스핀코팅(spin coating)한 후 200℃∼240℃에서 베이크하여 형성시키기도 한다.

이어서 제1d도에 도시된 바와 같이 상기 산화막(3)위에 레지스트(4)를 다시 얇게 도포한 후, 자외선을 조사(5)하여 포토마스크(6)의 패턴을 상층레지스트(4)에 전사시킨다(제1e도). 이때, 포토마스크(6)를 통해 빛을 받은 레지스트(4)는 그 속의 PAC성분이 파괴되어 현상시 현상용액에 씻겨 나가게 된다. 상층레지스트(4)를 얇게 형성하는 것은 포토마스크패턴이 보다 잘 전사되어 해상도가 증가되고 또한 초점심도가 깊어지는 이점이 있는 다층감광법의 특징이다.

다음에 제1f도에 도시된 바와 같이 상기 자외선에 의해 노광된 상기 상층레지스트(4)를 현상하여 패터닝하고 이 패터닝된 상층레지스트(4)를 마스크로 하여 중간층인 상기 산화막(3)을 식각한다(제1g도).

다음에 제1h도에 도시된 바와 같이 상기 산화막(3)을 마스크로 하여 하층레지스트(2)를 식각하여 마스크 패턴을 하층레지스트(2a)로 전사시킨다.

상술한 바와 같은 종래의 다층감광법에 있어서는 레지스트를 2회 도포하고 중간층을 레지스트와 레지스트 사이에 형성해야 하고, 그러기 위해서 200℃ 이상의 고온에서 레지스트를 베이크해야 하는등의 공정상의 번거로움이 있으며, 고온열처리로 인해 특히 피가공기판이 알루미늄인 경우등에 있어서는 힐록(hillock)이 발생하며 이 결과 소자특성이 열화되는 문제점이 있다. 또한 산화막식각을 위해서는 산화막에쳐(etcher)를 레지스트식각을 위해서는 레지스트에쳐를 각각 사용해야 하는 번거로움도 있다.

특히 제2도에 도시된 바와 같이 패터닝하고자 하는 피가공기판(11)을 식각하는 과정에서 피가공기판(예컨대, 폴리실리콘층, 산화막, 금속층)(11)에서 튀어나온 부산물(15)들이 레지스트 측벽에 부착되면서 레지스트와 반응하여 폴리머(Polymer ; 13)를 생성한다. 이와 같이 형성된 폴리머(13)는 레지스트 제거과정에서 없어지지 않고 남아 있게 된다(13'). 또한 중간층인 산화막(3)이 일부 덜 제거되어 불량의 원인이 되기도 한다(3').

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로, 단순화된 공정으로 해상도 높은 우수한 패턴을 형성할 수 있는 다층감광막 사진식각방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 방법은 피가공기판상에 포토레지스트를 도포한 다음 그 표면을 시릴화시키고 산소에 의해 글래스화시켜 글래스층을 형성한 다음 그 위에 다시 포토레지스트를 얇게 도포하는 공정, 노광 및 현상공정을 통해 소정패턴으로 상기 상층의 포토레지스트를 패터닝하는 공정, 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 글래스층 및 하층의 포토레지스트를 식각하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법을 제공한다.

본 발명의 하나의 실시예에 의하면, 상기 포토레지스트로는 노블락(novolak)계 레지스트, 폴리비닐페놀(PolyvinyIPhenol)계 레지스트 또는 화학증폭형 레지스트(Chemically amplified resist)를 사용할 수 있다.

상기 포토레지스트 표면을 시릴화시키기 위한 시릴화물질(Silylating agent)로는 HMDS(Hexa-Methyl-Di-Silazane), TMDS(Tetra -Methyl -Di-Silazane), ATMS(Allyl-TriMethyl-Silane), HMDSilane(Hexa-Methyl-Di-Silane), DMSDAM(Di-Methyl-Silyl-Di-Methyl-Amine), TMSDMA(Di-Methyl-Anlino-Tri-Methyl-Silane, TMSDEA(Di-Ethyl-Amino-Trimethyl-Silane), HeptaMDS(Hepta-Methyl-Di-Silazane), HMCTS(Hexa-Methyl-Cyclo-Trisilazane), B[DMA]DS(Bis(Dimethyl-Amino)DiMethyl Silane 또는 B[DMA]MS(Bis(Dimethyl-Amino)Methy1-Silage)를 사용할 수 있다.

