DK146780B - Fremgangsmaade til additiv fremstilling af ved metaludskillelse frembragte moenstre - Google Patents
Fremgangsmaade til additiv fremstilling af ved metaludskillelse frembragte moenstre Download PDFInfo
- Publication number
- DK146780B DK146780B DK375672AA DK375672A DK146780B DK 146780 B DK146780 B DK 146780B DK 375672A A DK375672A A DK 375672AA DK 375672 A DK375672 A DK 375672A DK 146780 B DK146780 B DK 146780B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- metal
- radiation
- metal salt
- solution
- carrier
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/426—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in substrates without metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
- C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
- C23C18/2073—Multistep pretreatment
- C23C18/2086—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/64—Compositions containing iron compounds as photosensitive substances
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/695—Compositions containing azides as the photosensitive substances
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
- G03C1/73—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705 containing organic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/58—Processes for obtaining metallic images by vapour deposition or physical development
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/04—Chromates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
i 146780
Den foreliggende opfindelse angår en fremgangsmåde til additiv fremstilling af ved metaludskillelse frembragte mønstre på isolationsunderlag, som f.eks. trykte kredsløbsplader, hvilke mønstre frembringes ved hjælp af strå-5 lingsindvirkning og under anvendelse af strømløst arbejdende metalliseringsbade.
Fremgangsmåden er egnet til fremstilling af vilkårlige afbildninger på egnede underlag og især til fremstilling af trykte kredsløb.
10 Sædvanligvis fremstilles trykte kredsløb enten ved folieætsningsfremgangsmåden eller ved den såkaldte additive fremgangsmåde. I førstnævnte tilfælde anvender man en kobber-kascheret bærer, hvis overflade, efter påføring af en egnet ætsemaske, behandles med en ætsnings-opløsning, hvor-15 ved de mellem lederbanerne liggende kobberfolieområder fjernes. Ved den additive fremgangsmåde anvendes en ikke-kobberkascheret bærer, på hvilken lederbanerne opbygges ved de kendte fremgangsmåder, såsom strømløs metaludskillelse alene eller kombineret med galvanisk metaludskillel-20 sej til dannelse af ledermønsteret tjener også her en dækmaske, som i dette tilfælde svarer til det negative ledermønster.
Dækmaskerne kan fremstilles på forskellige måder, som f.eks. ved offset- eller sitryk-fremgangsmåden; ved høj ledertæt-25 hed eller tynde ledere og ringe afstande mellem disse, dvs. ledermønstre, af hvilke der forlanges en høj opløsningsevne, betjener man sig af den såkaldte fotokopierings-fremgangsmåde. Ved denne fremgangsmåde forsyner man først bærerens overflade med et lysfølsomt lag, som derefter be-30 lyses gennem et til ledermønsteret svarende forlæg, hvorved de områder af det påførte lysfølsomme lag, der træffes af lyset, hærdes. Ved en fremkaldelsesproces fjernes de dele, som ikke er lys-hærdede, ved hjælp af et egnet opløsningsmiddel. Det tilbageblevne maskelag kan afhængigt 35 af, hvilken fremgangsmåde der anvendes, enten anvendes som 146780 2 ætsningsmaske for folie-kobber eller som galvaniseringsmaske ved den additive fremgangsmåde. Når ætsnings- eller metalliseringsprocessen er tilendebragt, må man trække maskelaget bestående af hærdet lysfølsomt materiale af 5 eller på anden måde fjerne dette fra overfladen.
En af de største ulemper ved denne fremgangsmåde er, at der ved tilstrækkelig hærdning af det lysfølsomme lag opstår vanskeligheder med den efterfølgende fjernelse af dette, medens maskelag, der på den anden side har gennem-10 gået en hærdning, som letter fjernelsen, ofte har en utilstrækkelig holdbarhed, især i galvaniseringsbade.
En anden ulempe ved den nævnte fremgangsmåde er, at den nødvendige lagtykkelse af det lysfølsomme maskemateriale på grund af den i materialet forekommende lysspredning og 15 uregelmæssig fremkaldelse bevirker en begrænsning i den maksimalt opnåelige opløsning.
Fra USA-patentskrift nr. 3.562.005 kendes en fremgangsmåde til fremstilling af mønstre af metal på en bærer, idet overfladen af en bærer først bliver imprægneret med en opløsning, 20 hvilken imprægnering efter belysning er egnet til ved reduktion af ædelmetal fra en efterfølgende benyttet behandlingsopløsning at frembringe en afbildning af katalytisk virksomt ædelmetal. Hertil bliver bærerens overflade først behandlet med en tin(II)chloridopløsning og tørret. Derefter 25 bliver overfladen belyst med ultraviolet lys gennem en maske, hvilket medfører oxidering i de belyste områder af divalent tin til tetravalent tin. Ved bestråling med ultraviolet lys opstår således et latent billede af tin(IV)-på en tin(II)-basis. Bliver overfladen nu bragt 30 i berøring med en ædelmetalopløsning, nemlig en Pd(II)-chloridopløsning, reagerer det af belysningen ikke ramte Sn(II)chlorid under dannelse af aktive palladiumcentre ved reduktion af Pd(II)chlorid ved hjælp af Sn(II)chlorid.
Dermed opstår der et latent billede af palladiumkim, der 35 virker katalytisk for den strømløse metaludskillelse.
3 146780
Ulempen herved er, at tinnet i tinchlorid og lignende stoffer allerede i luften efter en vis tid oxiderer fra tin(II) til tin (IV), hvorved reaktionsevnen med PdC^ naturligvis går tabt. Endvidere forbliver kun de områder fri for 5 katalytiske palladium- eller palladiumforbindelses-kim, i hvilke alt tin(II) ved den ultraviolette bestråling er omdannet til tin(IV). Den beskrevne fremgangsmåde har tilbøjelighed til dannelse af metalnedslag udenfor det pågæl-gældende ledermønster, ikke mindst fordi ædelmetalopløs-10 ninger i sig selv allerede er virksomme som katalytiske sensibilisatorer for den strømløse metaludskillelse.
Formålet med den foreliggende opfindelse er ved strålings-indvirkning på et reducerbart salt umiddelbart og uden nogen mellembehandling med en katalysator på simpel måde at 15 danne metalkim, der i sig selv virker katalytisk på udskillelsen fra strømløst arbejdende bade.
Dette opnås ved kombinationen af fremgangsmådetrinnene i den kendetegnende del af patentkrav 1. Fordelagtige udførelsesfonner og videreudviklinger er anført i underkra-20 vene.
Ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen er det på meget økonomisk måde muligt ved en strålings-fotokopieringsmetode på passende bærere at opbygge et reelt billede af reducerede metalkim, der på sin side kan forstærkes eller 25 opbygges til tykke lag, nemlig ledermønstre på trykte kredsløbsplader, uden at der efter afslutning af billed-frembringelsen eller opbygningen af ledermønsteret skal fjernes et maskelag, og med høj reproducerbarhed og stor sikkerhed i færdiggørelsen. Desuden udmærker fremgangs-30 måden sig ved en overordentlig høj opløsningsevne, der kun begrænses af den tykkelsesafhængige overskudsdannelse ved fremstilling af ledermønstre efter den additive fremgangsmåde.
