JP2002134879A - パターン形成方法、金属パターン部材 - Google Patents
パターン形成方法、金属パターン部材Info
- Publication number
- JP2002134879A JP2002134879A JP2000328983A JP2000328983A JP2002134879A JP 2002134879 A JP2002134879 A JP 2002134879A JP 2000328983 A JP2000328983 A JP 2000328983A JP 2000328983 A JP2000328983 A JP 2000328983A JP 2002134879 A JP2002134879 A JP 2002134879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating resist
- pattern
- catalyst layer
- plating
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 85
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 29
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 25
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 claims 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- 101100325793 Arabidopsis thaliana BCA2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000046146 Pueraria lobata Species 0.000 description 1
- 235000010575 Pueraria lobata Nutrition 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路基板の表面に触媒層を形成してから感光
性のメッキレジストを塗布し、これを所望パターンに露
光してから現像し、これでパターニングされたメッキレ
ジストを利用して金属パターンを無電解メッキにより形
成する方法において、金属パターンを正確な形状に形成
する。 【解決手段】 メッキレジストを硬化させる特定波長の
光線を触媒層が吸収するので、メッキレジストを露光す
る光線が触媒層との界面でハレーションを発生せず、メ
ッキレジストを正確な形状にパターニングできるので金
属パターンも正確な形状に形成できる。
性のメッキレジストを塗布し、これを所望パターンに露
光してから現像し、これでパターニングされたメッキレ
ジストを利用して金属パターンを無電解メッキにより形
成する方法において、金属パターンを正確な形状に形成
する。 【解決手段】 メッキレジストを硬化させる特定波長の
光線を触媒層が吸収するので、メッキレジストを露光す
る光線が触媒層との界面でハレーションを発生せず、メ
ッキレジストを正確な形状にパターニングできるので金
属パターンも正確な形状に形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属配線まで到達
するヴァイアホールと凹溝とを層間膜に同時に形成する
パターン形成方法と、このパターン形成方法により製造
された金属パターン部材と、に関する。
するヴァイアホールと凹溝とを層間膜に同時に形成する
パターン形成方法と、このパターン形成方法により製造
された金属パターン部材と、に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、配線パターンや接続パッドなどの
金属パターンを回路基板に形成した金属パターン部材
が、集積回路装置やプリント配線基板などに利用されて
いる。その金属パターンを回路基板に形成するパターン
形成方法としても各種が存在するが、例えば、金属パタ
ーンを金属メッキで形成するサブトラクティブ法やアデ
ィティブ法がある。
金属パターンを回路基板に形成した金属パターン部材
が、集積回路装置やプリント配線基板などに利用されて
いる。その金属パターンを回路基板に形成するパターン
形成方法としても各種が存在するが、例えば、金属パタ
ーンを金属メッキで形成するサブトラクティブ法やアデ
ィティブ法がある。
【０００３】これらの手法にも各種が存在するが、一般
的なサブトラクティブ法では、回路基板の表面に無電解
メッキで金属層を形成し、この金属層の表面に感光性の
メッキレジストを塗布する。このメッキレジストを特定
波長の光線の照射で所望パターンに露光してから現像
し、この現像でパターニングされたメッキレジストをマ
スクとした金属層のパターニングで金属パターンを形成
する。このまま金属パターンを使用することも可能であ
るが、一般的には上述の金属パターンを下地として、そ
の膜厚を電解メッキで増大させる。
的なサブトラクティブ法では、回路基板の表面に無電解
メッキで金属層を形成し、この金属層の表面に感光性の
メッキレジストを塗布する。このメッキレジストを特定
波長の光線の照射で所望パターンに露光してから現像
し、この現像でパターニングされたメッキレジストをマ
スクとした金属層のパターニングで金属パターンを形成
する。このまま金属パターンを使用することも可能であ
るが、一般的には上述の金属パターンを下地として、そ
の膜厚を電解メッキで増大させる。
【０００４】一方、一般的なアディティブ法では、回路
基板の表面に感光性のメッキレジストを塗布し、このメ
ッキレジストを特定波長の光線の照射で所望パターンに
露光してから現像し、この現像でパターニングされたメ
ッキレジストから露出している回路基板の表面に金属パ
ターンを金属メッキで形成する。
基板の表面に感光性のメッキレジストを塗布し、このメ
ッキレジストを特定波長の光線の照射で所望パターンに
露光してから現像し、この現像でパターニングされたメ
ッキレジストから露出している回路基板の表面に金属パ
ターンを金属メッキで形成する。
【０００５】代表的なアディティブ法としてはフルアデ
ィティブ法とセミアディティブ法があり、一般的なフル
アディティブ法では、パターニングされたメッキレジス
トから露出している回路基板の表面に直接に金属パター
ンを無電解メッキで形成し、メッキレジストは絶縁層と
して残存させる。
ィティブ法とセミアディティブ法があり、一般的なフル
アディティブ法では、パターニングされたメッキレジス
トから露出している回路基板の表面に直接に金属パター
