JPH02255714A - 光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板 - Google Patents

光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板

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JPH02255714A
JPH02255714A JP1075118A JP7511889A JPH02255714A JP H02255714 A JPH02255714 A JP H02255714A JP 1075118 A JP1075118 A JP 1075118A JP 7511889 A JP7511889 A JP 7511889A JP H02255714 A JPH02255714 A JP H02255714A
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diallyl phthalate
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Isamu Tanaka
勇 田中
Hitoshi Oka
岡 齋
Makio Watabe
渡部 真貴雄
Hiroshi Kikuchi
廣 菊池
Shinichiro Imabayashi
今林 慎一郎
Yukihiro Taniguchi
幸弘 谷口
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プリント回路板の製造にかかわる光硬化性ジ
アリルフタレート樹脂組成物とこれを紫外線(UV)露
光現像型の耐めっき反応性ソルダレジストとして用いた
プリント回路板の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来のプリント回路抜用UVQ光現像型ソルダレジスト
は例えば、特公昭51−40451号、特公昭52−3
0969号、特開昭60−208377号、特開昭62
−4390号、特開昭62−253613号などの記載
を挙げることができる。かかるレジストは、第2図に示
すプリント板の製造方法で主に用いられるものであった
第2図はサブ1〜ラクト法の製造工程を4層板を例に示
しである。この工程では、内層を形成し、上下面に銅箔
をラミネートした銅張り積層板を出発材料として、所定
位置に孔をあけ、触媒を付与した後、スルーホールを含
む全面に電気網めっきを施し、エツチングで所定の回路
パターンを形成し、最後にソルダレジストを塗布するも
のである。かかるソルダレジストには古くからスクリー
ン印刷でパターン形成をするエポキシ樹脂系の熱硬化型
のものが用いられて来たが、プリント回路板の配線密度
の増大に伴って、塗布精度の良いUVfi光現像型のソ
ルダレジストが開発されたものである。
一方、第1図に示すパートリアディティブ法のプリント
板製造法では、第2図に示すサブトラクト法で用いるソ
ルダレジストとは全く異なる特性を付与した耐めっきソ
ルダレジストを用いることが不可欠である。
パートリアディティブ法では、サブトラクト法と異なり
、銅張り積層板の所定の位置に穴をあけ、触媒を付与し
た後、先に導体回路を形成する。次いで所定部に耐めっ
き反応性ソルダレジストを形成した後、!&後に化学銅
めっきを用いてスルーホール、ランド部等必要な箇所の
みにめっきを施すものである。
かかる製造方法は、サブ!・ラクト法に比較して安価、
高精度の利点がある。サブトラクト法のように全面にめ
っきを施さず、必要な箇所のみに部分的にめっきするこ
とや、導体回路形成におけるエツチングも銅張り積層板
の薄い銅箔のみのエツチングでよいことなどから、工程
が簡略で損失が少なく、高精度の配線が可能である。パ
ートリアディティブ法では、耐めっきソルダレジストの
下の配線パターンに化学銅めっきの新出電位が−0,6
〜−0,9Vかかり、かつ高温1強アルカリのめっき液
に長時間浸漬されるという過酷な工程を経た後にも、永
久レジストとして使用するため、ソルダレジストとして
の機能を持つことが必要である。かかる目的に適した耐
めっきソルダレジストとして、スクリーン印刷でパター
ンを形成するエポキシ樹脂系熱硬化型のものが知られて
いた。
かかる耐めっきソルダレジストは特開昭58−1474
16に開示されている。
〔発明が解決しようとする課題) 上記従来技術は、パートリアディティブ法に用いるため