상기 시릴화된 포토레지스트를 산소에 의해 글래스화시키는 공정은 RIE(Reactive ion etching), MERIE(Magnetic Enhanced reactive ion etching), ECR(Electron Cyclotron Resonance)방식의 에칭 장치 또는 산소를 일정한 유량으로 주입시킬 수 있는 장치에 산소가스를 주입시켜 행한다.

상기 포토레지스트를 시릴화 및 글래스화시켜 형성하는 글래스층의 두께는 100Å~3,000Å이 바람직하다.

본 발명의 실시예에 의하면, 상기 포토레지스트의 시릴화, 글래스화공정과 상기 글래스층 및 포토레지스트의 식각공정은 모두 동일한 장치에서 행하는 것이 가능하며, 그 장치로서는 RIE, MERIE, ECR방식의 에칭장치를 사용할 수 있다.

상기 글래스층의 식각은 O₂10SCCM∼100SCCM, 파워 0.3kw∼2.0kw의 조건으로 행하거나 CH₄5SCCM∼25SCCM+O₂5SCCM∼60SCCM, 파워 0.3kw∼2.0kw의 조건 또는 C₂F₆5CCM~30SCCM-O₂20SCCM∼60SCCM, 파워 0.3kw∼2,0kw의 조건으로 행하는 것이 바람직하다.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 피가공기판상에 상기 포토레지스트를 도포한 다음 시릴화시키기 전에 먼저 노광시키고 나서 시릴화시키고 글래스화시켜 글래스층을 형성할 수 있다.

상기 노광에 사용되는 광원은 g라인, h라인, i라인, KrF엑시머레이저, ArF엑시머레이저, 광역원자외선(Broadband Deep Ultra Violet)을 이용한다.

본 발명의 또다른 실시예에 의하면, 피가공기판상에 상기 포토레지스트를 도포한 다음 시릴화시키기 전에 베이크한 다음 시릴화 및 글래스화 공정을 행하여 글래스층을 형성할 수 있다.

상기 베이크공정은 100℃∼200℃에서 30초∼120초간 행하는 것이 바람직하다.

상기 글래스층은 100Å∼300Å 두께로 형성된다.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 포토레지스트의 도포, 시릴화 및 글래스화, 다시 포토레지스트의 도포, 그리고 상층의 포토레지스트의 패터닝공정후에 전면에치백공정에 의해 상기 글래스층 및 하층의 포토 레지스트를 차례로 식각할 수 있다.

상기 글래스층 및 하층의 포토레지스트식각은 RIE, MERIE, ECR방식의 에칭장치에서 인사이튜(In-situ)로 행하는 것이 가능한데, 상기 글래스층의 식각은 CH₄5SCCM∼25SCCM+O₂5SCCM∼60SCCM, 파워 0.3kw~2.0kw의 조건으로 20초∼60초간 행하는 것이 바람직하고 상기 하층 포토레지스트의 식각은 O₂10SCCM~100SCCM, 파워 0.3kw∼2,0kw의 조건으로 20초∼60초간 행하는 것이 바람직하다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

제3a도 내지 제3g도에 본 발명의 일실시예에 따른 다층감광막 사진식각방법을 공정순서에 따라 도시하였다.

