JPS61177448A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JPS61177448A JPS61177448A JP1865085A JP1865085A JPS61177448A JP S61177448 A JPS61177448 A JP S61177448A JP 1865085 A JP1865085 A JP 1865085A JP 1865085 A JP1865085 A JP 1865085A JP S61177448 A JPS61177448 A JP S61177448A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- resin composition
- solvent
- photosensitizer
- thermoplastic resin
- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0076—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板に塗布後ネガマスクを通し【光を照射し
、有機溶媒で現像し、パターンを形成した後焼成するこ
とによって完全な重合化被膜を形成し得る。感光性樹脂
組成物に関するものである。
、有機溶媒で現像し、パターンを形成した後焼成するこ
とによって完全な重合化被膜を形成し得る。感光性樹脂
組成物に関するものである。
従来、プリント配線板の製造法とじ【は、銅張り積層板
の不要銅箔部分をエツチングすることにより除去するサ
ブトラクティブ法が主体であったが、銅箔のエツチング
による無駄をな（し低コストでプリント配線板を製造す
ること、またスルー・ホールの信頼性を増す目的で、必
要な導体パターン部分のみを無電解鋼メッキによって付
加するアディティブ法が開発されてきた。
の不要銅箔部分をエツチングすることにより除去するサ
ブトラクティブ法が主体であったが、銅箔のエツチング
による無駄をな（し低コストでプリント配線板を製造す
ること、またスルー・ホールの信頼性を増す目的で、必
要な導体パターン部分のみを無電解鋼メッキによって付
加するアディティブ法が開発されてきた。
このアディティブ法としては、基板を穴あけした後全面
活性化処理した基板、または触媒入り基板にメツキレシ
ストを印刷し、必要な導体パターンを無電解鋼メッキの
みにより付加するフル拳アｊイテイプ法、全面に無電解
鋼メッキをし、メツキレシストを印刷し電気メツキ法に
より必要な導体パターンを形成した後、メツキレシスト
と導体パターン部分以外の無電解銅メッキを除去するセ
ミ・アディティブ法、および銅張り積層板を用いスルー
・ホール部分を無電解銅メッキを用いて形成するバート
リー・アディティブ法が行なわれている。
活性化処理した基板、または触媒入り基板にメツキレシ
ストを印刷し、必要な導体パターンを無電解鋼メッキの
みにより付加するフル拳アｊイテイプ法、全面に無電解
鋼メッキをし、メツキレシストを印刷し電気メツキ法に
より必要な導体パターンを形成した後、メツキレシスト
と導体パターン部分以外の無電解銅メッキを除去するセ
ミ・アディティブ法、および銅張り積層板を用いスルー
・ホール部分を無電解銅メッキを用いて形成するバート
リー・アディティブ法が行なわれている。
このアディティブ法において、一般にメツキレシストパ
ターンの形成は、レジストインクをスクリーン印刷する
ことｋよつ文なされているが、スクリーン印刷法で形成
し得る最小パターン幅は２００μｍ程度であり、これ以
上のファインパターン形成はフォトレジストを用いる写
真法によってなされる必要がある。しかし、現在市販さ
れているプリント基板製造用のフォトレジストはほとん
どがアクリル系樹脂であるため加水分解反応な受けやす
く、高温、高塩基性条件下の無電解鋼メッキに耐えるも
のではない。
ターンの形成は、レジストインクをスクリーン印刷する
ことｋよつ文なされているが、スクリーン印刷法で形成
し得る最小パターン幅は２００μｍ程度であり、これ以