には、例えば特公昭52−30969号記載のUV露光
現像型レジストでは耐めっき反応性が全くなく、一方、
特開昭58−147416号記載のソルダレジストでは
耐めっき性はあるものの、UV露光現像型でないために
、高精度にパターンの形成ができない問題があった。
本発明は、パートリアディティブ法に用いることができ
るUV露光現像型の耐めっき反応性ソルダレジストに用
いる光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物を提供する
ことを第1の目的としている。すなわち、実用的なレジ
ストとして備えるべき特性は多岐にわたっており、その
中の一つでも欠けると、実用性が著しく損なわれる。従
って、本発明の課題は単に従来技術の組合せでは得られ
ない多くの特性を同時に満足するレジストを提供するこ
とにある。かかる課題を列挙すると次のようになる。
a)本発明のレジストはUV光で硬化することが必須で
ある。すなわちプリント回路板の製造に適した300〜
400nmの紫外線(UV)光の照射により架橋反応を
生じ、照射部分のみが硬化する必要がある。また、照射
量として実用的な0.02〜IOJ/co!の範囲で硬
化する必要がある。
b)本発明のレジストはUV照射により硬化した部分と
未硬化部分の現像液に対する溶解度差が適切で2呪像性
いわゆる現像後の解像度が良好であることが必須である
C)本発明のレジストは、プリント基板の両面に塗布し
て、正常に両面同時に露光できることが必須である。す
なわち、片面から露光したUV光がレジストおよび基材
中を透過し、他面のレジストを硬化させるいわゆる裏写
りがあってはならない。
かかる課題を解決しない場合には、基材の両面に用いる
ネガマスクパターンの違いが反対面にも現われるため、
実用性を著しく損なう。
d)本発明のレジストは、解像度を高めるため[T■露
光の際1問題なくネガマスクをレジストに密着して露光
できることが必須である。かかる課題を解決しないレジ
ストでは、レジスト自身の粘性や、露光時の昇温のため
レジストが軟化するなどの原因で、レジストがネガマス
クに貼り付く、かかる場合には露光毎にネガマスクを洗
浄せねばならず、実用性が著しく損なわれる。したがっ
て、ネガマスクをレジストに密着して露光しても、マス
クにレジストが貼り付かないことが必須となる。
e)本発明のレジストは、塗布性が良好であることが必
須である。すなわち、プリント回路板全面にスクリーン
印刷法やロールコータ等でレジストを塗布する際、厚さ
が均一になりかつボイドが残らない適切なインクとして
の特性を有するのみならず、作業中にもその特性が変化
しないことが必要である。
f)本発明のレジストは、製品であるプリント回路板上
に形成されており、繰り返しはんだ付けに耐える良好な
耐熱性を有することが必須である。
すなりち、およそ260℃、10秒のはんだ浸漬を約1
0回繰り返しても、或はこれに相当する熱風、赤外線、
ベーパ等によるはんだ付けによってもプリント回路板上
のレジストにフクレ、剥離等の異常が生じないことが必
要である。
g)本発明のレジストは、製品であるプリント回路板上
に形成されており、高い絶縁性を保持できることが必須
である。すなわち、配線間の絶縁劣化を生じない優れた
絶縁性、特に、吸湿時の絶縁性を保持することが必要で
ある。
h)本発明のレジストは、製品であるプリント回路板上
に形成されており、耐薬品性に優れることが必須である
。すなわち、プリント回路板実装時のフラックス、洗浄
、はんだ付は等に用いられる溶剤により、レジストが溶
解、変質しない必要がある。
i)本発明のレジストは、プリント回路板上に形成した
後、良好な耐アルカリ性および耐めっき反応性いわゆる
耐カソード剥離性を有することが必須である。具体的に
は、化学銅めっき液の高温。
高とレカリかつ−0,6〜−0,9vの析出電位がかか
ろ過酷な条件に長時間浸漬しても、レジスト表面が溶解
、変質せず、さらに基材および導体回路上で剥離しては
ならない、より具体的には、化学銅めっきを施す際1回
路銅箔とレジスト間の剥離や密着力の劣化が生じないこ
とが必須である。
剥離に至る機構はさだかではないが、次のようなことで
はないかと思われる。種々検討した結果。
剥離が化学銅めっき反応が生じている個所と接続してい
る導体回路の上に塗布したレジストにのみ見られること
、更に、レジスト塗布前の導体回路銅箔が酸化している
と極めて短時間にレジスト剥離が起きる。また、導体回
