JP2002129345A - 選択メッキ下地形成用感光性塗布液 - Google Patents
選択メッキ下地形成用感光性塗布液Info
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- JP2002129345A JP2002129345A JP2000319575A JP2000319575A JP2002129345A JP 2002129345 A JP2002129345 A JP 2002129345A JP 2000319575 A JP2000319575 A JP 2000319575A JP 2000319575 A JP2000319575 A JP 2000319575A JP 2002129345 A JP2002129345 A JP 2002129345A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定性に優れた感光性塗布液であって、非常
に繊細なパターン化された、機械的および化学的安定性
に優れた酸化錫系選択メッキ下地膜を形成することがで
きる感光性塗布液を提供する。 【解決手段】 錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを特徴
とする選択メッキ下地形成用感光性塗布液。この塗布液
を基板上に塗布、乾燥し、該乾燥膜を露光、現像してパ
ターン化し、焼成することにより、繊細にパターン化さ
れた酸化錫系選択メッキ下地膜が形成される。
に繊細なパターン化された、機械的および化学的安定性
に優れた酸化錫系選択メッキ下地膜を形成することがで
きる感光性塗布液を提供する。 【解決手段】 錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを特徴
とする選択メッキ下地形成用感光性塗布液。この塗布液
を基板上に塗布、乾燥し、該乾燥膜を露光、現像してパ
ターン化し、焼成することにより、繊細にパターン化さ
れた酸化錫系選択メッキ下地膜が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にパターン
化されたメッキ下地膜を形成可能な選択メッキ下地形成
用感光性塗布液に関する。
化されたメッキ下地膜を形成可能な選択メッキ下地形成
用感光性塗布液に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＦＴ−ＬＣＤのＴＦＴアレイに
用いられるゲート電極などの金属配線は、真空蒸着法、
スパッタリング法などにより基板全面にＡｌ、Ｍｏ、Ｔ
ａなどの合金の皮膜を形成後、フォトレジストによりレ
ジストネガパターンを形成し、さらにエッチングする方
法により形成されている。しかしながら、この形成方法
は、真空蒸着装置、スパッタリング装置など高価で複雑
な成膜装置を用いるためコストと量産性に問題があり、
さらにフォトエッチング法は工程が煩雑で、エッチング
廃液の処理、材料利用率の低さに問題がある。
用いられるゲート電極などの金属配線は、真空蒸着法、
スパッタリング法などにより基板全面にＡｌ、Ｍｏ、Ｔ
ａなどの合金の皮膜を形成後、フォトレジストによりレ
ジストネガパターンを形成し、さらにエッチングする方
法により形成されている。しかしながら、この形成方法
は、真空蒸着装置、スパッタリング装置など高価で複雑
な成膜装置を用いるためコストと量産性に問題があり、
さらにフォトエッチング法は工程が煩雑で、エッチング
廃液の処理、材料利用率の低さに問題がある。
【０００３】一方、上記のような真空、ドライプロセス
を用いない方法として、めっき法を用いた方法がある。
これは、基板上にＰｄのような貴金属のめっき触媒を付
与、担持し、例えばＣｕやＮｉの無電解めっき浴に浸漬
することにより、必要によってはその膜上に電解めっき
法により金属薄膜を形成し、その後上記と同様にフォト
エッチングする方法である。しかし、この方法は、高価
な真空成膜装置は必要としないものの、フォトエッチン
グ工程を含むことにより工程が煩雑になり、またエッチ
ング廃液の処理、材料利用率の低さという問題が残る。
を用いない方法として、めっき法を用いた方法がある。
これは、基板上にＰｄのような貴金属のめっき触媒を付
与、担持し、例えばＣｕやＮｉの無電解めっき浴に浸漬
することにより、必要によってはその膜上に電解めっき
法により金属薄膜を形成し、その後上記と同様にフォト
エッチングする方法である。しかし、この方法は、高価
な真空成膜装置は必要としないものの、フォトエッチン
グ工程を含むことにより工程が煩雑になり、またエッチ
ング廃液の処理、材料利用率の低さという問題が残る。
【０００４】最近、上記に示した材料利用率の低さを改
善するため選択的な金属層の成膜法が提案、検討されて
いる。例えば、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）のフ
ァインライン膜上での選択的無電解めっきにより金属配
線を形成する方法が知られている。この方法によれば、
無電解めっきの前処理として行う触媒付与工程におい
て、Ｐｄなどの貴金属触媒が選択的にＩＴＯ膜上に吸着
することを利用したもので、その後無電解めっき処理を
行うとＩＴＯ膜上のみに金属皮膜が形成されるというも
のである。すなわち、ＩＴＯ膜が選択メッキの下地膜と
して作用するというもので、この選択性はＩＴＯ中のＳ
ｎに起因すると考えられている。しかしながら、この方
法にあっても、ＩＴＯの下地膜の形成はスパッタ法など
により形成しフォトエッチング法によりファインパター
ン化されているため、この下地膜の形成コストが高価
で、また工程も煩雑であるという問題を有している。
善するため選択的な金属層の成膜法が提案、検討されて
いる。例えば、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）のフ
ァインライン膜上での選択的無電解めっきにより金属配
線を形成する方法が知られている。この方法によれば、
無電解めっきの前処理として行う触媒付与工程におい
て、Ｐｄなどの貴金属触媒が選択的にＩＴＯ膜上に吸着
することを利用したもので、その後無電解めっき処理を
行うとＩＴＯ膜上のみに金属皮膜が形成されるというも
のである。すなわち、ＩＴＯ膜が選択メッキの下地膜と
して作用するというもので、この選択性はＩＴＯ中のＳ
ｎに起因すると考えられている。しかしながら、この方
法にあっても、ＩＴＯの下地膜の形成はスパッタ法など
により形成しフォトエッチング法によりファインパター
ン化されているため、この下地膜の形成コストが高価