上のファインパターン形成はフォトレジストを用いる写
真法によってなされる必要がある。しかし、現在市販さ
れているプリント基板製造用のフォトレジストはほとん
どがアクリル系樹脂であるため加水分解反応な受けやす
く、高温、高塩基性条件下の無電解鋼メッキに耐えるも
のではない。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
もので、ファインパターンを写真法によって形成できる
とともに、無電解銅メッキ条件に耐え得る感光性樹脂組
成物を得ることを目的とする。
もので、ファインパターンを写真法によって形成できる
とともに、無電解銅メッキ条件に耐え得る感光性樹脂組
成物を得ることを目的とする。
すなわち本発明は、シンナモイル基を有する高分子化合
物、光増感剤、着色剤、溶剤および耐薬品性向上成分と
して熱可塑性樹脂またはエポキシ樹脂を含有することを
特徴とする感光性樹脂組成物に存する。
物、光増感剤、着色剤、溶剤および耐薬品性向上成分と
して熱可塑性樹脂またはエポキシ樹脂を含有することを
特徴とする感光性樹脂組成物に存する。
本発明におる感光性樹脂組成物を用いてパターンを形成
するには、感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、写真法
によるパターン形成を行ない該組物 成縮を少なくとも不完全に重合した後、焼成を行なうこ
とにより重合を完全にすることにより行なう。
するには、感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、写真法
によるパターン形成を行ない該組物 成縮を少なくとも不完全に重合した後、焼成を行なうこ
とにより重合を完全にすることにより行なう。
すなわち１本発明における感光性樹脂組成物をガラス・
エポキシ積層板、ガラス・ポリイミド積層板等のプリン
ト基板製造に使用される基板上に塗布し、ネガ・マスク
を密着して紫外光を照射するために乾燥した後、所定の
ネガ・マスクを通して紫外光を照射し、有機溶媒によっ
て現像を行ない１次いで焼成を行なうことによって、耐
無電解メッキ液性を有するメツキレシストパターンを形
成するものである。
エポキシ積層板、ガラス・ポリイミド積層板等のプリン
ト基板製造に使用される基板上に塗布し、ネガ・マスク
を密着して紫外光を照射するために乾燥した後、所定の
ネガ・マスクを通して紫外光を照射し、有機溶媒によっ
て現像を行ない１次いで焼成を行なうことによって、耐
無電解メッキ液性を有するメツキレシストパターンを形
成するものである。
本発明で用いられるシンナモイル基を有する高分子化合
物としては、ポリケイ皮酸ビニル、エポキシ樹脂のケイ
皮酸エステル、ポリエーテルのケイ皮酸エステル等があ
げられるが、これらのうちで本発明で用いられる特に望
ましいものとして。
物としては、ポリケイ皮酸ビニル、エポキシ樹脂のケイ
皮酸エステル、ポリエーテルのケイ皮酸エステル等があ
げられるが、これらのうちで本発明で用いられる特に望
ましいものとして。
ポリケイ皮酸ビニルがあげられる。
ポリケイ皮酸ビニルは、 Ｋｏｄａｋ社のＭｉｎｓｋに
よるピリジン触媒としてポリビニルアルコールを塩化ク
イ皮酸によりエステル化する方法（ＫｏｄａｋＣｏ、、
米国特許第２７２５３７２号（ｔｑｓ！ｒ））’Ｐ東京
工業試験所の滓出らによるｓｃｈｏｔｔｅｎ−Ｂａｕｍ
ａｎｎ反応を利用したアルカリ溶液法（滓出穣、特公昭
ダ０−コ０／ざ５号公報）、ポリ酢酸ビニルとケイ皮酸
メチルとのエステル交換反応（滓出穣、簑島美雄、工業
化学雑誌、第６７巻、９７２頁、 ／９Ａ’１年）等に
よって合成される。
よるピリジン触媒としてポリビニルアルコールを塩化ク
イ皮酸によりエステル化する方法（ＫｏｄａｋＣｏ、、
米国特許第２７２５３７２号（ｔｑｓ！ｒ））’Ｐ東京
工業試験所の滓出らによるｓｃｈｏｔｔｅｎ−Ｂａｕｍ
ａｎｎ反応を利用したアルカリ溶液法（滓出穣、特公昭
ダ０−コ０／ざ５号公報）、ポリ酢酸ビニルとケイ皮酸
メチルとのエステル交換反応（滓出穣、簑島美雄、工業
化学雑誌、第６７巻、９７２頁、 ／９Ａ’１年）等に