路がレジストで完全にカバーされている個所、いわゆる
めっきの析出電位(−0,6〜0.9V)がかからない
と剥離しない。
これらの事象から、めっき中に水分がレジスト膜を通し
て回路銅箔との界面に到達し、析出電位により1回路銅
箔表面の酸化銅が還元されるため、レジストとの結合が
切れ剥離が起きる。これは、従来から言われているレジ
ストの耐めっき性とは異なり、耐めっき反応性(耐カソ
ード剥離性)として区別している。プリント回路板製造
時に、回路銅箔上に酸化銅の形成を防ぐ事が重要である
ことを見いだし、我々はレジスト組成を限定する事で対
処した。
かかる課題は、パートリアディティブ法でプリント回路
板を製造する際、最も留意すべき点であり、この問題が
解決されないと回路銅箔上のレジストが剥離するため、
実用性が全くなくなるのである。
j)本発明のレジストは、プリント回路板上に形成した
後、化学網めっきを施す際、レジストからめっき液中に
有害な成分が溶出または抽出されないこと、いわゆる耐
めっき溶出性が必須である。
かかる問題が未解決であると、レジストからの溶出また
は抽出された成分がめっきの析出反応に悪影響を及ぼす
結果、めっき反応が停止、ないし遅滞したり、析出した
銅の物性が著しく劣化する。
かかる問題がないことが必須の課題である。本発明の第
2の目的は、上記a)からj)の課題を全て満足する所
定の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物からなるU
V露露光現像型力っきレジストを用いてパートリアディ
ティブ法でプリント回路板を製造する方法を提供するこ
とである。さらに本発明の第3の目的は、かかる方法で
製造されたプリント回路板を提供することにある。
さらに1本発明の第4の目的は、本発明のプリント回路
板を用いた電子機器を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために1本発明は耐めっき反応性ソ
ルダレジスト組成物、いわゆる光硬化性ジアリルフタレ
ート樹脂組成物として以下のものを用いる。ジアリルフ
タレートのプレポリマーと、多官能不飽和化合物と、光
重合開始剤と、エポキシ樹脂と、所定のエポキシ硬化剤
と、紫外線吸収剤と、消泡剤と、上記ジアリルフタレー
トのプレポリマーとエポキシ樹脂を溶解するための有機
溶剤とを含んでなるものである。
本発明のジアリルフタレートのプレポリマーはβ−ポリ
マーとも称され5例えば、吉見直喜著「ジアリルフタレ
ート樹脂」日刊工業新聞社列(昭44)に、その詳しい
製法、性質が記載されている。本発明に必須のプレポリ
マーの分子量は3.000〜30,000が好まシイ。
3,000以下では、ネガマスクとの密着露光性が劣り
、また、30,000以上では、現像性が悪い。
またプレポリマーを含むとの記載はポリマーの合成にと
もなって残留もしくは生成するジアリルフタレートモノ
マーあるいは三次元網状構造のγ−ポリマーが少量台ま
れることを妨げるものではない。
さらに本発明の組成物中の多官能不飽和化合物は、少な
くとも2個以上のエチレン結合を分子内に有する化合物
である。例えば、不飽和カルボン酸と2価以上のポリヒ
ドロキシ化合物とのエステル化反応によって得られる。
不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸
、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸等であり、一方
2価以上のポリヒドロキシ化合物としては、エチレング
リコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコー
ル、トリエチレングリコール、ヒドロキノン、ピロガロ
ール等である。
これらを原料にしてエステル化反応によって得られる化
合物としては、ジエチレングリコールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、1,5−ベン
タンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、ペンタニルスリトールトリアクリレート、ジエ
チレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプ
ロパントリメタクリレート、1,3−ブタンジオールジ
メタクリレートなどに代表されるジアクリレート、ジメ