で、また工程も煩雑であるという問題を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来の技術が有する問題点を解決することにあり、より
具体的には、安価で安定性に優れた、パターン化された
選択メッキ下地膜を形成し、このパターン化された選択
メッキ下地膜上に、線幅および線間隔が微細な金属配線
を形成することができる、選択メッキ下地形成用感光性
塗布液を提供することにある。
従来の技術が有する問題点を解決することにあり、より
具体的には、安価で安定性に優れた、パターン化された
選択メッキ下地膜を形成し、このパターン化された選択
メッキ下地膜上に、線幅および線間隔が微細な金属配線
を形成することができる、選択メッキ下地形成用感光性
塗布液を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、選択メッキ下地形成材料として特定の酸化錫
系の化合物を使用することにより、上記課題を解決し得
ることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを特徴
とする選択メッキ下地形成用感光性塗布液を提供する。
した結果、選択メッキ下地形成材料として特定の酸化錫
系の化合物を使用することにより、上記課題を解決し得
ることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを特徴
とする選択メッキ下地形成用感光性塗布液を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態を挙げ、本発明
を詳細に説明する。なお、この実施の形態は発明の趣旨
をよりよく理解させるためのものであり、特に限定のな
い限り、本発明の内容を制限するものではない。
を詳細に説明する。なお、この実施の形態は発明の趣旨
をよりよく理解させるためのものであり、特に限定のな
い限り、本発明の内容を制限するものではない。
【０００８】［選択メッキ下地形成用感光性塗布液］本
発明の選択メッキ下地形成用感光性塗布液は、錫（Ｓ
ｎ）化合物に有機配位子が配位したキレート錯体と、
紫外線硬化型または紫外線崩壊型の感光性樹脂と、溶
剤とを少なくとも含有している。ここに、前記錫（Ｓ
ｎ）化合物は、有機配位子が配位してキレート錯体を形
成し得るものであれば、特に限定されるものではない。
錫化合物の中でも、例えば酢酸錫（II）、ぎ酸錫（I
I）、蓚酸錫（II）、２−エチルヘキサン酸錫（II）、
テトラメチル錫（IV）、トリブチル酢酸錫（IV）、テト
ラｎ−プロポキシ錫（IV）などは、有機配位子との反応
性が良く、かつ得られるキレート錯体の溶解性が良好で
あるので好ましい。錫化合物は所望により２種以上を組
合せ用いることができる。
発明の選択メッキ下地形成用感光性塗布液は、錫（Ｓ
ｎ）化合物に有機配位子が配位したキレート錯体と、
紫外線硬化型または紫外線崩壊型の感光性樹脂と、溶
剤とを少なくとも含有している。ここに、前記錫（Ｓ
ｎ）化合物は、有機配位子が配位してキレート錯体を形
成し得るものであれば、特に限定されるものではない。
錫化合物の中でも、例えば酢酸錫（II）、ぎ酸錫（I
I）、蓚酸錫（II）、２−エチルヘキサン酸錫（II）、
テトラメチル錫（IV）、トリブチル酢酸錫（IV）、テト
ラｎ−プロポキシ錫（IV）などは、有機配位子との反応
性が良く、かつ得られるキレート錯体の溶解性が良好で
あるので好ましい。錫化合物は所望により２種以上を組
合せ用いることができる。
【０００９】前記の有機配位子としては、β-ジケト
ン、アミノアルコール、多価アルコールが好適に使用で
きる。β-ジケトンの具体例としては、アセチルアセト
ン、アセト酢酸エチル、アセト酢酸メチルなどが挙げら
れ、アミノアルコールの具体例としては、ジエタノール
アミン、２−アミノエタノール、トリエタノールアミン
などが挙げられ、また、多価アルコールの具体例として
はエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチ
レングリコールなどが挙げられる。これらの有機配位子
の中でも、塗布液の安定性および錯体の熱分解性の点か
らアセチルアセトンが特に好ましい。有機配位子も所望
により２種以上を組合せて用いることができる。
ン、アミノアルコール、多価アルコールが好適に使用で
きる。β-ジケトンの具体例としては、アセチルアセト
ン、アセト酢酸エチル、アセト酢酸メチルなどが挙げら
れ、アミノアルコールの具体例としては、ジエタノール
アミン、２−アミノエタノール、トリエタノールアミン
などが挙げられ、また、多価アルコールの具体例として
はエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチ
レングリコールなどが挙げられる。これらの有機配位子
の中でも、塗布液の安定性および錯体の熱分解性の点か
らアセチルアセトンが特に好ましい。有機配位子も所望
により２種以上を組合せて用いることができる。
【００１０】選択メッキ下地形成用感光性塗布液中の錫
（Ｓｎ）化合物の含有量は、好ましくは、塗布液重量に
基づき酸化物（ＳｎＯ2）換算の合量で１〜２０重量
％、より好ましくは１〜５重量％である。１重量％未満
では得られる選択メッキ下地膜の膜厚が薄くなり過ぎ、
下地膜のマトリックスが十分に形成されず均一性が低下
する虞がある。また、２０重量％を超えると塗布液中で
の溶解性が悪くなり、成膜時に均一な膜を得ることが困
難となり、また、得られる選択メッキ下地膜の膜が厚く
なり過ぎ、クラック、白化などが発生して均質な膜が得
られない。
（Ｓｎ）化合物の含有量は、好ましくは、塗布液重量に
基づき酸化物（ＳｎＯ2）換算の合量で１〜２０重量
％、より好ましくは１〜５重量％である。１重量％未満
では得られる選択メッキ下地膜の膜厚が薄くなり過ぎ、
下地膜のマトリックスが十分に形成されず均一性が低下
する虞がある。また、２０重量％を超えると塗布液中で
の溶解性が悪くなり、成膜時に均一な膜を得ることが困
難となり、また、得られる選択メッキ下地膜の膜が厚く
なり過ぎ、クラック、白化などが発生して均質な膜が得
られない。
【００１１】前記の感光性樹脂は、特に限定されること
はなく、一般に用いられている紫外線硬化型のネガ型感
光性樹脂および紫外線崩壊型のポジ型感光性樹脂などを
使用することができる。紫外線硬化型のネガ型感光性樹
脂の具体例としては、光重合性アクリル系樹脂などが挙
げられ、また、紫外線崩壊型のポジ型感光性樹脂の具体
例としてはノボラック系樹脂などが挙げられる。
はなく、一般に用いられている紫外線硬化型のネガ型感
光性樹脂および紫外線崩壊型のポジ型感光性樹脂などを