よって合成される。
熱可塑性樹脂としては、ポリスルホン、ポリエーテルス
ルホン、フェノキシ、ポリエーテルイミド、ポリフェニ
レンオキサイド、ポリ塩化ビニル。
ルホン、フェノキシ、ポリエーテルイミド、ポリフェニ
レンオキサイド、ポリ塩化ビニル。
ポリカーボネート等があげられるが、このうちですぐれ
た耐薬品性を有し、また塗膜に平滑性を与えるものとし
て、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フェノキシ
樹脂が本発明において使用される。
た耐薬品性を有し、また塗膜に平滑性を与えるものとし
て、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フェノキシ
樹脂が本発明において使用される。
本発明で使用される常温で固体であり、触媒を添加する
ことによって熱的に硬化することが可能な多官能エポキ
シ樹脂としては１分子中に少なくとも２個以上のエポキ
シ基を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ有脂、ハロゲン化りレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂があげられる。これらの
エポキシ樹脂は、ｌａｉ類または二種類以上の混合系で
用いられる。
ことによって熱的に硬化することが可能な多官能エポキ
シ樹脂としては１分子中に少なくとも２個以上のエポキ
シ基を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ有脂、ハロゲン化りレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂があげられる。これらの
エポキシ樹脂は、ｌａｉ類または二種類以上の混合系で
用いられる。
ケイ皮酸の光二量化反応は三重項増感剤の添加によって
増感されることは、一般的によく知られている。増感剤
からシンナモイル基に励起エネルギーを効率よく移動さ
せるためには、増感剤の励起三重項エネルギーとシンナ
モイル基の励起三重項状態のエネルギーが近接し、増感
剤の励起三重項状態のエネルギーがシンナモイル基の励
起三重項エネルギーより大きい必要がある。ポリケイ皮
酸ビニルの三重項エネルギーは、 ！ｒ Ｏ−！ｒ ！
ｒ ｋｃａ１１モルであるため、増感剤としては、！２
〜６３ ｋｃａ１１モルの三重項エネルギーを有するも
のが使われる。本発明において使用される三重項増感剤
としては、ミヒラークトン、２−二トロフルオレン。
増感されることは、一般的によく知られている。増感剤
からシンナモイル基に励起エネルギーを効率よく移動さ
せるためには、増感剤の励起三重項エネルギーとシンナ
モイル基の励起三重項状態のエネルギーが近接し、増感
剤の励起三重項状態のエネルギーがシンナモイル基の励
起三重項エネルギーより大きい必要がある。ポリケイ皮
酸ビニルの三重項エネルギーは、 ！ｒ Ｏ−！ｒ ！
ｒ ｋｃａ１１モルであるため、増感剤としては、！２
〜６３ ｋｃａ１１モルの三重項エネルギーを有するも
のが使われる。本発明において使用される三重項増感剤
としては、ミヒラークトン、２−二トロフルオレン。
ｐ−ニトロアニリン、λ−ベンゾインメチレン−７−メ
チルナフトチアゾリンがあげられる。
チルナフトチアゾリンがあげられる。
溶剤としては適当な揮発性を有し、組成物の固体成分を
溶解しうる性質と適当な流れ性を持ち、形成された塗膜
に泡が生じるのが抑えられるように選ばわる。適した溶
剤としてはトルエンｔキシレ／、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート（セロソルブアセテート）
、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート（
メテルセロンルプアセテート）、シクロヘキサノンなど
があげられる。これらの溶剤は必要に応じて２種類以上
混合し【用いられる。
溶解しうる性質と適当な流れ性を持ち、形成された塗膜