タクリレート化合物や、ジペンタエリスリトールのトリ
、テトラ、ペンタアクリレートもしくはメタクリレ−1
へ、ソルビトールのトリ、テトラ、ペンタ、ヘキサアク
リレートもしくはメタクリレートなどに代表される多価
アクリレート、ないし多価メタクリレート化合物やオリ
ゴマエステルアクリレート、オリゴマエステルメタクリ
レートなど、またエポキシ樹脂とアクリル酸ないしメタ
クリル酸との反応により合成するエポキシアクリレート
ないしエポキシメタクリレート等が挙げられる。以上の
例は、多官能不飽和化合物を単独で使用しているが、2
種以上を混合しても使用できる。また単官能不飽和化合
物の併用も可能である。
さらに本発明の組成物中、光重合開始剤としては、例え
ば、アセトフェノンとその誘導体、ベンゾフェノンとそ
の誘導体、ミヒラーケント、ベンジルとその誘導体、ベ
ンゾインとその誘導体、チオキサントンとその誘導体、
アントラキノンとその誘導体、1−ヒドロキシシクロへ
キシルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチ
ルチオ)フェニルコー2−モルブオリノ−1−プロパン
−1に代表されるα−アミノケ、トン化合物などを含ん
でなるものである。これらは単独ないし必要に応じて混
合して用いる。また光重合開始剤の作用を増感するアミ
ン化合物を併用することも゛可能である。
さらに本発明の組成物はエポキシ樹脂を含んでなるもの
である。かかるエポキシ樹脂としては、平均して1分子
当り2個以上のエポキシ基を有するもので、ビスフェノ
ールA、ビスフェノールF、ハロゲン化ビスフェノール
A、等のビスフェノール類とエピクロルヒドリンを塩基
性触媒の存在下で反応して得られるビスフェノール型の
ポリグリシジルエーテル、ノボラック型ないしクレゾー
ル型フェノール樹脂とエピクロルヒドリンとを反応して
得られるエポキシノボラックおよびエポキシクレゾール
などが特に好ましい。
さらに本発明の組成物は所定のエポキシ樹脂用硬化剤を
含んでなるものである。かかる所定のエポキシ樹脂用硬
化剤とはジシアンジアミドと下記の一般式で示されるエ
ポキシ樹脂に対して潜在硬化性を有するジアミノトリア
ジン変性イミダゾール化合物である。
(Rはイミダゾール化合物である。) 例えば、2.4−ジアミノ−6(2′−メチルイミダゾ
ール−(1’))エチル−s−トリアジン、2.4−ジ
アミノ−6(2′−エチル−4′−メチルイミダゾール
−(1’))エチル−S−トリアジン、2.4−ジアミ
ノ−6(2″−ウンデシルイミダゾール−(1’))エ
チル−8−トリアジンもしくは2.4−ジアミノ−6(
2′−メチルイミダゾール−(1’))エチル−S−ト
リアジン・イソシアヌール酸付加物などがある。
さらに本発明の組成物は紫外線吸収剤と消泡剤を含んで
なるものである。かがる紫外線吸収剤としては、フタロ
シアニングリーン、フタロシアニンブルー、などの耐熱
性に優れた顔料や紫外線の照射により吸光係数が減少す
る。4−t−ブチル−4’−メトキシ−ジベンゾイルメ
タン、エチルへキシル−p−メトキシシンナメイトなど
である。
紫外線吸収剤は、両面同時露光時における反対面からの
T、J V光によるレジストの硬化、いわゆる裏写りの
防止、ならびにハレーションを防ぎ解像度を高める。
一方、かかる消泡剤としては、シリコーンオイルに代表
されるシロキサン結合を含む有機珪素化合物が主に用い
られる。
さらに本発明の組成物はジアリルフタレートのプレポリ
マーやエポキシ樹脂を溶解するための有機溶剤を含んで
なるものである。かかる有機溶剤としてメチルセルソル
ブ、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、メチルセル
ソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート、ブチ
ルセルソルブアセテート、メチルカルピトール、エチル
カルピトール、ブチルカルピトール、テルピネオールな
どの高沸点溶剤が好ましい。
本発明の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物は、必
要に応じて他の添加剤、例えばタルク。
石英粉末等の充填材や石英超微粉末等の揺変剤を加える
ことが出きる。
本発明の組成物を構成する好ましい配合割合は。
ジアリルフタレートプレポリマー100重量部に対して
、多官能不飽和化合物4乃至30重量部と、光重合開始
剤0.5乃至12重量部とエポキシ樹脂3乃至35重量
