JP2002129347A

JP2002129347A - 選択メッキ下地膜の形成方法、選択メッキ下地膜、および微細金属配線付き基板

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Publication number: JP2002129347A
Application number: JP2000319488A
Authority: JP
Inventors: Toshiharu Yoshikawa; 逸治吉川; Masaaki Ishikawa; 真章石川; Yoshihiro Izumi; 良弘和泉; Yoshimasa Chikama; 義雅近間
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd; Sharp Corp
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd; Sharp Corp
Priority date: 2000-10-19
Filing date: 2000-10-19
Publication date: 2002-05-09
Anticipated expiration: 2020-10-19
Also published as: JP4876274B2

Abstract

(57)【要約】【課題】繊細にパターン化された、機械的および化学
的安定性に優れた酸化錫系選択メッキ下地膜を、低コス
トで形成する方法を提供する。【解決手段】 (a)塗布液に対しＳｎＯ₂換算で１〜５重
量％のＳｎ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体
と、(b)塗布液に対し５〜１０重量％の紫外線硬化型ま
たは紫外線崩壊型の感光性樹脂と、(c)溶剤とを含有す
る選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液を基板上に塗
布、乾燥し、その上にフォトマスクを設置し、紫外線で
露光した後、現像してパターン化し、４００℃以上で焼
成して、パターン化された選択メッキ下地膜を形成す
る。この下地膜を形成した基板を触媒化処理浴中に浸漬
してメッキ触媒を付与し、次いで、無電解メッキするこ
とによって、パターン化されたメッキ下地膜上に選択的
にメッキ皮膜が形成された微細金属配線付き基板を得
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にパターン
化されたメッキ下地膜を形成する方法、および該方法に
より形成された選択メッキ下地膜、並びに該選択メッキ
下地膜を用いて形成された金属配線付き基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＦＴ−ＬＣＤのＴＦＴアレイに
用いられるゲート電極などの金属配線は、真空蒸着法、
スパッタリング法などにより基板全面にＡｌ、Ｍｏ、Ｔ
ａなどの合金の皮膜を形成後、フォトレジストによりレ
ジストネガパターンを形成し、さらにエッチングする方
法により形成されている。しかしながら、この形成方法
は、真空蒸着装置、スパッタリング装置など高価で複雑
な成膜装置を用いるためコストと量産性に問題があり、
さらにフォトエッチング法は工程が煩雑で、エッチング
廃液の処理、材料利用率の低さに問題がある。

【０００３】一方、上記のような真空、ドライプロセス
を用いない方法として、めっき法を用いた方法がある。
これは、基板上にＰｄのような貴金属のめっき触媒を付
与、担持し、例えばＣｕやＮｉの無電解めっき浴に浸漬
することにより、必要によってはその膜上に電解めっき
法により金属薄膜を形成し、その後上記と同様にフォト
エッチングする方法である。しかし、この方法は、高価
な真空成膜装置は必要としないものの、フォトエッチン
グ工程を含むことにより工程が煩雑になり、またエッチ
ング廃液の処理、材料利用率の低さという問題が残る。

