JPS5974271A - 無電解メツキ法 - Google Patents
無電解メツキ法Info
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- JPS5974271A JPS5974271A JP18495582A JP18495582A JPS5974271A JP S5974271 A JPS5974271 A JP S5974271A JP 18495582 A JP18495582 A JP 18495582A JP 18495582 A JP18495582 A JP 18495582A JP S5974271 A JPS5974271 A JP S5974271A
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- Japan
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- substrate
- electroless plating
- soln
- film
- activating
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス、セラミック、プラスチック結晶体等
の絶縁体上に、Ｓ ｎ Ｏ２ｅ工”！！０８ ｅＴｉＯ
ｌ ＊ Ｔａ、Ｏ，、Ｚｒ ｏ、、Ｈｂ、ＯＢ ＠Ａ
ｔ、０． 等の金属酸化物のパターンをもった被膜を
形成し、通常の感受性化、活性化を行う工程の中で、ホ
ウフッ酸あるいはホウフッ酸塩の溶液による処理を行う
ことで、絶縁体層のみに無電解メッキ被膜を形成する方
法に関している。
の絶縁体上に、Ｓ ｎ Ｏ２ｅ工”！！０８ ｅＴｉＯ
ｌ ＊ Ｔａ、Ｏ，、Ｚｒ ｏ、、Ｈｂ、ＯＢ ＠Ａ
ｔ、０． 等の金属酸化物のパターンをもった被膜を
形成し、通常の感受性化、活性化を行う工程の中で、ホ
ウフッ酸あるいはホウフッ酸塩の溶液による処理を行う
ことで、絶縁体層のみに無電解メッキ被膜を形成する方
法に関している。
従来絶縁体上に金属被膜を形成する方法として蒸着、ス
パッタ、イオンブレーティング、無電解メッキ等の方法
がとられている。これらの方法によると金属被膜をパタ
ーニングする場合、通常感光性レジストの塗布、露光後
、不要部をエツチングするという工程をとるのが、最も
精密なパターンを形成する方法であった。
パッタ、イオンブレーティング、無電解メッキ等の方法
がとられている。これらの方法によると金属被膜をパタ
ーニングする場合、通常感光性レジストの塗布、露光後
、不要部をエツチングするという工程をとるのが、最も
精密なパターンを形成する方法であった。
ところが近年、絶縁体にパターン形成金属酸化物層を形
成し、絶縁体上にのみ金属被膜を形成する技術が必要と
なった。従来の方法であると、−拒絶縁体上に任意のパ
ターンをもった金属酸化物被膜を形成し、全面に金属被
膜を形成し、レジスト塗布後、金属酸化物被膜の形状に
合わせて露光し、金属被膜をエツチングしていた。これ
は極めて工数が多く、また、露光時のフォトマスク合わ
せに技術がいった。更に、金属被膜のサイドエツチング
により歩留りが極めて悪化した。これは、金属被膜と絶
縁体物質の密着性の悪さにも原因があり、金属被膜のエ
ツチング時のサイドエツチングが、物理的、化学的圧力
によって更に被膜が剥離しやすくなるからである。
成し、絶縁体上にのみ金属被膜を形成する技術が必要と
なった。従来の方法であると、−拒絶縁体上に任意のパ
ターンをもった金属酸化物被膜を形成し、全面に金属被
膜を形成し、レジスト塗布後、金属酸化物被膜の形状に
合わせて露光し、金属被膜をエツチングしていた。これ
は極めて工数が多く、また、露光時のフォトマスク合わ
せに技術がいった。更に、金属被膜のサイドエツチング
により歩留りが極めて悪化した。これは、金属被膜と絶
縁体物質の密着性の悪さにも原因があり、金属被膜のエ
ツチング時のサイドエツチングが、物理的、化学的圧力
によって更に被膜が剥離しやすくなるからである。
本発明によれば、絶縁体上に任意のパターンをもった金
属酸化物被膜を形成した基板において、絶縁体上にのみ
金属被膜を形成することが可能となり、工数の軽減及び
金属被膜のサイドエツチングをなくすという２つの効果
が期待できる。
属酸化物被膜を形成した基板において、絶縁体上にのみ
金属被膜を形成することが可能となり、工数の軽減及び
金属被膜のサイドエツチングをなくすという２つの効果
が期待できる。
次に本発明の効果を示す一例を示し、本発明の概略につ
いて述べる。たとえば、カメラの日付は写し込み用の液
晶パネルの遮光部として使う場合である。液晶パネルは
第１図のセグメント電極の付いたガラス基板、第２図の
全面電極としてのコモン電極側基板を貼り合わせて中に
液晶を封入することによって作られる。この液晶パネル
を第３図のようにしてカメラの中に組み込む。４は元源