ンを無電解メッキで形成し、メッキレジストは絶縁層と
して残存させる。
【０００６】一方、一般的なセミアディティブ法では、
回路基板の表面に金属層を無電解メッキで形成してから
メッキレジストを塗布し、パターニングされたメッキレ
ジストから露出している金属層の表面に金属パターンを
電解メッキで形成する。この金属パターンの下層以外の
金属層はメッキレジストとともに除去するので、これで
金属パターンが下層の金属層により短絡することが防止
される。
回路基板の表面に金属層を無電解メッキで形成してから
メッキレジストを塗布し、パターニングされたメッキレ
ジストから露出している金属層の表面に金属パターンを
電解メッキで形成する。この金属パターンの下層以外の
金属層はメッキレジストとともに除去するので、これで
金属パターンが下層の金属層により短絡することが防止
される。
【０００７】なお、上述のようにサブトラクティブ法で
もフルアディティブ法でもセミアディティブ法でも、回
路基板の表面に無電解メッキで金属層を形成することに
なるが、回路基板がガラスやセラミックからなる絶縁基
板の場合、その表面に直接に金属パターンを無電解メッ
キで析出させることは困難である。
もフルアディティブ法でもセミアディティブ法でも、回
路基板の表面に無電解メッキで金属層を形成することに
なるが、回路基板がガラスやセラミックからなる絶縁基
板の場合、その表面に直接に金属パターンを無電解メッ
キで析出させることは困難である。
【０００８】そこで、何れの手法でも実際には、メッキ
レジストを塗布する以前に回路基板の表面を粗化してか
ら触媒処理し、無電解メッキによる金属層の析出を容易
としている。この無電解メッキのための触媒処理には、
センシタイザ＆アクチベータ触媒と呼称される物質が一
般に利用されており、これは酸化錫などのワイドバンド
ギャップ酸化物からなる。
レジストを塗布する以前に回路基板の表面を粗化してか
ら触媒処理し、無電解メッキによる金属層の析出を容易
としている。この無電解メッキのための触媒処理には、
センシタイザ＆アクチベータ触媒と呼称される物質が一
般に利用されており、これは酸化錫などのワイドバンド
ギャップ酸化物からなる。
【０００９】つまり、従来のフルアディティブ法では、
ガラスやセラミックからなる回路基板の表面に酸化錫層
を成膜してからメッキレジストを塗布し、このメッキレ
ジストを露光してから現像し、これでパターニングされ
たメッキレジストから露出している回路基板の表面に金
属パターンを無電界メッキで形成している。また、従来
のセミアディティブ法やサブトラクティブ法では、回路
基板の表面に酸化錫層を成膜してから金属層を無電解メ
ッキで形成している。
ガラスやセラミックからなる回路基板の表面に酸化錫層
を成膜してからメッキレジストを塗布し、このメッキレ
ジストを露光してから現像し、これでパターニングされ
たメッキレジストから露出している回路基板の表面に金
属パターンを無電界メッキで形成している。また、従来
のセミアディティブ法やサブトラクティブ法では、回路
基板の表面に酸化錫層を成膜してから金属層を無電解メ
ッキで形成している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにサブトラ
クティブ法やフルアディティブ法やセミアディティブ法
で金属パターンを形成するとき、事前に回路基板の表面
に酸化錫層を成膜しておけば無電解メッキで金属層を良
好に形成することができる。しかし、本発明者が実際に
回路基板の表面に酸化錫層を成膜してからフルアディテ
ィブ法で金属パターンを形成したところ、その断面形状
が正確な矩形とならず、微細な金属パターンの線幅が一
定にならないことが確認された。
クティブ法やフルアディティブ法やセミアディティブ法
で金属パターンを形成するとき、事前に回路基板の表面
に酸化錫層を成膜しておけば無電解メッキで金属層を良
好に形成することができる。しかし、本発明者が実際に
回路基板の表面に酸化錫層を成膜してからフルアディテ
ィブ法で金属パターンを形成したところ、その断面形状
が正確な矩形とならず、微細な金属パターンの線幅が一
定にならないことが確認された。
【００１１】本発明は上述のような課題に鑑みてなされ
たものであり、金属パターンを断面形状が正確な矩形で
正確な線幅に形成できるパターン形成方法、このパター
ン形成方法により金属パターンが形成された金属パター
ン部材、の少なくとも一つを提供することを目的とす
る。
たものであり、金属パターンを断面形状が正確な矩形で
正確な線幅に形成できるパターン形成方法、このパター
ン形成方法により金属パターンが形成された金属パター
ン部材、の少なくとも一つを提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン形成方
法では、回路基板の表面に所定の触媒層を形成してから
感光性のメッキレジストを塗布し、このメッキレジスト
を所望パターンに露光してから現像し、これでパターニ
ングされたメッキレジストを利用して回路基板の表面に
金属パターンを少なくとも一部は無電解メッキにより形
成する。
法では、回路基板の表面に所定の触媒層を形成してから
感光性のメッキレジストを塗布し、このメッキレジスト
を所望パターンに露光してから現像し、これでパターニ
ングされたメッキレジストを利用して回路基板の表面に
金属パターンを少なくとも一部は無電解メッキにより形
成する。
【００１３】本発明の一のパターン形成方法では、上述
のように無電解メッキにより金属パターンを形成する以
前に回路基板の表面に触媒層を形成するので、無電解メ
ッキによる金属パターンの形成が良好に実行される。ま
た、メッキレジストは特定波長の光線に反応して硬化す
るが、この波長の光線を上述の触媒層は吸収するので、
例えば、触媒層の表面にメッキレジストを塗布して露光
する場合でも、このメッキレジストを露光する光線が触
媒層との界面でハレーションを発生しない。
のように無電解メッキにより金属パターンを形成する以
前に回路基板の表面に触媒層を形成するので、無電解メ
ッキによる金属パターンの形成が良好に実行される。ま
た、メッキレジストは特定波長の光線に反応して硬化す
るが、この波長の光線を上述の触媒層は吸収するので、
例えば、触媒層の表面にメッキレジストを塗布して露光
する場合でも、このメッキレジストを露光する光線が触
媒層との界面でハレーションを発生しない。
【００１４】本発明の他のパターン形成方法では、回路
基板の表面にワイドバンドギャップ化合物からなる触媒
層を形成し、この形成された触媒層に１Ｂ元素を付与す
る。この付与された１Ｂ元素の一部を８−３元素と置換
し、この１Ｂ元素の一部が８−３元素に置換された触媒
層の表面に特定波長の光線に反応して硬化する感光性の