【０００４】最近、上記に示した材料利用率の低さを改
善するため選択的な金属層の成膜法が提案、検討されて
いる。例えば、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）のフ
ァインライン膜上での選択的無電解めっきによる金属配
線を形成する方法が知られている。この方法によれば、
無電解めっきの前処理として行う触媒付与工程におい
て、Ｐｄなどの貴金属触媒が選択的にＩＴＯ膜上に吸着
することを利用したもので、その後無電解めっき処理を
行うとＩＴＯ膜上のみに金属皮膜が形成されるというも
のである。すなわち、ＩＴＯ膜が選択メッキの下地膜と
して作用するというもので、この選択性はＩＴＯ中のＳ
ｎに起因すると考えられている。しかしながら、この方
法にあっても、ＩＴＯの下地膜の形成はスパッタ法など
により形成しフォトエッチング法によりファインパター
ン化されているため、この下地膜の形成コストが高価
で、また工程も煩雑であるという問題を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来の技術が有する問題点を解決することにあり、より
具体的には、高価な製造設備を必要とせず、簡単なプロ
セスで、パターン化された選択メッキ下地膜を形成する
方法、および該方法により形成された安価なパターン化
された選択メッキ下地膜を提供することにある。さら
に、本発明の他の目的は、該パターン形成された選択メ
ッキ下地膜上のみに選択的にメッキ皮膜が形成された安
価な、線幅および線間隔が微細な金属配線を提供するこ
とにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、選択メッキ下地形成材料として特定の酸化錫
系の化合物を使用することにより、上記課題を解決し得
ることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有する塗布液であ
って、該塗布液中の前記錫（Ｓｎ）の含有量は、塗布液
重量に基づき酸化物（ＳｎＯ₂）換算で１〜５重量％、
前記の紫外線硬化型または崩壊型の感光性樹脂の含有量
は、該塗布液重量に基づき５〜１０重量％である選択メ
ッキ下地膜形成用感光性塗布液を基板上に塗布、乾燥
し、該乾燥膜上にフォトマスクを設置し、紫外線を照射
して露光した後、現像してパターン化し、４００℃以上
の温度で焼成することを特徴とするパターン化された選
択メッキ下地膜の形成方法を提供する。

【０００７】また、本発明は、前記の形成方法により形
成されてなるパターン化された選択メッキ下地膜を提供
する。ここに、前記のパターン化された選択メッキ下地
膜の膜厚は２０〜１００ｎｍであることが好ましい。さ
らに、本発明は、前記のパターン化された選択メッキ下
地膜を形成した基板を触媒化処理浴中に浸漬してメッキ
触媒を付与し、次いで、その後該触媒化処理された選択
メッキ下地膜を形成した基板を無電解メッキ浴中で浸漬
処理して、パターン化されたメッキ下地膜上のみに選択
的にメッキ皮膜を形成したことを特徴とする微細金属配
線付き基板を提供する。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態を挙げ、本発明
を詳細に説明する。なお、この実施の形態は発明の趣旨
をよりよく理解させるためのものであり、特に限定のな
い限り、本発明の内容を制限するものではない。

【０００９】［パターン化された選択メッキ下地膜の形
成方法］このパターン化された選択メッキ下地膜の形成
方法に用いる選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液は、
錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位したキレート錯
体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の感光性樹脂
と、溶剤とを少なくとも含有したものであり、例え
ば、次のようにして作製されたものである。先ず、錫
（Ｓｎ）化合物と、以下に詳述する有機配位子と溶剤と
を混合し、これらを例えば沸点下で１〜５時間還流して
反応させ、前記の錫（Ｓｎ）化合物に前記の有機配位子
が配位したキレート錯体を調製する。次いで、得られた
キレート錯体を含む溶液を冷却した後、この溶液に、以
下に詳述する紫外線硬化型または紫外線崩壊型の感光性
樹脂、および必要に応じて前記の溶剤を添加し、混合す
る。

【００１０】ここに、前記錫（Ｓｎ）化合物は、有機配
位子が配位してキレート錯体を形成し得るものであれ
ば、特に限定されるものではない。錫化合物の中でも、
例えば酢酸錫（II）、ぎ酸錫（II）、蓚酸錫（II）、２
−エチルヘキサン酸錫（II）、テトラメチル錫（IV）、
トリブチル酢酸錫（IV）、テトラｎ−プロポキシ錫（I
V）などは有機配位子との反応性が良く、かつ得られる
キレート錯体の溶解性が良好であるので好ましい。錫化
合物は所望により２種以上を組合せて用いることができ
る。