であり５は光を遮断する部分、６は液晶パネル、７はフ
ィルムである。このようにして通常の液晶パネルを組み
込み、フィルムに日付は等を写し込むのであるが、通常
の液晶パネルを使用した場合に３という文字を写し込む
時は第４図のような状態となる。８は液晶パネルの点燈
部分、９は非点燈部分、１０は他の部分である。この９
と１０は完全に光を遮断する訳でなく数パーセントの光
を通す。このためフィルムに液晶パネルの輪郭が写り不
都合である。そこで１０の部分だけでも遮光物質を形成
する手段として無電解メッキをする手段が取られた。こ
れは、コモン電極用ガラス基板に金属酸化物層としてＳ
ｎ Ｏ２＊工ｎ、０３ 等の透明導電膜を形成する。
いて述べる。たとえば、カメラの日付は写し込み用の液
晶パネルの遮光部として使う場合である。液晶パネルは
第１図のセグメント電極の付いたガラス基板、第２図の
全面電極としてのコモン電極側基板を貼り合わせて中に
液晶を封入することによって作られる。この液晶パネル
を第３図のようにしてカメラの中に組み込む。４は元源
であり５は光を遮断する部分、６は液晶パネル、７はフ
ィルムである。このようにして通常の液晶パネルを組み
込み、フィルムに日付は等を写し込むのであるが、通常
の液晶パネルを使用した場合に３という文字を写し込む
時は第４図のような状態となる。８は液晶パネルの点燈
部分、９は非点燈部分、１０は他の部分である。この９
と１０は完全に光を遮断する訳でなく数パーセントの光
を通す。このためフィルムに液晶パネルの輪郭が写り不
都合である。そこで１０の部分だけでも遮光物質を形成
する手段として無電解メッキをする手段が取られた。こ
れは、コモン電極用ガラス基板に金属酸化物層としてＳ
ｎ Ｏ２＊工ｎ、０３ 等の透明導電膜を形成する。
そして、通常の前処理後、無電解メッキによりニッケル
リン等の被膜を形成する。この時両面にメッキ被膜が形
成される。
リン等の被膜を形成する。この時両面にメッキ被膜が形
成される。
次に感光性レジストを塗布し、所定のパターンに露光後
、メッキ被膜の不要部をエツチングして、第２図に示し
たような遮光部をもったコモン電極基板を作っていた。
、メッキ被膜の不要部をエツチングして、第２図に示し
たような遮光部をもったコモン電極基板を作っていた。
ところがこの方法によると、２の透明部分のサイドの被
膜がエツチングされやすく、このコモン電極基板の歩留
りが極めて悪かった。
膜がエツチングされやすく、このコモン電極基板の歩留
りが極めて悪かった。
この液晶パネルの製造に本発明を適用すると、コモン電
極用ガラスに透明導電膜を両面に形成し、ディッピング
により感光性レジストを塗布し、所定のパターンに露光
後、透明導伝膜のエツチングを行いレジスト剥離後本発
明の方法により無電解メッキを行うと、所定の、パター
ンに金属被膜が形成された基板が得られる。
極用ガラスに透明導電膜を両面に形成し、ディッピング
により感光性レジストを塗布し、所定のパターンに露光
後、透明導伝膜のエツチングを行いレジスト剥離後本発
明の方法により無電解メッキを行うと、所定の、パター
ンに金属被膜が形成された基板が得られる。
この例によれば、透明導伝膜を両面につけるため工数は
増加するが、コモン電極ガラスの歩留りが極めて高くな
り大巾なコストダウン効果があった。無電解メッキ浴と
しては析出型のものであれば全てこの効果はあるが、例
えばニッケルリン。
増加するが、コモン電極ガラスの歩留りが極めて高くな
り大巾なコストダウン効果があった。無電解メッキ浴と
しては析出型のものであれば全てこの効果はあるが、例
えばニッケルリン。
ニッケルホウ素、銅、スズ、等の無電解メッキ浴がある
。
。
次に本発明の概略について述べる。
絶縁体基板上に任意のパターンを金属酸化物被膜で形成
する。手段としては、全面に金ｌ１４峻化切屑を形成後
、レジスト−エツチング法を用いても良いし、有機金属
化合物を用いて印刷−焼成という方法を用いても良い。
する。手段としては、全面に金ｌ１４峻化切屑を形成後
、レジスト−エツチング法を用いても良いし、有機金属
化合物を用いて印刷−焼成という方法を用いても良い。
この後、基板をアルカリ脱脂、酸中和という前洗浄を行
う。次に塩化第一スズ溶液への浸漬による感受性化を行
う。塩化第一スズ溶液は通常塩酸酸性であり、濃度は０
．０１％〜１％溶液が用いられる。水洗後、パラジウム
、銀、金の塩溶液のいづれか１つあるいは２つ以上に基
板を浸漬することにより活性化処理を行う。そしてホウ
フッ酸溶液、あるいはホウフッ酸溶液に浸漬し、水洗後
、無電解メッキ浴に入れると、絶縁体基板上にのみ金属
被膜が形成される。
う。次に塩化第一スズ溶液への浸漬による感受性化を行
う。塩化第一スズ溶液は通常塩酸酸性であり、濃度は０
．０１％〜１％溶液が用いられる。水洗後、パラジウム
、銀、金の塩溶液のいづれか１つあるいは２つ以上に基
板を浸漬することにより活性化処理を行う。そしてホウ