に泡が生じるのが抑えられるように選ばわる。適した溶
剤としてはトルエンｔキシレ／、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート（セロソルブアセテート）
、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート（
メテルセロンルプアセテート）、シクロヘキサノンなど
があげられる。これらの溶剤は必要に応じて２種類以上
混合し【用いられる。
着色剤としては、エチルバイオレット、クリスタルバイ
オレット、７タロシアニングリーンがあげられる。
オレット、７タロシアニングリーンがあげられる。
本発明による感光性樹脂組成物の組成割合は、塗布に必
要な粘度、光碓化速度、形成された塗膜の厚さおよび硬
さによって決定される。望ましい組成比は、ポリケイ皮
酸ビニル１０〜３θｉｔ％、熱可塑性樹脂またはエポキ
シ樹脂ｌＯ〜、ｙｏｚ量％、光増感剤θ、θＪ〜／、ｊ
ｉｉｔ％１着色剤θ／ −、−１）、３重量％、残部は
キシレン、セロソルブアセテートなどの溶剤により成る
。最良の結果は、ポリケイ皮酸ビニル、２０重量％、熱
可塑性樹脂またはエポキシ樹脂２０重量％、光増感剤Ｏ
，Ｓ％１着色剤０．３％、キシレンコθ％、トリ２フフ
コＯ％ヲ含ム組成において得られた。
要な粘度、光碓化速度、形成された塗膜の厚さおよび硬
さによって決定される。望ましい組成比は、ポリケイ皮
酸ビニル１０〜３θｉｔ％、熱可塑性樹脂またはエポキ
シ樹脂ｌＯ〜、ｙｏｚ量％、光増感剤θ、θＪ〜／、ｊ
ｉｉｔ％１着色剤θ／ −、−１）、３重量％、残部は
キシレン、セロソルブアセテートなどの溶剤により成る
。最良の結果は、ポリケイ皮酸ビニル、２０重量％、熱
可塑性樹脂またはエポキシ樹脂２０重量％、光増感剤Ｏ
，Ｓ％１着色剤０．３％、キシレンコθ％、トリ２フフ
コＯ％ヲ含ム組成において得られた。
本発明における感光性樹脂組成物は、前述の方法によっ
て合成されたポリケイ皮酸ビニルまたは市販のポリクイ
皮酸ビニルと、熱可塑性樹脂またはエポキシ樹脂とを適
当な溶剤に溶解し、これに光増感剤および着色剤を添加
して攪拌、混合して調製する。
て合成されたポリケイ皮酸ビニルまたは市販のポリクイ
皮酸ビニルと、熱可塑性樹脂またはエポキシ樹脂とを適
当な溶剤に溶解し、これに光増感剤および着色剤を添加
して攪拌、混合して調製する。
得られた組成物はスピン・コート、ディップ・コート、
ローラー・コート等の方法により、ガラス・エポキシ積
層板、ガラス・ポリイミド積層板など各種基板上に塗布
される。基板と塗膜との密着性を向上させるためには、
溶剤や機械的研磨によって基板の粗化を行なうことが望
ましい。
ローラー・コート等の方法により、ガラス・エポキシ積
層板、ガラス・ポリイミド積層板など各種基板上に塗布
される。基板と塗膜との密着性を向上させるためには、
溶剤や機械的研磨によって基板の粗化を行なうことが望
ましい。
上述の組成物を塗布した基板は段階的に温度を変化させ
て所定時間プリベーキングを行ない、溶剤を完全に揮発
させてネガ・マスクを密着させて露光するのに適した状
態にした後、ネガ・マスクを通して露光される。次いで
トリクレン、メチルエチルケトン、アセトン等の溶剤ま
たはこれらの混合溶液で現像処理を行なう。この後、水
洗と乾燥を行ない、１３０〜ｉｔ、、ｏ℃の温度に３０
分からコ時間さらすことによって完全に硬化を行なう。
て所定時間プリベーキングを行ない、溶剤を完全に揮発
させてネガ・マスクを密着させて露光するのに適した状
態にした後、ネガ・マスクを通して露光される。次いで
トリクレン、メチルエチルケトン、アセトン等の溶剤ま
たはこれらの混合溶液で現像処理を行なう。この後、水
洗と乾燥を行ない、１３０〜ｉｔ、、ｏ℃の温度に３０
分からコ時間さらすことによって完全に硬化を行なう。
形成されたメツキレシストパターンは、！θμ胤までの
解像度を有しており、ｐＨ／Ｊ！ｒ、りｏ−ｔｏ℃の無
電解鋼メッキ浴中で一参時間以上ンツキを行なっても変
化はみられず、十分な耐無電解メッキ液性を有している
。