【００１１】前記の有機配位子としては、β-ジケト
ン、アミノアルコール、多価アルコールが好適に使用で
きる。β-ジケトンの具体例としては、アセチルアセト
ン、アセト酢酸エチル、アセト酢酸メチルなどが挙げら
れ、アミノアルコールの具体例としては、ジエタノール
アミン、２−アミノエタノール、トリエタノールアミン
などが挙げられ、また、多価アルコールの具体例として
はエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチ
レングリコールなどが挙げられる。これらの有機配位子
の中でも、塗布液の安定性および錯体の熱分解性の点か
らアセチルアセトンが特に好ましい。有機配位子も所望
により2種以上を組合せて用いることができる。

【００１２】選択メッキ下地形成用感光性塗布液中の錫
（Ｓｎ）の含有量は、塗布液重量に基づき酸化物（Ｓｎ
Ｏ₂）換算の合量で１〜５重量％であることが重要であ
る。前記含有量が１重量％未満では、得られる選択メッ
キ下地膜の膜厚が薄くなり過ぎ、下地膜のマトリックス
が十分に形成されず均一性が低下する。また、前記の含
有量が５重量％を超え、感光性樹脂との含有量の比が重
量比で１／２を越えると、紫外線による膜の硬化或いは
崩壊などのパターン加工マージンが狭くなり、また、得
られる選択メッキ下地膜の膜が厚くなり過ぎ、クラッ
ク、白化などが発生して、透明な均質な膜が得られな
い。

【００１３】前記の感光性樹脂は、特に限定されること
はなく、一般に用いられている紫外線硬化型のネガ型感
光性樹脂、および紫外線崩壊型のポジ型感光性樹脂など
を使用することができる。紫外線硬化型のネガ型感光性
樹脂の具体例としては、光重合性アクリル系樹脂などが
挙げられ、また、紫外線崩壊型のポジ型感光性樹脂の具
体例としてはノボラック系樹脂などが挙げられる。

【００１４】前記の感光性樹脂の含有量は、塗布液重量
に基づき５〜１０重量％であることが重要であり、好ま
しくは７〜１０重量％である。前記の含有量が５重量％
より少ないと紫外線による膜の硬化或いは崩壊などの露
光感度が不充分で、またパターン加工プロセスマージン
が狭くなる。また、前記の含有量が１０重量％よりも多
いと焼成後の膜が多孔質となりすぎ、特に後の無電解メ
ッキ処理工程での強度、密着性などが不良となる。ま
た、選択メッキ下地形成用感光性塗布液には、感度を向
上させるため適宜重合開始剤、増感剤などを添加するこ
とができる。

【００１５】前記の溶剤としては、前記キレート錯体お
よび前記の感光性樹脂を溶解できるものであれば特に限
定されないが、塗工性を考慮して、１−プロパノール、
２−プロパノール、ベンジルアルコールなどのアルコー
ル類、アセチルアセトン、メチルイソブチルケトン、ジ
イソブチルケトンなどのケトン類、酢酸3-メトキシブチ
ル、酢酸イソブチル、エチレングリコールモノアセター
トなどのエステル類、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコ
ールエーテル類などの中沸点または高沸点有機溶媒を用
いることが好ましい。使用される溶剤の中には、アセチ
ルアセトンのように、錫化合物に配位してキレート錯体
を形成し得るものも含まれる。溶剤は単独でまたは２種
以上を組合せて用いることができる。

【００１６】パターン化された選択メッキ下地膜は、前
記選択メッキ下地形成用感光性塗布液を基板上に塗布、
乾燥した後、露光、現像してパターン化し、焼成するこ
とによって作製される。選択メッキ下地形成用感光性塗
布液を塗布するには、公知の方法が採用でき、例えばス
ピンコート法、ロールコート法、ディップコート法など
が採用できる。塗布液の塗布量は、形成される焼成選択
メッキ下地膜の膜厚が好ましくは２０ｎｍ〜１００ｎ
ｍ、より好ましくは５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように
適宜調整して塗布する。選択メッキ下地膜の膜厚が２０
ｎｍより薄いと膜としてのネットワークが十分形成され
ず、均一な膜が得られない。逆に１００ｎｍよりも厚い
と後の無電解メッキ処理工程での膜強度、密着性などが
不良となる。