フッ酸溶液、あるいはホウフッ酸溶液に浸漬し、水洗後
、無電解メッキ浴に入れると、絶縁体基板上にのみ金属
被膜が形成される。
ここでホウ７ツ酸、あるいはホウフッ酸塩の濃度として
は０．０．０１％〜飽和溶液が上記効果には有効である
が１．０．１％〜２０％溶液が適当である。０．１％以
下であるとこの効果を得るための基板浸漬時間が長くな
り実用的でなく、２０％を越えると、金属酸化物被膜上
にもメッキのつがない部分が生じ易くなった。また、上
記濃度のホウフッ酸、あるいはホウフッ酸塩を活性化液
に溶解したものを活性化液として使用し、通常の無電解
メッキ工程、即ち、感受性化、活性化処理を行っても上
記と同様の結果が得られた。
は０．０．０１％〜飽和溶液が上記効果には有効である
が１．０．１％〜２０％溶液が適当である。０．１％以
下であるとこの効果を得るための基板浸漬時間が長くな
り実用的でなく、２０％を越えると、金属酸化物被膜上
にもメッキのつがない部分が生じ易くなった。また、上
記濃度のホウフッ酸、あるいはホウフッ酸塩を活性化液
に溶解したものを活性化液として使用し、通常の無電解
メッキ工程、即ち、感受性化、活性化処理を行っても上
記と同様の結果が得られた。
次に実施例を用いて詳細に説明する。
実施例１
５Ｘ４−のソーダガラス上に（’ＶＤでＳｎＯ。
膜を形成し、レジスト、エツチング法で巾２００μ常、
長さ２ｍのパターンを作製した。このガラス基板をアル
カリ脱脂し、酸中和する洗浄工程の後、塩化第１スズ１
１．塩酸１ ｃｃ 、 を１ｔの純水に溶解した感受
性化液に２分間浸漬、水洗した。これを、塩化パラジウ
ム１ｉｌ塩酸５００に１ｔの純水を加えた活性化液に２
分間浸漬した後、５％のホウフッ酸溶液に２分間浸漬し
水洗後、所定の方法で建浴されたカニゼン社製Ｓ−６８
０の無電解ニッケルリンメッキ浴、５０℃に５分間浸漬
することによって、Ｆ３ｎＯ＠被膜以外のガラス上にニ
ッケルリン被膜が形成された。
長さ２ｍのパターンを作製した。このガラス基板をアル
カリ脱脂し、酸中和する洗浄工程の後、塩化第１スズ１
１．塩酸１ ｃｃ 、 を１ｔの純水に溶解した感受
性化液に２分間浸漬、水洗した。これを、塩化パラジウ
ム１ｉｌ塩酸５００に１ｔの純水を加えた活性化液に２
分間浸漬した後、５％のホウフッ酸溶液に２分間浸漬し
水洗後、所定の方法で建浴されたカニゼン社製Ｓ−６８
０の無電解ニッケルリンメッキ浴、５０℃に５分間浸漬
することによって、Ｆ３ｎＯ＠被膜以外のガラス上にニ
ッケルリン被膜が形成された。
実施例２
５×４Ｈの石英ガラス上に実施例１と同様のパターンを
工ｎ！０．で形成後、実施例１と同様に、感受性化、活
性化処理を行った。この後、１０％のホウフッ化アンモ
ニウムの溶液に１分間浸漬し、実施例１と同様の無電解
ニッケルメッキを行ったところ実施例１と同様の結果を
得た。
工ｎ！０．で形成後、実施例１と同様に、感受性化、活
性化処理を行った。この後、１０％のホウフッ化アンモ
ニウムの溶液に１分間浸漬し、実施例１と同様の無電解
ニッケルメッキを行ったところ実施例１と同様の結果を
得た。
実施例３
５ Ｘ ４ ｃｒｌ （７） Ｍ ｇ ＯＡ ｔｔ Ｏ
ｓ Ｓ ｉ Ｏｔ （７）組成からなるセラミック
基板に実施例１と同様の方法でＳ ｎ ｐ ！のパター
ンを形成後、同様の前処理、無電解、メッキ工程を行っ
たところセラミック基板上にのみニッケルリンメッキ被
膜が形成された実施例４ 実施例１と同様の基板を用いて、感受性化まで行った後
、実施例１と同じ活性化液に濃度として３％になるよう
にホウフッ酸を加え、２分間浸漬、水洗後、所定の方法
で建浴された室町化学製無電解鋼メッキ浴、ＭＫ−４５
０に５分間浸漬したところ１５００′にの厚さの銅被膜
がガラス上にのみ析出した。
ｓ Ｓ ｉ Ｏｔ （７）組成からなるセラミック
基板に実施例１と同様の方法でＳ ｎ ｐ ！のパター
ンを形成後、同様の前処理、無電解、メッキ工程を行っ
たところセラミック基板上にのみニッケルリンメッキ被
膜が形成された実施例４ 実施例１と同様の基板を用いて、感受性化まで行った後
、実施例１と同じ活性化液に濃度として３％になるよう
にホウフッ酸を加え、２分間浸漬、水洗後、所定の方法
で建浴された室町化学製無電解鋼メッキ浴、ＭＫ−４５
０に５分間浸漬したところ１５００′にの厚さの銅被膜
がガラス上にのみ析出した。
以上かられかるように、本発明は絶縁体上に金属酸化物
層を形成した場合、絶縁体上のみへ金属被膜を形成する
革新的な方法を示したものである尚、従来の方法で作る
カメラ用日付は写し込みパネルと本発明の方法で作るも
のとの対比を示してはあるが、本発明の応用はこれに限
定されるものではない。
層を形成した場合、絶縁体上のみへ金属被膜を形成する
革新的な方法を示したものである尚、従来の方法で作る
カメラ用日付は写し込みパネルと本発明の方法で作るも
のとの対比を示してはあるが、本発明の応用はこれに限
