KR101249678B1 - 감광제를 이용하여 금속층에 그래핀을 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속층에 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 금속층 위에 감광층을 형성하고, 감광층을 노광, 현상, 세척, 및 가열하고, 가열결과 감광층이 그래핀으로 되는 것을 특징으로 하며, 감광층을 이용하여 양질의 그래핀을 성장시킬 수 있으며, 코팅된 감광층을 노광시켜 패턴을 형성한 형태대로 그래핀이 형성되므로, 그래핀의 패터닝 공정을 기존에 비해 대폭 간략화시킬 수 있다.

Description

감광제를 이용하여 금속층에 그래핀을 제조하는 방법{Method of manufacturing graphene on metal layer from photoresist}
본 발명은 금속층에 그래핀(graphene)을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 감광제(이하 PR, photoresist)를 이용하여 양질의 그래핀을 성장시키고, 코팅된 PR을 노광시켜 패턴을 형성한 형태대로 그래핀을 형성하므로, 그래핀의 패터닝 공정을 기존에 비해 대폭 간략화시킬 수 있는 그래핀 제조 방법에 관한 것이다.
그래핀은 탄소 원자들이 2차원으로 결합되어 구성된 물질이며, 그라파이트(graphite)와는 달리 단층 또는 2 ~ 3층으로 아주 얇게 형성되어 있다.
탄소 원자의 단일 층인 그래핀은 유연하고, 전자 이동도(electron carrier mobility)가 높으며, 탄성(elasticity)이 높고, 전자기적 변조성이 있으며, 열전도도(thermal conductivity)가 높고, 광 투과도가 높다는 특성으로 인하여 투명하고 휘어지는 전극으로 사용하거나 전자 소자에서 전자 수송층과 같은 전자 전송 물질로 활용하려는 연구가 진행되고 있다.
그래핀은 특히 태양 전지 또는 광검출기와 같이 빛을 받아 이를 전기로 전환하는 광기전력(photovoltaic) 원리를 이용하는 전자 소자의 전자 수송층 및 투명 전극으로서 크게 주목받고 있다. 특히, 최근에는 투명하고 전도성이 높다는 특성을 이용하여 디스플레이소자의 투명 전극에 적용하려는 시도가 활발하다.
전자 소자의 투명 전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide)가 가장 널리 사용되고 있으나, 주재료인 인듐(In)의 가격 상승 및 고갈 가능성으로 인해 제조비용이 높아지고 있으며, 유연성이 없기 때문에 휘어지는 소자에 적용하기 곤란한 점이 있다.
그래핀을 성장시키는 방식으로는 자연 그대로의 원료인 그라파이트를 테이프를 이용하여 물리적으로 탈착하는 방식(미세 기계적 방법), SiC와 같은 탄소화합물 반도체를 가열하여 표면에 탄소층만 형성하는 방식(SiC 결정 열분해 방법), 그라파이트를 산화시켜 분산시킨 후 환원하는 방식, CH4, C2H4, C2H2, C6H6 와 같은 가스 원료를 이용한 CVD(Chemical Vapor Deposition) 성장 방식이 대표적으로 알려져 있다.
미세 기계적 방법은 그라파이트 시료에 스카치테이프를 붙인 다음 이를 떼어내어, 스카치테이프 표면에 그라파이트로부터 떨어져 나온 시트(sheet) 형태의 그래핀을 얻는 방식이다. 이 경우 떼어져 나온 그래핀 시트는 그 층의 수가 일정하지 않으며, 모양도 종이가 찢긴 형상으로 일정하지가 않다. 더욱이 대면적으로 그래핀 시트를 얻는 것은 지극히 곤란하다는 단점이 있다.
그리고 SiC 결정 열분해 방법은 SiC 단결정을 가열하게 되면 표면의 SiC는 분해되어 Si은 제거되고 남아 있는 탄소(C)에 의하여 그래핀이 생성되는 원리를 이용한다. 이 방법의 경우 출발물질로 사용하는 SiC 단결정이 매우 고가이며, 그래핀을 대면적으로 얻기가 매우 어렵다는 문제가 있다.
