JPWO2015076358A1 - 配線パターンの製造方法およびトランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

配線パターンの製造方法は、基板（２）上に第１の形成材料を含む液状体を塗布して下地膜（３）を形成することと、下地膜（３）の表面の少なくとも一部に第２の形成材料を含む液状体を塗布して下地膜（３）の保護層（９）を形成することと、保護層（９）の表面にレジスト層（４Ａ）を形成してレジスト層（４Ａ）を所望のパターン光で露光することと、露光されたレジスト層（４Ａ）を現像液（Ｄ）に接触させ、下地膜（３）がパターン光に対応して露出するまでレジスト層（４Ａ）と保護層（９）とを除去することと、露出した下地膜（３）の表面に触媒（５）を析出させた後、下地膜（３）の表面に無電解めっき液を接触させ無電解めっきを行うことと、を有する。

Description

本発明は、配線パターンの製造方法およびトランジスタの製造方法に関する。
本願は、２０１３年１１月２１日に出願された日本国特許出願２０１３−２４０６１３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

従来、材料表面の接触作用による還元を利用しためっき法である化学めっき（無電解めっき）が知られている。無電解めっきでは電気エネルギーを用いないため、不導体である樹脂材料やガラスなどに対してもめっきを施すことが可能である。

しかし、樹脂材料やガラスなどの難めっき材料は、形成されるめっき皮膜との間の密着力が弱く、めっき皮膜の内部応力によって簡単にめっきが剥がれ、膨れなどの剥離を生じてしまう。

そこで、基板の表面にクロム酸溶液などを用いてエッチング処理を施し、表面を化学的に粗化することが行われている。これにより、形成されるめっき皮膜が、粗化された樹脂材料の凹凸に食い込むようにして形成されるため、密着力を得ることができる（アンカー効果）。

その他にも、難めっき基板の表面上にＳＯＧ（Spin-on Glass）やポーラスＳＯＧの下地膜を設け、その下地膜の上に無電解めっきを行う方法(特許文献１参照)や、基板表面上に微粉末シリカなどのフィラー成分と樹脂組成成分からなる下地膜を設け、その下地膜上に無電解めっきを行う方法（特許文献２参照)が開示されている。

特開２００６−２２０１号公報 特開２００８−２０８３８９号公報

このような無電解めっきの技術は、下地膜の表面にフォトレジスト層（以下、レジスト層）を形成し、レジスト層を所定のパターンに露光、現像することで、配線パターンを形成する技術として用いることができる。

しかし、製造条件によっては、レジスト層の現像時に、現像液が下地膜を溶解するという現象を生じることがある。このような現象が生じると、下地膜とレジスト層との界面において、レジスト層は、露光した所定のパターンよりも幅方向に多く除去され、形成される配線パターンもレジスト層に露光した設計上のパターンよりも幅広いものとなってしまう。

本発明の態様は、高い寸法精度で所望のパターンを形成可能な配線パターンの製造方法を提供することを目的とする。また、無電解めっき法を用いて、高性能なトランジスタを製造することが可能なトランジスタの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る配線パターンの製造方法は、基板上の少なくとも一部に第１の形成材料を含む液状体を塗布してめっき下地膜を形成することと、前記めっき下地膜の表面の少なくとも一部に第２の形成材料を含む液状体を塗布して前記めっき下地膜の保護層を形成することと、前記保護層の表面にフォトレジスト材料からなるフォトレジスト層を形成して前記フォトレジスト層を所望のパターン光で露光することと、露光された前記フォトレジスト層を現像液に接触させ、前記めっき下地膜が前記パターン光に対応して露出するまで前記フォトレジスト層と前記保護層とを除去することと、露出した前記めっき下地膜の表面に無電解めっき用触媒である金属を析出させた後、前記めっき下地膜の表面に無電解めっき液を接触させ無電解めっきを行うことと、を有する。

また、本発明の一態様に係るトランジスタの製造方法は、上述の配線パターンの製造方法を用いて、基板上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の少なくとも１つを形成すること、を有する。

本発明の態様によれば、高い寸法精度で所望のパターンを形成可能な配線パターンの製造方法を提供することができる。また、無電解めっき法を用いて、高性能なトランジスタを製造することが可能なトランジスタの製造方法を提供することができる。

本実施形態の配線パターンの製造方法で製造する配線パターンの概略断面図である。 配線パターンの製造方法を示す工程図である。 配線パターンの製造方法を示す工程図である。 本実施形態の配線パターンの製造方法の効果を説明する説明図である。 本実施形態のトランジスタの製造方法で製造するトランジスタの概略断面図である。 トランジスタの製造方法を示す工程図である。 トランジスタの製造方法を示す工程図である。 トランジスタの製造方法を示す工程図である。 本実施形態のトランジスタの製造方法により製造されるトランジスタの変形例を示す概略断面図である。 本実施形態のトランジスタの製造方法により製造されるトランジスタの変形例を示す概略断面図である。 実施例の結果を示す写真である。 実施例の結果を示す写真である。 実施例の結果を示す写真である。 実施例の結果を示す写真である。

［配線パターンの製造方法］
以下、図１〜４を参照しながら、本実施形態に係る配線パターンの製造方法について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。

図１は、本実施形態の配線パターンの製造方法で製造する配線パターンの概略断面図である。積層体１は、基板２と、下地膜（めっき下地膜）３と、無電界めっき用の触媒５と、配線パターン６ａと、保護層９と、を有している。

基板２は、表面に形成された配線パターンを支持するものであり、形成される配線の仕様用途や配線を含む構造物の目的に応じて、光透過性を有するもの及び光透過性を有しないもののいずれも用いることができる。例えば、石英ガラスなどのガラス、窒化ケイ素などの無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などのポリエステル樹脂などの有機高分子（樹脂）などを用いることができる。

これら基板２の材料は、無電解めっきの結果として形成される金属製のめっき皮膜と金属結合を形成しない。そのため、本実施形態においては、これら基板２の材料を、直接めっき皮膜を形成しにくく、また形成されるめっき皮膜が剥離しやすい難めっき性の材料として取り扱う。また、例えば上述した材料の複合材料なども同様に基板２の形成材料として用いることができる。
本実施形態の積層体１は、基板２としてＰＥＴ樹脂を形成材料とする樹脂基板を用いるものとして説明する。