メッキレジストを塗布し、このメッキレジストを上記波
長の光線の照射で所望パターンに露光してから現像し、
この現像でパターニングされたメッキレジストを利用し
て触媒層の表面に金属パターンを少なくとも一部は無電
解メッキにより形成する。本発明のパターン形成方法で
も、メッキレジストを硬化させる特定波長の光線を上述
の触媒層が吸収するので、メッキレジストを露光する光
線が触媒層との界面でハレーションを発生しない。
基板の表面にワイドバンドギャップ化合物からなる触媒
層を形成し、この形成された触媒層に１Ｂ元素を付与す
る。この付与された１Ｂ元素の一部を８−３元素と置換
し、この１Ｂ元素の一部が８−３元素に置換された触媒
層の表面に特定波長の光線に反応して硬化する感光性の
メッキレジストを塗布し、このメッキレジストを上記波
長の光線の照射で所望パターンに露光してから現像し、
この現像でパターニングされたメッキレジストを利用し
て触媒層の表面に金属パターンを少なくとも一部は無電
解メッキにより形成する。本発明のパターン形成方法で
も、メッキレジストを硬化させる特定波長の光線を上述
の触媒層が吸収するので、メッキレジストを露光する光
線が触媒層との界面でハレーションを発生しない。
【００１５】上述のような本発明のパターン形成方法
は、フルアディティブ法とセミアディティブ法とサブト
ラクティブ法との何れにも適用可能であり、例えば、フ
ルアディティブ法に適用する場合には、パターニングさ
れたメッキレジストから露出している触媒層の表面に金
属パターンを無電解メッキで形成する。このフルアディ
ティブ法ではメッキレジストが触媒層の表面に塗布され
てから露光されるが、このメッキレジストを露光する光
線が触媒層との界面でハレーションを発生しない。
は、フルアディティブ法とセミアディティブ法とサブト
ラクティブ法との何れにも適用可能であり、例えば、フ
ルアディティブ法に適用する場合には、パターニングさ
れたメッキレジストから露出している触媒層の表面に金
属パターンを無電解メッキで形成する。このフルアディ
ティブ法ではメッキレジストが触媒層の表面に塗布され
てから露光されるが、このメッキレジストを露光する光
線が触媒層との界面でハレーションを発生しない。
【００１６】また、セミアディティブ法に適用する場合
には、メッキレジストを塗布する以前に触媒層の表面に
金属層を無電解メッキで形成し、パターニングされたメ
ッキレジストから露出している金属層の表面に金属パタ
ーンを電解メッキで形成する。
には、メッキレジストを塗布する以前に触媒層の表面に
金属層を無電解メッキで形成し、パターニングされたメ
ッキレジストから露出している金属層の表面に金属パタ
ーンを電解メッキで形成する。
【００１７】また、サブトラクティブ法に適用する場合
には、メッキレジストを塗布する以前に触媒層の表面に
金属層を無電解メッキで形成し、パターニングされたメ
ッキレジストから露出している金属層を除去し、これで
残存した金属層を下地として金属パターンを電解メッキ
で形成する。
には、メッキレジストを塗布する以前に触媒層の表面に
金属層を無電解メッキで形成し、パターニングされたメ
ッキレジストから露出している金属層を除去し、これで
残存した金属層を下地として金属パターンを電解メッキ
で形成する。
【００１８】また、触媒層が、錫、亜鉛、インジウム、
チタン、の少なくとも一つのワイドバンドギャップ化合
物からなる。また、ワイドバンドギャップ化合物が酸化
物と硫化物との少なくとも一方からなる。また、ワイド
バンドギャップ化合物が酸化錫からなり、１Ｂ元素が銀
からなり、８−３元素がパラジウムからなる。また、メ
ッキレジストを硬化させる光線が少なくとも紫外線を内
包している。また、メッキレジストを硬化させる光線の
少なくとも一部の波長が３７０〜４６０(nm)の帯域に位
置している。
チタン、の少なくとも一つのワイドバンドギャップ化合
物からなる。また、ワイドバンドギャップ化合物が酸化
物と硫化物との少なくとも一方からなる。また、ワイド
バンドギャップ化合物が酸化錫からなり、１Ｂ元素が銀
からなり、８−３元素がパラジウムからなる。また、メ
ッキレジストを硬化させる光線が少なくとも紫外線を内
包している。また、メッキレジストを硬化させる光線の
少なくとも一部の波長が３７０〜４６０(nm)の帯域に位
置している。
【００１９】なお、本発明で云うワイドバンドギャップ
化合物とは、バンドギャップが３〜４(eＶ)などとワイ
ドな化合物を意味しており、例えば、錫、亜鉛、インジ
ウム、チタン、等の酸化物や硫化物などを許容する。１
Ｂ元素とは、周期律表で１Ｂ族の元素を意味しており、
例えば、銅、銀、金、を許容する。８−３元素とは、周
期律表で８族の３列目に属する元素を意味しており、例
えば、ニッケル、パラジウム、プラチナ、を許容する。
化合物とは、バンドギャップが３〜４(eＶ)などとワイ
ドな化合物を意味しており、例えば、錫、亜鉛、インジ
ウム、チタン、等の酸化物や硫化物などを許容する。１
Ｂ元素とは、周期律表で１Ｂ族の元素を意味しており、
例えば、銅、銀、金、を許容する。８−３元素とは、周
期律表で８族の３列目に属する元素を意味しており、例
えば、ニッケル、パラジウム、プラチナ、を許容する。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図面を参
照して以下に説明する。まず、本実施の形態の金属パタ
ーン部材であるプリント配線基板１００は、図２(ｃ)に
示すように、回路基板１０１を具備しており、この回路
基板１０１の表面に金属パターン１０２でプリント配線
が形成されている。
照して以下に説明する。まず、本実施の形態の金属パタ
ーン部材であるプリント配線基板１００は、図２(ｃ)に
示すように、回路基板１０１を具備しており、この回路
基板１０１の表面に金属パターン１０２でプリント配線
が形成されている。
【００２１】より詳細には、回路基板１０１はガラスや
セラミックなどの絶縁体からなり、その表面にはワイド
バンドギャップ化合物である酸化錫製の触媒層１０３が
形成されている。この触媒層１０３の表面にはメッキレ
ジスト１０４の層膜が堆積されており、このメッキレジ
スト１０４に触媒層１０３の表面まで形成された所定パ
ターンの溝部に銅製の金属パターン１０２が形成されて
いる。
セラミックなどの絶縁体からなり、その表面にはワイド
バンドギャップ化合物である酸化錫製の触媒層１０３が
形成されている。この触媒層１０３の表面にはメッキレ
ジスト１０４の層膜が堆積されており、このメッキレジ
スト１０４に触媒層１０３の表面まで形成された所定パ
ターンの溝部に銅製の金属パターン１０２が形成されて
いる。
【００２２】ここで、上述のようなプリント配線基板１