한편, 투명전극의 용도와는 달리 트랜지스터와 같이 개별 소자 또는 집적회로용 소자를 제작하기 위해서는 그래핀의 패터닝 공정이 필수적이다. 하지만 탄소 원자간 sp2 결합이 강해서 그래핀의 해리가 어렵기도 하지만, 그래핀과 마스크 물질간의 접착성이 떨어진다는 점으로 인해 패터닝이 어렵다.
현재 그래핀의 패터닝은 기판으로 사용되는 구리 또는 니켈과 같은 금속 카탈리스트(catatyst)층을 패터닝해서 그 금속 카탈리스트층 상에서만 탄소 원소가 성장되도록 하는 방식을 이용한다.
금속 카탈리스트 기판층을 패터닝하기 위해서는 리소그래피(Lithography) 공정을 이용한다. 먼저, 금속 카탈리스트 기판상에 PR을 도포하고, 패턴 형상으로 노광시키고, 현상하여 감광제 마스크층을 형성한 후 금속 카탈리스트 층을 식각하여 불필요한 부분을 제거한 뒤, 최종적으로 감광제 마스크층을 제거하여 원하는 형태대로 패터닝된 금속 카탈리스트 기판층을 형성한다. 이렇게 패터닝된 금속 카탈리스트 기판 상에 개스 소스를 이용한 CVD 방법으로 패터닝된 그래핀을 성장시킨다.
이와 같이 패터닝된 그래핀을 성장시킬 때, 종래에는 금속 카탈리스트 금속층을 패터닝하는 과정을 거쳐야만 하는 한계가 있었다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 과제는 금속 카탈리스트 층에 감광층을 패터닝하고, 상기 패터닝된 감광층을 탄소 원료로써 사용하여 보다 공정이 간략화된 패터닝된 그래핀층을 형성할 수 있는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 과제는 그래핀의 패터닝 공정을 기존에 비해 대폭 간략화하여 제조한 그래핀을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 첫 번째 과제를 달성하기 위하여, 금속층 위에 감광층을 형성하는 단계; 및 상기 감광층을 노광, 현상, 세척, 및 가열하는 단계를 포함하고, 상기 가열결과 상기 감광층이 그래핀으로 되는 것을 특징으로 하는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 감광층 위에 패터닝된 마스크를 위치시키고, 자외선을 노광한 후, 현상함으로써, 상기 감광층을 패터닝하고, 상기 패터닝된 감광층을 가열함으로써, 상기 감광층을 패터닝된 그래핀으로 변경시킬 수 있다.
또한, 상기 금속층 아래에 비금속 기판이 형성될 수 있다.
또한, 상기 감광층은 양성 감광제 또는 음성 감광제를 이용하여 상기 금속층 위에 도포될 수 있다. 상기 양성 감광제는 감광화합물, 고분자 화합물, 및 용매로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 감광층을 가열하는 단계는, 수소, 수소/아르곤 혼합개스, 또는 수소/질소 혼합 개스 분위기 하에서 700~1000 ℃ 범위로 가열할 수 있다.
본 발명은 상기 첫 번째 과제를 달성하기 위하여, 금속층 위에 감광층을 형성하는 단계; 및 상기 감광층을 가열하는 단계를 포함하고, 상기 가열결과 상기 감광층이 그래핀으로 되는 것을 특징으로 하는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법을 제공한다. 이때, 상기 감광층 전체면적이 그래핀으로 될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 금속층 아래에 비금속 기판이 형성되어 있고, 상기 비금속 기판은 실리콘 산화막 또는 사파이어 기판일 수 있다.
그러나, 상기 금속층이 기판의 역할을 할 수도 있다. 상기 금속층은 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)과 같은 화학 주기율표상의 전이금속인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 감광층은 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 또는 스크린 프린팅법 중 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다.
본 발명은 상기 두 번째 과제를 달성하기 위하여, 금속층 위에 감광층을 형성하고, 상기 감광층을 노광, 현상, 세척, 및 가열함으로써, 상기 가열결과 상기 감광층으로부터 제조된 그래핀을 제공한다.