使用することができる。紫外線硬化型のネガ型感光性樹
脂の具体例としては、光重合性アクリル系樹脂などが挙
げられ、また、紫外線崩壊型のポジ型感光性樹脂の具体
例としてはノボラック系樹脂などが挙げられる。
【００１２】前記の感光性樹脂の含有量は、特に制限さ
れるものではないが、塗布液重量に基づき通常１〜２０
重量％、好ましくは５〜１５重量％、より好ましくは５
〜１０重量％である。含有量が１重量％より少ないと紫
外線による膜の硬化または崩壊が十分行われず良好なパ
ターンが得られない虞がある。また、２０重量％よりも
多いと焼成後の膜が多孔質となり緻密な膜が得られず強
度、密着性などが不良となる虞がある。また、選択メッ
キ下地形成用感光性塗布液には、感度を向上させるため
適宜重合開始剤、増感剤などを添加することができる。
れるものではないが、塗布液重量に基づき通常１〜２０
重量％、好ましくは５〜１５重量％、より好ましくは５
〜１０重量％である。含有量が１重量％より少ないと紫
外線による膜の硬化または崩壊が十分行われず良好なパ
ターンが得られない虞がある。また、２０重量％よりも
多いと焼成後の膜が多孔質となり緻密な膜が得られず強
度、密着性などが不良となる虞がある。また、選択メッ
キ下地形成用感光性塗布液には、感度を向上させるため
適宜重合開始剤、増感剤などを添加することができる。
【００１３】前記の溶剤としては、前記キレート錯体お
よび前記の感光性樹脂を溶解できるものであれば特に限
定されないが、塗工性を考慮して、１−プロパノール、
２−プロパノール、ベンジルアルコールなどのアルコー
ル類、アセチルアセトン、メチルイソブチルケトン、ジ
イソブチルケトンなどのケトン類、酢酸３−メトキシブ
チル、酢酸イソブチル、エチレングリコールモノアセタ
ートなどのエステル類、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルなどのグ
リコールエーテル類などの中沸点または高沸点有機溶媒
を用いることが好ましい。使用される溶剤の中には、ア
セチルアセトンのように、錫化合物に配位してキレート
錯体を形成し得るものも含まれる。溶剤は単独でまたは
２種以上を組合せて用いることができる。
よび前記の感光性樹脂を溶解できるものであれば特に限
定されないが、塗工性を考慮して、１−プロパノール、
２−プロパノール、ベンジルアルコールなどのアルコー
ル類、アセチルアセトン、メチルイソブチルケトン、ジ
イソブチルケトンなどのケトン類、酢酸３−メトキシブ
チル、酢酸イソブチル、エチレングリコールモノアセタ
ートなどのエステル類、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルなどのグ
リコールエーテル類などの中沸点または高沸点有機溶媒
を用いることが好ましい。使用される溶剤の中には、ア
セチルアセトンのように、錫化合物に配位してキレート
錯体を形成し得るものも含まれる。溶剤は単独でまたは
２種以上を組合せて用いることができる。
【００１４】選択メッキ下地形成用感光性塗布液は、例
えば、次のようにして作製することができる。先ず、錫
（Ｓｎ）化合物と、前記の有機配位子と前記の溶剤とを
混合し、これらを例えば沸点下で１〜５時間還流して反
応させ、前記の錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体を調製する。有機配位子の添加量は、錫
（Ｓｎ）原子１モルに対して０.２〜６モルが好まし
く、さらに前記の有機配位子が前記の溶剤を兼ねる場合
は、有機配位子の添加量は大過剰であってよい。有機配
位子の添加量が０.２モルより少ないと完全なキレート
錯体が合成できず、未反応物が残留する。また、合成は
溶液の沸点下で行うのが好ましく、常温で合成するとキ
レート化が不十分となる。
えば、次のようにして作製することができる。先ず、錫
（Ｓｎ）化合物と、前記の有機配位子と前記の溶剤とを
混合し、これらを例えば沸点下で１〜５時間還流して反
応させ、前記の錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体を調製する。有機配位子の添加量は、錫
（Ｓｎ）原子１モルに対して０.２〜６モルが好まし
く、さらに前記の有機配位子が前記の溶剤を兼ねる場合
は、有機配位子の添加量は大過剰であってよい。有機配
位子の添加量が０.２モルより少ないと完全なキレート
錯体が合成できず、未反応物が残留する。また、合成は
溶液の沸点下で行うのが好ましく、常温で合成するとキ
レート化が不十分となる。
【００１５】次いで、得られたキレート錯体を含む溶液
を冷却した後、この溶液を前記の感光性樹脂、および必
要に応じて前記の溶剤を添加、混合して選択メッキ下地
膜形成用感光性塗布液を得る。このようにして得られた
選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液は安定性に優れ、
９０日間放置しても分離、沈降することはない。また、
前記のキレート錯体の化学構造は必ずしも明確ではない
が、錫（Ｓｎ）化合物として酢酸錫（II）を、有機配位
子としてアセチルアセトン（ＡＣＡＣと略記）を用いた
場合は下記式（１）で表わされる化学構造を有するもの
と推定される。 Sn（CH3COO）x（ACAC）2-x （1） ただし、０.２ ≦ ｘ ≦ ２.０である。
を冷却した後、この溶液を前記の感光性樹脂、および必
要に応じて前記の溶剤を添加、混合して選択メッキ下地
膜形成用感光性塗布液を得る。このようにして得られた
選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液は安定性に優れ、
９０日間放置しても分離、沈降することはない。また、
前記のキレート錯体の化学構造は必ずしも明確ではない
が、錫（Ｓｎ）化合物として酢酸錫（II）を、有機配位
子としてアセチルアセトン（ＡＣＡＣと略記）を用いた
場合は下記式（１）で表わされる化学構造を有するもの
と推定される。 Sn（CH3COO）x（ACAC）2-x （1） ただし、０.２ ≦ ｘ ≦ ２.０である。
【００１６】［パターン化された選択メッキ下地膜、お
よび微細金属配線の作製］前記の選択メッキ下地膜形成
用感光性塗布液を用いて、パターン化された選択メッキ
下地膜を形成する方法としては、例えば、前記選択メッ
キ下地形成用感光性塗布液を基板上に塗布、乾燥した
後、露光、現像してパターン化し、焼成する方法を例示
することができる。ここに、選択メッキ下地形成用感光
性塗布液を基板に塗布するには、公知の方法が採用で
き、例えばスピンコート法、ロールコート法、ディップ
コート法などが採用できる。塗布液の塗布量は、形成さ