００を製造する本実施の形態のパターン形成方法を以下
に順番に説明する。まず、図１(ａ)および図３に示すよ
うに、回路基板１０１を用意し(ステップＳ１)、その表
面をＲmsで1.00〜10.00(nm)程度まで粗化する(ステップ
Ｓ２)。
００を製造する本実施の形態のパターン形成方法を以下
に順番に説明する。まず、図１(ａ)および図３に示すよ
うに、回路基板１０１を用意し(ステップＳ１)、その表
面をＲmsで1.00〜10.00(nm)程度まで粗化する(ステップ
Ｓ２)。
【００２３】つぎに、この表面が粗化された回路基板１
０１を酸化錫の液槽に浸漬させ、図１(ｂ)に示すよう
に、このディップ法により回路基板１０１の粗化された
表面に酸化錫を吸着させて触媒層１０３を1.0〜80(nm)
程度の膜厚に均質に形成する(ステップＳ３)。
０１を酸化錫の液槽に浸漬させ、図１(ｂ)に示すよう
に、このディップ法により回路基板１０１の粗化された
表面に酸化錫を吸着させて触媒層１０３を1.0〜80(nm)
程度の膜厚に均質に形成する(ステップＳ３)。
【００２４】つぎに、この触媒層１０３が表面に形成さ
れた回路基板１０１を洗浄してから(ステップＳ４)、１
Ｂ元素である銀の液槽に浸漬させ、この銀を触媒層１０
３に付与する(ステップＳ５)。このとき、図１(ｃ)に示
すように、実際には触媒層１０３の表面に銀が堆積して
極薄の銀膜１０５が形成され、触媒層１０３の表層の酸
化錫に銀が分子レベルで結合する。
れた回路基板１０１を洗浄してから(ステップＳ４)、１
Ｂ元素である銀の液槽に浸漬させ、この銀を触媒層１０
３に付与する(ステップＳ５)。このとき、図１(ｃ)に示
すように、実際には触媒層１０３の表面に銀が堆積して
極薄の銀膜１０５が形成され、触媒層１０３の表層の酸
化錫に銀が分子レベルで結合する。
【００２５】つぎに、この触媒層１０３に銀が付与され
た回路基板１０１を洗浄してから(ステップＳ６)、８−
３元素であるパラジウムの液槽に浸漬させ、このパラジ
ウムを触媒層１０３の銀と一部置換させる(ステップＳ
７)。このとき、図１(ｄ)に示すように、実際には触媒
層１０３の表面にパラジウムが堆積して極薄のパラジウ
ム膜１０６が形成され、触媒層１０３の表層の酸化錫に
結合している銀の一部がパラジウムに分子レベルで置換
される。
た回路基板１０１を洗浄してから(ステップＳ６)、８−
３元素であるパラジウムの液槽に浸漬させ、このパラジ
ウムを触媒層１０３の銀と一部置換させる(ステップＳ
７)。このとき、図１(ｄ)に示すように、実際には触媒
層１０３の表面にパラジウムが堆積して極薄のパラジウ
ム膜１０６が形成され、触媒層１０３の表層の酸化錫に
結合している銀の一部がパラジウムに分子レベルで置換
される。
【００２６】この回路基板１０１を洗浄してから乾燥し
(ステップＳ８，Ｓ９)、以下は従来と同様に、図１(ｅ)
に示すように、その触媒層１０３の表面に感光性のメッ
キレジスト１０４を塗布する(ステップＳ１０)。図２
(ａ)に示すように、このメッキレジスト１０４を所望パ
ターンのパターンマスク１０７で３７０〜４６０(nm)の
波長の紫外線により露光し(ステップＳ１１)、図２(ｂ)
に示すように、この露光されたメッキレジスト１０４を
現像する(ステップＳ１２)。
(ステップＳ８，Ｓ９)、以下は従来と同様に、図１(ｅ)
に示すように、その触媒層１０３の表面に感光性のメッ
キレジスト１０４を塗布する(ステップＳ１０)。図２
(ａ)に示すように、このメッキレジスト１０４を所望パ
ターンのパターンマスク１０７で３７０〜４６０(nm)の
波長の紫外線により露光し(ステップＳ１１)、図２(ｂ)
に示すように、この露光されたメッキレジスト１０４を
現像する(ステップＳ１２)。
【００２７】これでメッキレジスト１０４はパターンマ
スク１０７と同様にパターニングされるので、このパタ
ーニングで露出した触媒層１０３の表面に無電解メッキ
により銅製の金属パターン１０２を形成することにより
(ステップＳ１３)、図２(ｃ)に示すように、プリント配
線基板１００が完成する。
スク１０７と同様にパターニングされるので、このパタ
ーニングで露出した触媒層１０３の表面に無電解メッキ
により銅製の金属パターン１０２を形成することにより
(ステップＳ１３)、図２(ｃ)に示すように、プリント配
線基板１００が完成する。
【００２８】本実施の形態のパターン形成方法では、従
来と同様に無電解メッキにより金属パターン１０２を形
成する以前に回路基板１０１の表面に触媒層１０３を形
成するので、無電解メッキにより金属パターン１０２を
良好に形成することができる。
来と同様に無電解メッキにより金属パターン１０２を形
成する以前に回路基板１０１の表面に触媒層１０３を形
成するので、無電解メッキにより金属パターン１０２を
良好に形成することができる。
【００２９】しかし、従来とは相違してメッキレジスト
１０４を露光する以前に酸化錫からなる触媒層１０３に
銀を付与し、この銀の一部をパラジウムに置換してい
る。このように処理された触媒層１０３は、図４に示す
ように、銀のみ付与した酸化錫やパラジウムのみ付与し
た酸化錫に比較して、３７０〜４６０(nm)の波長の光線
を良好に吸収する状態となる。
１０４を露光する以前に酸化錫からなる触媒層１０３に
銀を付与し、この銀の一部をパラジウムに置換してい
る。このように処理された触媒層１０３は、図４に示す
ように、銀のみ付与した酸化錫やパラジウムのみ付与し
た酸化錫に比較して、３７０〜４６０(nm)の波長の光線
を良好に吸収する状態となる。
【００３０】そして、メッキレジスト１０４を露光する
紫外線の波長も上述の波長領域に存在するため、本実施
の形態のパターン形成方法では、メッキレジスト１０４
を露光する紫外線が触媒層１０３の表層に良好に吸収さ
れ、メッキレジスト１０４を露光する紫外線が触媒層１
０３との界面でハレーションを発生しない。
紫外線の波長も上述の波長領域に存在するため、本実施
の形態のパターン形成方法では、メッキレジスト１０４
を露光する紫外線が触媒層１０３の表層に良好に吸収さ
れ、メッキレジスト１０４を露光する紫外線が触媒層１
０３との界面でハレーションを発生しない。
【００３１】従って、本実施の形態のパターン形成方法
では、メッキレジスト１０４を所望形状に正確にパター
ニングすることができ、このパターニングされたメッキ
レジスト１０４を利用して形成する金属パターン１０２
を、正確な矩形の断面形状に正確な線幅で形成すること
ができる。
では、メッキレジスト１０４を所望形状に正確にパター
ニングすることができ、このパターニングされたメッキ
レジスト１０４を利用して形成する金属パターン１０２
を、正確な矩形の断面形状に正確な線幅で形成すること
ができる。