【００１７】塗布膜は、乾燥した後、露光、現像してパ
ターン化される。すなわち、塗布膜上に所定のパターン
を有するフォトマスクを設置して紫外線を照射して露光
し、次いで、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイ
ト、ジエタノールアミンなどの有機アルカリ、または炭
酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど
の無機アルカリの水溶液で現像してパターン化する。次
いで、パターン形成膜を４００℃以上の温度で３０分〜
１時間焼成することにより、酸化錫を主成分とする選択
メッキ下地膜が形成される。焼成時の雰囲気は、通常大
気中で行う。上記の方法によれば、パターン化された酸
化錫系の選択メッキ下地膜を、非常に簡易な工程および
低コストで作製することができる。

【００１８】［パターン化された選択メッキ下地膜］こ
のパターン化された選択メッキ下地膜は、前記の形成方
法により形成され、酸化錫を主成分とし、膜厚が好まし
くは２０〜１００ｎｍである。そして、このパターン化
された選択メッキ下地膜は、均一であり、基板との密着
性も良好であり、機械的強度に優れており、しかも、前
記の形成方法はパターン加工性が優れているので得られ
た選択メッキ下地膜は透明性も良好である。また、酸化
錫を主成分としているため、メッキ処理に対しても健丈
であり、化学的安定性にも優れている。このようにして
得られたメッキ下地膜は、焼成プロセスにより感光性樹
脂などの有機成分が分解され、酸化錫が基板上に膜とし
て形成されるため、比較的ポーラスな構造を有してい
る。そして、このポーラスな構造により、無電解メッキ
プロセスによる金属配線形成となる金属被膜のアンカー
効果が発揮され、得られる金属配線の密着性が優れたも
のとなる。

【００１９】［微細金属配線］前記の基板上に形成され
たパターン化された酸化錫を主成分とする選択メッキ下
地膜上に、微細金属配線が形成される。すなわち、前記
選択メッキ下地膜上に、例えば、センシタイジング−ア
クチベーティング法或いはキャタライジング−アクセレ
ーティング法などの公知の方法によりＰｄ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｐｔなどのメッキ触媒を付与し、その後該触媒化処
理された選択メッキ下地膜が形成された基板を無電解メ
ッキ浴中に浸漬し、パターン化されたメッキ下地膜上の
みに選択的にメッキ皮膜を形成することにより、微細金
属配線付き基板が得られる。

【００２０】ここに、センシタイジング−アクチベーテ
ィング法とは、例えば錫（II）イオンを含有する酸性水
溶液中にパターン化された酸化錫を主成分とする選択メ
ッキ下地膜が形成された基板を浸漬し、水洗した後、さ
らに、例えばＰｄイオンを含有する酸性水溶液（メッキ
触媒液）中に浸漬、水洗することにより、無電解メッキ
時の金属皮膜析出の核となるＰｄ触媒を付与する方法で
ある。この際の反応は、下式によって説明されるが、 Sn²⁺ ＋ Pd²⁺ → Sn⁴⁺ ＋ Pd⁰ （1）Ｓｎ（II）イオンは非常に還元性の強いイオンであるた
め、上記パターン化された選択メッキ下地膜を形成する
酸化錫（ＳｎＯ₂）膜表面を還元し、２価のＳｎを生成
し、その後の例えばＰｄ（II）イオンを含有するメッキ
触媒液で浸漬処理する際、パターン化された選択メッキ
下地膜上のみ選択的に上記反応が起こり、Ｐｄ触媒が付
与されると考えられる。