본 발명에 따르면, 감광층을 이용하여 양질의 그래핀을 성장시킬 수 있으며, 코팅된 감광층을 노광시켜 패턴을 형성한 형태대로 그래핀이 형성되므로, 그래핀의 패터닝 공정을 기존에 비해 대폭 간략화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기존에 사용되던 그래핀의 패터닝 방식에서 금속 카탈리스트 기판층을 패터닝하기 위해 사용된 감광제 자체를, 본 발명에서는 마스크 용도로 사용하지 않고 탄소 원료로써 사용하여 그래핀을 만들기 때문에, 감광층의 현상공정과 금속 카탈리스트층의 식각, 세정 공정이 생략되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속층에 그래핀을 제조하는 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 금속층에 그래핀을 제조하는 과정을 도식적으로 나타낸 것이다.
도 3은 감광제를 고체 탄소원으로 사용하여 제조된 그래핀의 표면을 나타낸 것이다.
도 4는 감광제를 고체 탄소원으로 사용하여 제조된 그래핀의 라만 스펙트럼을 나타낸 것이다.
본 발명에 관한 구체적인 내용의 설명에 앞서 이해의 편의를 위해 본 발명이 해결하고자 하는 과제의 해결 방안의 개요 혹은 기술적 사상의 핵심을 우선 제시한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속층에 그래핀을 제조하는 방법은 금속층이 형성된 기판 위에 감광층을 형성하고, 상기 감광층을 노광, 현상, 세척, 및 가열하는 단계를 포함하며, 상기 가열결과 상기 감광층이 그래핀으로 되는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제의 해결 방안을 명확하게 하기 위한 발명의 구성을 본 발명의 바람직한 실시예에 근거하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하되, 도면의 구성요소들에 참조번호를 부여함에 있어서 동일 구성요소에 대해서는 비록 다른 도면상에 있더라도 동일 참조번호를 부여하였으며 당해 도면에 대한 설명시 필요한 경우 다른 도면의 구성요소를 인용할 수 있음을 미리 밝혀둔다. 아울러 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명 그리고 그 이외의 제반 사항이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할때, 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
메탄(CH4)과 같은 개스를 주입하여 고온에서 그래핀을 성장시키는 경우, 탄소 원자와 금속 표면 기판 사이의 친화도(affinity)가 커서 금속 표면에 그래핀이 성장하는 현상을 이용하기 때문에 금속 기판의 사용이 필요하다.
주로 구리(Cu)와 니켈(Ni)과 같은 전이 금속층(transition metal layer)을 흔히 이용하며, 실리콘과 같은 비금속 기판상에는 그래핀이 형성되지 않는 특성이 있다.
본 발명의 실시예에서는 그래핀을 성장시키기 위한 탄소 원료로서 메탄과 같은 개스를 사용하지 않고, 감광층과 같은 고체 박막을 원료로 사용하여 보다 간략화된 공정으로 패턴이 형성된 그래핀층을 성장시킨다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속층에 그래핀을 제조하는 방법을 나타낸 흐름도이다.
100 단계에서, 금속층이 형성된 기판 위에 감광층을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 먼저 금속 기판을 준비하거나 비금속 기판 상에 카탈리스트로 사용될 금속층을 증착할 수 있다. 상기 비금속 기판은 실리콘 산화막(SiO2), 또는 사파이어(Al2O3) 기판을 이용할 수 있으며, 상기 금속 기판은 구리 또는 니켈과 같은 전이금속이 바람직하나 이에 한정되지 않는다. 상기 비금속 기판 상의 금속층은 전이금속을 전자선 증착법(e-beam evaporation), CVD법, 또는 열증착법(Thermal evaporation) 등을 이용하여 50~300 nm 두께로 증착한다.
이후, 상기 금속층이 형성된 기판상에 감광제를 도포한다. 상기 감광제는 일반적인 반도체 공정의 리소그라피 공정에서 사용되는 감광제로서 본 발명의 실시예에서는 Sheply사의 Photoresist 1400 제품을 사용하였다.