【００３２】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では金属パターン部材として
プリント配線基板を製造することを例示したが、本実施
の形態のパターン形成方法により集積回路装置の金属パ
ターンを形成することも可能である。
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では金属パターン部材として
プリント配線基板を製造することを例示したが、本実施
の形態のパターン形成方法により集積回路装置の金属パ
ターンを形成することも可能である。
【００３３】さらに、上記形態ではパターン形成方法と
して触媒層１０３の表面にメッキレジスト１０４を塗布
するフルアディティブ法を例示したが、本発明のパター
ン形成方法をセミアディティブ法やサブトラクティブ法
に適用することも可能である。
して触媒層１０３の表面にメッキレジスト１０４を塗布
するフルアディティブ法を例示したが、本発明のパター
ン形成方法をセミアディティブ法やサブトラクティブ法
に適用することも可能である。
【００３４】セミアディティブ法の場合には、メッキレ
ジスト１０４を塗布する以前に触媒層１０３の表面に金
属層を無電解メッキで形成し、パターニングされたメッ
キレジスト１０４から露出している金属層の表面に金属
パターン１０２を電解メッキで形成することになる。
ジスト１０４を塗布する以前に触媒層１０３の表面に金
属層を無電解メッキで形成し、パターニングされたメッ
キレジスト１０４から露出している金属層の表面に金属
パターン１０２を電解メッキで形成することになる。
【００３５】また、サブトラクティブ法の場合には、メ
ッキレジスト１０４を塗布する以前に触媒層１０３の表
面に金属層を無電解メッキで形成し、パターニングされ
たメッキレジスト１０４から露出している金属層を除去
し、これで残存した金属層を下地として金属パターン１
０２を電解メッキで形成することになる。
ッキレジスト１０４を塗布する以前に触媒層１０３の表
面に金属層を無電解メッキで形成し、パターニングされ
たメッキレジスト１０４から露出している金属層を除去
し、これで残存した金属層を下地として金属パターン１
０２を電解メッキで形成することになる。
【００３６】上述のようなセミアディティブ法やサブト
ラクティブ法では、触媒層１０３の表面に無電解メッキ
で金属層を均一に形成してからメッキレジスト１０４を
塗布するので、メッキレジスト１０４を露光する光線の
ハレーションを触媒層１０３で防止する効果は発生しな
い。
ラクティブ法では、触媒層１０３の表面に無電解メッキ
で金属層を均一に形成してからメッキレジスト１０４を
塗布するので、メッキレジスト１０４を露光する光線の
ハレーションを触媒層１０３で防止する効果は発生しな
い。
【００３７】しかし、前述のように酸化錫に銀を付与し
てから一部をパラジウムと置換した触媒層１０３は抵抗
値が10E8〜10E13(Ω/cm2)程度と高絶縁なので、回路基
板１０１が導電性でも専用の絶縁層を必要とすることな
く金属パターン１０２を形成することが可能である。
てから一部をパラジウムと置換した触媒層１０３は抵抗
値が10E8〜10E13(Ω/cm2)程度と高絶縁なので、回路基
板１０１が導電性でも専用の絶縁層を必要とすることな
く金属パターン１０２を形成することが可能である。
【００３８】また、上記形態では触媒層１０３が酸化錫
からなることを例示したが、これを、亜鉛、インジウ
ム、チタン、などのワイドバンドギャップ化合物とする
ことも可能であり、そのワイドバンドギャップ化合物と
しては酸化物の他に硫化物も可能である。
からなることを例示したが、これを、亜鉛、インジウ
ム、チタン、などのワイドバンドギャップ化合物とする
ことも可能であり、そのワイドバンドギャップ化合物と
しては酸化物の他に硫化物も可能である。
【００３９】さらに、上記形態では触媒層１０３の形成
と銀の付与とパラジウムの置換との全部をディップ法で
実行することを例示したが、その一部ないし全部をスパ
ッタリング法やスプレーパイリロシス法などで実行する
ことも可能である。また、上記形態では触媒層１０３に
銀を付与することを例示したが、これは１Ｂ元素であれ
ば良く、銀の一部をパラジウムに置換することを例示し
たが、これは８−３元素であれば良い。
と銀の付与とパラジウムの置換との全部をディップ法で
実行することを例示したが、その一部ないし全部をスパ
ッタリング法やスプレーパイリロシス法などで実行する
ことも可能である。また、上記形態では触媒層１０３に
銀を付与することを例示したが、これは１Ｂ元素であれ
ば良く、銀の一部をパラジウムに置換することを例示し
たが、これは８−３元素であれば良い。
【００４０】
【発明の効果】本発明のパターン形成方法では、回路基
板の表面に所定の触媒層を形成してから感光性のメッキ
レジストを塗布し、このメッキレジストを所望パターン
に露光してから現像し、これでパターニングされたメッ
キレジストを利用して回路基板の表面に金属パターンを
少なくとも一部は無電解メッキにより形成するとき、メ
ッキレジストを硬化させる特定波長の光線を触媒層が吸
収することにより、例えば、フルアディティブ法として
触媒層の表面にメッキレジストを塗布して露光する場合
でも、このメッキレジストを露光する光線が触媒層との
界面でハレーションを発生しないので、メッキレジスト
を所望形状に正確にパターニングすることができ、この
パターニングされたメッキレジストを利用して形成する
金属パターンを、正確な矩形の断面形状に正確な線幅で
形成することができる。
板の表面に所定の触媒層を形成してから感光性のメッキ
レジストを塗布し、このメッキレジストを所望パターン
に露光してから現像し、これでパターニングされたメッ
キレジストを利用して回路基板の表面に金属パターンを
少なくとも一部は無電解メッキにより形成するとき、メ
ッキレジストを硬化させる特定波長の光線を触媒層が吸
収することにより、例えば、フルアディティブ法として
触媒層の表面にメッキレジストを塗布して露光する場合
でも、このメッキレジストを露光する光線が触媒層との
界面でハレーションを発生しないので、メッキレジスト
を所望形状に正確にパターニングすることができ、この
パターニングされたメッキレジストを利用して形成する
金属パターンを、正確な矩形の断面形状に正確な線幅で
形成することができる。
【００４１】特に、触媒層をワイドバンドギャップ化合
物で形成して１Ｂ元素を付与し、この１Ｂ元素の一部を
８−３元素と置換することにより、無電解メッキによる
金属の析出を良好に促進することができ、かつ、メッキ
レジストを硬化させる特定波長の光線を良好に吸収する
触媒層を実現することができる。