解像度を有しており、ｐＨ／Ｊ！ｒ、りｏ−ｔｏ℃の無
電解鋼メッキ浴中で一参時間以上ンツキを行なっても変
化はみられず、十分な耐無電解メッキ液性を有している
。
以下本発明の望ましい実施例を示すが、本発明は特にこ
れらに限定するわけではない。
れらに限定するわけではない。
実施例 ｌ
ピリジンを触媒としてポリビニルアルコールと塩化ケイ
皮酸より合成したポリケイ皮酸ビニル１００１１に臭素
化クレゾールノボラックエポキシ樹脂ＢＲＩＩＣＮ−８
（日本化某社製商品名、エポキシ当量２４０〜：１９０
） ／ ００１１とトリクｖｙｉ００１１゜キシレ
ンｔｏｏｇ、セロソルブアセテートｔｏｏｇロシアニン
グリーン１．！２を添加して感光性樹脂組成物を得た。
皮酸より合成したポリケイ皮酸ビニル１００１１に臭素
化クレゾールノボラックエポキシ樹脂ＢＲＩＩＣＮ−８
（日本化某社製商品名、エポキシ当量２４０〜：１９０
） ／ ００１１とトリクｖｙｉ００１１゜キシレ
ンｔｏｏｇ、セロソルブアセテートｔｏｏｇロシアニン
グリーン１．！２を添加して感光性樹脂組成物を得た。
上述の組成物を穴あけ後活性化処理したガラス・エポキ
シ積層板上にローラー・コーターを用いてった・次いで
所定のネガ・マスクを通して、塗膜表面／ｉあたり約２
！ｒａｗの強度を有する超高圧水銀灯を２０〜９０秒照
射し露光を行なう。この後トリクレンで現偉し、水洗、
乾燥後ｌよ０℃で１時間加熱することによって硬化を行
なう。
シ積層板上にローラー・コーターを用いてった・次いで
所定のネガ・マスクを通して、塗膜表面／ｉあたり約２
！ｒａｗの強度を有する超高圧水銀灯を２０〜９０秒照
射し露光を行なう。この後トリクレンで現偉し、水洗、
乾燥後ｌよ０℃で１時間加熱することによって硬化を行
なう。
上述のようにして得られたパターンは、基板に対して強
力な接着性を示すとともに、無電解鋼メッキ条件でも変
化しなかった。
力な接着性を示すとともに、無電解鋼メッキ条件でも変
化しなかった。
実施例 コ
実施例１と同様の方法で合成したポリケイ皮酸ビニル／
００９と前記したＢＲＥＷ−８／ ＆ ０１１とをキ
シレン１００９．メチルエチルケトン１００ｆｉ、およ
びメチルセロソルブアセテートｒｏｙの混合溶剤中に溶
解後、コーニトロフルオレン３１とエチルバイオレット
ｌｙを添加して感光性樹脂組成物を得た。
００９と前記したＢＲＥＷ−８／ ＆ ０１１とをキ
シレン１００９．メチルエチルケトン１００ｆｉ、およ
びメチルセロソルブアセテートｒｏｙの混合溶剤中に溶
解後、コーニトロフルオレン３１とエチルバイオレット
ｌｙを添加して感光性樹脂組成物を得た。
上述の組成物を活性化処理したガラス・ポリイミド積層
板上にコＳμ風の厚さにスピン−コーティングし、室温
で１０分、４０℃で１０分、１００℃で７６分間ブリベ
ーキングを行なった。次いで所定のネガ・マスクを通し
て１ｃＩｉあたり約ｚ ｏ ａｗの強度を有する超高圧
水銀灯を５〜３０秒照射することによって露光を行なっ
た。その後アセトンで現像し、水洗、乾燥後／３０℃で
１時間硬化を行なった。
板上にコＳμ風の厚さにスピン−コーティングし、室温
で１０分、４０℃で１０分、１００℃で７６分間ブリベ
ーキングを行なった。次いで所定のネガ・マスクを通し
て１ｃＩｉあたり約ｚ ｏ ａｗの強度を有する超高圧
水銀灯を５〜３０秒照射することによって露光を行なっ
た。その後アセトンで現像し、水洗、乾燥後／３０℃で
１時間硬化を行なった。
上記のようにしてフォトレジストのパターンを形成した
基板を、無電解銅メッキ液に７０℃で一グ時間浸漬して
、厚さ２０μ属、幅ざ０μ風の銅配線パターンを得た・
レジスト上への銅メッキの析出に基づく短絡やフォトレ
ジストパターンのメッキ液による劣化、メッキ液の汚染
は見られなかった。
基板を、無電解銅メッキ液に７０℃で一グ時間浸漬して
、厚さ２０μ属、幅ざ０μ風の銅配線パターンを得た・
レジスト上への銅メッキの析出に基づく短絡やフォトレ
ジストパターンのメッキ液による劣化、メッキ液の汚染
は見られなかった。
実施例 ３
実施？Ｊ ／で合成したポリケイ皮酸ビニルｔｏｏｇと
フェノキシ樹脂（ＵＣＡＲＰＫＥＣユニオン・カーバイ