146780 4
Ifølge den foreliggende opfindelse behandles en egnet bærer med en opløsning, som i det mindste indeholder et reducerbart metalsalt og en på den benyttede strålingsenergi reagerende komponent.
5 Ved belysning med passende stråling opstår der et reelt, praktisk taget ikke-ledende billede, som består af de reducerede metalkim. Derefter udsættes dette billede af reducerede metalkim for et autokatalytisk strømløst metaludskillende bad, hvorved metalkimene virker katalytisk på 10 den strømløse metaludskillelse, således at der på disse udskilles metal, og der opnås først en forstærkning af det reelle billede ved dannelsen af en tynd metalfilm.
Fortsættes den strømløse metaludskillelsesproces i et passende tidsrum, kan der frembringes tilstrækkeligt tyk-15 ke metallag, som f.eks. lederbaner i trykte kredsløb. Tykkelsen af de dannede lederbaner afhænger således udelukkende af indvirkningstiden i det autokatalytiske udskillelsesbad.
Ved udførelsen af den omhandlede fremgangsmåde er det mu-20 ligt at anvende det af reducerede metalkim opbyggede, reelle billede direkte til opbygning af et tykt metallag, som f.eks. til fremstilling af trykte lederplader.
For at opnå en høj lagringsbestandighed er det imidlertid formåltjenligt kun at forstærke billedet ved hjælp af et 25 tyndt strømløst autokatalytisk opbygget metallag.
Dette kan ske overordentligt hurtigt ved hjælp af passende sammensatte bade, hvorefter den således påførte metalbelægning tjener til at udløse den efterfølgende metaludskillelse i autokatalytiske udskillelsesbade.
30 Generelt kan man som bærer anvende et hvilket som helst materiale og især. alle kendte udgangsmaterialer for trykte kredsløb.
5 146780
Ved fremgangsmåden ifølge den foreliggende opfindelsen kan man ikke blot fremstille trykte kredsløb på alle konventionelle bærermaterialer, men f.eks. også polyimid- og polyesterfilm. Réelle billeder kan endvidere også fremstilles 5 på forskellige ikke fuldtud hærdede harpiksblandinger, som f.eks. i B-tilstand værende phenolharpiks-presselaminater, samt på papir, vævede eller ikke-vævede måtter og fibre, træ og formstoffer.
Foretrukne bærere til fremstilling af reelle billeder på 10 begge sider, f.eks. til fremstilling af tosidigt trykte kredsløb, er sådanne, som er praktisk taget uigennemtrængelige for den til metalreduktionen benyttede stråling.
Eventuelt kan man anvende et stof, som enten kan være tilblandet bærermaterialet eller være absorberet på bæ-15 rerens overflade, og som bevirker den ønskede strålings-uigennemtrængelighed.
Under visse omstændigheder kan det være formålstjenligt først at forsyne bærerens overflade med et vedhæftnings-formidlende lag. Skal der anvendes bærere med en upolær 20 overflade, der som bekendt har en ringe befugtelighed, kan man først behandle en sådan upolær overflade, med en opløsning, som gør overfladen forbigående polær og dermed befugtelig, hvorefter den behandles med et oxidationsmiddel, som for det første gør den polær og for det andet mi-25 kroporøs.
De blandinger eller sammensætninger, som indeholder det reducerbare metalsalt og den strålingsfølsomme komponent, er i reglen en opløsning af komponenterne i et fordampeligt opløsningsmiddel. Egnede opløsningsmidler er udover 30 vand polære organiske forbindelser, såsom alkoholer, dialkoholer, dialkylsyreamider, såsom dimethylformamid, di-ethylformamider, dimethylacetamider, dialkylsulfoxider, såsom dimethylsulfoxid og dioxan, samt blandinger af disse.
Det reducerbare metalsalt kan alment være et som indeholder 6 146780 en kobber-, nikkel- eller cobaltion. Anionen kan i vid udstrækning vælges frit og kan således være en uorganisk eller organisk syreanion, såsom halogen, sulfater, nitrater, formiater, gluconater og acetater.
5 Den strålingsfølsomme komponent er en sådan, som omsættes ved indvirkning af strålingsenergi, hvorved reaktionsproduktet virker reducerende.på metalsaltet; sådanne egnede salte er f.eks. ferrisalte, dichromatforbindelser, anthra-quinon og forbindelser deraf, aminosyrer som f.eks. glycin, 10 og de organiske forbindelser som f.eks. 1-ascorbinsyre, stilbener eller azidforbindelser.
I den foreliggende opfindelse er den anvendte strålingsart synligt eller ultraviolet lys; hertil er især ferrisalte, dichromater, anthraquinon og derivater deraf egnede; som 15 eksempler kan anføres: (a) ferriammoniumcitrat, ferrikaliumcitrat, ferriammonium-oxalat, ferrinatriumoxalat, ferriammoniumtartrat, fer-ricitrat, ferrioxalat og ferrichlorid, (b) dichromatsalte med den almene formel Me2CrC>3. CrC>4, hvor 20 Me er et alkalimetal, et jordalkalimetal, ammonium el ler substitueret ammonium. Ligeledes egnede er blandinger af dichromatsalte af animalske eller vegetabilske organiske substanser, såsom gelatine, fiskelim, gummi arabicum, shellak og stivelse, 25 (c) anthraquinon og derivater deraf, såsom f.eks. β-chlor- anthraquinon, β-phenylanthraquinon, 2-benzanthra-quinon, anthraquinon-2-sulfonsyre, anthraquinon-2,6-(eller -2,7-)disulfonsyre eller salte deraf og især anthraquinon-2,6-dinatriumsulfonat, anthraquinon-2,7-30 dinatriumsulfonat eller dikaliumsulfonat.
Det foretrækkes, at blandingen af reducerbart metalsalt og den strålingsfølsomme komponent yderligere indeholder et sekundært reduktionsmiddel, såsom f.eks. en organisk forbindelse, som indeholder oxygen eller nitrogen. En sådan 35 tilsætning bevirker, at reaktionen mellem strålingsenergien og den strålingsfølsomme forbindelse lettere foregår, U6780 7 eller at virkningsgraden forbedres. Skønt man generelt som sekundært reduktionsmiddel kan anvende en hvilken som helst oxiderbar organisk forbindelse, som er opløselig i opløsningen, såfremt den ikke angriber bærermaterialet el-5 ler indgår i uønskede sidereaktioner med de øvrige komponenter, er de foretrukne reduktionsmidler alkoholer og polyoler og fremfor alt en række forbindelser bestående af glycerol, ethylenglycol, pentaerythrit, mesoerythrit, 1,3-propanol, sorbit, mannitol, 1,2-butanol, pinacol, 10 saccharose, dextrin, polyethylenglycol, lactose, stivelse og gelatine. Der foretrækkes især anvendelse af glycerol, sorbitol og pentaerythrit.
Velegnede som sekundære reduktionsmidler er ligeledes amino-forbindelser, polyethere samt bestemte farvestoffer og pig-15 menter; i den forbindelse skal yderligere nævnes aldehyder, såsom formaldehyd, benzaldehyd, acetaldehyd, butyraldehyd, polyamider, såsom nylon og æggehvide og gelatine, farvestoffer, såsom 4-dimethylaminotriphenylmethan, eller xanthener, såsom 3,6-bisdimethylaminoxanthen, polyethere, såsom ethyl-20 englycoldiethylether, tetraethylenglycoldimethylether, alizarin, phthalocyaninblåt og zirkonsilicat.