物で形成して１Ｂ元素を付与し、この１Ｂ元素の一部を
８−３元素と置換することにより、無電解メッキによる
金属の析出を良好に促進することができ、かつ、メッキ
レジストを硬化させる特定波長の光線を良好に吸収する
触媒層を実現することができる。
【図１】本発明の実施の一形態のパターン形成方法の前
半部分を示す工程図である。
半部分を示す工程図である。
【図２】後半部分を示す工程図である。
【図３】パターン形成方法を示すブロックダイアグラム
である。
である。
【図４】各種の酸化錫の透過率を示す特性図である。
１００ 金属パターン部材であるプリント配線基板 １０１ 回路基板 １０２ 金属パターン １０３ 触媒層 １０４ メッキレジスト １０５ 銀膜 １０６ パラジウム膜 １０７ パターンマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊▲崎▼ 昌伸 奈良県北▲葛▼城郡河合町久美ヶ丘１丁目 ４番地１ Ｆターム(参考） 2H096 AA26 CA05 CA20 EA02 HA27 4K022 AA03 AA04 AA42 BA08 BA35 CA02 CA06 CA17 CA18 CA20 CA21 CA26 DA01 5E343 AA02 AA11 AA23 AA26 BB06 BB24 BB71 CC71 DD33 FF16 GG06 GG08
Claims (11)
- 【請求項１】 無電解メッキによる金属の析出を容易と
する触媒層を回路基板の表面に形成し、この回路基板の
表面に特定波長の光線に反応して硬化する感光性のメッ
キレジストを塗布し、このメッキレジストを前記波長の
光線の照射で所望パターンに露光してから現像し、この
現像でパターニングされたメッキレジストを利用して前
記回路基板の表面に金属パターンを少なくとも一部は無
電解メッキにより形成するパターン形成方法であって、 前記触媒層が前記波長の光線を吸収する所定の化合物か
らなる、パターン形成方法。 - 【請求項２】 回路基板の表面に金属パターンを形成す
るパターン形成方法であって、 無電解メッキによる金属の析出を容易とする触媒層を前
記回路基板の表面にワイドバンドギャップ化合物で形成
し、 この形成された触媒層に１Ｂ元素を付与し、 この付与された１Ｂ元素の一部を８−３元素と置換し、 この１Ｂ元素の一部が８−３元素に置換された前記触媒
層の表面に特定波長の光線に反応して硬化する感光性の
メッキレジストを塗布し、 このメッキレジストを前記波長の光線の照射で所望パタ
ーンに露光してから現像し、 この現像でパターニングされたメッキレジストを利用し
て前記触媒層の表面に前記金属パターンを少なくとも一
部は無電解メッキにより形成する、パターン形成方法。 - 【請求項３】 フルアディティブ法として、パターニン
グされた前記メッキレジストから露出している前記触媒
層の表面に前記金属パターンを無電解メッキで形成す
る、請求項１または２に記載のパターン形成方法。 - 【請求項４】 セミアディティブ法として、前記メッキ
レジストを塗布する以前に前記触媒層の表面に金属層を
無電解メッキで形成し、 パターニングされた前記メッキレジストから露出してい
る前記金属層の表面に前記金属パターンを電解メッキで
形成する、請求項１または２に記載のパターン形成方
法。 - 【請求項５】 サブトラクティブ法として、前記メッキ
レジストを塗布する以前に前記触媒層の表面に金属層を
無電解メッキで形成し、 パターニングされた前記メッキレジストから露出してい
る前記金属層を除去し、 これで残存した前記金属層を下地として前記金属パター
ンを電解メッキで形成する、請求項１または２に記載の
パターン形成方法。 - 【請求項６】 前記触媒層が、錫、亜鉛、インジウム、
チタン、の少なくとも一つのワイドバンドギャップ化合
物からなる請求項１ないし５の何れか一項に記載のパタ
ーン形成方法。 - 【請求項７】 前記ワイドバンドギャップ化合物が酸化
物と硫化物との少なくとも一方からなる請求項６に記載
のパターン形成方法。 - 【請求項８】 前記ワイドバンドギャップ化合物が酸化
錫からなり、 前記１Ｂ元素が銀からなり、 前記８−３元素がパラジウムからなる請求項６または７
に記載のパターン形成方法。 - 【請求項９】 前記メッキレジストを硬化させる光線が
少なくとも紫外線を内包している請求項１ないし８の何
れか一項に記載のパターン形成方法。 - 【請求項１０】 前記メッキレジストを硬化させる光線
の少なくとも一部の波長が３７０〜４６０(nm)の帯域に
位置している請求項１ないし９の何れか一項に記載のパ
ターン形成方法。 - 【請求項１１】 請求項２に記載のパターン形成方法で
製造されており、 前記回路基板の表面に前記触媒層を介して前記金属パタ
ーンが形成されており、 前記触媒層は前記１Ｂ元素が付与されており、 この付与された１Ｂ元素の一部が前記８−３元素に置換
されている金属パターン部材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000328983A JP2002134879A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | パターン形成方法、金属パターン部材 |
| US09/984,176 US20020051944A1 (en) | 2000-10-27 | 2001-10-29 | Pattern forming method of forming a metallic pattern on a surface of a circuit board by electroless plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000328983A JP2002134879A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | パターン形成方法、金属パターン部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134879A true JP2002134879A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18805746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000328983A Pending JP2002134879A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | パターン形成方法、金属パターン部材 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020051944A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002134879A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014141712A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Nagano Prefecture | 無電解めっき用のセンシタイジング液および無電解めっき方法 |