定されるものではない。
第１図は、液晶パネルセグメント電極
１・・・・・・上下導通電極
第２図は、液晶パネルコモン電極
２・・・・・・透明導電膜
３・・・・・・金属被膜
第３図は、カメラ日付は写し込み機構
４・・・・・・光 源
５・・・・・・遮光板、液晶パネル支持体６・・・・・
・液晶パネル ７・・・・・・フィルム 第４図は、液晶パネル部分拡大図 ８・・・・・・点燈電極 ９・・・・・・非点燈電極 １０・・・液晶パネルの地の部分 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 ・′務−Ｘ＼、−〇
・液晶パネル ７・・・・・・フィルム 第４図は、液晶パネル部分拡大図 ８・・・・・・点燈電極 ９・・・・・・非点燈電極 １０・・・液晶パネルの地の部分 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 ・′務−Ｘ＼、−〇
Claims (1)
- 絶縁体基板上に所定のパターンをもった金属酸化物層を
形成し、基板を無電解メッキの前処理として塩化第１ス
ズ溶液に浸漬する感受性化を行い水洗後、パラジウム、
銀、金の塩溶液のうちの１つあるいは２つ以上に浸漬す
る活性化処理を行う工程後、ホウフッ酸、あるいはホウ
フッ酸塩の溶液に浸漬後、水洗し、析出型の無電解メッ
キ浴に浸漬するかあるいは活性化処理液中にホウフッ酸
、あるいはホウフッ酸塩を溶解したものを、活性化処理
液として用い無電解メッキ浴に基板を浸漬することを特
徴とする無電解メッキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18495582A JPH0230385B2 (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | Mudenkaimetsukiho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18495582A JPH0230385B2 (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | Mudenkaimetsukiho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974271A true JPS5974271A (ja) | 1984-04-26 |
| JPH0230385B2 JPH0230385B2 (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=16162268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18495582A Expired - Lifetime JPH0230385B2 (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | Mudenkaimetsukiho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230385B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002129347A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-09 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 選択メッキ下地膜の形成方法、選択メッキ下地膜、および微細金属配線付き基板 |
| CN1317424C (zh) * | 2003-11-25 | 2007-05-23 | 中国科学院化学研究所 | 微波辅助镀金的制备方法 |
-
1982
- 1982-10-21 JP JP18495582A patent/JPH0230385B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002129347A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-09 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 選択メッキ下地膜の形成方法、選択メッキ下地膜、および微細金属配線付き基板 |
| CN1317424C (zh) * | 2003-11-25 | 2007-05-23 | 中国科学院化学研究所 | 微波辅助镀金的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0230385B2 (ja) | 1990-07-05 |
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