감광제를 금속층에 도포하는 방법은 통상적인 습식 코팅법이 가능하며, 스핀 코팅 방식, 잉크젯 프린팅, 또는 스크린 프린팅 방식을 이용할 수 있다. 감광제를 건조하였을 때의 두께는 0.5~2 um 두께가 바람직하다.
감광제의 종류는 일반적으로 양성(positive) PR과 음성(negative) PR로 구분한다. 본 실시예는 미세 패터닝에 더욱 유리하고, 점도가 낮아 대면적의 균일한 코팅에 유리하며, 일반 공정에 많이 보급되어 이용되는 양성(positive) PR을 사용하나, 음성 PR을 사용하여도 무방하다.
110 단계에서, 상기 감광층을 노광, 현상, 세척, 및 가열한다.
원하는 패턴 형태대로 UV광에 PR을 노광하고 현상 및 세척하여 패턴을 형성하고, 진공 가열 장치 안에서 가열하여 고체상의 PR을 증발시킴으로써 최종적으로 금속 카탈리스트층 상에 그래핀을 형성한다.
본 발명의 실시예는 고체 탄소원(solid carbon source)을 이용한 그래핀의 제조 방법에 관한 것으로, 고체 탄소원으로써 감광제를 이용하면 패터닝된 고품질의 그래핀을 한번에(one-step) 성장시킬 수 있는 효과가 있다.
그래핀을 성장하기 위해 가열하는 조건은 산소원자가 없는 진공 조건이 유리하며, 가열하는 동안 수소 개스를 주입하여 고분자 박막을 휘발성의 화합물로 변화시켜 PR을 증발시킨다.
Positive PR을 이루는 주요 성분은 감광화합물(Photo Active Compound), 고체 필름을 이루는 고분자 화합물(polymer), 및 용매(solvent)이다. 용매는 PR을 코팅하게 하는 매개체이며, PR을 코팅하여 건조하는 공정에서 제거된다. 파장이 360~436nm인 i-Line 대역에 반응하는 감광화합물로는 NQD(Naphthoquinone Diazide)가 대표적이며, 빛이 없을 시 페놀 수지(Phenol-Formaldehyde)의 고분자 화합물과 가교(coupling)를 형성하여 알칼리 불용성 물질을 만든다. 노광되었을 때 감광화합물은 고분자 화합물을 알칼리 수용성 물질로 변화시켜 현상 가능하게 한다. 이러한 감광화합물과 고분자 화합물은 탄소와 수소원자로 이루어졌으며, 특히 NQD에는 벤젠 구조의 c-c 결합이 이미 존재하기 때문에 최종적으로 금속 카탈리스트 상에 그래핀을 형성하는데 유리하게 작용한다.
Negative PR은 일반적으로 합성 폴리이소프렌(polyisoprene)을 광반응 고분자 물질로 사용하며 노광시, 고분화 화합물을 형성해서 유기물에 녹지 않게 한다. 천연고무는 이소프렌(C5H8)의 결합 중합체라는 사실이 알려진 뒤로 합성 폴리이소프렌(polyisoprene) 기술이 비약적으로 발전하였다.
Negative PR, 또는 DUV(150~300 nm 영역), 또는 e-beam과 같이 모든 광원에 반응하는 PR은 탄소를 함유한 고분자와 빛에 반응하는 감광화합물을 그 주요 기재로 사용하므로 그래핀의 성장에 이용할 수 있다.
본 실시 예에서는 수소 또는 수소/아르곤 혼합 개스, 또는 수소/질소 혼합 개스를 사용하여 1 Torr의 압력을 유지하고, 700~1000 ℃ 범위에서 10~15분 가열하였다.
120 단계에서, 상기 가열결과 감광층이 그래핀으로 변경된다.
감광층을 노광, 현상, 및 세척하지 않고, 금속층에 도포된 감광층 전부를 가열함으로써, 원하는 형태대로 패터닝하지 않고, 도포된 감광층 전부를 그래핀으로 변경시킬 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 금속층에 그래핀을 제조하는 과정을 도식적으로 나타낸 것이다.
도 2(a)는 금속층(210)에 감광제를 도포하여 감광층(220)이 균일하게 형성된 상태를 도시한 것이다.