【００２１】また、キャタライジング−アクセレーティ
ング法とは、例えば錫（II）イオンとＰｄイオンを共に
含有する酸性水溶液（メッキ触媒液）中にパターン化さ
れた酸化錫を主成分とする選択メッキ下地膜を形成した
基板を浸漬し、水洗した後、さらに硫酸などの酸性水溶
液中に浸漬、水洗することにより、上記反応式（1）同
様の反応により、選択的な下地膜上のみへのＰｄ触媒の
付与とＰｄ触媒の活性化を行う方法である。

【００２２】無電解メッキの触媒としては、Ｐｄの他
に、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどの貴金属微粒子が挙げられる
が、触媒活性が最も高いなどの理由によりＰｄが最も好
ましい。無電解メッキとしては、例えば、無電解Ｃｕ、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｓｎおよびそれらの合金、Ａｇ、Ａ
ｕおよびそれらの合金などが挙げられるが、中でも電気
伝導性の点でＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｕ、
Ａｕ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金メッキが好ましい。

【００２３】

【実施例】以下、実施例および比較例を掲げ、本発明を
さらに具体的に説明する。

【００２４】実施例１［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］酢酸第
一錫（キシダ化学社製）３９.７ｇと、アセチルアセト
ン（関東化学社製）６０.３ｇとを混合し、混合物を沸
点下で３時間還流して反応させ、アセチルアセトンが酢
酸第一錫に配位したキレート錯体を得た。冷却後、この
酢酸第一錫に有機配位子としてアセチルアセトンが配位
したキレート錯体溶液５０ｇに、ネガ型感光性樹脂（富
士フィルムオーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ００４）８５.９
ｇと、希釈溶剤となるアセチルアセトン（関東化学社
製）２１７.７ｇを添加し、さらに重合開始剤０.９ｇと
増感剤０.６ｇを添加し、室温で１時間良く攪拌混合す
ることで選択メッキ下地形成用感光性塗布液を得た。こ
の塗布液中の感光性樹脂含有量は８重量％、Ｓｎ化合物
含有量はＳｎＯ₂換算で３.２重量％であった。

【００２５】［選択メッキ下地膜の形成］上記の選択メ
ッキ下地形成用感光性塗布液を無アルカリガラス（コー
ニング＃１７３７）基板上にスピンコーターで塗布した
後、オーブン中１２０℃で３分間乾燥を行った。その
後、所定のパターン加工精度評価用のフォトマスク（線
幅：０.５、１、１.５、２、３、４、５、６、７……、
１５μｍ）のフォトマスクを設置して、紫外線露光を行
った。用いた紫外線露光機の露光強度は４.２ｍＷ／ｃ
ｍ²（ｉ線）で、照射した露光量は３５０ｍＪ／ｃｍ²で
あった。次いで２６℃に保持した現像液（富士フィルム
オーリン社製アルカリ現像液：ＣＤ−２０００の３５重
量％水溶液）に３.５分間ディップ現像、水洗を行い、
所定のパターンを得た。この基板を大気中５００℃で１
時間焼成して酸化錫を主成分とするパターン形成された
選択メッキ下地膜付き基板を得た。得られた下地パター
ン膜の解像度を測定したところ、添付図１（写真１）に
示すとおり、ライン線幅Ｌと、ラインとラインとの線間
隔Ｓの比（以下、Ｌ／Ｓと略記）が４／４μｍであっ
た。（注：ここで、「解像度」とは、ライン線幅Ｌと、
ラインとラインとの線間隔Ｓに、いずれも欠損が全くな
く、完全なＬとＳがＬ／Ｓ＝１で観察される最小の長さ
［μｍ］の比を指す。）膜厚は９０ｎｍであった。ま
た、セロテープ（登録商標）によるピール試験の結果、
膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。