ド社製商品名）ｔｏｏｇとをメチルエチルケトンｌθ０
Ｉ、キシレンｉｏｏｇ、セロソルブアセテートｔｏｏｇ
からなる混合溶剤中に溶解後、ｐ−二トロアニリンコ、
！Ｉとクリスタルバイオレット１）ｉを添加して感光性
樹脂組成物を得た。
フェノキシ樹脂（ＵＣＡＲＰＫＥＣユニオン・カーバイ
ド社製商品名）ｔｏｏｇとをメチルエチルケトンｌθ０
Ｉ、キシレンｉｏｏｇ、セロソルブアセテートｔｏｏｇ
からなる混合溶剤中に溶解後、ｐ−二トロアニリンコ、
！Ｉとクリスタルバイオレット１）ｉを添加して感光性
樹脂組成物を得た。
上記組成物を実施例コと同様の方法で塗布、露光を行な
った後、メチルエチルケトンで現像を行ない、次いで実
施例コと同様に後硬化を行なった。
った後、メチルエチルケトンで現像を行ない、次いで実
施例コと同様に後硬化を行なった。
上記のメツキレシストパターンを形成した基板を無電解
メッキ液に１７７７時間浸漬して銅配線パターンを得た
・メツキレシストパターンのメッキ液による劣化やメッ
キ液の汚染はみられなかった。
メッキ液に１７７７時間浸漬して銅配線パターンを得た
・メツキレシストパターンのメッキ液による劣化やメッ
キ液の汚染はみられなかった。
実施例 ダ
実施ｆ４ｔと同様に合成したポリケイ皮酸ビニル１００
１１とポリスルホンｉｏｏｇとを’ ＃ ’ ＃ ａ。
１１とポリスルホンｉｏｏｇとを’ ＃ ’ ＃ ａ。
コーチトラクロロエタンｉｚｏｇとキシレン！ｒ。
Ｉ、およびメチルエチルケトンｔｏｏｇからなる混合溶
剤中に溶解し、コーベンゾインメチレンーｌ−メチルナ
７トチアゾリンーＡＩと７タロシアニングリーンコＩを
添加、混合して感光性樹脂組成物を得た。この組成物を
用いて実施例３と同様にパターン形成を行なった。この
メツキレシストパターンは基板との良好な接着性、耐無
電解鋼メッキ液性を有している。
剤中に溶解し、コーベンゾインメチレンーｌ−メチルナ
７トチアゾリンーＡＩと７タロシアニングリーンコＩを
添加、混合して感光性樹脂組成物を得た。この組成物を
用いて実施例３と同様にパターン形成を行なった。この
メツキレシストパターンは基板との良好な接着性、耐無
電解鋼メッキ液性を有している。
実施例 ！
実施例１と同様に合成したポリケイ皮酸ビニルｔ ｏｏ
ｙトｙｆリエーテルスルホンとを／、／、２．コーチ
トラクロロエタンｌ！θｌキシレンｔ００１、およびメ
チルエチルケトン５０ｇからなる混合溶媒中に溶解し、
ツーベンゾインメチレン−ｌ−メチルナフトチアゾリン
Ｊｌ、エチルバイオレットｔｇを混合して感光性樹脂組
成物を得た。
ｙトｙｆリエーテルスルホンとを／、／、２．コーチ
トラクロロエタンｌ！θｌキシレンｔ００１、およびメ
チルエチルケトン５０ｇからなる混合溶媒中に溶解し、
ツーベンゾインメチレン−ｌ−メチルナフトチアゾリン
Ｊｌ、エチルバイオレットｔｇを混合して感光性樹脂組
成物を得た。
上記組成物を、活性化処理したガラス・ポリイミド基板
にディップ・コーターを用いて、両面に一〇μ属ずつ塗
布し、実施例１と同様の方法で乾燥後、再びディップ−
コーティングを行ない約ｔａＯμ轟の塗膜を基板の両面
に形成した。次いで所定のネガ書マスクを通してｌｃｄ
あたり！ｒＯＲＷの強度を有する高圧水銀灯を７０〜６
０秒間照射後、ｌ。
にディップ・コーターを用いて、両面に一〇μ属ずつ塗
布し、実施例１と同様の方法で乾燥後、再びディップ−
コーティングを行ない約ｔａＯμ轟の塗膜を基板の両面
に形成した。次いで所定のネガ書マスクを通してｌｃｄ
あたり！ｒＯＲＷの強度を有する高圧水銀灯を７０〜６
０秒間照射後、ｌ。
ｌ、コ、コーチトラクロロエタンで現像を行なった。
水洗、乾燥後、１３０℃の温度に９０分さらすことによ
って熱硬化を行なった。
って熱硬化を行なった。
上記のようにして形成したメツキレシストパターンは、
３０μ乳の解像度と十分な耐熱電解鋼メッキ液性を有し
ている。耐無電解銅メッキ液性を比較するために、次の
比較例を掲げる。
３０μ乳の解像度と十分な耐熱電解鋼メッキ液性を有し
ている。耐無電解銅メッキ液性を比較するために、次の
比較例を掲げる。
比較例