| JP2015148966A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 日本写真印刷株式会社 | 透明導電性支持体、タッチセンサ、及びその製造方法 |
| KR20190013591A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | 티디케이가부시기가이샤 | 도전성 기판, 전자 장치 및 표시 장치 |
| JP2021528572A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-21 | アヴェラテック・コーポレイションＡｖｅｒａｔｅｋ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 無電解金属のパターニング |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7363651B2 (en) * | 2002-09-13 | 2008-04-22 | Sun Microsystems, Inc. | System for digital content access control |
| US20040091818A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-13 | Russell Winstead | High resolution 3-D circuit formation using selective or continuous catalytic painting |
| CN102762037B (zh) * | 2011-04-29 | 2016-03-02 | 比亚迪股份有限公司 | 一种陶瓷电路板及其制造方法 |
| CN114489373A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-05-13 | 浙江鑫柔科技有限公司 | 一种用于在基材上形成金属网格的方法和装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250024A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-30 | Nippon Soda Co Ltd | 光重合性樹脂組成物および回路板 |
| JPS63296294A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Hitachi Condenser Co Ltd | 印刷配線板の製造方法 |
| JPH0521932A (ja) * | 1990-12-25 | 1993-01-29 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JPH08167768A (ja) * | 1994-12-12 | 1996-06-25 | Mitsubishi Materials Corp | 回路パターンの形成方法及びそのペースト |
| JPH09116256A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Nec Corp | 印刷配線板及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6406750B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-06-18 | Osaka Municipal Government | Process of forming catalyst nuclei on substrate, process of electroless-plating substrate, and modified zinc oxide film |
-
2000
- 2000-10-27 JP JP2000328983A patent/JP2002134879A/ja active Pending
-
2001
- 2001-10-29 US US09/984,176 patent/US20020051944A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250024A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-30 | Nippon Soda Co Ltd | 光重合性樹脂組成物および回路板 |
| JPS63296294A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Hitachi Condenser Co Ltd | 印刷配線板の製造方法 |
| JPH0521932A (ja) * | 1990-12-25 | 1993-01-29 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JPH08167768A (ja) * | 1994-12-12 | 1996-06-25 | Mitsubishi Materials Corp | 回路パターンの形成方法及びそのペースト |
| JPH09116256A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Nec Corp | 印刷配線板及びその製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014141712A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Nagano Prefecture | 無電解めっき用のセンシタイジング液および無電解めっき方法 |
| JP2015148966A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 日本写真印刷株式会社 | 透明導電性支持体、タッチセンサ、及びその製造方法 |