【００２６】［微細金属配線の形成］次に選択メッキ下
地膜付ガラス基板を、塩化第一錫（II）を０.５重量
％、および塩酸を０.４重量％含む混合水溶液に２分間
浸漬、水洗しセンシタイジングを行い、その後塩化パラ
ジウムを０.０５重量％、および塩酸を０.４重量％含む
混合水溶液に２分間浸漬、水洗しアクチベーティングを
行いＰｄ触媒を付与した。続いて、奥野製薬工業社製無
電解銅めっき液（ＯＰＣ−７５０）を標準建浴し、該浴
（２５℃）中にＰｄ触媒が付与された選択メッキ下地膜
付き基板を１０分間浸漬し、水洗して、選択メッキ下地
膜上のみに選択的にＣｕ皮膜が析出した、Ｃｕパターン
膜付き基板を得た。Ｃｕパターン膜の解像度を測定した
ところ、図２（写真２）に示すとおり、解像度Ｌ／Ｓ=
４／４μｍであった。析出したＣｕの膜厚は０.２４μ
ｍであり、膜の比抵抗値は３×１０^-6Ω・ｃｍであっ
た。また、セロテープによるピール試験の結果、この膜
は全く剥がれず強固な密着性を示した。

【００２７】実施例２［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］２−エ
チルヘキサン酸錫（和光純薬社製）５１.４ｇと、アセ
チルアセトン（関東化学社製）４８.６ｇとを混合し、
混合物を沸点下で４時間還流して反応させ、アセチルア
セトンが２−エチルヘキサン酸錫に配位したキレート錯
体を得た。冷却後、この２−エチルヘキサン酸錫に有機
配位子としてアセチルアセトンが配位したキレート錯体
溶液５０ｇに、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオーリ
ン社製；ＣＳＰ−Ｓ００４）６９.１ｇと、希釈溶剤と
なるアセチルアセトン（関東化学社製）１６５.３ｇと
を添加し、さらに重合開始剤０.７ｇと増感剤０.５ｇを
添加し、室温で1時間良く攪拌混合して、選択メッキ下
地形成用感光性塗布液を得た。この塗布液中の感光性樹
脂含有量は８重量％、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ₂換算
で３.２重量％であった。

【００２８】［選択メッキ下地膜の形成］次いで実施例
1に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行った。
得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４μｍ
であり、膜厚は８０ｎｍであった。また、セロテープに
よるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な密着性
を示した。

【００２９】［微細金属配線の形成］次に選択メッキ下
地膜付ガラス基板を、塩化第一錫（II）を０.５重量
％、塩化パラジウムを０.２重量％および塩酸を３.５重
量％含む混合水溶液に２分間浸漬、水洗しキャタライジ
ングを行い、その後および硫酸５重量％の混合水溶液に
２分間浸漬、水洗しアクセレーティングを行いＰｄ触媒
を付与した。続いて、奥野製薬工業社製無電解ニッケル
めっき液（ＩＣＰニコロンＧＭ）を標準建浴し、該浴
（８０℃）中に前記のＰｄ触媒が付与された選択メッキ
下地膜付き基板を５分間浸漬し、水洗して、選択メッキ
下地膜上のみに選択的にＮｉ皮膜が析出した、解像度Ｌ
／Ｓ＝４／４μｍのＮｉパターン膜付き基板を得た。析
出したＮｉの膜厚は０.２μｍであり、膜の比抵抗値は
１３×１０^-6Ω・ｃｍであった。また、セロテープによ
るピール試験の結果、この膜は全く剥がれず強固な密着
性を示した。

【００３０】実施例３［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］感光性
樹脂としてポジ型感光性樹脂ＡＺ−ＲＦＰ２１０Ｋ（ク
ラリアント社製）を９１.８ｇ、希釈溶剤としてアセチ
ルアセトン（関東化学社製）を２１１.５ｇとした他
は、実施例１に準じて選択メッキ下地膜形成用感光性塗
布液を調製した。この塗布液中の感光性樹脂含有量は８
重量％、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ₂換算で３.２重量％
であった。