Det har ligeledes vist sig at være formålstjenligt at sætte tilsætninger, som virker forstærkende/fremskyndende eller som stabilisatorer på reduktionen, til opløsningen, der 25 indeholder det reducerbare metalsalt. Ved forstærker- og acceleratortilsætninger er det muligt at nå frem til belysningstider på fra 2 sek. til 2 min. (afhængigt af bærermaterialet) . Nogle tilsætninger viser sig at være nyttige ved at forbedre eller forringe kontrasten, andre tilsætninger 30 tjener til skarphedsforøgelse eller virker som antislørings-midler, madens stabilisatortilsætninger forhindrer eller forsinker en blegning af det reelle· billede.
Tilsætninger, der er egnede som acceleratorer, er halogenforbindelser eller organiske syrer, samt blandinger af beg-35 ge. Som eksempler kan anføres: hydrogenhalogenidforbindel- 8 146780 ser samt halogenforbindelser af alkalimetaller, jordalkali-metaller eller ammonium eller aminer, herunder især tin-chlorid, saltsyre, hydrogenbromid, kaliumchlorid og kalium-bromid; af andre egnede forbindelser kan nævnes organiske 5 syrer, såsom mono-, di- og tricarboxylsyrer eller salte deraf.
Det har endvidere vist sig at være formålstjenligt at sætte et befugtningsmiddel til den opløsning, der indeholder det reducerbare metalsalt; foretrukne befugtningsmidler 10 er non-ionogene ethere, såsom polyethylenoxyethere (såsom Triton X 100® eller det af Olin Corp. under betegnelsen 6G og 10G fremstillede produkt; dette befugtningsmiddel er også beskrevet i USA-patent nr. 3.514.293). Man kan ydermere med fordel anvende fluorerede carbonhydrider som f.eks.
15 perfluordecansyre og lignende forbindelser, såsom f.eks. det af 3-M Corp. under handelsbetegnelsen FC-170 solgte.
Koncentrationen af komponenterne kan variere inden for vide grænser, hvilket ligeledes gælder for opløsningens viskositet, idet begge afhænger af anvendelsesmåden, dvs. ned-20 dypning, besprøjtning eller andre kendte påføringsmåder.
Typiske opløsninger består f.eks. af: reducerbart metalsalt 0,5 til 100 g strålingsfølsomme komponenter 1,0 til 50 g (men mindst den støkiometriske 25 mængde i forhold til metalsaltet) sekundærreduktionsmiddel 0 til 500 g billedforstærker/accelerator/sta-bilisatorer 0 til 2 g befugtningsmiddel 0 til 2 g 30 opløsningsmiddel til fremstilling af 1000 ml opløsning.
Opfindelsen forklares nærmere i det følgende ved nogle udførelseseksempler under henvisning til tegningen, hvor fig. 1 viser et blokdiagram af de enkelte fremgangsmåde-35 trin til fremstilling af et trykt kredsløb efter fremgangsmåden ifølge opfindelsen, 9 146780 fig. 2 skematisk i snit mellemprodukterne og slutproduktet ved udøvelse af fremgangsmåden, fig. 3 det samme som fig. 2, men for et trykt kredsløb med dobbeltsidigt anbragte kredsløbsmønstre, 5 fig. 4 det samme som fig. 3, men hvor slutproduktet er forsynet med et loddetinlag, fig. 5 et blokdiagram af de enkelte fremgangsmådetrin i en variant af fremgangsmåden ifølge opfindelsen, fig. 6 det samme som fig. 2, men for et trykt kredsløb 10 fremstillet efter fremgangsmåden i fig. 5, og fig. 7 det samme som fig. 6, men for et trykt kredsløb med dobbeltsidigt anbragte ledermønstre.
Fig. 1 viser trin i fremgangsmåden til fremstilling af et trykt kredsløb ved fremgangsmåden ifølge den foreliggende 15 opfindelse og fig. 2 viser skematisk mellemprodukterne samt slutproduktet ved denne fremgangsmåde. Ved A er bæreren af f.eks. en epoxyglaspressemasse betegnet med 2. I fig. 2B er samme bærer vist i tværsnit efter at dens overflade er proaktiveret; dette kan f.eks. ske ved, at man 20 for polære overfladers vedkommende neddypper disse i di- methylformamid eller dimethylsulfoxid eller i en tilsvarende blanding deraf. Det behandlede overfladelag er skematisk vist ved 4.
Fig. 2C viser samme bærer, efter at den har været behand-25 let med et oxidationsmiddel, som f.eks. chromsyre eller chromsvovlsyre, og derefter med et reduktionsmiddel, som f.eks. formaldehyd eller hydrogensulfit, efterfulgt af en afskylning af overskud samt tørring. Ved dette trin af fremgangsmåden dannes en højpolær overflade med mikropo-30 rer 6.
Det har vist sig at være formålstjenligt at behandle den således forberedte overflade med et stof, der virker som en katalytisk gift, og som nedsætter den katalytiske aktivitet af overfladefejl, såsom kanter m.v., for derved at 35 forhindre eller i vid udstrækning at reducere ukontrollabel strømløs metaludskillelse i et efterfølgende trin i fremgangsmåden. Egnede katalytiske gifte er fortrinsvis 146780 ίο forbindelser, som indeholder et eller flere af følgende grundstoffer: svovl, tellur, selen, polonium og arsen, og som særligt foretrukket forbindelse skal anføres 2-mercap-tobenzothiazol eller nikkeldibutyldithiocarbamat.
5 Pig. 2D viser ligeledes en skematisk fremstilling af bæreren i tværsnit, efter at denne er behandlet med en katalytisk gift, hvor sidstnævnte er betegnet med 8.
Fig. 2E viser bæreren, efter at den er behandlet med en opløsning, som indeholder det reducerbare metalsalt, hvor 10 12 betegner det påførte lag og 14 de deri fordelte metal ioner Me.
I fig. 2F er bæreren vist, efter at overskuddet af opløsningen, som indeholder det reducerbare metalsalt, er fjernet, og overfladen er tørret, og efter at den ene side har 15 været udsat for bestråling fra strålingskilden. Dette trin bevirker dannelsen af et reelt billede 16, som er opbygget af metalkim 18; i de områder, som ikke er blevet ramt af strålingen, foreligger metalsaltet 14 derimod fortsat i ureduceret form.
20 I fig. 2G vises bæreren, efter at det reducerbare metalsalt 14 i de ikke-bestrålede dele er fjernet ved afvaskning, således at kun det reelle billede 16 bliver tilbage. For at give et bedre indtryk heraf er dette med hensyn til tykkelse forstørret kraftigt på tegningen.
I fig. 2H har man vist den tilstand, som opstår, efter at det reelle billede 16 er forstærket ved strømløs metaludskillelse i et autokatalytisk bad. Herunder virker de metalkim 18 (fig. 2F), som opbygger det reelle billede, som 25 katalytiske kim <*π^τ centre, hvor den strømløse metaludskillelse sætter ind; dette fører til dannelsen af en metalfilm 20, som forstærker det reelle billede. Da metalkimene 18 er fast forankrede i overfladens mikroporer, medfører dette, at også metalfilmen 20 bindes fast til overfladen.