| KR20190013591A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | 티디케이가부시기가이샤 | 도전성 기판, 전자 장치 및 표시 장치 |
| US10867898B2 (en) | 2017-07-28 | 2020-12-15 | Tdk Corporation | Electroconductive substrate, electronic device and display device |
| US11031330B2 (en) | 2017-07-28 | 2021-06-08 | Tdk Corporation | Electroconductive substrate, electronic device and display device |
| KR102278516B1 (ko) * | 2017-07-28 | 2021-07-16 | 티디케이가부시기가이샤 | 도전성 기판, 전자 장치 및 표시 장치 |
| US11869834B2 (en) | 2017-07-28 | 2024-01-09 | Tdk Corporation | Electroconductive substrate, electronic device and display device |
| JP2021528572A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-21 | アヴェラテック・コーポレイションＡｖｅｒａｔｅｋ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 無電解金属のパターニング |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020051944A1 (en) | 2002-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4119480A (en) | Method of manufacturing thick-film circuit devices | |
| US3481777A (en) | Electroless coating method for making printed circuits | |
| JP2002134879A (ja) | パターン形成方法、金属パターン部材 | |
| JP3037755B2 (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
| JP3563809B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US6635410B2 (en) | Metallizing method for dielectrics | |
| JP2956179B2 (ja) | 導電パターンの形成方法 | |
| KR0162967B1 (ko) | 알루미나 기판 상에 박/후막 저항을 동시에 제조하는 방법 | |
| JPH0216529A (ja) | 透明電極の低抵抗化方法 | |
| US8129096B2 (en) | Method for manufacturing conductive member pattern | |
| JPH03203390A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
| JP4876274B2 (ja) | 微細金属配線付き基板の製造方法 | |
| JPH04318993A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2000147762A (ja) | 感光性パラジウム高分子キレート化合物、無電解メッキ用塗布液、および金属微細線パターンの形成方法 | |
| JP2001345540A (ja) | 回路配線の形成法 | |
| JP2733375B2 (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
| JPH06310858A (ja) | 多層薄膜配線基板の製造方法 | |
| CN117572721A (zh) | 一种曝光式光管理膜制备工艺 | |
| JPH03255693A (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JPS6054799B2 (ja) | プリント板の製造方法 | |
| JP2880901B2 (ja) | 多層配線セラミック基板の製造方法 | |
| JPS62155590A (ja) | 基板製造方法 | |
| JPS5951594A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
| JPS61252689A (ja) | プリント回路板の製造方法 | |
| JP2000214593A (ja) | パタ―ン形成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071023 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20071114 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071114 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080929 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080930 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081121 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090313 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090313 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100310 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100507 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100825 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101215 |