れる焼成選択メッキ下地膜の膜厚が２０ｎｍ〜５００ｎ
ｍ、好ましくは４０ｎｍ〜３００ｎｍとなるように適宜
調整して塗布する。選択メッキ下地膜の膜厚がこれより
薄いと膜としてのネットワークが十分形成されず、均一
な膜が得られない。逆に厚いと膜にクラックが発生し易
くなり緻密な膜が形成できなくなる。
よび微細金属配線の作製］前記の選択メッキ下地膜形成
用感光性塗布液を用いて、パターン化された選択メッキ
下地膜を形成する方法としては、例えば、前記選択メッ
キ下地形成用感光性塗布液を基板上に塗布、乾燥した
後、露光、現像してパターン化し、焼成する方法を例示
することができる。ここに、選択メッキ下地形成用感光
性塗布液を基板に塗布するには、公知の方法が採用で
き、例えばスピンコート法、ロールコート法、ディップ
コート法などが採用できる。塗布液の塗布量は、形成さ
れる焼成選択メッキ下地膜の膜厚が２０ｎｍ〜５００ｎ
ｍ、好ましくは４０ｎｍ〜３００ｎｍとなるように適宜
調整して塗布する。選択メッキ下地膜の膜厚がこれより
薄いと膜としてのネットワークが十分形成されず、均一
な膜が得られない。逆に厚いと膜にクラックが発生し易
くなり緻密な膜が形成できなくなる。
【００１７】次いで、塗布膜は、乾燥した後、露光、現
像してパターン化される。すなわち、塗布膜上に所定の
パターンを有するフォトマスクを設置して紫外線を照射
して露光し、次いで、テトラメチルアンモニウムハイド
ロキサイト、ジエタノールアミンなどの有機アルカリ、
または炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムなどの無機アルカリの水溶液で現像してパターン化
する。次いで、パターン形成膜を４００℃以上の温度で
３０分〜１時間焼成することにより、選択メッキ下地膜
が形成される。焼成時の雰囲気は、通常大気中で行う。
上記の方法によれば、透明性および塗膜の機械的強度、
化学的安定性に優れ、しかもパターン加工性に優れたパ
ターン化された酸化錫系の選択メッキ下地膜付き基板
を、非常に簡易な工程および低コストで作製することが
できる。
像してパターン化される。すなわち、塗布膜上に所定の
パターンを有するフォトマスクを設置して紫外線を照射
して露光し、次いで、テトラメチルアンモニウムハイド
ロキサイト、ジエタノールアミンなどの有機アルカリ、
または炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムなどの無機アルカリの水溶液で現像してパターン化
する。次いで、パターン形成膜を４００℃以上の温度で
３０分〜１時間焼成することにより、選択メッキ下地膜
が形成される。焼成時の雰囲気は、通常大気中で行う。
上記の方法によれば、透明性および塗膜の機械的強度、
化学的安定性に優れ、しかもパターン加工性に優れたパ
ターン化された酸化錫系の選択メッキ下地膜付き基板
を、非常に簡易な工程および低コストで作製することが
できる。
【００１８】次いで、前記の基板上に形成されたパター
ン化された選択メッキ下地膜に選択的にメッキ皮膜を形
成する。すなわち、例えば、センシタイジング−アクチ
ベーティング法またはキャタライジング−アクセレーテ
ィング法などの公知の方法によりＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔなどのメッキ触媒を付与し、その後該触媒化処理され
た選択メッキ下地膜が形成された基板を無電解メッキ浴
中に浸漬し、パターン化されたメッキ下地膜上のみに選
択的にメッキ皮膜を形成する。このようにして形成され
た金属配線は、ラインの線幅、およびラインとラインと
の線間隔が微細であって、解像度に優れている。
ン化された選択メッキ下地膜に選択的にメッキ皮膜を形
成する。すなわち、例えば、センシタイジング−アクチ
ベーティング法またはキャタライジング−アクセレーテ
ィング法などの公知の方法によりＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔなどのメッキ触媒を付与し、その後該触媒化処理され
た選択メッキ下地膜が形成された基板を無電解メッキ浴
中に浸漬し、パターン化されたメッキ下地膜上のみに選
択的にメッキ皮膜を形成する。このようにして形成され
た金属配線は、ラインの線幅、およびラインとラインと
の線間隔が微細であって、解像度に優れている。
【００１９】
【実施例】以下、実施例を掲げ、本発明をさらに具体的
に説明する。実施例１ ［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］酢酸第
一錫（キシダ化学社製）３９.７ｇと、アセチルアセト
ン（関東化学社製）６０.３ｇとを混合し、混合物を沸
点下で３時間還流して反応させ、アセチルアセトンが酢
酸第一錫に配位したキレート錯体溶液を得た。次に、得
られたキレート錯体溶液を室温まで冷却後、５０ｇ分取
し、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；Ｃ
ＳＰ−Ｓ００４）５４.２ｇと、希釈溶剤となるアセチ
ルアセトン（関東化学社製）３７.７ｇとを添加し、室
温で１時間良く攪拌混合して、選択メッキ下地形成用感
光性塗布液を得た。この塗布液中の感光性樹脂含有量は
１２.０重量％、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換算で８.
０重量％であった。なお、このようにして得られた選択
メッキ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放置して
も、分離、沈降は生じなかった。
に説明する。実施例１ ［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］酢酸第
一錫（キシダ化学社製）３９.７ｇと、アセチルアセト
ン（関東化学社製）６０.３ｇとを混合し、混合物を沸
点下で３時間還流して反応させ、アセチルアセトンが酢
酸第一錫に配位したキレート錯体溶液を得た。次に、得
られたキレート錯体溶液を室温まで冷却後、５０ｇ分取
し、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；Ｃ
ＳＰ−Ｓ００４）５４.２ｇと、希釈溶剤となるアセチ
ルアセトン（関東化学社製）３７.７ｇとを添加し、室
温で１時間良く攪拌混合して、選択メッキ下地形成用感
光性塗布液を得た。この塗布液中の感光性樹脂含有量は
１２.０重量％、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換算で８.