部と、消泡剤0.5乃至]、0重量部と、上記ジアリル
フタレートのプレポリマーを溶解するための溶剤55乃
至100重量部、所定のエポキシ硬化剤して、ジシアン
ジアミドとジアミノトリアジン変性イミダゾール化合物
との配合比が16/1乃至4/1でこれら混合物の添加
量がエポキシ樹脂100重量部に対して2乃至20重、
址部であり、さらに紫外線吸収剤を、0.1乃至10重
量部、好ましくはジアリルフタレート樹脂組成物の塗膜
を通過する紫外線光層を0.OIJ/d以下とする量。
さらに詳しく述べると本発明においては、ジシアンジア
ミドとジアミノトリアジン変性イミダゾール化合物との
配合比を厳密に規定することが必須であり、第3図に示
す斜線の範囲内であることが必要である。
かかる組成の上、下限は、前述した本発明の課題(、)
から(j)までが全て同時に満足できるよう注意深く選
択された物である。
次に本発明の第2の目的である上記の光硬化性ジアリル
フタレート樹脂組成物を耐めっき反応性ソルダレジスト
として用いて、パートリアディティブ法でプリント回路
板を製造する手段について述べる。
第1図に従って、当該業者に周知の方法で絹張り積層板
に孔あけ、化学銅めっき触媒核を付与し[第1図、2)
]、当該業者に周知の方法で所定部をエツチングして、
基板の両面に導体回路を形成する[第1図、3)コ。
次いで、本発明の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成
物を導体回路を含む基板全面に塗布する。
次いで、レジストが塗布された基板を乾燥し、レジスト
を固化する。かかる方法を繰り返し裏面で行なうか、あ
るいは、光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物を基板
の両面に同時に塗布してから乾燥することで、基板の両
面に固化したレジスト層を形成する。乾燥条件は、60
〜100℃で、乾燥時間は、0.2〜2時間が好ましい
次いで、両面のレジスト上にネガマスクを密着して、両
面から同時にUV光を照射して露光する。
かかる照射量は片面当り0.1〜IJ/、fflが好ま
しい。さらに5かかる照射量範囲においても、片面に入
射したUV光が他面のレジストを全く、硬化しないこと
も1強調されるべきことである。
次で、レジスト面からネガマスクを剥離し、未露光部を
現像する。かかる現像に適する溶剤として1,1.1−
 トリクロロエタンの如き不燃性の塩素系溶剤が用いら
れ、現像時間も0.5〜5分が選択される6 次で、基板を加熱して、パターンを形成したレジスト部
を硬化する。硬化条件は、1.40〜180℃、0.2
〜2時間が選択される。
次で、基板上のレジストに、再度UV光を照射し、レジ
ストの硬化を完了する。かかるポスト露光に適した露光
量は1〜IOJ/cJである。
以上の工程を経て、基板上にレジスト層が形成される[
第1図、4)]。
次で、基板は化学銅めっき巾に浸漬され、スルーホール
孔内、ランド上をはじめとする主要部分のみに厚い化学
銅めっきが施され、パートリアディティブ法によるプリ
ント回路板が製造される[第1図、5)]。かかる銅め
っき中に、回路網箔上のレジストに全く剥離が生じない
ことは本発明の特筆すべき重要な利点である。
以上のようなパートリアディティブプリント基板製造に
おいて、本発明のレジストは前述の課題を全て同時に満
足できる。このために、パートリアディティブ法による
高密度プリント板の製造が可能となったのである。
〔実施例〕
実施例1〜45 以下、本発明の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物
並びにこれを耐めっき反応性ソルダレジストとして用い
たプリント回路板の製造方法を具体的に説明する。第1
図に従って、35μ豫の銅箔を張ったガラスエポキシ両
面網張り積層板に当該業者に周知の方法で孔をあけ5め
っき核となる触媒を付与し[第1図、2]、当該業者に
周知の面に導体回路を形成する。
次いで1本発明の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成
物(表1〜5.実施例1〜45)を導体回路を含む基板
全面に塗布する。実施例1の光硬化性ジアリルフタレー
ト樹脂組成物は下記の方法で製造した0例えば表1の実
施例1の組成物は(イ)ジアリルフタレートのプレポリ
マー(イソダップ二ダインーに、に、製、平均分子量7
000)100g、(ロ)トリメチロールプロパントリ
