JPS62155590A - 基板製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プリント基板、ハイブリッドＩＣ基板等の絶
縁基板において導通回路予定部のみに無電解めっきの下
地処理を施す少なくとも２層以上の多層レジスｌ−法を
用いた基板製造方法に関するらのである。

〔従来の技術〕

従来、プリント基板、ハイブリッド１１板等の絶縁基板
上に導通回路を形成する方法としては種々の方法がある
が、中でら無電解めっきを使って前記導通回路を形成す
るアディティブ法は微細な回路を形成できる特徴がある
。

従来、前記無電解めっき前の下地処理としては、絶縁基
板表面全てにＪＰ化錫（ＳｎＣＩ２　）笠を含む水溶液
を使って感応化処理し、さらに塩化パラジウム（１’ｄ
ｅ１２　）等を含む水溶液を使って触奴逸理づ−る方法
があり、その触媒処理後、印刷法またはフＡトレジスト
法によりレジストを形成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この従来の方法は、フォトレジストを使っているので微
細な回路も形成可能であるが、導通回路以外の絶縁基板
表面らパラジウム（ｐｄ）刃により触媒処理されている
ため、絶縁基板表面の絶縁性が低下するという欠点があ
る。

本発明の目的は、プリン１〜基板、ハイブリッドＩＣ基
板等の絶Ｒ基板上に無電解めっきを使ったアディティブ
法で精度の高い微細な導通回路を形成する場合に、導通
回路以外の基板表面の電気抵抗を触媒処］！ｌ！笠で低
下させることのない基板製造方法を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、絶縁基板１１上に無電解めっきを使って導通
回路１７を形成するアディティブ法において、少なくと
も２層のレジスｌ−１２，１３を形成し、その最上層レ
ジスト１３および導通回路予定部１４の表面に無１Ｍめ
っきの析出を可能にする下地処Ｆ［！５１５゜１６を形
成し、少なくとも最上層レジスト層を剥離することによ
り導通回路予定部１４以外の下地処理層１６を除去する
とともに、下地処理されていない少なくとも１層以上の
残留レジスト層を形成し、これによって導通回路予定部
１４のみに無電解めっきの下地処理を施し、この導通回
路予定部１４に無電解めっきを析出させて導通回路１７
を形成するものである。

〔作用〕

本発明は、上層レジスト１３が下層レジス１−１２を下
地処理から保護するレジストとして作用する。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に示す一実施例を参照して詳細に説
明する。なお説明を容易にするために２層レジストの場
合について述べる。

第１図に示されるように、プリン１〜１！板、ハイブリ
ッドＩＣ基板等の絶縁基板１１上に先ず２Ｆｉのフォト
レジスト１２．１３を、液状フォトレジストの場合はロ
ールコータ−、ディップコーターまたはスピンコーター
等のコーターにより塗布し、またドライフィルム状のフ
オトレジス１への場合はラミネーターにより密着させる
ことにより形成する。

前記液状フォトレジストは先ず溶剤タイプのものを塗布
して乾燥した後に水溶性タイプのものを塗布して乾燥す
る。これらのフォトレジストはネガタイプでもポジタイ
プでも使用できる。

次に第２図に示されるように前記２層フォトレジスト１
２．１３を形成した基板面にパターンフィルム等を通し
て露光がなされる。この露光工程は一工程で行ってもよ
いし、各層のフォトレジストに適合した波長の光で多工
程にわたって行うこともできる。それから前記工程で形
成されたフォトレジスト仝層を現像する。この現像工程
は一工程で行ってもよいし、各層フォトレジストに適合
した現像液等を使用して多工程にわたって行うこともで
きる。

例えば、上層の水溶性フォトレジストを炭酸ソーダ（Ｎ
ａｚＣ０３）水溶液等で現像する。この際、下層の溶剤
タイプフォトレジストは溶剤タイプであるので、前記炭
酸ソーダ水溶液では現像されない。

次に例えばトリクロロエチレン等の溶剤で下層の溶剤タ
イプフォトレジストを現像する。この際、上層の現像剤
フォトレジストは水溶液であるので、トリクロロエチレ
ン等の溶剤で溶解しない。但し２層を同時に現像できる
現像液があればこれを使用しても何ら支障ない。以上の
工程により導通回路予定部１４の２層フォトレジストが
除去され、絶縁基板表面が露出する。