下地膜３は、基板２の一主面の全面を覆って形成されている。また、下地膜３の表面の一部には、触媒（無電解めっき用触媒）５が選択的に設けられている。

触媒５は、無電解めっき用のめっき液に含まれる金属イオンを還元する触媒であり、銀や金属パラジウム等の金属が挙げられる。中でも金属パラジウムが好適に用いられる。

下地膜３は、上述の触媒５である金属と結合を形成可能な膜であり、その金属と結合可能な基を有するシランカップリング剤を形成材料としている。下地膜３は、このようなシランカップリング剤を含む液状物を、基板２の一主面に塗布して形成される。下地膜３の形成材料は、「第１の形成材料」に該当する。

下地膜３の形成材料である「シランカップリング剤」は、触媒５である金属と結合可能な基と、基板２に結合可能な基と、がケイ素原子に結合している化合物である。上述の基板２の材料は、無電解めっきの結果として形成される金属製のめっき皮膜と金属結合を形成しないが、このような下地膜３を形成することで、下地膜３を介して基板２の表面に金属製のめっき被膜を形成することができる。

ここで、「金属と結合可能な基」とは、触媒５である金属またはその金属のイオンと、例えばイオン結合や配位結合を形成可能な基を指す。このような基としては、例えば窒素原子や硫黄原子を有する基が挙げられる。窒素原子を有する基としては、アミノ基、ウレア基、窒素原子を含む複素環化合物に結合する水素原子を１つ以上取り去って得られる基、などを例示することができる。また、硫黄原子を有する基としては、チオール基（またはメルカプト基）、チオカルボニル基、チオウレア基、硫黄原子を含む複素環化合物に結合する水素原子を１つ以上取り去って得られる基、などを例示することができる。窒素原子や硫黄原子を含む複素環化合物としては、ピロール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、チオフェンのような単環式の複素環芳香族化合物や、インドール、ベンゾチオフェンのような多環式の複素環芳香族化合物や、これらの芳香族化合物が有する芳香環における２以上の炭素原子が水素化され芳香属性を有さない複素環化合物が挙げられる。

また、「基板２に結合可能な基」としては、ヒドロキシ基や、炭素数１から６のアルコキシ基が挙げられる。

このような下地膜３の形成材料として用いることが可能な化合物として、具体的には、Ｎ−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、１−（３−（トリメトキシシリルプロピル））ウレア、ビス（３−（トリメトキシシリルプロピル））ウレア、２，２−ジメトキシ−１，６−ジアザ−２−シラシクロオクタン、Ｎ−（３−（トリメトキシシリルプロピル））−４，５−ジヒドロイミダゾール、ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）チオウレア、３−トリメトキシシリルプロパンチオール、トリメトキシシリルプロピル基で修飾されたポリエチレンイミンなどを例示することができる。

中でも、シランカップリング剤としては、アミノ基を有するものが好ましく、−ＮＨ_２で表される基を有する１級アミン、または−ＮＨ−で表される基を有する２級アミンであるとより好ましい。以下の説明においては、下地膜３は、１級アミンであるシランカップリング剤を用いて形成されているものとして説明する。

なお、図では、下地膜３が基板２の上面全面に形成されているものとしているが、触媒５が設けられる位置にのみ選択的に下地膜３を形成することとしても構わない。その場合、基板２の上面に、下地膜３の形成材料であるシランカップリング剤を通常知られた方法を用いて選択的に塗布することで、選択的に下地膜３を形成することができる。また、基板２の上面において、まず、下地膜３を形成する領域よりも広い領域にシランカップリング剤を塗布し、次いで、下地膜３を形成する領域からはみ出た部分に形成された膜に紫外線を照射することでシランカップリング剤を分解して除去し、選択的に下地膜３を形成することとしても構わない。

配線パターン６ａは、触媒５の表面に形成された金属電極であり、後述するように無電解めっきにより触媒５の表面に析出した金属で形成されている。配線パターン６ａの材料としては、ニッケル−リン（ＮｉＰ）や、銅（Ｃｕ）が挙げられる。

保護層９は、上述した下地膜３の形成材料とは異なる有機ケイ素化合物を形成材料としている。保護層９は、このような有機ケイ素化合物を含む液状物を、下地膜３の表面に塗布して形成される。保護層９の形成材料は、「第２の形成材料」に該当する。

保護層９の形成材料である「有機ケイ素化合物」は、下地膜３の形成材料であるシランカップリング剤よりも、配線パターンの製造過程で用いられる現像液に対する可溶性が低い。

また、保護層９の形成材料は、ケイ素原子に結合した加水分解基を有している。ケイ素原子に結合した「加水分解基」とは、例えばアルコキシ基、アミノ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子を挙げることができる。保護層９の形成材料は、ケイ素原子に結合した加水分解基を１つ有することとしてもよく、２つまたは３つ有することとしてもよい。また、保護層９の形成材料である有機ケイ素化合物としては、モノシラン化合物のみならず、ケイ素原子を２以上含む有機ケイ素化合物を用いることも可能である。

保護層９の形成材料（第２の形成材料）が有する加水分解基以外の置換基は、上述した現像液に対する可溶性に応じて、下地膜３の形成材料（第１の形成材料）よりも現像液に対する可溶性が低くなるような置換基が選ばれる。例えば、現像液としてＴＭＡＨ（Tetra-methyl-ammonium-hydroxyde）水溶液のような水溶液を用いる場合、保護層９の形成材料は、下地膜３の形成材料よりも水溶性が低いものが用いられる。

下地膜３の形成材料は、触媒５である金属またはその金属のイオンと、イオン結合や配位結合を形成可能な基、すなわち非共有電子対を含む基を有している。そのため、保護層９の形成材料が有する加水分解基以外の置換基としては、非共有電子対を含まないアルキル基またはアリール基が好ましい。

このような保護層９の形成材料として用いることが可能な化合物として、具体的には、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、フェニルトリクロロシラン（ＰＴＳ）を例示することができる。
ヘキサメチルジシラザンを形成材料として用いる場合、保護層９は、ヘキサメチルジシラザンが加水分解して得られるヘキサメチルジシランを主成分とするものとなる。
フェニルトリクロロシランを形成材料として用いる場合、保護層９は、フェニルトリクロロシランが水分と反応して得られるポリシロキサンを主成分とするものとなる。