メタクリレート20g、(ハ)エピコート828(ビス
フェノールA型エポキシ樹脂:油化シェルエポキシに、
に、製)15g、(ニ)2−メチル−1−[4−(メチ
ル)フェニル−2−モルフォリノ−1−プロパン−14
g、(ホ)4.4’  ビス−(ジエチルアミノ)ベン
ゾフェノン0.5g、(へ)ジシアンジアミド1.5g
、(ト) 2.4−ジアミノ−6[2′−メチルイミダ
ゾール−(1′)コニチル−S−トリアジン0.18g
、(チ)紫外線吸収剤(フタロシアニングリリーン)0
.5g、(す)消泡剤(シリコーンオイルS N(−2
03:東しシリコーンに、に、製)5g、(ヌ)エチル
セルソルブアセテート35g、ブチルセルソルブアセテ
ート30g、(ル)揺変剤(石英微粉末アエロジルA3
80:日本アエロジルに、K。
製)3g、、(オ)充填材(クリスタライト5X:龍森
に、に、製)50gを秤量する。
上記成分の内(イ)〜(ホ)及び(ヌ)をセパラブルフ
ラスコに入れ、混合し80〜100℃で、30分間〜2
時間加熱溶解する。これら混合物を常温に戻した後、(
へ)〜(す)、(ル)、(オ)を加えて充分に撹拌した
後、三本ロールミルを用いて混練する。更にスクリーン
印刷、ロールコータ塗布等に適するように(ヌ)の有機
溶剤を加えて粘度調整を行なう。
次いで、レジストが塗布された基板を80℃で30分間
の乾燥を施して、レジストを固化する。
裏面でも、かかる方法を繰り返しレジスト同化層を形成
する0次いで表裏両面のレジスト上にネガマスクを密着
させ、両面から同時にUV光をIJ/d照射して露光す
る。
次いで、レジスト面からネガマスクを剥離し、現像液と
して1.1.1− トリクロロエタンを用いたスプレー
現像により常温で1分間で、未露光部を除去する。
次いで、基板を150℃で、40分間加熱してパターン
形成したレジスト部を硬化する。更に基板上のレジスト
にポスト露光としてUV光を5Jlai照射してレジス
トの硬化を完了する[第1図、4)]。次に下記の組成
の化学銅めっき液(シラプレー社製)中に15分間浸漬
して、約0.4μmの薄付は化学銅めっきを施す。
カッパーミックス 328A ・・125mflカッパ
ーミックス 328L ・・125Il。
カッパーミックス 328C・・ 25IIQ蒸留水 
 ・・・全量をIQとする量 その後、下記の組成の化学銅めっき液中に15時間浸漬
してスルーホールの孔内、ランド部、端子部上をはじめ
とする必要な部分に、約30μmの厚付は化学網めっき
を施しプリント回路板が爬造CuSO4・ 5I(20
・ ・ ・ 12gE DTA ・ 2Na     
 ・ ・ ・ 42gNa0H(めっき液のpHを12
.3 に調整する量) アミン系界面活性剤  ・・ 0.1gαα′−ジピリ
ジル  ・・ 0.05g37%ホルマリン   ・・
 51IQK2S          ・・ O,00
1g蒸留水 全量をIQとする量 めっき条件:液温度70℃ pH12,5 時間  15時間 析出電位 −0,6〜−0,9v めっき槽内のめっき液成分は、自動管理装置。
及び副生成物を除去する液再生装置を取り付は常に一定
に保った。
上記のプリント回路板製造プロセスでは、薄材は化学鋼
めっき工程をレジスト膜形成後に行なっているが、レジ
スト膜形成前に行なっても一向に差し支えない、UV光
がガラスエポキシ基材を透過してスルーホール内に到達
するのを遮蔽する効果もある。
上記の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物をはじめ
として、実施例1〜45では樹脂組成物の各成分の配合
量がプリント回路板の製造工程並びに製品に与える影響
について検討し、その結果を表1.2に示す。特に本発
明で重要な特性の1つである耐めっき反応性を左右する
エポキシ硬化剤の配合量について、第3図に示す。検討
した項目および評価方法は下記の通りである。
(1)塗布性:塗膜中に残存ボイドが無く、平滑な面を
有するものを良とした。(2)密着露光性:ネガマスク
を密着させ、UV光で露光後にネガマスクへのレジスト
付着が無いものを良とした。
(3)現像性:現像液として1.1.1−トリクロロエ
タンを用いたスプレー現像を常温で1分間施し、未露光
部が完全に溶解するもので、かつ露光部のレジストが膨
潤しないものを良とした。(4)耐裏写り性:厚み1゜
6側のガラスエポキシ積層板の両面にレジストを、約4
0μmの厚さで塗布し乾燥する。ネガマスクをレジスト
上に密着させ片面からUV光をIJ/aJ照射後に現像