피가공기판, 예컨대 실리콘웨이퍼(1)위에 레지스트(2)(노블락계 레지스트면 어느 것이나 가능하며 폴리비닐페놀계 레지스트등도 가능하고 화학증폭형 레지스트도 사용할 수 있다), 예를 들어 미국 Shirley사의 SAL-601을 도포한 후(제3a도), 실리콘을 함유하는 물질(20), 예컨대 HMDS(Hexa-Methyl-Di-Silazane), THDS(Tetra-Methyl-Di-Silazane), ATMS(Ally-TriMethyl-Silane), DMSDAM(Di- Methyl-Silyl-Di-Methyl-Amine), TMSDMA(Di-Methtyl-Amino-Trimethyl-Silane), TMSDEA(Di-Ethyl-Amino-Trimethyl-Silane), HetaMDS Hepta-Methyl-Di-Silazane), HMCTS(Hexa-Methyl-Cyclo-Tri-Silazane), B[DMA]DS(Bis(Dimethyl-Amino)Di-Methyl-Silane), B[DMA]MS(Bis(Dimethyl-Amino)Methyl-Silane)들중의 어느 하나를 상기 레지스트(2)상에 기상(기상) 또는 액상(液相)으로 도포하여 이 실리콘함유물질이 상기 레지스트(2)와 반응하도록 한다. 이 과정을 시릴화(Silylation)라고 한다. 시릴화는 제7도에 도시된 바와 같이 레지스트내의 수지가 시릴화물질과 반응하면서 수지의 OH기의 H와 치환되면서 실리콘을 함유하는 레지스트로 되는 과정이다. 시릴화물질은 레지스트의 표면에서부터 확산되어 들어가 일정깊이에서 확산이 멈추어 시릴화층(21)을 형성한다(제3b도). 이때, 상기한 바와 같이 미국 Shipley사의 레지스트인 SAL-601을 사용할 경우 2,000Å∼3,000Å 깊이의 시릴화층이 형성된다. 이와 같이 시릴화된 레지스트를 예컨대 RIE장치에 산소가스를 주입시켜 산소(22)와 반응하도록 하여 글래스층(23)을 형성한다. 이와 같이 시릴화된 레지스트가 산소와 반응하면 제7도에 도시된 바와 같이 SiOx가 되어 유기물을 함유하는 산화막(23), 즉 글래스층이 된다(제3c도). 이를 글래스화(Classification)라고 한다.

제3d도부터 제3g도까지의 공정은 상술한 종래의 다층감광법의 제1e도부터 제1h도까지의 공정과 동일하다. 즉, 상층레지스트를 중간층(23)상에 도포하고 포토마스크(6)를 적용한 자외선(5)에 의한 노광공정에 의해 패턴을 상층레지스트(4)에 전사시킨 후(제3d도), 현상하여 상기 상층레지스트를 패터닝한다(제3e도).이어서 이 패터닝된 상층레지스트(4)를 마스크로 하여 중간층인 상기 글래스층(23)을 예컨대 O₂유량 100SCCM, 파워 2kw의 조건으로 식각하고 나서(제3f도) 다시 이 글래스층(23)을 마스크로 해서 하층레지스트(2)를 예컨대 CH₄25SCCM+O₂60SCCM, 파워 2kw의 조건으로 식각한다(제3g도). 이때, 상기 시릴화층(23) 및 하층레지스트(2)의 식각은 동일한 설비내에서 행해지는 바 사용되는 설비는, 예컨대 미국 AMT사의 P-5000을 사용할 경우 RF파워 0.65kw, CHF₃60SCCM/Ar 60SCCM/O₂5SCCM, 자장 80가우스의 조건으로 식각을 실시한다.

제4a도 내지 제4c도는 본 발명의 다른 실시예로서, 시릴화 및 글래스화방법에 대한 다른 예를 나타낸 것이다.

제4a도에 도시된 바와 같이 피가공기판(1) 상에 레지스트(2)를 도포한 후 이 레지스트표면을 시릴화시키기 전에 먼저 자외선(5)에 의해 노광시킨 다음 시릴화 및 글래스화공정을 행한다. 이때, 예컨대 미국 Shipley사의 화학증폭형 레지스트인 SAL-601을 사용하는 경우 300Å∼500Å 깊이의 시릴화층이 형성된다. 이와 같이 레지스트를 노광시키면 레지스트내의 수지를 감싸고 있던 PAC가 분해되면서 수지가 화학반응이 쉽게 일어날 수 있는 자유로운(free) 상태가 되어 시릴화/글래스화가 더욱 용이하게 행해질 수 있다.

이때, 노광에 사용되는 자외선 또는 원자외선을 리소그래피공정에 주로 사용되는 g라인(파장 436nm), h라인(파장 405nm), i라인(파장 365nm), KrF엑시머레이저(파장 248nm), ArF엑시머레이저(파장 193nm), 광역원자외선(Broadband DUV)(파장 240∼260nm) 등이다. 이들 각각에 대해 흡수 스펙트럼이 잘 맞는 레지스트를 선택해야 우수한 시릴화가 될 수 있다.