도 2(b)는 패턴이 형성된 마스크(230)를 감광층(220) 위에 올리고, 자외선을 조사하는 상태, 즉 노광 상태를 도시한 것이다.
도 2(c)는 마스크(230)의 패턴대로 감광층(220)에 패턴이 형성된 상태, 즉 현상 상태를 도시한 것이다.
이후, 세척 단계와 가열 단계를 거치게 되면, 금속층(210) 위에 패터닝된 감광층이 패터닝된 그래핀으로 변화하게 된다.
도 3은 감광제를 고체 탄소원으로 사용하여 제조된 그래핀의 표면을 나타낸 것이다.
도 3은 1×1 cm2 크기의 실리콘/실리콘 산화막 기판 상에 니켈 박막층을 200 nm 두께로 성장시켜 positive PR을 1 um 두께로 성장시킨 후 900 ℃에서 10분간 가열하여 성장시킨 그래핀의 표면 사진이다. 전체 기판상에 균일하게 성장하였으나 그래핀 성장후 니켈 박막을 화학식각하여 제거한 후, 다른 실리콘 산화막 기판 상에 옮기는 과정에서 구멍이 발생하고 몇 층으로 포개어진 형태가 보인다.
도 4는 감광제를 고체 탄소원으로 사용하여 제조된 그래핀의 라만 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 4는 도 3과 같은 조건에서 가열 온도만 950 ℃로 변화시켜 성장된 그래핀의 라만 스펙트럼이다. 1320 cm-1 근방에 D 피크, 1580 cm-1 근방의 G 피크, 2630 cm-1 근방에서 2D 피크가 보인다. 그래핀의 층수는 G 피크의 세기와 2D 피크의 세기의 비율(IG/I2D)로 추론하는데 실시 예에서는 2~3층으로 구성된 양질(ID/IG=0.36)의 박막이 형성되었음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명을 통해 양질의 그래핀을 성장하고 패터닝하는 공정을 기존에 비해 대폭 간략화시킬 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (14)

  1. 금속층 위에 감광층을 형성하는 단계; 및
    상기 감광층을 노광, 현상, 세척, 및 가열하는 단계를 포함하고,
    상기 가열결과 상기 감광층이 그래핀으로 되는 것을 특징으로 하는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 감광층 위에 패터닝된 마스크를 위치시키고, 자외선을 노광한 후, 현상함으로써, 상기 감광층을 패터닝하고, 상기 패터닝된 감광층을 가열함으로써, 상기 감광층을 패터닝된 그래핀으로 변경시키는 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 금속층 아래에 비금속 기판이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 감광층은 양성 감광제 또는 음성 감광제를 이용하여 상기 금속층 위에 도포되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 양성 감광제는 감광화합물, 고분자 화합물, 및 용매로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 감광층을 가열하는 단계는,
    수소, 수소/아르곤 혼합개스, 또는 수소/질소 혼합 개스 분위기 하에서 700~1000 ℃ 범위로 가열하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법.
  7. 금속층 위에 감광층을 형성하는 단계; 및
    상기 감광층을 가열하는 단계를 포함하고,
    상기 가열결과 상기 감광층이 그래핀으로 되는 것을 특징으로 하는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 감광층 전체면적이 그래핀으로 되는 것을 특징으로 하는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 금속층 아래에 비금속 기판이 형성되어 있고, 상기 비금속 기판은 실리콘 산화막 또는 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 금속층이 기판인 것을 특징으로 하는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 금속층은 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)과 같은 화학 주기율표상의 전이금속인 것을 특징으로 하는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법.
  12. 제7 항에 있어서,
    상기 감광층은 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 또는 스크린 프린팅법 중 어느 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속층에 그래핀을 제조하는 방법.
  13. 제7 항에 있어서,
    상기 감광층을 가열하는 단계는,
    수소, 수소/아르곤 혼합개스, 또는 수소/질소 혼합 개스 분위기 하에서 700~1000 ℃ 범위로 가열하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법.
  14. 제1 항 내지 제13 항 중에 어느 한 항의 방법으로 제조된 그래핀 박막.
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