ここで、現像液に対する下地膜３の形成材料および保護層９の形成材料の相対的な可溶性は、予備実験や理論計算にて確認することができる。例えば、現像液の溶媒が水である場合には、水溶性の指標となるオクタノール／水分配係数ＬｏｇＰを推算し、値を比較することで判断することができる。ＬｏｇＰが大きいほど脂溶性が高く、ＬｏｇＰが小さいほど水溶性が高いと判断することができる。ＬｏｇＰは、例えば、化学構造描画ソフト（ＣｈｅｍＤｒａｗ Ｐｒｏ Ｖ１２、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製）に付属の機能を用いて計算した値を採用することができる。

なお、保護層９は、本実施形態の配線パターンの製造方法により配線パターンを形成するときに主に用いられるものである。保護層９の機能については、後述する。

図では、保護層９が下地膜３の上面に形成されているものとしているが、後述する積層体１の製造過程において保護層９が除去され、積層体１には保護層９が残存しないこととしてもよい。

図２、３は、本実施形態の配線パターンの製造方法を用いた上述の積層体１の製造工程を示す工程図である。

まず、図２（ａ）に示すように、基板２の表面に、下地膜３の形成材料であるシランカップリング剤を必要に応じて水や有機溶媒で希釈した液状物を塗布し、塗膜３Ａを形成する。塗布の方法としては、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、ロールコート、刷毛塗り、フレキソ印刷やスクリーン印刷といった印刷法などの通常知られた方法を例示することができる。
ここでは、シランカップリング剤として、１級アミンである３−アミノプロピルトリエトキシシランを用いることとして説明する。

有機溶媒としては、シランカップリング剤を溶解可能であれば種々のものを用いることができ、中でも極性溶媒を好適に用いることができる。使用可能な溶媒として、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール（イソプロピルアルコール、ＩＰＡ）などのアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）のようなエーテル類、トルエンのような芳香族炭化水素、アセトニトリルのようなニトリル類、酢酸エステルのようなエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類を挙げることができる。

次いで、図２（ｂ）に示すように、熱処理により溶媒を揮発させて除去し、下地膜３を形成する。このように形成された下地膜３は、極めて薄い膜厚のシランカップリング剤層となるため、光散乱が生じにくく透明な皮膜となる。例えば本実施形態の製造方法で製造する配線パターンが光透過性を有する基板上に設けられる場合、下地膜３を基板２の表面全面に成膜しても基板２と下地膜３とを合わせた全体として光透過性を維持することができ、成膜が容易である。

このとき、下地膜３を形成するための熱処理温度が低いと、設定された熱処理時間内に形成材料の「基板２に結合可能な基」の反応が完了しないことがある。例えば、基板２として樹脂基板を採用する場合、基板２の変形温度以上の熱処理温度では加熱することができず、基板２の変形温度未満の熱処理温度とする必要が生じる。

本実施形態の配線パターンの製造方法では、基板２としてＰＥＴ基板を用いる。ＰＥＴ基板の連続使用温度は１０５℃であるため、熱処理温度の上限値は１０５℃となる。なお、「連続使用温度」は、基板の変形温度よりも低く、基板を変形させることなく使用可能な温度であり、ＵＬ規格のＵＬ７４６Ｂに規定される温度のことを指す。

このような場合、より高温（例えば１５０℃）に加熱する場合と比べ、下地膜３には、未反応の形成材料や、網目構造を形成せずに「基板２に結合可能な基」が残存する部分が含まれることが想定される。このような部分は、形成材料の反応が完了して得られる下地膜と異なり、後述の現像液で剥離や溶解を起こしやすく、劣化しやすい。
そこで、下地膜３を保護するための保護層を形成する。

すなわち、図２（ｃ）に示すように、保護層９の形成材料である有機ケイ素化合物を必要に応じて水や有機溶媒で希釈した液状物を、下地膜３の表面に塗布し、塗膜９Ａを形成する。塗布の方法としては、上述の塗膜３Ａを形成する場合に例示した通常知られた方法を採用することができる。また、有機材料としても、上述した下地膜３の形成材料を希釈するために用いられる有機溶媒を採用することができる。
ここでは、有機ケイ素化合物として、フェニルトリクロロシランを用いることとして説明する。

次いで、図２（ｄ）に示すように、熱処理により溶媒を揮発させて除去し、保護層９を形成する。このときの熱処理温度は、例えば１０５℃である。本実施形態において、保護層９は、フェニルトリクロロシランが水分と反応して得られるポリシロキサンを主成分とする。

次いで、図３（ａ）に示すように、保護層９上にフォトレジスト材料（以下、レジスト材料）を塗布し、これをプリベークすることでパターニングされていないレジスト層４Ａを形成する。レジスト材料としては、ここではポジ型フォトレジストを用いる。

その後、金属電極を形成する領域に対応する位置に開口部Ｍ１ａを備え、金属電極を形成しない領域に遮光部Ｍ１ｂを備えたマスクＭ１を介し、レジスト層４Ａに紫外線Ｌを照射する。このとき、レジスト層４Ａには、マスクＭ１の開口部Ｍ１ａのパターンに応じたパターン光が照射され、レジスト層４Ａを露光する。

次いで、図３（ｂ）に示すように、パターン光により露光されたレジスト層を溶解する現像液Ｄと接触させ、下地膜３がパターン光に対応して露出するまでレジスト層を除去して現像する。これにより、開口部４ａが設けられたレジスト層４を形成する。

このとき、開口部４ａに露出する保護層９は、現像液Ｄと接触することで一部剥離や溶解が生じ、除去される。しかし、保護層９が存在する間は、下地膜３と現像液Ｄとが接触しないため、下地膜３の溶解を抑制することができる。なお、レジスト層４と重なる保護層９は、残存する。

次いで、図３（ｃ）に示すように、レジスト層４に形成された開口部４ａに露出している下地膜３の表面に、無電解めっきに用いる触媒５を析出させる。具体的には、２価パラジウム塩のコロイド溶液を接触させることで、下地膜３に触媒５である金属を析出させる。

一般的な樹脂の無電解めっき工程は、洗浄→エッチング→触媒付与→無電解めっきで示される。ここで、「触媒付与」は、無電解めっきの反応開始剤（触媒）となるパラジウム（Ｐｄ）などの金属を、めっきを施す領域の表面に付着させる工程である。通常は、２価パラジウム塩と２価スズ（Ｓｎ）塩とのコロイド溶液を基板に接触させてパラジウムを付着させ、その後アクセレーターと呼ばれる酸またはアルカリ溶液に浸漬することで、パラジウムを０価に還元して活性化する工程を含む。