11 146780 I og for sig kan man til forstærkning af det reelle billede anvende et almindeligt autokatalytisk bad, som bevirker udskillelse af en film af et metal hørende til gruppe IB eller VIII i det periodiske system, såsom kobber eller 5 nikkel, cobalt, guld og lignende. Det er dog formålstjenligt at anvende sådanne autokatalytiske forstærkerbade, som er særligt egnede for hurtig udskillelse af en tynd film.
I fig. 21 vises endelig den færdige kredsløbsplade, som 10 den ser ud i snit, når det med en tynd strømløst udskilt metalfilm forstærkede reelle billede er behandlet i et reduktionsbad for autokatalytisk metaludskillelse. Tykkelsen af det derved dannede lag 22 er en funktion af udskillelsestiden. I øvrigt skal det anføres, at det trin 15 i fremgangsmåden, ved hvilket man foretager en forstærkning af det reelle billede, principielt kan udelades. I stedet herfor kan man direkte anvende det reelle billede 16 til opbygning af belægningen 22 ved indvirkning af et almindeligt autokatalytisk metalliseringsbad. Forstærker-20 badet til fremstilling af filmen 20 anvendes i praksis altid, såfremt det reelle billede 16 skal forstærkes eller stabiliseres af inspektionshensyn eller for at bibringe det en høj oplagringsstabilitet forud for en videreforarbejdning.
25 Det med en forstærkningsfilm forsynede reelle billede 20 såvel som belægningen 22 kan, om ønsket, også forsynes med yderligere metalovertræk ved en galvanisk proces. Fremgangsmåden ifølge den foreliggende opfindelse er ligeledes velegnet til fremstilling af kredsløbsplader, som 30 er forsynet med huller, slidser eller indskæringer, hvis vægge enten skal metalliseres fuldstændigt eller skal bære lederspor. Også i denne forbindelse er det unødvendigt at anvende de almindelige katalyseringsopløsninger for den strømløse metaludskillelse. I stedet herfor kan man også 35 behandle hullets vægge med opløsningen, som indeholder det reducerbare metalsalt, og derefter på hullets væg i de ønskede områder opbygge et reelt billede af de ønskede 12 146780 lederspor bestående af katalytisk virksomme metalkim. Fig.
5 viser trinnene i en fremgangsmåde, ved hvilken man først dækker bæreren med et lag af oxiderbart formstof, fortrinsvis et sådant som indeholder oxiderbare gummi- eller form-5 stofpartikler. Som eksempel herpå kan anføres en sammensætning bestående af:
Epoxyharpiks 15 g
Butadienacrylonitrilgummi (10 micron partikelstørrelse) 15 g 10 Diacetonealkohol 50 g
Toluen 50 g
Olieopløselig phenolform-aldehydharpiks 11 g
Kolloidt silicagel 25 g 15 Fig* 6 viser skematisk i tværsnit først i A bæreren 2, som i B er forsynet med et sådant overfladelag 24. I fig. 6C er vist situationen, efter at overfladen er behandlet i 30 minutter med et oxidationsmiddel, som f.eks. en opløsning af 37 g dichromat i 500 ml vand og 500 ml koncen-20 treret svovlsyre, og derefter neutraliseret og afvasket; de derved dannede mikroporer er i figuren betegnet med 28.
I fig. 6D er vist bæreren, efter at man har påført overfladen et lag katalysatorgift 8, som beskrevet i forbindelse med figurerne 1 og 2.
25 Fig. 6E viser bæreren efter påføring af de reducerbare metalioner 14 ved hjælp af opløsningen, som indeholder det reducerbare metalsalt. I fig. 6F er vist situationen, som den er efter strålingspåvirkningen gennem en til negativet af det ønskede ledermønster svarende maske, hvorved det 30 reducerbare metalsalt i de belyste områder er blevet omdannet til metalkim Me°, som udgør et reelt billede 16.
Fig. 6G viser et tværsnit, efter at metalsaltet 14 er fjernet fra de ikke-belyste områder ved afvaskning. I 6H er 20 en tynd metallisk forstærkerfilm, som er påført det 35 reelle billede bestående af katalytisk virksomme metal- 13 146780 kim ved autokatalytisk metaludskillelse. Fig. 61 viser endelig situationen, efter at det forstærkede billede er blevet overtrukket med et tykt metallag 22.
Eksempel 1.
5 Det foreliggende eksempel omhandler fremstillingen af en kredsløbsplade med såkaldt gennempletteret hulforbindelse på en bærer, hvis overflade i udgangstilstanden ikke er polær. De enkelte trin i fremgangsmåden er vist i fig.
3A-J.
10 Som bærer tjener et epoxyglaspressemateriale, som i fig.
3A er betegnet med 2. 3B viser samme pressemateriale, efter at der er lavet hul igennem det. For at forhindre gennemgang af den ultraviolette kopieringslysstråling neddyp-pes bæreren i en opløsning af 2,2-dihydroxy-4,4-dimethoxy-15 benzophenon i methylchlorid. Efter lufttørring fjernes overskud af ultravioletabsorber ved neddypning i 1,1,1-trichlorethan.
Fig. 3C viser et tværsnit af bæreren, efter at den med henblik på fotoaktivering har været neddyppet i ca. 1 20 minut ved 23°c i en volumenbaseret l:l-blanding af dimeth-ylformamid og 1,1,1-trichlorethan og derefter lufttørret.
Den derved dannede midlertidigt polære overflade er betegnet med 4.
Derefter anbringes bæreren i et oxidationsmiddelbad, som 25 f.eks. indeholder chromsvovlsyre, hvorefter den først af-skylles for derefter at blive overført i en reduktionsmiddelopløsning, som f.eks. indeholder 20 g natriumhydrogen-sulfit og 1 ml svovlsyre i 1 liter vand. Ved denne behandling bliver overfladen højpolær, og samtidig dannes der i 30 et overfladelag mikroporer, som i fig. 3D er betegnet med 6. Om ønsket kan den således forberedte overflade derefter forsynes med et lag af en katalysatorgift (8 i fig. 3E).
Derefter neddyppes bæreren i 2-5 minutter ved en temperatur på 20-25°C i en opløsning, som indeholder det reducer-35 bare metalsalt, med følgende sammensætning: 14 146780
Kobberacetat 8 g
Pentaerythrit 50 g
Sorbitol 60 g
Anthraquinon-2,6-disulfonsurt-5 dinatrium 16 g
Citronsyre 40 g
Tin-II-chlorid 0,8 g
Befugtningsmiddel 6G paraisononyl-phenoxypolyglycidol, 6 molekyler 10 glycidol pr. 1 molekyle paranonyl- phenoxy
Vand 1 liter
Ved fremstillingen af denne opløsning tilsætter man først tin-II-chlorid og befugtningsmidlet, efter at alle andre 15 bestanddele er sammenblandet og opløst. Den således behandlede bærer tørres i 2-4 minutter ved 50°C. Sammenlign fig.
3F, hvor 12 betegner det reducerbare metalsaltopløsningslag.
Den således forberedte bærer kan efter behag oplagres i 20 mørke eller i gult lys.