０重量％であった。なお、このようにして得られた選択
メッキ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放置して
も、分離、沈降は生じなかった。
【００２０】［選択メッキ下地膜の形成］上記の選択メ
ッキ下地膜形成用感光性塗布液を無アルカリガラス（コ
ーニング＃１７３７）基板上にスピンコーターで塗布し
た後、オーブン中１２０℃で３分間乾燥を行った。その
後、所定のパターン加工精度評価用のフォトマスク（線
幅：０.５、１、１.５、２、３、４、５、６、７、……
１５μｍ）を設置して、紫外線露光を行った。用いた紫
外線露光機の露光強度は４.２ｍＷ／ｃｍ2（ｉ線）で、
照射した露光量は５００ｍＪ／ｃｍ2であった。次いで
２６℃に保持した現像液（富士フィルムオーリン社製ア
ルカリ現像液：ＣＤ２０００の５０％水溶液）に４分間
ディップ現像、水洗を行い、所定のパターンを得た。こ
の基板を大気中５００℃で１時間焼成して酸化錫を主成
分とするパターン形成された選択メッキ下地膜を得た。
得られた下地パターン膜の解像度を測定したところ、ラ
イン線幅Ｌと、ラインとラインとの線間隔Ｓの比（以
下、Ｌ／Ｓと略記）が５／５μｍであり、膜厚は３００
ｎｍであった。（注：ここで、「解像度」とは、ライン
線幅Ｌと、ラインとラインとの線間隔Ｓに、いずれも欠
損が全くなく、完全なＬとＳがＬ／Ｓ＝１で観察される
最小の長さ［μｍ］の比を指す。）また、セロテープ
（登録商標）によるピール試験の結果、膜は全く剥がれ
ず強固な密着性を示した。
ッキ下地膜形成用感光性塗布液を無アルカリガラス（コ
ーニング＃１７３７）基板上にスピンコーターで塗布し
た後、オーブン中１２０℃で３分間乾燥を行った。その
後、所定のパターン加工精度評価用のフォトマスク（線
幅：０.５、１、１.５、２、３、４、５、６、７、……
１５μｍ）を設置して、紫外線露光を行った。用いた紫
外線露光機の露光強度は４.２ｍＷ／ｃｍ2（ｉ線）で、
照射した露光量は５００ｍＪ／ｃｍ2であった。次いで
２６℃に保持した現像液（富士フィルムオーリン社製ア
ルカリ現像液：ＣＤ２０００の５０％水溶液）に４分間
ディップ現像、水洗を行い、所定のパターンを得た。こ
の基板を大気中５００℃で１時間焼成して酸化錫を主成
分とするパターン形成された選択メッキ下地膜を得た。
得られた下地パターン膜の解像度を測定したところ、ラ
イン線幅Ｌと、ラインとラインとの線間隔Ｓの比（以
下、Ｌ／Ｓと略記）が５／５μｍであり、膜厚は３００
ｎｍであった。（注：ここで、「解像度」とは、ライン
線幅Ｌと、ラインとラインとの線間隔Ｓに、いずれも欠
損が全くなく、完全なＬとＳがＬ／Ｓ＝１で観察される
最小の長さ［μｍ］の比を指す。）また、セロテープ
（登録商標）によるピール試験の結果、膜は全く剥がれ
ず強固な密着性を示した。
【００２１】［微細金属配線の形成」次に選択メッキ下
地膜付ガラス基板を、塩化第一錫（II）０.５重量％お
よび塩酸０.４重量％の混合水溶液に２分間浸漬、水洗
しセンシタイジングを行い、その後塩化パラジウムの
０.０５重量％および塩酸０.４重量％の混合水溶液に２
分間浸漬、水洗しアクチベーティングを行いＰｄ触媒を
付与した。続いて、奥野製薬工業社製無電解銅めっき液
（ＯＰＣ−７５０）を標準建浴し、該浴（２５℃）中に
Ｐｄ触媒が付与された選択メッキ下地膜付き基板を１０
分間浸漬し、水洗して、選択メッキ下地膜上のみに選択
的にＣｕ皮膜が析出した、Ｃｕパターン膜を得た。その
解像度を測定したところ、解像度Ｌ／Ｓ=５／５μｍで
あった。析出したＣｕの膜厚は０.２５μｍ、膜の比抵
抗値は３×１０-6Ω・ｃｍであった。また、セロテープ
によるピール試験の結果、この膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
地膜付ガラス基板を、塩化第一錫（II）０.５重量％お
よび塩酸０.４重量％の混合水溶液に２分間浸漬、水洗
しセンシタイジングを行い、その後塩化パラジウムの
０.０５重量％および塩酸０.４重量％の混合水溶液に２
分間浸漬、水洗しアクチベーティングを行いＰｄ触媒を
付与した。続いて、奥野製薬工業社製無電解銅めっき液
（ＯＰＣ−７５０）を標準建浴し、該浴（２５℃）中に
Ｐｄ触媒が付与された選択メッキ下地膜付き基板を１０
分間浸漬し、水洗して、選択メッキ下地膜上のみに選択
的にＣｕ皮膜が析出した、Ｃｕパターン膜を得た。その
解像度を測定したところ、解像度Ｌ／Ｓ=５／５μｍで
あった。析出したＣｕの膜厚は０.２５μｍ、膜の比抵
抗値は３×１０-6Ω・ｃｍであった。また、セロテープ
によるピール試験の結果、この膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
【００２２】実施例２ ［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］実施例
１と同一のキレート錯体溶液５０ｇに、ネガ型感光性樹
脂（富士フィルムオーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ００４）８
５.９ｇと、希釈溶剤となるアセチルアセトン（関東化
学社製）２１７.７ｇとを添加し、さらに重合開始剤０.
９ｇと増感剤０.６ｇを添加し、室温で１時間良く攪拌
混合して選択メッキ下地形成用感光性塗布液を得た。こ
の塗布液中の感光性樹脂含有量は８重量％、Ｓｎ化合物
含有量はＳｎＯ2換算で３.２重量％であった。なお、こ
のようにして得られた選択メッキ下地膜形成用感光性塗
布液を９０日間放置しても、分離、沈降は生じなかっ
た。
１と同一のキレート錯体溶液５０ｇに、ネガ型感光性樹
脂（富士フィルムオーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ００４）８
５.９ｇと、希釈溶剤となるアセチルアセトン（関東化
学社製）２１７.７ｇとを添加し、さらに重合開始剤０.
９ｇと増感剤０.６ｇを添加し、室温で１時間良く攪拌
混合して選択メッキ下地形成用感光性塗布液を得た。こ
の塗布液中の感光性樹脂含有量は８重量％、Ｓｎ化合物
含有量はＳｎＯ2換算で３.２重量％であった。なお、こ
のようにして得られた選択メッキ下地膜形成用感光性塗
布液を９０日間放置しても、分離、沈降は生じなかっ
た。
【００２３】［選択メッキ下地膜の形成］上記の選択メ
ッキ下地膜形成用感光性塗布液を無アルカリガラス（コ
ーニング＃１７３７）基板上にスピンコーターで塗布し
た後、オーブン中１２０℃で３分間乾燥を行った。その
後前記のフォトマスクを設置して、紫外線露光を行っ
た。用いた紫外線露光機の露光強度は４.２ｍＷ／ｃｍ2
（ｉ線）で、照射した露光量は３５０ｍＪ／ｃｍ3であ
った。次いで２６℃に保持した現像液（富士フィルムオ
ーリン社製アルカリ現像液：ＣＤ−２０００の３５%水
溶液）に３.５分間ディップ現像、水洗を行い、所定の
パターンを得た。この基板を大気中５００℃で１時間焼
成して酸化錫を主成分とするパターン形成された選択メ
ッキ下地膜を得た。得られたパターン膜の解像度を測定
したところ、図１（写真１）に示すとおり、解像度Ｌ／
Ｓ=４／４μｍであった。また、膜厚は９０ｎｍであっ
た。セロテープによるピール試験の結果、膜は全く剥が
れず強固な密着性を示した。
ッキ下地膜形成用感光性塗布液を無アルカリガラス（コ
ーニング＃１７３７）基板上にスピンコーターで塗布し
た後、オーブン中１２０℃で３分間乾燥を行った。その
後前記のフォトマスクを設置して、紫外線露光を行っ
た。用いた紫外線露光機の露光強度は４.２ｍＷ／ｃｍ2
（ｉ線）で、照射した露光量は３５０ｍＪ／ｃｍ3であ
った。次いで２６℃に保持した現像液（富士フィルムオ
ーリン社製アルカリ現像液：ＣＤ−２０００の３５%水
溶液）に３.５分間ディップ現像、水洗を行い、所定の
パターンを得た。この基板を大気中５００℃で１時間焼
成して酸化錫を主成分とするパターン形成された選択メ
ッキ下地膜を得た。得られたパターン膜の解像度を測定
したところ、図１（写真１）に示すとおり、解像度Ｌ／
Ｓ=４／４μｍであった。また、膜厚は９０ｎｍであっ
た。セロテープによるピール試験の結果、膜は全く剥が
れず強固な密着性を示した。
【００２４】［微細金属配線の形成］次に、実施例１に
準じて選択メッキ皮膜形成を行い、選択メッキ下地膜上
のみに選択的にＣｕ皮膜が析出した、Ｃｕパターン膜付
き基板を得た。このＣｕ皮膜の解像度を測定したとこ
ろ、図２（写真２）に示すとおり、Ｌ／Ｓ＝４／４μｍ
であった。析出したＣｕの膜厚は０.２μｍ、膜の比抵
抗は３×１０-6Ω・ｃｍであった。また、セロテープに
よるピール試験の結果、この膜は全く剥がれず強固な密
着性を示した。
準じて選択メッキ皮膜形成を行い、選択メッキ下地膜上
のみに選択的にＣｕ皮膜が析出した、Ｃｕパターン膜付
き基板を得た。このＣｕ皮膜の解像度を測定したとこ
ろ、図２（写真２）に示すとおり、Ｌ／Ｓ＝４／４μｍ
であった。析出したＣｕの膜厚は０.２μｍ、膜の比抵
抗は３×１０-6Ω・ｃｍであった。また、セロテープに
よるピール試験の結果、この膜は全く剥がれず強固な密
着性を示した。
【００２５】実施例３ ［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］２−エ