これに対し、本実施形態のように、下地膜の形成材料であるシランカップリング剤が１級アミンまたは２級アミンであると、上述したアクセレーターを用いた還元処理が不要となることが、発明者らによって確認されている。そのため、シランカップリング剤として１級アミンまたは２級アミンを用いると、無電解めっきの操作が簡略化される。本実施形態においては、下地膜３の形成材料として１級アミンである３−アミノプロピルトリエトキシシランを用いるため、還元処理が不要となり、操作が簡略化される。

なお、シランカップリング剤が３級アミン、または他の「金属と結合可能な基」を有するケイ素化合物である場合には、２価パラジウム塩のコロイド溶液を塗布した後、上述したアクセレーターを用いる通常の処理（活性化する工程）を行うことで、下地膜３に無電解めっき用の触媒５を析出させることができる。

次いで、図３（ｄ）に示すように、触媒５に無電解めっき液を接触させることにより、触媒５の表面で無電解めっき液に溶解する金属イオンを還元して析出させ、開口部４ａ内に選択的にニッケル−リンを形成材料とする配線パターン６ａを形成する。シランカップリング剤が１級アミンまたは２級アミンである場合、アクセレーターを用いた活性化を行うことなく無電解めっき液に浸漬することで、触媒５の表面がめっきされる。このことから、下地膜３の表面に金属パラジウムが析出していることを、間接的に確認することができる。

次いで、図３（ｅ）に示すように、残存するレジスト層の全面に紫外線を露光した後に、通常知られた現像液Ｄでレジスト層を除去する。図では、レジスト層を除去した後に保護層９が残存することとして示しているが、レジスト層を除去する条件によっては、保護層９が除去されることがある。このようにして、配線パターン６ａを有する積層体１を形成する。

図４は、本実施形態の配線パターンの製造方法の効果を説明する説明図であり、保護層９を形成しない場合の配線形成の様子を示す模式図である。図４（ａ）は図３（ｂ）に対応する図であり、図４（ｂ）は図３（ｄ）に対応する図である。

図４（ａ）に示すように、下地膜３を覆う保護層９を設けることなくレジスト層４を形成する場合、レジスト層４を形成する際の現像処理において、下地膜３が溶解する可能性がある。図４（ａ）では、符号αで示す破線で囲む部分として示している。

この場合、図４（ｂ）に示すように、図３と同様に触媒５を析出させると、下地膜３が溶けて符号αの部分まで広がった分だけ、触媒５が幅広く析出することとなり、無電解めっきを行うと、広がった触媒５の分だけ幅広い配線パターン６ｘが形成されることとなる。

すなわち、保護層９を形成しない場合、露光するパターン光に対応してレジスト層４に設けられた開口部４ａの幅Ｌ１よりも、形成される配線パターン６ｘの幅Ｌ２の方が広くなり、設計通りの配線を精度良く製造することが困難となる。

これに対し、図３に示すように、保護層９を形成する本実施形態の配線パターンの製造方法においては、下地膜３の溶解を抑制することができるため、形成される配線パターン６ａの幅を、パターン光に対応して形成される開口部４ａの幅と同じ幅とすることができる。

したがって、以上のような配線パターンの製造方法によれば、高い寸法精度で所望の配線パターンを形成可能となる。

本実施形態の配線パターンの製造方法は、下地膜の形成材料が未反応のまま下地膜に残存しやすい条件で配線を形成する必要がある場合に、特に有益である。このような場合とは、上述したように、基板の形成材料の耐熱性が低いため、下地膜の熱処理温度を低く設定する必要がある場合が挙げられる。他にも、製造時間を短くするために、下地膜の熱処理時間を短く設定する必要がある場合を例示することができる。

［トランジスタの製造方法］
以下、図５〜９Ｂを参照しながら、本実施形態に係るトランジスタの製造方法について説明する。

図５は、本実施形態のトランジスタの製造方法で製造するトランジスタの概略断面図である。トランジスタ１００Ａは、いわゆるボトムコンタクト型のトランジスタである。以下の説明では、半導体層の形成材料として有機半導体を用いた有機トランジスタについて説明するが、本発明は、半導体層の形成材料として無機半導体を用いた無機トランジスタについても適用可能である。

トランジスタ１００Ａは、基板２と、下地膜３と、無電解めっき用の触媒５と、ゲート電極（配線）６と、絶縁体層７と、保護層９と、下地膜１３と、無電解めっき用の触媒１５と、ソース電極１６と、ドレイン電極１７と、有機半導体層（半導体層）２０と、を有している。

なお、基板２、下地膜３、触媒５および保護層９については、上述した積層体１において用いたものと同じものを用い、ゲート電極６については、上述した積層体１の配線パターン６ａをゲート電極として用いるものとする。

絶縁体層７は、ゲート電極６、下地膜３および保護層９の表面を覆って全面に設けられている。絶縁体層７は、絶縁性を有し、ゲート電極６と、絶縁体層７の表面に設けられるソース電極１６およびドレイン電極１７と、を電気的に絶縁することが可能であれば、無機材料および有機材料のいずれを用いて形成してもよい。中でも、製造や微細な加工が容易であることから、光硬化型樹脂材料を形成材料とすることができる。例えば、絶縁体層７の形成材料として、紫外線硬化型のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、エン・チオール樹脂、シリコーン樹脂などを挙げることができる。

下地膜１３は、絶縁体層７の上面全面に形成されている。下地膜１３は、ソース下地膜およびドレイン下地膜であり、ソース下地膜およびドレイン下地膜が連続する膜として形成されている。下地膜１３は、基板２の一主面の全面を覆って形成されており、下地膜１３の表面の一部には、触媒（無電解めっき用触媒）１５が選択的に設けられている。触媒１５の形成材料としては、上述の触媒５と同様のものを用いることができる。

下地膜１３の形成材料としては、上述の下地膜３と同様のものを用いることができるが、下地膜３と下地膜１３との形成材料を異ならせてもよい。以下の説明においては、下地膜１３は、下地膜３と同じ１級アミンであるシランカップリング剤を用いて形成されているものとして説明する。

なお、図では、下地膜１３が絶縁体層７の上面全面に形成されているものとしているが、触媒１５が設けられる位置にのみ選択的に下地膜１３を形成することとしても構わない。その場合、絶縁体層７の上面に、下地膜１３の形成材料であるシランカップリング剤を通常知られた方法を用いて選択的に塗布することで、選択的に下地膜１３を形成することができる。また、絶縁体層７の上面において、まず、下地膜１３を形成する領域よりも広い領域にシランカップリング剤を塗布し、次いで、下地膜１３を形成する領域からはみ出た部分に形成された膜に紫外線を照射することでシランカップリング剤を分解して除去し、選択的に下地膜１３を形成することとしても構わない。