Den videre forarbejdning består i, at bæreren på begge sider forsynes med negative ledningsmønstre og tilsvarende forlæg, hvorefter det i fra 30 sekunder til 2 minutter belyses med ultraviolette stråler fra en kviksølvdamplam-25 pe. Det derved dannede reelle billede 16 bestående af reducerede kobbermetalkim Me° har en grå til sort farve (sammenlign fig. 3G).
Efter belysningen vaskes bæreren i ca. 1 minut med vand for derved at fjerne de ikke-belyste rester af reducer-30 bart metalsalt, hvorved det reelle billede 16 bliver stående tilbage. Da også hulvæggene er blevet udsat for ultraviolet stråling, er disse ligeledes besat med reducerede kobberkim Me° (sammenlign fig. 3H). Det reelle billede forstærkes derefter og gøres samtidig elektrisk ledende.
35 Dette sker f.eks. ved hjælp af et autokatalytisk kobberudskillende bad med følgende sammensætning: 15 146780
Kobbersulfat 15 g/1
Natriumhydroxid 16 g/1
Rochellesalt 15 g/1 natriumka1iumtartrat 5 Formaldehyd 37% 35 ml
Opløst i vand til 1 liter.
Opholdstiden i badet er f.eks. ved en badtemperatur på 20-25°C 5-10 minutter, hvorunder laget 20 (fig. 31) opbygges.
I denne tilstand er det reelle billede fuldstændigt stabi-10 liseret og forstærket, således at det kan oplagres efter behag.
Til opbygning af de egentlige kredsløbsbaner tjener f.eks. en ligeledes kendt badsammensætning til autokatalytisk udskillelse af duktilt kobber. Det derved dannede lag er i 15 fig. 3J betegnet med 22.
Eksempel 2 og 3.
I de foreliggende eksempler udstyrer man de i henhold til eksempel 1 fremstillede, trykte kredsløb med et lag lodde-tin eller et andet galvanisk påført metallag.
20 Til fremstilling af dette med loddetin forsynede kredsløb gennemfører man først de i fig. 4A-J viste trin, som svarer til trinnene A-J i fig. 3. Derefter anbringer man så kredsløbspladen i et loddeflusmiddel og derefter i et 60:40 tin:bly-loddemetalbad ved 500°C. Overskydende lodde-25 tin kan fjernes på kendt måde, som f.eks. ved hjælp af et varmt voksbad. Fig. 4K viser slutproduktet med loddetinla-get 23.
Til fremstilling af et med galvanisk påført metallag forsynet, trykt kredsløb gennemfører man først de i fig. 4A-J 30 viste trin. Det reelle billedes forstærkning 20 tjener således på sædvanlig måde som katode for den galvaniske metaludskillelse, f.eks. forkobring, i et hertil almindelig anvendt galvaniseringsbad.
16 146780
Eksempel 4.
Dette eksempel beskriver fremstillingen af et trykt kredsløb på en bærer, som først forsynes med et lag vedhæft-ningsformidler. Bærermaterialet kan være phenolpapirlami-5 nat, som i fig. 7A er betegnet med 2, og som i en belægningsmaskine forsynes med et lag af en oxiderbar vedhæft-ningsformidler 24. En sådan vedhæftningsformidler kan består af følgende blanding:
Epoxyharpiks 15 g 10 Butadienacrylonitrilgummi 15 g
Diacetonealkohol 50 g
Toluen 50 g
Olieopløselig phenolformaldehyd-harpiks 11 g 15 Kolloidt silicagel 25 g
Fig. 7B viser bæreren i tværsnit, efter at man har påført og tørret dette lag af vedhæftningsformidler, og fig. 7C viser situationen, efter at bæreren er forsynet med en gennemhulning.
20 Efter behandlingen med en oxidationsmiddelopløsning, f.eks. en sådan, som består af 20 g/1 natriumdichromat i 48%'s HBF^, opstår der et mikroporøst overfladelag 28 i ved-hæftningsformidlerlaget 24 (sammenlign fig. 7D).
Festen af fremgangsmåden gennemføres som beskrevet i 25 eksempel 1, idet trinnene 7E-7J svarer til de tilsvarende trin i fig. 3.
I stedet for den i eksempel 1 angivne sammensætning, nemlig den strålingsfølsomme opløsning, som indeholder det reducerbare metalsalt, kan man f.eks. anvende følgende 30 sammensætninger af sådanne opløsninger med godt resultat.
Metalsaltopløsning A
Cupri-formiat 10 g
Anthraquinon-2,6-alkyldisulfid- 17 146780 di-natriumsalt 2 g
Glycerol 10 g
Vand til fremstilling af 1000 ml opløsning.
Metalsaltopløsning B
5 Kobberacetat 8 g.
Pentaerythrit 50 g
Citronsyre 40 g
Di-natriumsalt af anthraquinon- 2.6- alkyl-disulfonsyre 16 g 10 Stanno-chlorid 0,5 g
Befugtningsmiddel 6G 1 g
Vand til fremstilling af 1000 ml opløsning.
Metalsaltopløsning C
Kobber-(II)-formiat 10 g 15 Dinatriumsalt af anthraquinon- 2.6- alkyl-disulfonsyre 3 g
Glycerol 30 ml
Citronsyre 30 g
Tin-(II)-chlorid 1 g 20 Fluoreret carbonhydrid (befugtningsmiddel FC 170) 0,25 g
Vand 450 ml
Metalsaltopløsning D
Man fremstiller først del a og del b og blander derefter 25 disse delopløsninger sammen.
Delopløsning a: Kobber-(II)-gluconat 15 g
Vand 200 ml
Delopløsning b: Fluoreret carbonhydrid FC-170 0,1 g 30 Glycerol 30 g
Citronsyre 30 g
Dinatriumsalt af anthra-quinon-2,6-alkyldisulfon- 18 146780 syre 2 g
Tin-(II)-chlorid 1 g
Vand 250 ml
Metalsaltopløsning E og F
5 Man fremstiller først delopløsningerne a (E) eller a (F) og delopløsning b og sammenblander derefter delopløsning a (E) eller a(F) med delopløsning b.
(E) (F)
Delopløsning a: Kobber-(II)-acetat 15 g 10 Kobber-(II)-nitrat - 15 g
Vand 200 ml 200 ml
Delopløsning b: Befugtningsmiddel FC-170 0,25 g
Glycerol 30 g 15 Dinatriumsalt af anthra- quinon-2,6-alkyl-disulfonsyre 3 g
Vand 250 g
Tin-(II)-chlorid 1 g
20 Metalsaltopløsning G og H
G H
Kobber-(II)-acetat 1,3 g 4 g
Ferri-ammoniumsulfat 3,5 g - L-ascorbinsyre - 5 g
Pentaerythrit 20 g 25 g 25 Glycerol 16 g
Sorbitol - 30 g
Citronsyre 10 g 20 g
Befugtningsmiddel 6G 0,3 g 0,5 g
Tin-(II)-chlorid - 0,5 g 30 Vand ad 1000 ml 1000 ml 19 146780
Metalsaltopløsning I og J
I J
Nikkelsulfat 6 g
Cobalt-sulfat 6 g 5 Pentaerythrit 50 g 5Q g
Sorbitol 60 g 60 g
Glycerol 10 ml 10 ml
Citronsyre 40 g 40 g
Dinatriumsalt af anthraquinon-10 1,6-alkyldisulfonsyre 16 g 16 g
Tin-(II)-chlorid 1 g 1 g
Befugtningsmiddel 6G 1 g 1 g
Vand ad 1000 ml 1000 ml
Som det fremgår af eksemplerne, er det formålstjenligt, 15 at metalsaltopløsningerne indeholder sekundærreduktionsmidler, forstærkere, acceleratorer, stabilisatorer samt befugtningsmidler.