チルヘキサン酸錫（和光純薬社製）５１.４ｇを、アセ
チルアセトン（関東化学社製）４８.６ｇとを混合した
後、沸点下で３時間還流して反応させ、アセチルアセト
ンが２−エチルヘキサン酸錫に配位したキレート錯体を
得た。次に、得られたキレート錯体溶液を室温まで冷却
後、５０ｇ分取し、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオ
ーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ００４）６９.１ｇと、希釈溶
剤となるアセチルアセトン（関東化学社製）１６５.３
ｇを添加し、さらに重合開始剤０.７ｇと増感剤０.５ｇ
を添加し、室温で１時間良く攪拌混合して選択メッキ下
地形成用感光性塗布液を得た。この塗布液中の感光性樹
脂含有量は８.０重量％であり、Ｓｎ化合物含有量はＳ
ｎＯ2換算で３.２重量％であった。なお、このようにし
て得られた選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液を、９
０日間放置しても、分離、沈降は生じなかった。
チルヘキサン酸錫（和光純薬社製）５１.４ｇを、アセ
チルアセトン（関東化学社製）４８.６ｇとを混合した
後、沸点下で３時間還流して反応させ、アセチルアセト
ンが２−エチルヘキサン酸錫に配位したキレート錯体を
得た。次に、得られたキレート錯体溶液を室温まで冷却
後、５０ｇ分取し、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオ
ーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ００４）６９.１ｇと、希釈溶
剤となるアセチルアセトン（関東化学社製）１６５.３
ｇを添加し、さらに重合開始剤０.７ｇと増感剤０.５ｇ
を添加し、室温で１時間良く攪拌混合して選択メッキ下
地形成用感光性塗布液を得た。この塗布液中の感光性樹
脂含有量は８.０重量％であり、Ｓｎ化合物含有量はＳ
ｎＯ2換算で３.２重量％であった。なお、このようにし
て得られた選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液を、９
０日間放置しても、分離、沈降は生じなかった。
【００２６】［選択メッキ下地膜の形成］次いで、実施
例２に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は１００ｎｍであった。また、セロテ
ープによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
例２に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は１００ｎｍであった。また、セロテ
ープによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
【００２７】次に、実施例１に準じて選択メッキ皮膜形
成を行い、選択メッキ下地膜上のみに選択的にＣｕ皮膜
が析出した、解像度Ｌ／Ｓ＝４／４μｍのＣｕパターン
膜付き基板を得た。析出したＣｕの膜厚は０.２μｍ、
膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃｍであった。また、セ
ロテープによるピール試験の結果、この膜は全く剥がれ
ず強固な密着性を示した。
成を行い、選択メッキ下地膜上のみに選択的にＣｕ皮膜
が析出した、解像度Ｌ／Ｓ＝４／４μｍのＣｕパターン
膜付き基板を得た。析出したＣｕの膜厚は０.２μｍ、
膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃｍであった。また、セ
ロテープによるピール試験の結果、この膜は全く剥がれ
ず強固な密着性を示した。
【００２８】実施例４ ［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］テトラ
ｎ−プロポキシ錫（和光純薬社製）４７.０ｇと、アセ
チルアセトン（関東化学社製）５３.０ｇとを混合した
後、沸点下で３時間還流して反応させ、アセチルアセト
ンがテトラｎ−プロポキシ錫に配位したキレート錯体を
得た。次に、得られたキレート錯体溶液を室温まで冷却
後、５０ｇ分取し、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオ
ーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ００４）７５.６ｇと、希釈溶
剤となるアセチルアセトン（関東化学社製）１８５.１
ｇを添加し、さらに重合開始剤０.７ｇと増感剤０.５ｇ
を添加し、室温で１時間良く攪拌混合して選択メッキ下
地形成用感光性塗布液を得た。この塗布液中の感光性樹
脂含有量は８.０重量％、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換
算で３.２重量％であった。なお、このようにして得ら
れた選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放
置しても、分離、沈降は生じなかった。
ｎ−プロポキシ錫（和光純薬社製）４７.０ｇと、アセ
チルアセトン（関東化学社製）５３.０ｇとを混合した
後、沸点下で３時間還流して反応させ、アセチルアセト
ンがテトラｎ−プロポキシ錫に配位したキレート錯体を
得た。次に、得られたキレート錯体溶液を室温まで冷却
後、５０ｇ分取し、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオ
ーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ００４）７５.６ｇと、希釈溶
剤となるアセチルアセトン（関東化学社製）１８５.１
ｇを添加し、さらに重合開始剤０.７ｇと増感剤０.５ｇ
を添加し、室温で１時間良く攪拌混合して選択メッキ下
地形成用感光性塗布液を得た。この塗布液中の感光性樹
脂含有量は８.０重量％、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換
算で３.２重量％であった。なお、このようにして得ら
れた選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放
置しても、分離、沈降は生じなかった。
【００２９】［選択メッキ下地膜の形成」次いで実施例
２に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行った。
得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４μｍ
であり、膜厚は８０ｎｍであった。また、セロテープに
よるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な密着性
を示した。
２に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行った。
得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４μｍ
であり、膜厚は８０ｎｍであった。また、セロテープに
よるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な密着性
を示した。
【００３０】［微細金属配線の形成］次に、実施例１に
準じて選択メッキ皮膜形成を行い、選択メッキ下地膜上
のみに選択的にＣｕ皮膜が析出した、解像度Ｌ／Ｓ＝４
／４μｍのＣｕパターン膜付き基板を得た。析出したＣ
ｕの膜厚は０.２μｍ、膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃ
ｍであった。また、セロテープによるピール試験の結
果、この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。
準じて選択メッキ皮膜形成を行い、選択メッキ下地膜上
のみに選択的にＣｕ皮膜が析出した、解像度Ｌ／Ｓ＝４
／４μｍのＣｕパターン膜付き基板を得た。析出したＣ
ｕの膜厚は０.２μｍ、膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃ
ｍであった。また、セロテープによるピール試験の結
果、この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。
【００３１】実施例５ ［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］感光性
樹脂としてポジ型感光性樹脂ＡＺ−ＲＦＰ２１０Ｋ（ク
ラリアント社製）を９１.８ｇ、希釈溶剤としてアセチ
ルアセトン（関東化学社製）を２１１１.５ｇとした以
外は、実施例１に準じて、選択メッキ下地膜形成用感光
性塗布液を調製した。この塗布液中の感光性樹脂含有量
は８.０重量％、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換算で３.