ソース電極１６およびドレイン電極１７は、触媒１５の表面に形成された金属電極である。ソース電極１６は、第１電極１６１と、第１電極１６１の表面を覆う第２電極１６２とを有している。同様に、ドレイン電極１７は、第３電極１７１と、第３電極１７１の表面を覆う第４電極１７２とを有している。

第１電極１６１及び第３電極１７１は、上述したゲート電極６と同様に、無電解めっきにより形成される。第１電極１６１及び第３電極１７１の材料としては、ニッケル−リン（ＮｉＰ）や、銅（Ｃｕ）が挙げられる。第１電極１６１及び第３電極１７１は、それぞれ同じ材料で形成されてよいし、互いに異なる材料で形成されてもよい。本実施形態においては、第１電極１６１及び第３電極１７１の形成材料として、ニッケル−リン（仕事関数：５．５ｅＶ）を用いることとして説明する。

第２電極１６２は、第１電極１６１の触媒１５に接しない表面全面を覆って形成された金属めっき層である。すなわち、第２電極１６２は、ソース電極１６において、互いに対向する側面１６ａ（対向する面）を覆って設けられている。
第４電極１７２は、第３電極１７１の触媒１５に接しない表面全面を覆って形成された金属めっき層である。すなわち、第４電極１７２は、ドレイン電極１７において、互いに対向する側面１７ａ（対向する面）を覆って設けられている。

第２電極１６２及び第４電極１７２の形成材料としては、後述する半導体層２０の形成材料のＨＯＭＯ／ＬＵＭＯ準位との関係で、電子移動（または正孔移動）が容易な仕事関数を持つ金属材料を用いる。第２電極１６２及び第４電極１７２は、それぞれ同じ材料で形成されてよいし、互いに異なる材料で形成されてもよい。本実施形態においては、第２電極１６２及び第４電極１７２の形成材料として、金（仕事関数：５．４ｅＶ）を用いることとして説明する。

半導体層２０は、ソース電極１６およびドレイン電極１７の間において下地膜１３の表面に設けられ、ソース電極１６とドレイン電極１７とに接して形成されている。詳しくは、半導体層２０は、ソース電極１６の側面１６ａ、およびドレイン電極１７の側面１７ａに接して設けられており、第２電極１６２及び第４電極１７２と接している。

半導体層２０の形成材料としては、通常知られた有機半導体材料を用いることができる。例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、ペンタセン、ルブレン、テトラセン、Ｐ３ＨＴ（poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)）のようなｐ型半導体や、Ｃ_６０のようなフラーレン類、ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ（N,N'-dioctyl-3,4,9,10-perylene tetracarboxylic diimide）のようなペリレン誘導体などのｎ型半導体を用いることができる。中でも、ＴＩＰＳペンタセン（6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene）のような可溶性ペンタセンや、Ｐ３ＨＴなどの有機半導体ポリマーは、トルエンのような有機溶媒に可溶であり、湿式工程で半導体層２０を形成可能であるため好ましい。本実施形態においては、半導体層２０の形成材料として、ｐ型半導体であるＴＩＰＳペンタセン（ＨＯＭＯ準位：５．２ｅＶ）を用いることとして説明する。
また、半導体層２０の形成材料としては、有機半導体材料に限らず、通常知られた無機半導体材料を用いることも可能である。

上述したように、第１電極１６１及び第３電極１７１の形成材料であるニッケル−リンは、仕事関数が５．５ｅＶであり、第２電極１６２及び第４電極１７２の形成材料である金は、仕事関数が５．４ｅＶであり、半導体層２０の形成材料であるＴＩＰＳペンタセンは、ＨＯＭＯ準位が５．２ｅＶである。すなわち、ソース電極１６およびドレイン電極１７の表面は、第１電極１６１及び第３電極１７１よりも、半導体層２０の形成材料との間で電子移動が容易な（半導体層２０のＨＯＭＯとのエネルギー準位差が小さい）仕事関数を持つ金属材料を用いて第２電極１６２及び第４電極１７２が形成されている。そのため、半導体層２０とソース電極１６およびドレイン電極１７との間でショットキー抵抗が低減され、駆動時に良好に電子移動させることができる。

このようなトランジスタ１００Ａでは、無電解めっきによって形成されたゲート電極６、ソース電極１６、ドレイン電極１７が、シランカップリング剤を形成材料とする下地膜３，１３（ゲート下地膜、ソース下地膜、ドレイン下地膜）の上に形成されている。例えば、凹凸形状を有している領域にこれらの電極を形成する場合、下地の凹凸を反映して各電極には凹凸形状が付される。すると、絶縁体層を介して積層された電極間の距離が一定せず、ゲート電極とソース電極またはゲート電極とドレイン電極の距離が近づいた位置において絶縁が破れ、リーク電流が発生する可能性がある。また、下地が凹凸形状を有すると、ゲート電極と平面的に重なる半導体層のチャネル領域にも凹凸形状が付与され、チャネル領域においてキャリアの移動距離が長くなり、性能が低下する可能性がある。

しかし、本実施形態のトランジスタ１００Ａでは、下地膜３，１３がシランカップリング剤を形成材料としており、基板表面を粗化したりフィラー成分を含む下地膜を用いたりしないので平滑な膜となっている。そのため、下地膜３，１３を形成することによっては凹凸形状が形成されず、凹凸形状に起因する不具合が生じないため、高性能なトランジスタとなる。

以下、図６〜８を用いて、上述のトランジスタ１００Ａの製造方法について説明する。

まず、上述した本実施形態の配線パターンの製造方法と同様の方法で、基板２の一主面にゲート電極６を形成する。

次に、図６（ａ）に示すように、ゲート電極６を覆って下地膜３の表面に、絶縁性を有する樹脂材料の前駆体を有機溶媒に溶解させた塗布液を塗布する。塗布の方法としては、上述の方法を用いることができる。

樹脂材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、エン・チオール樹脂、シリコーン樹脂を用いることができる。また、有機溶媒としては、上述の塗膜３Ａに係る塗布液と同様の極性溶媒を用いることができる。また、塗布液においては、濃度や有機溶媒の種類を変更することにより、塗布液全体の粘度を調整し、塗布液の塗膜７Ａの膜厚を制御することができる。