Claims (4)
1. Fremgangsmåde til additiv fremstilling af ved metaludskillelse frembragte mønstre på isolationsunderlag, som f.eks. trykte kredsløbsplader, hvilke mønstre frembrin- 5 ges ved hjælp af strålingsindvirkning og under anvendelse af strømløst arbejdende metalliseringsbade, kendetegnet ved kombinationen af følgende trin: a) et hydrofilt, mikroporøst isolationsunderlag behandles i en metalsaltopløsning, der er fri for organiske lag- 10 dannere, især fri for strålingshærdelige, polymeriser-bare stoffer, og som indeholder i det mindste et reducerbart kobber-, nikkel- eller cobaltsalt tilligemed en strålingsfølsom komponent, der er følsom for synligt eller ultraviolet lys, og som under strålingens indfly- 15 delse indvirker reducerende på metalsaltet, b) den således forbehandlede isolationsoverflade bestråles i områderne for det ønskede mønster, c) derefter fjernes metalsaltet og andre rester af metalsaltopløsningen ved afvaskning og 20 d) den med den reelle afbildning forsynede overflade udsættes for et passende, autokatalytisk arbejdende metaludskillelsesbad uden mellemliggende behandling med en katalytisk ædelmetalopløsning.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet 25 ved, at opløsningen af metalsalt og strålingsfølsom komponent yderligere indeholder et sekundært reduktionsmiddel.
3. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendetegnet ved, at der som sekundært reduktionsmiddel anvendes en organisk hydroxyforbindelse, fortrinsvis en alkohol eller 30 polyol, valgt blandt glycerol, sorbitol, pentaerythrit eller en blanding deraf.
4. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at der som strålingsfølsom komponent anvendes ferri-salte, dichromatforbindelser, anthraquinonsalte, glycin,
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16743571A | 1971-07-29 | 1971-07-29 | |
US16743571 | 1971-07-29 | ||
US05/225,645 US3930963A (en) | 1971-07-29 | 1972-02-11 | Method for the production of radiant energy imaged printed circuit boards |
US22564572 | 1972-02-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DK146780B true DK146780B (da) | 1984-01-02 |
DK146780C DK146780C (da) | 1984-07-30 |
Family
ID=26863169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DK375672A DK146780C (da) | 1971-07-29 | 1972-07-28 | Fremgangsmaade til additiv fremstilling af ved metaludskillelse frembragte moenstre |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3930963A (da) |
JP (1) | JPS5631915B1 (da) |
CA (1) | CA954980A (da) |
CH (1) | CH569089A5 (da) |
DE (1) | DE2238002C3 (da) |
DK (1) | DK146780C (da) |
ES (1) | ES405371A1 (da) |
FR (1) | FR2149170A5 (da) |
GB (1) | GB1394869A (da) |
IT (1) | IT961767B (da) |
NL (1) | NL176902C (da) |
Families Citing this family (112)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU8113275A (en) * | 1974-07-11 | 1976-11-18 | Kollmorgen Corp | Processes and products of sensitizing substrates |
US4072768A (en) * | 1976-01-23 | 1978-02-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for making patterned gold metallization |
US4039698A (en) * | 1976-01-23 | 1977-08-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for making patterned platinum metallization |
US4098922A (en) * | 1976-06-07 | 1978-07-04 | Western Electric Company, Inc. | Method for depositing a metal on a surface |
US4084023A (en) * | 1976-08-16 | 1978-04-11 | Western Electric Company, Inc. | Method for depositing a metal on a surface |
US4167601A (en) * | 1976-11-15 | 1979-09-11 | Western Electric Company, Inc. | Method of depositing a stress-free electroless copper deposit |
US4181750A (en) * | 1977-09-09 | 1980-01-01 | Western Electric Company, Inc. | Method of depositing a metal on a surface |
US4192764A (en) * | 1977-11-03 | 1980-03-11 | Western Electric Company, Inc. | Stabilizing composition for a metal deposition process |
US4133908A (en) * | 1977-11-03 | 1979-01-09 | Western Electric Company, Inc. | Method for depositing a metal on a surface |
US4171240A (en) * | 1978-04-26 | 1979-10-16 | Western Electric Company, Inc. | Method of removing a cured epoxy from a metal surface |
US4322451A (en) * | 1978-05-01 | 1982-03-30 | Western Electric Co., Inc. | Method of forming a colloidal wetting sensitizer |
US4217182A (en) * | 1978-06-07 | 1980-08-12 | Litton Systems, Inc. | Semi-additive process of manufacturing a printed circuit |
US4234628A (en) * | 1978-11-28 | 1980-11-18 | The Harshaw Chemical Company | Two-step preplate system for polymeric surfaces |
US4268536A (en) * | 1978-12-07 | 1981-05-19 | Western Electric Company, Inc. | Method for depositing a metal on a surface |
DE2920940A1 (de) * | 1979-05-21 | 1980-12-04 | Schering Ag | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen |
US4228213A (en) * | 1979-08-13 | 1980-10-14 | Western Electric Company, Inc. | Method of depositing a stress-free electroless copper deposit |
US4384893A (en) * | 1979-09-14 | 1983-05-24 | Western Electric Co., Inc. | Method of forming a tin-cuprous colloidal wetting sensitizer |
US4255481A (en) * | 1979-09-26 | 1981-03-10 | Western Electric Company, Inc. | Mask for selectively transmitting therethrough a desired light radiant energy |
US4282314A (en) * | 1979-09-26 | 1981-08-04 | Western Electric Co., Inc. | Mask for selectively transmitting therethrough a desired light radiant energy |
DE2948253C2 (de) * | 1979-11-30 | 1981-12-17 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Elektronische Dünnschichtschaltung |
JPS5831760B2 (ja) * | 1981-01-09 | 1983-07-08 | 株式会社東芝 | プリント配線板の製造方法 |
US4339303A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-13 | Kollmorgen Technologies Corporation | Radiation stress relieving of sulfone polymer articles |
US4424095A (en) | 1981-01-12 | 1984-01-03 | Kollmorgen Technologies Corporation | Radiation stress relieving of polymer articles |
US4440801A (en) * | 1982-07-09 | 1984-04-03 | International Business Machines Corporation | Method for depositing a metal layer on polyesters |
GB2134931A (en) * | 1982-12-27 | 1984-08-22 | Ibiden Co Ltd | Non-electrolytic copper plating for printed circuit board |
US4543715A (en) * | 1983-02-28 | 1985-10-01 | Allied Corporation | Method of forming vertical traces on printed circuit board |
US4604299A (en) * | 1983-06-09 | 1986-08-05 | Kollmorgen Technologies Corporation | Metallization of ceramics |
US4574094A (en) * | 1983-06-09 | 1986-03-04 | Kollmorgen Technologies Corporation | Metallization of ceramics |
US4511597A (en) * | 1983-10-12 | 1985-04-16 | Kollmorgen Technologies Corporation | Method for depositing a metal on a surface |
US4540620A (en) * | 1983-10-19 | 1985-09-10 | Phillips Petroleum Company | Conductive patterns in polymeric films |
US4552787A (en) * | 1984-02-29 | 1985-11-12 | International Business Machines Corporation | Deposition of a metal from an electroless plating composition |
US4666744A (en) * | 1984-05-10 | 1987-05-19 | Kollmorgen Technologies Corporation | Process for avoiding blister formation in electroless metallization of ceramic substrates |
US4701352A (en) * | 1984-05-10 | 1987-10-20 | Kollmorgen Corporation | Surface preparation of ceramic substrates for metallization |