次に第３図に示されるように、無電解めっきの析出を可
能にする下地処理を行う。この下地処理としては、先ず
塩化錫を含む水溶液に浸漬する感応化処理と、ぞの水洗
後に塩化パラジウムを含む水溶液に浸漬する触媒処理と
からなるシーディング処理を行うか、または導電性物質
を含む液体等を各種方法で塗布してもよい。この工程に
より導通回路予定部１４である絶縁基板表面露出部はい
うまでもなく現＠流みである上層の水溶性タイプフォ］
・レジスト１３の表面にも触媒処理された下地処理層１
５．１６が形成される。なお補足説明しておくと、仮に
このまま無電解めっき工程に通した場合番よ、導通回路
予定部１４の絶縁基板表面露出部以外の現像済みである
上層の水溶性タイプフオＩ−レジスト１３の表面にも無
電解めっきが析出する悪現争が現われる。

次に第４図に示されるように、市況下地処理された上層
のフ７ｔ”レジスト１３を剥離する。例えば前記現像済
みである上層の７オトレジス１−１３のみを水酸化カリ
ウム水溶液で剥離する。これにより上層レジス１〜１３
上の下地処理層１Ｇも同時に完全に除去される。この際
、下層のフォトレジスト１２は溶剤タイプであるので剥
離せず残留する。なお３層以上の多層レジストの場合も
この工程を一工程で行ってもよいし、各フォトレジスト
層に適合した剥離液等を使用して多工程にわたって行う
こともできる。

以上の工程により、導通回路予定部１４のみに下地処理
層１５が残留され、下層の溶剤タイプフォトレジスト１
２には前記パラジウム等の無電解めっきの析出を誘発す
る物質はないから、この基板を無電解めつぎ液に浸漬ジ
れば、第５図に示されるように導通回路予定部１４のみ
に粘度の高い微細な無電解めっぎが析出され導通回路１
７が形成される。

この無電解めっき析出後または続くその他のめつぎ工程
等の終了後、残留のフォトレジスト１２は剥離してもよ
いし、または永久マスクとしてそのまま残留させること
もできる。

以上の通り前記実施例を総括すると、いわば上層の水溶
性タイブフＡｌ”レジスト１３が下層のめつきレジスト
である溶剤クイブフＡトレジス１〜１２を触媒処理から
保護するレジス１−として作用しているわけである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、絶縁基板上に少なくとも２層のレジス
トを形成し、その最上層レジストＪ３よび導通回路予定
部の表面に無電解めっきの析出を可能にする下地処理層
を形成し、少なくとも最上層レジスト層を剥離すること
により）り油回路予定部以外の下地処理層を除去すると
ともに、下地処理されていない少なくとも１１１Ａ以上
の残留レジスト層を形成し、これによって導通回路予定
部のみに無電解めっきの下地処理を施し、この導通回路
予定部に無電解めっきを析出させて導通回路を形成する
ようにしたから、前記導通回路予定部のみ触媒化され、
最上層を含む残留レジスト表面には無電解めっきの析出
を誘発する物質がなく、導通回路予定部のみに無電解め
っきを析出させることができ、その結果、精度の高い微
細な導通回路を形成できるとともに、導通回路以外の絶
縁基板表面には何ら絶縁棒を降下させる物質はなく、基
板の本来の絶縁特性が得られる。

【図面の簡単な説明】 図は本発明の基板製造方法の一実施工程を示すもので、
第１図は２層のフォトレジストが塗布された絶縁基板の
断面図、第２図は露光後に２層のフォトレジストが現像
された絶縁基板の断面図、第３図は感応化処理および触
媒処理された絶縁基板の断面図、第４図は上層フォトレ
ジストが剥離された絶縁基板の断面図、第５図は無電解
めっきが析出された絶縁基板の断面図である。 １１・・絶縁基板、１２．１３・・レジスト、１４・・
導通回路予定部、１５．　ＩＧ・・下地処理層、１７・
・導通回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板上に無電解めっきを使つて導通回路を形
   成するアディティブ法において、少なくとも２層のレジ
   ストを形成し、その最上層レジストおよび導通回路予定
   部の表面に無電解めつきの析出を可能にする下地処理層
   を形成し、少なくとも最上層レジスト層を剥離すること
   により導通回路予定部以外の下地処理層を除去するとと
   もに、下地処理されていない少なくとも１層以上の残留
   レジスト層を形成し、これによって導通回路予定部のみ
   に無電解めっきの下地処理を施し、この導通回路予定部
   に無電解めつきを析出させて導通回路を形成することを
   特徴とする基板製造方法。