제3도와 동일한 부분은 동일한 참조부호를 붙이고 그 설명은 생략하였다.

제5a도 내지 제5d도는 본 발명의 또다른 실시예로서 시릴화/글래스화의 다른 방법을 도시한 것이다.

제5a도에 도시된 바와 같이 피가공기판(1)상에 레지스트(2)를 도포한 후, 100℃~200℃에서 30초이상 레지스트 종류에 따라 또는 원하는 시릴화층의 깊이에 따라 필요한 만큼 상기 레지스트(2)를 베이크하면 제5b도에 도시된 바와 같이 레지스트내의 수지와 PAC가 열적 가교결합(Thermal crosslinking)상태(2A)로 된다. 이렇게 되면 후속의 시릴화과정에서 시릴화물질(20)이 레지스트내의 수지와 거의 반응을 하지 못하여 매우 얇은 시릴화층(21)이 형성된다(제5c도). 예를 들어 UCB사의 i라인 및 g라인용 레지스트인 Plasmask200GC를 사용하는 경우에는 170℃에서 120초간 베이크했을때 시릴화 깊이가 100Å∼150Å이고, Plasmask301U를 동일조건에서 베이크했을 경우에도 역시 유사한 깊이인 150Å-200Å이 형성된다. 또한 미국 Shipley사의 화학증폭형 레지스트인 SAL-601의 경우에는 180℃에서 60초간 베이크했을 때 200Å∼300Å 깊이의 시릴화층이 형성된다. 이후의 제5d도에 도시된 글래스화 과정은 상기 실시예와 동일하므로 도면에서 제4도와 동일한 부분은 동일한 참조부호를 붙이고 그 설명은 생략한다.

제6a도 내지 제6d도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 것이다.

피가공기판(1)상에 하층레지스트(2), 중간층인 시릴화된 글래스층(23) 및 상층레지스트(4)를 차례로 형성한 다음 포토마스크(6)를 적용한 자외선(5)에 의한 노광공정을 통해 상기 상층레지스트(4)에 패턴을 전사시킨다(제6a도).

이어서 현상과정을 통해 상기 상층레지스트(4)를 패터닝한다(제6b도).

다음에 상기 패터닝된 상층레지스트(4)와 중간층인 시릴화된 글래스층(23)의 선택적 식각공정을 행하는 대신에 전면 에치백공정을 행하면 상층레지스트(4)가 시릴화된 글래스층(23)보다 두꺼울 경우에는 시릴화된 글래스층(23)이 제거되는 두께만큼 상층레지스트(4)가 제거되고 제6c도에 도시된 바와 같이 패터닝된 시릴화된 글래스층(23)상에 상층레지스트(4')가 조금 남게 된다. 이 남아 있는 상층레지스트(4')는 하층레지스트(2) 식각과정에서 모두 제거된다(제6d도).

보다 구체적인 실시예를 들면, 하층레지스트(2)로서, 예컨대 미국 Shipley사의 SAL-601을 1μm두께로 도포하고 100℃에서 60초간 시릴화물질, 예컨대 HMDS를 사용하여 시릴화시킨 다음 O₂60SCCM, 파워 0.3kw, 시간 10초의 조건으로 상기 시릴화된 레지스트를 O₂에 의해 글래스화시킨다. 이어서 상층레지스트로서, 예건대 일본 TOK사의 THMR-i1800레지스트를 상기 시릴화된 글래스층상에 0.47μm두께로 도포한 후, 예컨대 i라인 니콘스텝퍼 NSR-1755 i7A(NA 0.50)로 노광하고 현상액으로, 예컨대 TOK사의 NMD-W를 사용하여 60초간 현상한 후, 예컨대 미국 MRC사의 BMC-600 레지스트에쳐에서 CF₄15SCCM/O₂, 25SCCM, 0.6kw의 조건으로 30초간 식각한 다음 하층레지스트를 O₂, 50SCCM, 1.0kw의 조건으로 30초간 식각한다.