FR2567155B1 (fr) * | 1984-07-03 | 1986-11-21 | Seregie | Procede de metallisation de particules non conductrices |
US4837129A (en) * | 1984-09-14 | 1989-06-06 | Kollmorgen Technologies Corp. | Process for producing conductor patterns on three dimensional articles |
US4594311A (en) * | 1984-10-29 | 1986-06-10 | Kollmorgen Technologies Corporation | Process for the photoselective metallization on non-conductive plastic base materials |
US5047114A (en) * | 1984-11-02 | 1991-09-10 | Amp-Akzo Corporation | Process for the production of metal clad thermoplastic base materials and printed circuits on thermoplastic base materials |
US4647477A (en) * | 1984-12-07 | 1987-03-03 | Kollmorgen Technologies Corporation | Surface preparation of ceramic substrates for metallization |
EP0185967A3 (en) * | 1984-12-10 | 1988-08-03 | Kollmorgen Corporation | Process for avoiding blister formation in electroless metallization of ceramic substrates |
US4790912A (en) * | 1985-06-06 | 1988-12-13 | Techno-Instruments Investments Ltd. | Selective plating process for the electrolytic coating of circuit boards without an electroless metal coating |
US4891069A (en) * | 1986-06-06 | 1990-01-02 | Techno Instruments Investments 1983 Ltd. | Composition for the electrolytic coating of circuit boards without an electroless metal coating |
GB8613960D0 (en) * | 1986-06-09 | 1986-07-16 | Omi International Gb Ltd | Treating laminates |
JPS6364394A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | 株式会社日立製作所 | プリント配線板の製造方法 |
US4814259A (en) * | 1987-11-09 | 1989-03-21 | Rockwell International Corporation | Laser generated electrically conductive pattern |
US4872844A (en) * | 1988-07-08 | 1989-10-10 | Amp Incorporated | Component-carrying adapter for chip carrier socket |
US4871319A (en) * | 1988-12-21 | 1989-10-03 | Amp Incorporated | Molded circuit board for ribbon cable connector |
US5053318A (en) * | 1989-05-18 | 1991-10-01 | Shipley Company Inc. | Plasma processing with metal mask integration |
US5002493A (en) * | 1989-09-19 | 1991-03-26 | Amp Incorporated | Panel mounted electronic assembly |
US5013248A (en) * | 1989-09-19 | 1991-05-07 | Amp Incorporated | Multicircuit connector assembly |
US4992059A (en) * | 1989-12-01 | 1991-02-12 | Westinghouse Electric Corp. | Ultra fine line cable and a method for fabricating the same |
US5141829A (en) * | 1990-09-10 | 1992-08-25 | General Electric Company | Method of preparing a photo-mask for imaging three-dimensional objects |
US5281447A (en) * | 1991-10-25 | 1994-01-25 | International Business Machines Corporation | Patterned deposition of metals via photochemical decomposition of metal-oxalate complexes |
WO1996033298A1 (en) * | 1995-04-17 | 1996-10-24 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Method of electroplating a substrate, and products made thereby |
CN1095623C (zh) * | 1996-04-18 | 2002-12-04 | 国际商业机器公司 | 用于含铜金属的复合涂料组合物 |
US5932021A (en) * | 1996-06-26 | 1999-08-03 | Cala; Francis R. | Aqueous cleaning composition for removing flux and method of use |
US6921467B2 (en) | 1996-07-15 | 2005-07-26 | Semitool, Inc. | Processing tools, components of processing tools, and method of making and using same for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US6752584B2 (en) * | 1996-07-15 | 2004-06-22 | Semitool, Inc. | Transfer devices for handling microelectronic workpieces within an environment of a processing machine and methods of manufacturing and using such devices in the processing of microelectronic workpieces |
US5746903A (en) * | 1996-07-26 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Wet chemical processing techniques for plating high aspect ratio features |
US5958144A (en) * | 1997-05-20 | 1999-09-28 | Church & Dwight | Flux-removing aqueous cleaning composition and method of use |
BR9813857B1 (pt) * | 1997-10-10 | 2013-11-12 | Processo para a preparação de um desinfetante aquoso, e, desinfetante aquoso. | |
US7244677B2 (en) * | 1998-02-04 | 2007-07-17 | Semitool. Inc. | Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device |
US6632292B1 (en) * | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
US6565729B2 (en) * | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
US6197181B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-03-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece |
TWI223678B (en) * | 1998-03-20 | 2004-11-11 | Semitool Inc | Process for applying a metal structure to a workpiece, the treated workpiece and a solution for electroplating copper |
EP1091024A4 (en) | 1998-04-30 | 2006-03-22 | Ebara Corp | METHOD AND DEVICE FOR COATING SUBSTRATES |
JP3268386B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2002-03-25 | 日本航空電子工業株式会社 | 腐食防止膜の形成方法 |
US6497801B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-12-24 | Semitool Inc | Electroplating apparatus with segmented anode array |
WO2000010200A1 (en) | 1998-08-11 | 2000-02-24 | Ebara Corporation | Wafer plating method and apparatus |
TW483950B (en) | 1998-12-31 | 2002-04-21 | Semitool Inc | Method, chemistry, and apparatus for high deposition rate solder electroplating on a microelectronic workpiece |
JP4288010B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2009-07-01 | セミトゥール・インコーポレイテッド | 処理流体の流れ具合を向上させる処理チャンバを備えた加工物処理装置 |
US7020537B2 (en) | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7585398B2 (en) * | 1999-04-13 | 2009-09-08 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US7351314B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7189318B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-03-13 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US20030038035A1 (en) * | 2001-05-30 | 2003-02-27 | Wilson Gregory J. | Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7438788B2 (en) * | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US6368475B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-04-09 | Semitool, Inc. | Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7351315B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US6265301B1 (en) * | 1999-05-12 | 2001-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming metal interconnect structures and metal via structures using photolithographic and electroplating or electro-less plating procedures |
US6212769B1 (en) | 1999-06-29 | 2001-04-10 | International Business Machines Corporation | Process for manufacturing a printed wiring board |
US20050183959A1 (en) * | 2000-04-13 | 2005-08-25 | Wilson Gregory J. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece |
AU2001259504A1 (en) * | 2000-05-24 | 2001-12-03 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
AU2001282879A1 (en) * | 2000-07-08 | 2002-01-21 | Semitool, Inc. | Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology |
WO2003018874A2 (en) | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US6893505B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-05-17 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for regulating fluid flows, such as flows of electrochemical processing fluids |