図に示す工程においては、ゲート電極６と、上層に形成するソース電極およびドレイン電極との間のリークを抑制するため、塗膜７Ａが数百ｎｍ程度の厚さとなるように厚塗りする。

次いで、図６（ｂ）に示すように、絶縁体層７を形成する領域に対応して開口部が設けられたマスクＭ２を介し、塗膜７Ａに紫外線Ｌを照射して樹脂材料を硬化させ、絶縁体層７を形成する。この際、樹脂材料の硬化反応を促進させるため、紫外線照射と同時または紫外線照射後に熱処理を行うことができる。

次いで、図６（ｃ）に示すように、塗膜を溶解する溶媒Ｓで現像することにより、未硬化の塗膜を除去し、パターニングされた絶縁体層７を形成する。

なお、ここでは、ゲート電極６を覆って下地膜３の表面に、絶縁性を有する樹脂材料の前駆体を有機溶媒に溶解させた塗布液を塗布し、紫外線を照射してその前駆体を硬化させて絶縁体層７を形成する形態について説明したが、絶縁体層７とゲート電極６との密着性を向上させるため、その塗布液を塗布する前に、ゲート電極６を含む表面を覆ってシランカップリング剤を塗布してもよい。

次に、図７（ａ）に示すように、絶縁体層７の上面全面に、上述のシランカップリング剤（第１の形成材料）を必要に応じて有機溶媒で希釈した液状物を塗布し、熱処理を行って有機溶媒を揮発させて除去し、下地膜１３を形成する。

さらに、下地膜１３の上面全面に、上述の有機ケイ素化合物（第２の形成材料）を必要に応じて有機溶媒で希釈した液状物を塗布し、熱処理を行って有機溶媒を揮発させて除去し、保護層１９を形成する。

シランカップリング剤、有機ケイ素化合物および有機溶媒としては、上述した下地膜３および保護層９の形成で例示したものと同様のものを用いることができる。

次いで、図７（ｂ）に示すように、絶縁体層７および下地膜１３を覆ってレジスト材料を塗布し、これをプリベークすることでパターニングされていないレジスト層１４Ａを形成する。レジスト材料としては、ここではポジ型フォトレジストを用いる。

その後、ソース電極およびドレイン電極を形成する領域に対応して開口部が設けられたマスクＭ３を介し、レジスト層１４Ａにパターン光である紫外線Ｌを照射し、レジスト層１４Ａを露光する。

次いで、図７（ｃ）に示すように、紫外線が照射されたレジスト層を溶解する現像液Ｄで現像することにより、下地膜１３がパターン光に対応して露出するまでレジスト層１４Ａおよび保護層１９を除去し、開口部１４ａが設けられたレジスト層１４を形成する。

図７（ｃ）では、現像時に保護層１９がすべて除去されることとして示している。保護層９の形成で示したように、レジスト層１４の開口部１４ａに対応した部分に保護層１９が残存することとしても構わない。

次に、図８（ａ）に示すように、開口部１４ａに露出している下地膜１３に、２価パラジウム塩のコロイド溶液を接触させることで、下地膜１３の表面に無電解めっきに用いる触媒１５を析出させる。その後、触媒１５に無電解めっき液を接触させることにより、触媒１５の表面で無電解めっき液に溶解する金属イオンを還元して析出させ、開口部１４ａ内に選択的にニッケル−リンを形成材料とする第１電極１６１及び第３電極１７１を形成する。

次いで、図８（ｂ）に示すように、残存するレジスト層の全面に紫外線を露光した後に、通常知られた現像液Ｄでレジスト層を除去する。このようにして、第１電極１６１及び第３電極１７１を形成する。

次に、図８（ｃ）に示すように、全体を置換金めっき浴に浸漬させることで、第１電極１６１及び第３電極１７１の表面に金を置換析出させ、更に、還元金めっき浴に浸漬させることにより、第１電極１６１及び第３電極１７１の表面に金を形成材料とする第２電極１６２及び第４電極１７２を形成する。このようにして、ソース電極１６およびドレイン電極１７を形成する。

次いで、図８（ｄ）に示すように、ＴＩＰＳペンタセンのような、有機溶媒に可溶な有機半導体材料をその有機溶媒に溶解した溶液Ｓ１を、ソース電極１６およびドレイン電極１７の間に塗布し、乾燥させることにより、半導体層２０を形成する。なお、ここでは、湿式法により半導体層２０を形成することとしたが、昇華法、転写法などの方法を用いることもできる。
以上のようにして、トランジスタ１００Ａを製造することができる。

以上のような構成のトランジスタの製造方法によれば、ゲート電極６、ソース電極１６およびドレイン電極１７の形成に、上述した配線パターンの製造方法を用いているため、高い寸法精度で所望の電極を形成可能である。そのため、無電解めっき法を用いて、高性能なトランジスタを製造することが可能となる。

なお、本実施形態においては、ゲート電極６、ソース電極１６およびドレイン電極１７の全てを、上述した配線パターンの製造方法を用いて形成することとして説明したが、ゲート電極６、ソース電極１６およびドレイン電極１７の少なくともいずれか１つを形成する時に、上述した配線パターンの製造方法を用いることとしてもよい。

（変形例１）
なお、本実施形態においては、ボトムコンタクト型のトランジスタ１００Ａを製造することとして説明したが、これに限らない。

図９Ａ、９Ｂは、本実施形態のトランジスタの製造方法により製造されるトランジスタの変形例を示す概略断面図である。変形例の説明において、上述したトランジスタ１００Ａの構成と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

図９Ａに示すトランジスタ１００Ｂは、いわゆるトップコンタクト型のトランジスタである。トランジスタ１００Ｂは、絶縁体層７の上に配置され表面にソース電極１６およびドレイン電極１７が形成される半導体層２０を有する。すなわち、絶縁体層７の上面全面に半導体層２０が形成され、半導体層２０の上面全面に下地膜１３が形成されている。

下地膜１３の上面には、選択的に触媒１５が設けられ、第１電極１６１および第２電極１６２を有するソース電極１６と、第３電極１７１および第４電極１７２を有するドレイン電極１７と、が形成されている。

このようなトランジスタ１００Ｂは、基板２上にゲート電極６を形成し、ゲート電極６を覆って半導体層２０および絶縁体層７（絶縁体層を含む層）を形成し、絶縁体層を含む層の表面にソース電極１６およびドレイン電極１７を形成することにより製造することができる。