【００３１】［選択メッキ下地膜の形成］次いで、実施
例１に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は５０ｎｍであった。また、セロテー
プによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な密
着性を示した。

【００３２】［微細金属配線の形成］次いで、実施例1
に準じて微細金属配線付き基板を得た。メッキ下地膜上
のみに選択的にＣｕ皮膜が析出し、解像度Ｌ／Ｓ＝４／
４μｍのＣｕパターン膜が得られた。析出したＣｕの膜
厚は０.２μｍであり、膜の比抵抗値は３×１０^-6Ω・ｃ
ｍであった。また、セロテープによるピール試験の結
果、この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。

【００３３】実施例４［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］酸錫第
一錫（和光純薬社製）５１.４ｇと、エチレングリコー
ル（関東化学社製）４８.６ｇとを混合し、混合物を沸
点下で３時間還流して反応させ、エチレングリコールが
酢酸第一錫に配位したキレート錯体を得た。冷却後、こ
のエチレングリコールが酢酸第一錫に配位したキレート
錯体溶液５０ｇに、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオ
ーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ００４）１１１.５ｇと、希釈
溶剤となるアセチルアセトン（関東化学社製）３２７.
７ｇとを添加し、さらに重合開始剤１.１ｇと増感剤０.
７ｇを添加し、室温で１時間良く攪拌混合して選択メッ
キ下地形成用感光性塗布液を得た。この塗布液中の感光
性樹脂含有量は７.５重量％、Ｓｎ化合物含有量はＳｎ
Ｏ₂換算で３.０重量％であった。

【００３４】［選択メッキ下地膜の形成］次いで、実施
例１に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は８０ｎｍであった。また、セロテー
プによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な密
着性を示した。

【００３５】［微細金属配線の形成］次いで、実施例１
に準じて微細金属配線付き基板を得た。選択メッキ下地
膜上のみに選択的にＣｕ皮膜が析出し、解像度Ｌ／Ｓ＝
４／４μｍのＣｕパターン膜が得られた。析出したＣｕ
の膜厚は０.２μｍであり、膜の比抵抗値は３×１０^- ⁶
Ω・ｃｍであった。また、セロテープによるピール試験
の結果、この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。

【００３６】比較例１ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；ＣＳＰ
−Ｓ００４）を３５６.８ｇ、希釈溶剤であるアセチル
アセトンを４５.９ｇとした他は、実施例１に準じて、
選択メッキ下地形成用感光性塗布液を得た。この塗布液
中の感光性樹脂含有量は２５重量％、Ｓｎ化合物含有量
はＳｎＯ₂換算で２.５重量％であった。次いで、実施例
１に準じて、選択メッキ下地パターン膜を形成した。得
られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４μｍで
あり、膜厚は１２０ｎｍであった。しかしながら、セロ
テープによるピール試験の結果、膜の緻密性が悪く、全
て剥離した。引き続き、実施例１に準じて、Ｃｕメッキ
皮膜付き基板の形成を試みたが、選択メッキ下地膜の強
度が弱いため、メッキ中に選択メッキ下地膜が剥離し、
Ｃｕパターン膜は得られなかった。

【００３７】比較例２ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；ＣＳＰ
−Ｓ００４）を６.３ｇ、希釈溶剤であるアセチルアセ
トンを３２１.９ｇとした他は、実施例１に準じて、選
択メッキ下地形成用感光性塗布液を得た。この塗布液中
の感光性樹脂含有量は０.６重量％、Ｓｎ化合物含有量
はＳｎＯ₂換算で３.０重量％であった。次いで、実施例
１に準じて、選択メッキ下地パターン膜の形成を試みた
が、光硬化性が悪く、良好な選択メッキ下地パターン膜
は得られなかった。