이상 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 다층감광법을 이용한 미세패턴 형성 방법에 있어서, 하층레지스트와 상층레지스트 사이의 중간층으로서 하층레지스트표면을 시릴화 및 글래스화시킨 시릴화된 글래스층을 사용함으로써 별도의 식각설비없이 레지스트식각 설비에서 인사이튜(in-situ)로 중간층 및 레지스트를 식각할 수 있어 공정상의 번거로움이 해소된다. 또한 유기물을 많이 포함한 시릴화된 글래스층을 중간층으로 사용하므로 폴리머 생성이 매우 적으며 하층레지스트의 베이크온도가 높지 않아 역시 폴리머가 적게 형성됨에 따라 폴리머와 같은 원치않는 생성물이 패턴사이에 남아 불량이 유발되는 것을 방지할 수 있다.

Claims

피가공기판상에 포토레지스트를 도포한 다음 그 표면을 시릴화시키고 산소에 의해 글래스화시켜 글래스층을 형성한 다음 그 위에 다시 포토레지스트를 얇게 도포하는 공정, 노광 및 현상공정을 통해 소정패턴으로 상기 상층의 포토레지스트를 패터닝하는 공정, 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 글래스층 및 하층의 포토레지스트를 식각하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 노블락계 레지스트, 폴리비닐페롤계 레지스트 또는 화학증폭형 레지스트임을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 표면을 시릴화시키기 위한 시릴화물질은 HMDS, TMDS, HMDSilane, DMSDAM, ATMS, TMSDMA, TMSDEA, HeptaMDS, HMCTS, B[DMA]DS, B[DMA]MS중의 어느 하나임을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 시릴화된 포토레지스트를 산소에 의해 글래스화시키는 공정은 RIE, MERIE, ECR방식의 에칭장치 또는 산소를 일정한 유량으로 주입시킬 수 있는 장치에 산소가스를 주입시켜 행하는 것을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 글래스층의 두께는 100Å∼3,000Å임을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 시릴화, 글래스화공정과 상기 글래스층 및 포토레지스트식각공정은 모두 동일한 장치에서 행해짐을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제6항에 있어서, 상기 장치는 RIE, MERIE, ECR방식의 에칭장치임을 특징으로 하는 다층감광막사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 글래층은 O₂의 유량 10SCCM~100SCCM, 파워 0.3kw~2.0kw의 조건으로 식각함을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 글래층은 CH₄SSCCM~25SCCM+O₂5SCCM~60SCCM, 파워 0.3kw~2.0kw의 조건 또는 C₂F₆5SCCM~30SCCM+O₂20SCCM~60SCCM, 파워 0.3kw,∼2.0kw의 조건으로 식각함을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 포토레지스트를 도포한 다음 시릴화시키기 전에 먼저 노광시키고 나서 시릴화시키고 글래스화시켜 글래스층을 형성함을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제10항에 있어서, 상기 노광에 사용되는 광원은 g라인, h라인, i라인, KrF엑시머레이저, ArF엑시머레이저, 광역원자외선중의 어느 하나임을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 포토레지스트를 도포한 다음 시릴화시키기 전에 베이크한 다음 시릴화 및 글래스화공정을 행하여 글래스층을 형성함을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제12항에 있어서, 상기 베이크공정은 100℃~200℃에서 30초~120초간 행함을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제12항에 있어서, 상기 글래스층의 두께는 100Å∼300Å임을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제1항에 있어서, 상기 상층의 포토레지스트를 패터닝하는 공정후에 전면에치백공정을 행하여 상기 글래스층을 식각하고 이어서 하층의 포토레지스트를 식각하는 것을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제15항에 있어서, 상기 글래스층 및 하층의 포토레지스트식각은 RIE, MERIE, ECR방식의 에칭장치에서 인사이튜(In-Situ)로 행함을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제15항에 있어서, 상기 글래스층의 식각은 CH₄SSCCM~25SCCM+O₂5SCCM~60SCCM, 파워 0.3kw~2kw의 조건으로 20초~60초간 행함을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.
제15항에 있어서, 상기 하층의 포토레지스트식각은 O₂10SCCM~100SCCM, 파워 0.3kw~2kw의 조건으로 20초∼60초간 행함을 특징으로 하는 다층감광막 사진식각방법.