図９Ｂに示すトランジスタ１００Ｃは、いわゆるトップゲート・ボトムコンタクト型のトランジスタである。トランジスタ１００Ｃは、基板２と、基板２の表面に下地膜（めっき下地膜）１３が設けられ、下地膜１３の表面にソース電極１６と、ドレイン電極１７と、が設けられている。

ソース電極１６と、ドレイン電極１７との間には、ソース電極１６およびドレイン電極１７に接する半導体層２０が設けられ、ソース電極１６、ドレイン電極１７および半導体層２０を覆って絶縁体層７が設けられている。

絶縁体層７の表面には、触媒５および保護膜９が設けられ、触媒５の上にはゲート電極６が設けられている。

このようなトランジスタ１００Ｃは、基板２上にソース電極１６およびドレイン電極１７を形成し、ソース電極１６およびドレイン電極１７を覆って半導体層２０および絶縁体層７（絶縁体層を含む層）を形成し、絶縁体層を含む層の表面にゲート電極６を形成することにより製造することができる。

このようなトランジスタ１００Ｂ，１００Ｃにおいても、ゲート電極６、ソース電極１６およびドレイン電極１７の少なくともいずれか１つを形成する時に、上述した配線パターンの製造方法を用いる。すなわち、下地膜３，１３を覆う保護層を形成した後にレジスト層の加工を行うことで、高い寸法精度で所望の電極を形成可能である。そのため、無電解めっき法を用いて、高性能なトランジスタを製造することが可能となる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、基板として非金属材料を用いることができる。非金属材料であるＰＥＴ基板を用いて、その基板上に下地膜を形成しためっき用部材を複数用意し、複数のめっき用部材を搬送しながら搬送過程において上述の製造方法を用いてトランジスタを製造することで、ＰＥＴ基板上に高性能のトランジスタを形成することができる。

さらに、基板として可撓性を有する長尺のＰＥＴフィルムを用い、そのフィルム上に下地膜を形成しためっき用部材をロール状に巻き取っておき、そのめっき用部材を巻出しながら搬送し、上述の製造方法を用いて連続的にトランジスタを形成した後に、製造されるトランジスタをロール状に巻き取る、所謂ロールトゥロール工程においてＰＥＴフィルム上にトランジスタを形成することができる。

また、本実施形態においては、シランカップリング剤を形成材料とする下地膜を形成した上で、その下地膜に無電解めっき用の触媒を析出させ、無電解めっきを行ってゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成することとしたが、これらの電極のうちいずれか１つまたは２つの電極を上記方法で形成し、残る電極を他の方法で形成することとしても構わない。例えば、ゲート電極については、通常知られたパターニング方法を用いて形成し、ソース電極およびドレイン電極について、上述の製造方法を用いて形成することとしてもよい。

以下に本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

本実施例においては、第１の形成材料として、アミン系シランカップリング剤である３−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＫＢＥ９０３、信越シリコーン社製）を、メチルイソブチルケトン（以下、ＭＩＢＫと称することがある）に溶解して液状物を調製し、下地膜の形成に用いた。以下の説明においては、第１の形成材料が溶解した液状物を、「液状物１」と称する。

また、第２の形成材料として、フェニルトリクロロシランを、０．１質量％となるようにＭＩＢＫに溶解して液状物を調整し、保護層の形成に用いた。以下の説明においては、第２の形成材料が溶解した液状物を、「液状物２」と称する。

[配線パターンの形成１]
（実施例１）
ＰＥＴ基板（型番：Ａ−４１００（コートなし）、東洋紡績株式会社製）の表面を大気圧酸素プラズマにより洗浄した後、０．５質量％となるように第１の形成材料を溶解した液状物１をディップコートにてＰＥＴ基板上に塗布した。ディップコートの引き上げ速度は１ｍｍ／秒とした。その後、１０５℃で１５分間加熱して下地膜を形成した。
なお、以下の工程においても、ディップコートの引き上げ速度は、上述の条件を採用した。

次いで、下地膜を形成したＰＥＴ基板に、液状物２をディップコートにて塗布した。その後、１０５℃で１０分間加熱して、保護層を形成した。

次いで、保護層を形成したＰＥＴ基板に対し、レジスト材料（ＳＵＭＩＲＥＳＩＳＴ ＰＦＩ−３４Ａ６、住友化学株式会社製）をディップコートし、１０５℃にて５分間加熱（プリベーク）することにより、レジスト層を形成した。

次いで、フォトマスクを介して、２９ｍＷ／ｃｍ^２の強度の紫外線を２秒間露光し、１０５℃で１５分間加熱（ポストベーク）した後に、２．３８％ＴＭＡＨ溶液に１．５分間浸漬することにより、レジスト層にマスクパターンを現像し開口部を形成した。

次いで、レジスト層開口部が形成された基板について、室温にて３０秒間、超音波水洗を行った後に、無電解めっき用の触媒コロイド溶液（メルプレート アクチベーター７３３１、メルテックス社製）に、室温にて６０秒間浸漬し、レジスト層の開口部に露出している下地膜に触媒を付着させた。

次いで、表面を水洗した後に、無電解めっき液（メルプレート ＮＩ−８６７、メルテックス社製）に、７３℃にて６０秒間浸漬し、レジスト層の開口部に付着している触媒上にニッケル−リン（ＮｉＰ）を析出させてニッケル−リンめっきを行った。

次いで、表面を水洗した後に乾燥させ、残存するレジスト層を含む全面に、２９ｍＷ／ｃｍ^２の強度の紫外線を１分間露光した後、エタノールに１分間浸漬することでレジスト層を除去し、配線パターンを作製した。

（実施例２）
保護層の形成材料として、ヘキサメチルジシラザン（１２０５８−１Ａ、関東化学社製）を用いたこと、およびヘキサメチルジシラザンを溶媒で希釈することなく保護層の形成に用いたこと以外は実施例１と同様にして、配線パターンを作製した。

（比較例１）
０．２質量％となるように第１の形成材料を溶解した液状物１を用いて下地膜を形成したこと、および保護層を形成しないこと以外は実施例１と同様にして、配線パターンを作製した。

図１０、１１は、作製した配線パターンの光学顕微鏡写真である。写真において、白く見えている部分が配線である。図１０は実施例１、図１１は比較例１で形成した配線パターンを示す。