US7025866B2 (en) * | 2002-08-21 | 2006-04-11 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic workpiece for electrochemical deposition processing and methods of manufacturing and using such microelectronic workpieces |
US20040108212A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-10 | Lyndon Graham | Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces |
US20040112868A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Phipps Peter Beverley Powell | Etchant solution for removing a thin metallic layer |
US20040237814A1 (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-02 | Benjamin Caplan | Printing stencil and method for preparation thereof |
US7981508B1 (en) | 2006-09-12 | 2011-07-19 | Sri International | Flexible circuits |
US8110254B1 (en) | 2006-09-12 | 2012-02-07 | Sri International | Flexible circuit chemistry |
US8293461B2 (en) * | 2007-05-21 | 2012-10-23 | Vectraone Technologies, Llc | Direct emulsion process for making printed circuits |
US8313891B2 (en) * | 2007-05-21 | 2012-11-20 | Vectraone Technologies, Llc | Printed circuits and method for making same |
US20090020315A1 (en) * | 2007-05-21 | 2009-01-22 | Steven Lee Dutton | Automated direct emulsion process for making printed circuits and multilayer printed circuits |
CN101785372B (zh) * | 2007-06-18 | 2012-07-18 | 维克特拉万技术有限公司 | 用于制造印刷电路和多层印刷电路的自动直接乳化工艺 |
US8628818B1 (en) | 2007-06-21 | 2014-01-14 | Sri International | Conductive pattern formation |
US7989029B1 (en) | 2007-06-21 | 2011-08-02 | Sri International | Reduced porosity copper deposition |
US8895874B1 (en) | 2009-03-10 | 2014-11-25 | Averatek Corp. | Indium-less transparent metalized layers |
CN103176365A (zh) * | 2011-12-22 | 2013-06-26 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 菲林及其制作方法,应用该菲林进行遮蔽的方法 |
US20140146489A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-05-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Surface finish for conductive features on substrates |
US20140144682A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-05-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Surface finish for conductive features on substrates |
US10036097B2 (en) | 2012-12-21 | 2018-07-31 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Conductive coating film forming bath |
KR101574736B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2015-12-07 | 주식회사 엘지화학 | 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체 |
US9951433B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-04-24 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Conductive film-forming bath |
US20150233011A1 (en) * | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Macdermid Acumen, Inc. | Treatment for Electroplating Racks to Avoid Rack Metallization |
JP5902853B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-04-13 | 日立マクセル株式会社 | メッキ部品の製造方法 |
EP3228729A1 (en) * | 2016-04-04 | 2017-10-11 | COVENTYA S.p.A. | Process for metallization of an article having a plastic surface avoiding the metallization of the rack which fixes the article within the plating bath |
US11346000B2 (en) | 2019-12-03 | 2022-05-31 | Scodix Ltd. | Method for patterning a metal on a substrate and articles comprising same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3152903A (en) * | 1959-04-30 | 1964-10-13 | Minnesota Mining & Mfg | Reproduction system |
DE1287885B (da) * | 1964-05-27 | |||
NL157659B (nl) * | 1967-09-22 | 1978-08-15 | Philips Nv | Werkwijze voor het langs fotografische weg vervaardigen van elektrisch geleidende koperpatronen. |
US3562005A (en) * | 1968-04-09 | 1971-02-09 | Western Electric Co | Method of generating precious metal-reducing patterns |
US3615732A (en) * | 1968-08-13 | 1971-10-26 | Shipley Co | Electroless copper plating |
US3627558A (en) * | 1968-11-27 | 1971-12-14 | Technograph Printed Circuits L | Sensitization process for electroless plating |
US3704208A (en) * | 1970-04-21 | 1972-11-28 | Rca Corp | Process for forming a conductive coating on a substrate |
US3772056A (en) * | 1971-07-29 | 1973-11-13 | Kollmorgen Photocircuits | Sensitized substrates for chemical metallization |
-
1972
- 1972-02-11 US US05/225,645 patent/US3930963A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-06-29 CA CA146,046A patent/CA954980A/en not_active Expired
- 1972-07-28 CH CH1125772A patent/CH569089A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-07-28 DE DE2238002A patent/DE2238002C3/de not_active Expired
- 1972-07-28 GB GB3532272A patent/GB1394869A/en not_active Expired
- 1972-07-28 DK DK375672A patent/DK146780C/da active
- 1972-07-29 JP JP7641272A patent/JPS5631915B1/ja active Pending
- 1972-07-29 IT IT51860/72A patent/IT961767B/it active
- 1972-07-29 ES ES405371A patent/ES405371A1/es not_active Expired
- 1972-07-31 FR FR7227534A patent/FR2149170A5/fr not_active Expired
- 1972-07-31 NL NLAANVRAGE7210534,A patent/NL176902C/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2238002C3 (de) | 1978-11-16 |
FR2149170A5 (da) | 1973-03-23 |
DE2238002A1 (de) | 1973-02-08 |
CH569089A5 (da) | 1975-11-14 |
JPS5631915B1 (da) | 1981-07-24 |
IT961767B (it) | 1973-12-10 |
NL176902C (nl) | 1985-06-17 |
US3930963A (en) | 1976-01-06 |
NL7210534A (da) | 1973-01-31 |
GB1394869A (en) | 1975-05-21 |
DE2238002B2 (de) | 1978-03-30 |
DK146780C (da) | 1984-07-30 |
NL176902B (nl) | 1985-01-16 |
ES405371A1 (es) | 1976-03-01 |
CA954980A (en) | 1974-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK146780B (da) | Fremgangsmaade til additiv fremstilling af ved metaludskillelse frembragte moenstre | |
US6017613A (en) | Method for photoselective seeding and metallization of three-dimensional materials | |
RU2078405C1 (ru) | Способ изготовления однослойной или многослойной печатной платы | |
DK143289B (da) | Fremgangsmaade til metallisering af formstoffer og isaer til fremstilling af trykte kredsloebsplader | |
DE3421989A1 (de) | Verfahren zum metallisieren von keramischen oberflaechen | |
JPH0533554B2 (da) | ||
US3006819A (en) | Method of photo-plating electrical circuits | |
US4876177A (en) | Process for producing printed circuit board | |
US3240684A (en) | Method of etching rhodium plated metal layers and of making rhodium plated printed circuit boards | |
JPH0465558B2 (da) | ||
JPS616892A (ja) | プリント回路の製造方法 | |
JP3080366B2 (ja) | 無電解金属めっき法及び回路化構造体 | |
US5044073A (en) | Process for producing printed-circuit board | |
DE2530415A1 (de) | Verfahren zum herstellen von mustern, insbesondere leitermustern gedruckter schaltungen nach dem sogenannten aufbauverfahren | |
JPH0964538A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JPS6177393A (ja) | 基板表面を部分金属化する方法 | |
JP3593351B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP3624427B2 (ja) | プリント回路板の製造法、プリント回路板及び機器 | |
JP3191686B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
JPS62296493A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JPS5831760B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP2000340953A (ja) | 多層プリント配線基板の製造方法 | |
JPH05259612A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JPS5826191B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JPH0936519A (ja) | プリント配線板の製造方法 |