２重量％であった。なお、このようにして得られた選択
メッキ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放置して
も、分離、沈降は生じなかった。
樹脂としてポジ型感光性樹脂ＡＺ−ＲＦＰ２１０Ｋ（ク
ラリアント社製）を９１.８ｇ、希釈溶剤としてアセチ
ルアセトン（関東化学社製）を２１１１.５ｇとした以
外は、実施例１に準じて、選択メッキ下地膜形成用感光
性塗布液を調製した。この塗布液中の感光性樹脂含有量
は８.０重量％、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換算で３.
２重量％であった。なお、このようにして得られた選択
メッキ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放置して
も、分離、沈降は生じなかった。
【００３２】［選択メッキ下地膜の形成］次いで、実施
例１に準じて、選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は１００ｎｍであった。また、セロテ
ープによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
例１に準じて、選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は１００ｎｍであった。また、セロテ
ープによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
【００３３】［微細金属配線の形成］また、実施例１に
準じて微細金属配線付き基板を得た。メッキ下地膜上の
みに選択的にＣｕ被膜が析出し、解像度Ｌ／Ｓ＝４／４
μmのＣｕパターン膜が得られた。析出したＣｕの膜厚
は０.２μｍであり、膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃｍ
であった。また、セロテープによるピール試験の結果、
この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。
準じて微細金属配線付き基板を得た。メッキ下地膜上の
みに選択的にＣｕ被膜が析出し、解像度Ｌ／Ｓ＝４／４
μmのＣｕパターン膜が得られた。析出したＣｕの膜厚
は０.２μｍであり、膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃｍ
であった。また、セロテープによるピール試験の結果、
この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。
【００３４】実施例６ ［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］酢酸第
一錫（和光純薬社製）４０ｇと、アセチルアセトン（関
東化学社製）６７.７ｇと、ベンゾイルアセトン（関東
化学社製）２.７ｇとを混合した後、沸点下で３時間還
流して反応させ、アセチルアセトンとベンゾイルアセト
ンとが酢酸第一錫に配位したキレート錯体を得た。次に
得られたキレート錯体溶液を室温まで冷却後、４０ｇ分
取し、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；
ＣＳＰ−Ｓ００４）７１.２ｇと、希釈溶剤となるアセ
チルアセトン（関東化学社製）１６４.８gを添加し、さ
らに重合開始剤０.５ｇと増感剤０.２ｇを添加し、室温
で１時間良く攪拌混合してで選択メッキ下地形成用感光
性塗布液を得た。この塗布液中の感光性樹脂含有量は
７.０重量％であり、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換算で
３.０重量％であった。なお、このようにして得られた
選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放置し
ても、分離、沈降は生じなかった。
一錫（和光純薬社製）４０ｇと、アセチルアセトン（関
東化学社製）６７.７ｇと、ベンゾイルアセトン（関東
化学社製）２.７ｇとを混合した後、沸点下で３時間還
流して反応させ、アセチルアセトンとベンゾイルアセト
ンとが酢酸第一錫に配位したキレート錯体を得た。次に
得られたキレート錯体溶液を室温まで冷却後、４０ｇ分
取し、ネガ型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；
ＣＳＰ−Ｓ００４）７１.２ｇと、希釈溶剤となるアセ
チルアセトン（関東化学社製）１６４.８gを添加し、さ
らに重合開始剤０.５ｇと増感剤０.２ｇを添加し、室温
で１時間良く攪拌混合してで選択メッキ下地形成用感光
性塗布液を得た。この塗布液中の感光性樹脂含有量は
７.０重量％であり、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換算で
３.０重量％であった。なお、このようにして得られた
選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放置し
ても、分離、沈降は生じなかった。
【００３５】［選択メッキ下地膜の形成］次いで、実施
例２に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は１００ｎｍであった。また、セロテ
ープによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
例２に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は１００ｎｍであった。また、セロテ
ープによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
【００３６】［微細金属配線の形成］次に、実施例１に
準じて選択メッキ皮膜形成を行い、選択メッキ下地膜上
のみに選択的にＣｕ皮膜が析出した、解像度Ｌ／Ｓ＝４
／４μｍのＣｕパターン膜を得た。析出したＣｕの膜厚
は０.２μｍであり、膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃｍ
であった。また、セロテープによるピール試験の結果、
この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。
準じて選択メッキ皮膜形成を行い、選択メッキ下地膜上
のみに選択的にＣｕ皮膜が析出した、解像度Ｌ／Ｓ＝４
／４μｍのＣｕパターン膜を得た。析出したＣｕの膜厚
は０.２μｍであり、膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃｍ
であった。また、セロテープによるピール試験の結果、
この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。
【００３７】実施例７ ［選択メッキ下地膜形成用感光性塗布液の調製］酢酸第
一錫（和光純薬社製）５１.４ｇと、エチレングリコー
ル（関東化学社製）４８.６ｇとを混合した後、沸点下
で３時間還流して反応させ、エチレングリコールが酢酸
第一錫に配位したキレート錯体を得た。次に得られたキ
レート錯体溶液を室温まで冷却後、５０ｇ分取し、ネガ
型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ
００４）１１１.５ｇと、希釈溶剤となるアセチルアセ
トン（関東化学社製）３２７.７ｇとを添加し、さらに
重合開始剤１.１ｇと増感剤０.７ｇを添加し、室温で１
時間良く攪拌混合して選択メッキ下地形成用感光性塗布
液を得た。この塗布液中の感光性樹脂含有量は７.５重
量％であり、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換算で３.０重
量％であった。なお、このようにして得られた選択メッ
キ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放置しても、分
離、沈降は生じなかった。
一錫（和光純薬社製）５１.４ｇと、エチレングリコー
ル（関東化学社製）４８.６ｇとを混合した後、沸点下
で３時間還流して反応させ、エチレングリコールが酢酸
第一錫に配位したキレート錯体を得た。次に得られたキ
レート錯体溶液を室温まで冷却後、５０ｇ分取し、ネガ
型感光性樹脂（富士フィルムオーリン社製；ＣＳＰ−Ｓ
００４）１１１.５ｇと、希釈溶剤となるアセチルアセ
トン（関東化学社製）３２７.７ｇとを添加し、さらに
重合開始剤１.１ｇと増感剤０.７ｇを添加し、室温で１
時間良く攪拌混合して選択メッキ下地形成用感光性塗布
液を得た。この塗布液中の感光性樹脂含有量は７.５重
量％であり、Ｓｎ化合物含有量はＳｎＯ2換算で３.０重
量％であった。なお、このようにして得られた選択メッ