する。裏面のレジストが硬化せずレジスト残りのないも
のを良とした。(5)耐めっき溶出性:化学銅めっきの
膜物性(抗張力、伸び)を低下させないものを良とした
。具体的には化学銅めっき液IQ当り400a&のレジ
スト膜を入れた。(6)耐めっき反応性(耐カソード剥
離性):化学網めっきが行なわれているスルーホールや
ランド部ないし端子部等に接続している導体回路上に塗
布されているレジストに化学銅めっき後、剥離や変色が
無いものを良とした。(7)電気絶縁性:@張りガラス
エポキシ積層板にJIS−C−2519に準じた櫛形パ
ターンをつくり、その上にレジスト膜を形成し、前述の
化学銅めっき工程を経た後、吸湿時の絶縁抵抗が10’
  Ω以上のものを良とした。
(8)耐熱性ニブリント回路板にフラックスを塗布し、
260℃の半田槽に10秒間漬は常温に戻す。これを1
0回繰り返した後レジストにフクレ、剥離等の異常が無
いものを良とした。
本発明を構成する好ましい配合割合は、ジアリルフタレ
ートプレポリマー100重量部に対して、多官能不飽和
化合物4乃至30重量部、光重合開始剤0.5乃至12
重量部、エポキシ樹脂3乃至35重量部、消泡剤0.5
乃至10重置部、有機溶剤55乃至100重量部、エポ
キシ硬化剤としてジシアンジアミドとジアミノトリアジ
ン変性イミダゾール化合物との配合比が16/1乃至4
/1でこれら混合物の添加量がエポキシ樹脂100重量
部に対して2乃至20重量部、紫外線吸収剤0.1乃至
10重量部の組成範囲において、プリント回路板の製造
に必要な全ての特性を同時に満足することができた。
実施例46 本発明にかかわるプリント回路板製造工程の最適化を図
るため、各工程条件の諸特性に及ぼす影響について、実
施例1に示した光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物
をソルダレジストとして用いて検討した。尚、検討項目
以外の工程条件は実施例1と同じとした。
本発明のレジストは、液状であり塗布後ネガマスクと密
着可能な状態にするために、乾燥する必要がある。最適
乾燥条件は60〜100℃で0.2〜2時間であった。
50℃、2時間の乾燥では溶剤が残存し、密着露光が出
来ない、一方、110℃で、2時間乾燥するとエポキシ
樹脂の熱硬化が進み、現像によるパターン形成が出来な
い。次に、熱硬化工程は耐めっき性に影響を及ぼすエポ
キシ樹脂の硬化に係わるため、最も重要である。最適硬
化条件は140〜180℃で、0.2〜2時間であった
。130℃で、2時間ではエポキシ樹脂の硬化が不完全
となり耐めっき溶出性が悪く、また190℃の硬化では
1回路銅箔が酸化されるため耐めっき反応性が悪く、実
用に供し得なかった。
次に後露光について検討した。耐熱性を高めるのに有効
であり、最適条件は1〜IOJ/Jであった。
ソルダレジストとして上記実施例1〜46の光硬化性ジ
アリルフタレート組成物の組成範囲ならびに工程条件を
用いて製造したプリント回路板をJIS−C−5012
の冷熱サイクル試験を繰り返し100回行なったが回路
銅箔上のレジストのフクレや剥離ならびにスルーホール
部のクラックやフクレ等の異常は生じなかった。
比較例1〜17 ソルダレジストとして上記実施例1〜45の光硬化性ジ
アリルフタレート組成物の組成範囲外で、実施例1の工
程条件を用いてプリント回路板を製造した(表6〜7、
比較例1〜17)、塗布性。
密着露光性、耐裏写り性、現像性、耐めっき溶出性、耐
めっき反応性(耐カソード剥離性)、電気絶縁性、耐熱
性を同時に満足することが出来ないため、実用に供しう
るプリント回路板が得られなかった。
筑 夷 以下余白 本発明に係る光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物は
、パートリアディティブ法によるプリント回路板に適用
できるだけでなく、サブトラクト法や、フルアデイティ
ブ法によるプリント回路板へも適用が可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の光硬化性ジアリルフタレ
ート樹脂組成物は塗布性、密着露光性、現像性、耐めっ
き溶出性、耐めっき反応性(耐カソード剥離性)、電気
特性、耐熱性に優れ、これらの特性を同時に満たすこと
ができ、パートリアディティブ法プリント板製造への適
用を可能にしたことにより、実用に耐える高密度プリン