実施例１と同様に合成したポリケイ皮酸ビニル１ｏｏ１
１をキシレンｔｏｏｇ、トリクレンｓ ｏ ｇ。
１をキシレンｔｏｏｇ、トリクレンｓ ｏ ｇ。
およびセロソルブ・アセテートｚｏｙからなる混合溶剤
忙溶解し、コーペンゾインメチレンーｌ−メチルナフト
チアゾリンＪｉとフタロシアニングリーン１ｇを添加し
て感光性樹脂組成物を得た。
忙溶解し、コーペンゾインメチレンーｌ−メチルナフト
チアゾリンＪｉとフタロシアニングリーン１ｇを添加し
て感光性樹脂組成物を得た。
上記組成物を実施例１と同様にパターン形成を行なった
後、無電解銅メッキを行なったところ、レジスト層の劣
化、メッキ液の汚染が著しかった。
後、無電解銅メッキを行なったところ、レジスト層の劣
化、メッキ液の汚染が著しかった。
Claims (5)
- （１）シンナモイル基を有する高分子化合物、光増感剤
、着色剤、溶剤および耐薬品性向上成分として熱可塑性
樹脂またはエポキシ樹脂を含有することを特徴とする感
光性樹脂組成物。 - （２）感光性樹脂組成物の組成が、シンナモイル基を有
する高分子化合物１０〜３０重量％、熱可塑性樹脂１０
〜３０重量％、光増感剤０．０３〜１．５重量％、着色
剤０．１〜０．５重量％、残部有機溶剤である特許請求
の範囲第１項記載の感光性樹脂組成物。 - （３）シンナモイル基を有する高分子化合物がポリケイ
皮酸ビニルである特許請求の範囲第１項記載の感光性樹
脂組成物。 - （４）熱可塑性樹脂がポリスルホン、ポリエーテルスル
ホンまたはフェノキシ樹脂である特許請求の範囲第１項
記載の感光性樹脂組成物。 - （５）エポキシ樹脂が、常温では固体であり熱的に硬化
を行なうことの可能なエポキシ樹脂である特許請求の範
囲第１項記載の感光性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1865085A JPS61177448A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1865085A JPS61177448A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177448A true JPS61177448A (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=11977486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1865085A Pending JPS61177448A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177448A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6385538A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光硬化性積層体およびそれを用いた画像形成方法 |
| JP2009098681A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、高分子化合物、パターンの製造法、および電子デバイス |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP1865085A patent/JPS61177448A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6385538A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光硬化性積層体およびそれを用いた画像形成方法 |
| JP2009098681A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、高分子化合物、パターンの製造法、および電子デバイス |
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