【００３８】

【発明の効果】本発明の選択メッキ下地膜の形成方法に
よれば、錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位したキレ
ート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の感光性
樹脂と、溶剤とを少なくとも含有する塗布液であって、
該塗布液中の前記錫（Ｓｎ）の含有量は、塗布液重量に
基づき酸化物（ＳｎＯ₂）換算で１〜５重量％、前記の
紫外線硬化型または崩壊型の感光性樹脂の含有量は、該
塗布液重量に基づき５〜１０重量％である選択メッキ下
地膜形成用感光性塗布液を基板上に塗布、乾燥し、該乾
燥膜上にフォトマスクを設置し、紫外線を照射して露光
した後、現像してパターン化し、４００℃以上の温度で
焼成することとしたので、繊細にパターン化された選択
メッキ下地膜を、高価な製造設備を必要とせず、簡単な
プロセスで形成することができる。

【００３９】また、本発明の選択メッキ下地膜は、前記
の形成方法により得られたものであるので、基板との密
着性に優れ、メッキ処理に対しても健丈で、機械的およ
び化学的安定性にも優れている。さらに、本発明の微細
金属配線付き基板は、前記のパターン化された選択メッ
キ下地膜を形成した基板を触媒化処理浴中に浸漬してメ
ッキ触媒を付与し、その後該触媒化処理された選択メッ
キ下地膜を形成した基板を無電解メッキ浴中に浸漬し
て、パターン化されたメッキ下地膜上のみに選択的にメ
ッキ皮膜を形成してなるので、従来のような大掛りで高
価なドライ成膜装置を必要とせず、フォトエッチング工
程を含有しない、簡易な方法で、安価、かつ、ライン線
幅およびラインとラインの線間隔が微細な金属配線が形
成された基板が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例２で得られた選択メッキ下地膜のパタ
ーン膜の解像度を示す写真である。

【図２】実施例２で得られたＣｕパターン膜の解像度
を示す写真である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石川真章千葉県船橋市豊富町585番地住友大阪セメント株式会社新規技術研究所内 (72)発明者和泉良弘大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者近間義雅大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AB17 AC01 AD01 AD03 BJ10 CC03 CC09 CC20 FA29 FA43 2H096 AA27 BA01 BA09 HA01 HA27 4K022 AA02 AA03 AA41 CA05 CA18 CA22 CA23 CA26 DA01 4M104 AA10 BB04 BB05 BB08 BB09 CC01 DD28 DD47 DD53 GG20 HH08 HH14 5F033 GG04 HH11 HH12 HH13 HH14 PP28 QQ01 RR27 SS22 VV15 WW02 WW03 WW04 XX13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有する塗布液であ
って、該塗布液中の前記錫（Ｓｎ）の含有量は、塗布液
重量に基づき酸化物（ＳｎＯ₂）換算で１〜５重量％で
あり、前記の紫外線硬化型または崩壊型の感光性樹脂の
含有量は、該塗布液重量に基づき５〜１０重量％である
選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液を基板上に塗布、
乾燥し、該乾燥膜上にフォトマスクを設置し、紫外線を
照射して露光した後、現像してパターン化し、４００℃
以上の温度で焼成することを特徴とするパターン化され
た選択メッキ下地膜の形成方法。
【請求項２】請求項１記載の形成方法により形成され
てなることを特徴とするパターン化された選択メッキ下
地膜。
【請求項３】膜厚が２０〜１００ｎｍであることを特
徴とする請求項２記載のパターン化された選択メッキ下
地膜。
【請求項４】請求項２記載のパターン化された選択メ
ッキ下地膜を形成した基板を触媒化処理浴中に浸漬して
メッキ触媒を付与し、次いで該触媒化処理された選択メ
ッキ下地膜を形成した基板を無電解メッキ浴中で浸漬処
理して、パターン化されたメッキ下地膜上のみに選択的
にメッキ皮膜を形成したことを特徴とする微細金属配線
付き基板。