キ下地膜形成用感光性塗布液を９０日間放置しても、分
離、沈降は生じなかった。
【００３８】［選択メッキ下地膜の形成］次いで、実施
例２に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は１５０ｎｍであった。また、セロテ
ープによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
例２に準じて選択メッキ下地膜のパターン形成を行っ
た。得られた下地パターン膜の解像度はＬ／Ｓ＝４／４
μｍであり、膜厚は１５０ｎｍであった。また、セロテ
ープによるピール試験の結果、膜は全く剥がれず強固な
密着性を示した。
【００３９】［微細金属配線の形成］次に、実施例1に
準じてに選択メッキ皮膜形成を行い、選択メッキ下地膜
上のみに選択的にＣｕ皮膜が析出した、解像度Ｌ／Ｓ＝
４／４μｍのＣｕパターン膜を得た。析出したＣｕの膜
厚は０.２μｍであり、膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃ
ｍであった。また、セロテープによるピール試験の結
果、この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。
準じてに選択メッキ皮膜形成を行い、選択メッキ下地膜
上のみに選択的にＣｕ皮膜が析出した、解像度Ｌ／Ｓ＝
４／４μｍのＣｕパターン膜を得た。析出したＣｕの膜
厚は０.２μｍであり、膜の比抵抗値は３×１０-6Ω・ｃ
ｍであった。また、セロテープによるピール試験の結
果、この膜は全く剥がれず強固な密着性を示した。
【００４０】
【発明の効果】本発明の選択メッキ下地形成用感光性塗
布液は、メッキ下地膜形成材料として錫（Ｓｎ）化合物
に有機配位子が配位したキレート錯体を含有し、さらに
感光性樹脂を含有するので、安定性に優れ、また、この
塗布液を基板上に塗布、乾燥し、該乾燥膜を露光、現像
してパターン化し、焼成することにより、非常に繊細な
パターン化された、機械的および化学的安定性に優れた
酸化錫系選択メッキ下地膜を形成することができる。こ
のパターン化された選択メッキ下地膜上に、線幅および
線間隔が微細な金属配線を形成することができる。
布液は、メッキ下地膜形成材料として錫（Ｓｎ）化合物
に有機配位子が配位したキレート錯体を含有し、さらに
感光性樹脂を含有するので、安定性に優れ、また、この
塗布液を基板上に塗布、乾燥し、該乾燥膜を露光、現像
してパターン化し、焼成することにより、非常に繊細な
パターン化された、機械的および化学的安定性に優れた
酸化錫系選択メッキ下地膜を形成することができる。こ
のパターン化された選択メッキ下地膜上に、線幅および
線間隔が微細な金属配線を形成することができる。
【図１】 実施例２で得られた選択メッキ下地膜のパタ
ーン膜の解像度を示す写真である。
ーン膜の解像度を示す写真である。
【図２】 実施例２で得られたＣｕパターン膜の解像度
を示す写真である。
を示す写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA00 BA06 BA11 BA20 EA02 GA08 HA01 HA27 JA04 4K022 AA03 BA08 BA35 CA06 CA07 CA20 CA21 CA26 DA01
Claims (5)
- 【請求項１】 錫（Ｓｎ）化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体と、紫外線硬化型または紫外線崩壊型の
感光性樹脂と、溶剤とを少なくとも含有することを特徴
とする選択メッキ下地形成用感光性塗布液。 - 【請求項２】 前記の錫（Ｓｎ）化合物は、酢酸錫（I
I）、ぎ酸錫（II）、蓚酸錫（II）、２−エチルヘキサ
ン酸錫（II）、テトラメチル錫（IV）、トリブチル酢酸
錫（IV）、テトラｎ−プロポキシ錫（IV）からなる群か
ら選ばれた少なくとも１種である請求項１記載の選択メ
ッキ下地形成用感光性塗布液。 - 【請求項３】 前記の有機配位子は、β-ジケトン、ア
ミノアルコール、多価アルコールからなる群から選ばれ
た少なくとも１種である請求項１または請求項２に記載
の選択メッキ下地形成用感光性塗布液。 - 【請求項４】 前記の錫（Ｓｎ）化合物の含有量は、塗
布液重量に基づき酸化物（ＳｎＯ2）換算で１〜２０重
量％である請求項１〜請求項３のいずれかに記載の選択
メッキ下地形成用感光性塗布液。 - 【請求項５】 前記の紫外線硬化型または崩壊型の感光
性樹脂の含有量は、該塗布液重量に基づき１〜２０重量
％である請求項１〜請求項４のいずれかに記載の選択メ
ッキ下地形成用感光性塗布液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000319575A JP2002129345A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 選択メッキ下地形成用感光性塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000319575A JP2002129345A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 選択メッキ下地形成用感光性塗布液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002129345A true JP2002129345A (ja) | 2002-05-09 |
Family
ID=18798016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000319575A Pending JP2002129345A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 選択メッキ下地形成用感光性塗布液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002129345A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532429A (ja) * | 2007-07-02 | 2010-10-07 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 基材のパターニング方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102522A (ja) * | 1991-05-09 | 1993-04-23 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄ表示装置の製造方法 |
| JPH06325870A (ja) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Fuji Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示パネル |
| JPH1083718A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-03-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
-
2000
- 2000-10-19 JP JP2000319575A patent/JP2002129345A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102522A (ja) * | 1991-05-09 | 1993-04-23 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄ表示装置の製造方法 |
| JPH06325870A (ja) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Fuji Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示パネル |
| JPH1083718A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-03-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532429A (ja) * | 2007-07-02 | 2010-10-07 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 基材のパターニング方法 |
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