ト回路板を簡略化した方法で得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係るパートリアディティブ法プリン
ト板の製造順序を示す断面図。 第2図は、サブトラクト法によるプリント板の製造順序
を示す断面図。 第3図は、実施例1の光硬化性ジアリルフタレート樹脂
組成物を用い、ジシアンジアミドとジアミノトリアジン
変性イミダゾール化合物が、プリ晃 / 口 ント板製造に必要な特性を同時に満足する、最適組成箱
、$

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ジアリルフタレートのプレポリマーと、多官能不飽
    和化合物と、光重合開始剤と、エポキシ樹脂と、所定の
    エポキシ硬化剤と、紫外線吸収剤と、消泡剤と、上記ジ
    アリルフタレートのプレポリマーならびにエポキシ樹脂
    を溶解するための溶剤を必須成分とする塗布性、密着露
    光性、現像性、耐裏写り性、耐めっき溶出性、耐めっき
    反応性いわゆる耐カソード剥離性、電気絶縁性、耐熱性
    が優れたソルダレジストに適した、紫外線露光・溶剤現
    像でパターン形成が可能な光硬化性ジアリルフタレート
    樹脂組成物。 2、上記ジアリルフタレートのプレポリマーの分子量が
    3,000乃至30,000であり、また、上記多官能
    不飽和化合物が、ヒドロキシ化合物のアクリレートある
    いはメタクリレート、オリゴマエステルアクリレートあ
    るいはメタクリレート、エポキシアクリレートあるいは
    メタクリレート、の中から選ばれた少なくとも1種であ
    ることを特徴とする請求項1記載の光硬化性ジアリルフ
    タレート樹脂組成物。 3、上記エポキシ硬化剤が、ジシアンジアミドとジアミ
    ノトリアジン変性イミダゾール化合物との混合物である
    ことを特徴とする請求項1記載の光硬化性ジアリルフタ
    レート樹脂組成物。 4、上記光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物の配合
    割合は、ジアリルフタレートプレポリマー100重量部
    に対して、多官能不飽和化合物4乃至30重量部と、光
    重合開始剤0.5乃至12重量部と、エポキシ樹脂3乃
    至35重量部と、消泡剤0.5乃至10重量部と、上記
    ジアリルフタレートのプレポリマーならびにエポキシ樹
    脂を溶解するための溶剤55乃至100重量部、所定の
    エポキシ硬化剤として、ジシアンジアミドとジアミノト
    リアジン変性イミダゾール化合物との配合比が重量部で
    16/1乃至4/1でこれら混合物の添加量がエポキシ
    樹脂100重量部に対して2乃至20重量部であり、さ
    らに紫外線吸収剤は、0.1乃至10重量部であること
    を特徴とする請求項1記載の光硬化性ジアリルフタレー
    ト樹脂組成物。 5、請求項1記載の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組
    成物を用いたプリント回路板。 6、請求項1記載の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組
    成物を耐めっき反応性フォトソルダレジストとして用い
    た下記の工程を具備するプリント回路板製造方法。銅張
    り積層板に、a、孔をあけ、孔内壁に化学銅めっき触媒
    核を付着させ、b、エッチング法により絶縁基板上に導
    体回路を形成し、c、必要に応じ導体回路とスルーホー
    ル部等に薄付け化学銅めっきを行ない、d、基板全面に
    請求項1記載の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物
    を塗布し、e、光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物
    を乾燥後、化学銅めっきが必要な孔内壁(スルーホール
    )部やその周辺のランド部、コネクタ部、ならびに、I
    C接続部など以外に紫外線を照射し、f、溶剤現像を行
    い未硬化のジアリルフタレート樹脂組成物を除去しパタ
    ーンを形成し、g、加熱硬化させ、h、必要に応じ再度
    紫外線照射をし、i、化学銅めっきを施す。
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