図１０に示すように、実施例１の配線パターンは、均一な幅で形成されていた。対して、図１１に示すように、比較例１の配線パターンは、幅が不均一であったり（図１１（ａ））、表面が荒れていたり（図１１（ｂ））しており、配線の寸法精度が低くなっていた。

なお、実施例２においても、均一な幅の配線パターンが形成されていることを確認した。

[配線パターンの形成２]
（実施例２）
実施例１と同様の方法にて、ＰＥＴ基板上にゲート電極を形成した。ゲート電極が形成されたＰＥＴ基板に対し、エポキシ樹脂ベースの紫外線硬化型樹脂（ＳＵ−８、日本化薬社製）をディップコートし、１０５℃にて５分間加熱（プリベーク）することにより、紫外線硬化型樹脂の塗膜を形成した。

次いで、塗膜に、フォトマスクを介して２９ｍＷ／ｃｍ^２の強度の紫外線を５秒間露光し、１０５℃で６０分間加熱（ポストベーク）した。

次いで、現像液（プロピレングリコール−１−メチルエーテル−２−アセテート、ＰＥＧＭＥＡ）に浸漬させて、紫外線の非照射部を除去してパターニングした。その後、１０５℃で３０分熱処理を行い、ゲート絶縁膜を成膜した。

次いで、実施例１と同様の方法にて、ゲート絶縁膜の表面にソース電極およびドレイン電極に対応したニッケル−リン電極である第１電極を作製した。

次いで、表面を水洗した後、置換金めっき浴に１分間浸漬させ、更に還元めっき浴に３分間浸漬させることで、無電解金めっきを行い、ニッケル−リン電極の表面を金で被覆してソース電極およびドレイン電極を作製した。

形成した配線パターンは、ソース電極およびドレイン電極を接続するように半導体層を形成することで、トランジスタとして機能するものである。

（比較例２）
ゲート絶縁膜の表面にソース電極およびドレイン電極に対応したニッケル−リン電極を作製する際、下地膜を形成した後に保護層を形成しないこと以外は実施例２と同様にして、配線パターンを作製した。

図１２、１３は、作製した配線パターンの光学顕微鏡写真である。図１２は実施例２、図１３は比較例２で形成した配線パターンを示す。

図１２に示すように、実施例２の配線パターンは、ソース電極およびドレイン電極が均一な幅で形成されており、ソース電極およびドレイン電極の間の間隔は５μｍであった。

対して、図１３に示すように、比較例２の配線パターンは、配線の寸法精度が低くなっていた。
図中、符号βの破線で囲む部分では、幅が不均一となっている部分が確認された。
また、図中、符号γの破線で囲む部分では、ゲート電極とドレイン電極とが短絡している部分が確認された。図１３において、ゲート電極およびドレイン電極が互いに離れている部分では、ゲート電極およびドレイン電極の端部に対応した影を黒い筋として確認できるが、符号γの部分では、筋が途切れている。短絡部分では電極の端部に対応した影が形成されないため、ゲート電極およびドレイン電極が短絡している部分であると判断できる。

以上の結果より、本発明の有用性が確かめられた。

１…積層体、２…基板、３…下地膜（ゲート下地膜）、６…ゲート電極（配線）、７…絶縁体層、９，１９…保護層、１３…下地膜（ソース下地膜、ドレイン下地膜）、１４…レジスト層、１４ａ…開口部、１５…無電解めっき用触媒、１６…ソース電極、１７…ドレイン電極、２０…半導体層、１００Ａ，１００Ｂ…トランジスタ、Ｄ…現像液。

Claims (15)

1. 基板上の少なくとも一部に第１の形成材料を含む液状体を塗布してめっき下地膜を形成することと、
   前記めっき下地膜の表面の少なくとも一部に第２の形成材料を含む液状体を塗布して前記めっき下地膜の保護層を形成することと、
   前記保護層の表面にフォトレジスト材料からなるフォトレジスト層を形成して前記フォトレジスト層を所望のパターン光で露光することと、
   露光された前記フォトレジスト層を現像液に接触させ、前記めっき下地膜が前記パターン光に対応して露出するまで前記フォトレジスト層と前記保護層とを除去することと、
   露出した前記めっき下地膜の表面に無電解めっき用触媒である金属を析出させた後、前記めっき下地膜の表面に無電解めっき液を接触させ無電解めっきを行うことと、
   を有する配線パターンの製造方法。
2. 前記第１の形成材料よりも前記第２の形成材料のほうが前記現像液に対する可溶性が低い請求項１に記載の配線パターンの製造方法。
3. 前記第２の形成材料は、ケイ素原子に結合した加水分解基を有する有機ケイ素化合物である請求項１または請求項２に記載の配線パターンの製造方法。
4. 前記第２の形成材料は、前記ケイ素原子に結合した前記加水分解基を１つ有する有機ケイ素化合物である請求項３に記載の配線パターンの製造方法。
5. 前記第２の形成材料は、前記ケイ素原子に結合した前記加水分解基を２つまたは３つ有する有機ケイ素化合物である請求項３に記載の配線パターンの製造方法。
6. 前記第１の形成材料は、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも一方を有する基を含むシランカップリング剤である請求項１から５のいずれか１項に記載の配線パターンの製造方法。
7. 前記シランカップリング剤が、アミノ基を有する請求項６に記載の配線パターンの製造方法。
8. 前記シランカップリング剤が、１級アミンまたは２級アミンである請求項７に記載の配線パターンの製造方法。
9. 前記基板が、非金属材料からなる請求項１から８のいずれか１項に記載の配線パターンの製造方法。
10. 前記基板が、樹脂材料からなる請求項９に記載の配線パターンの製造方法。
11. 前記基板が、可撓性を有する請求項１０に記載の配線パターンの製造方法。
12. 前記めっき下地膜は、前記基板の変形温度よりも低い加熱温度で熱処理して形成される請求項１０または１１に記載の配線パターンの製造方法。
13. 請求項１から１２のいずれか１項に記載の配線パターンの製造方法を用いて、基板上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の少なくとも１つを形成することを有するトランジスタの製造方法。
14. 前記基板上に前記ゲート電極を形成することと、
    前記ゲート電極を覆って絶縁体層を含む層を形成することと、
    前記絶縁体層を含む層の表面に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することと、を有する請求項１３に記載のトランジスタの製造方法。
15. 前記基板上に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することと、
    前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆って絶縁体層を含む層を形成することと、
    前記絶縁体層を含む層の表面に前記ゲート電極を形成することと、を有する請求項１３に記載のトランジスタの製造方法。