JP2733375B2 - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プリント配線板の製造方法、とくに外部回
路との接続部位のみにめっきレジストの残留層（永久レ
ジスト）を設けてなるアディティブ法により導体回路形
成を行う形式のプリント配線板の製造方法について提案
する。

〔従来の技術〕

最近、プリント配線板は、高密度化が進み、導体（ラ
イン）幅及び導体間のすきま（スペース）距離が著しく
狭くなっている。しかも、このプリント配線板上に搭載
する電子部品の数も増え、搭載する半導体部品接続端子
の本数が増えているのが実情である。

このような状況にあるプリント配線板への電子部品の
搭載は、これらの部品を半田付けして固着することにっ
て行っている。すなわち、導体（銅箔）回路の所定導体
面積に半田ペーストを印刷し、乾燥後フェージングして
部品の搭載を果している。しかし、配線板は吸湿現象や
温度変化により膨張収縮する上、高密度配線のために幅
の狭い導体回路しかないところに半田ペーストを規則正
しく印刷することは極めて困難である。

a.これに対し、従来、特開昭63−285996号公報などでは
めっきレジストをそのまま残留させて永久レジストとす
ることによって、半導体素子（LSI）を実装する際のセ
ルフアライメント効果を実現すると共に、はんだブリッ
ジの起らないプリント配線板を提案している。事実、現
在のプリント配線板の実装精度はライン（Ｌ）／スペー
ス（Ｓ）＝250μm/250μｍが限度であるのに対し、実際
のアディティブ配線板の密度はライン（Ｌ）／スペース
（Ｓ）＝100/100μｍであるから、上述の如きセルフア
ライメント効果なしでは実装できないのが実情である。

b.ところが、上掲の例では“めっきレジスト”をそのま
ま残してソルダーレジストの役目をもつ永久レジストと
する方法であるが、これでは、接着剤層の表面に施した
無電解めっき用触媒がそのまま残留することになる。例
えば、前記めっきレジストを剥離して触媒を除去したプ
リント配線板とこのめっきレジストを除去しないプリン
ト配線板とを比較すると、取り除く前の抵抗値が５×10
⁹Ωだったのに対し、除去の後は１×10¹⁰Ωとなり、除
去したものの方が絶縁性が格段に良くなるのである。

〔発明が解決しようとする課題〕

このことは、最近のように、ピッチL/Sが50/50μｍの
ようなファインパターンになればなる程、前記触媒核を
除去しないと導体回路間の絶縁特性が相対的に低下する
ので、それの除去処理は不可避なものと言える。一方
で、このようなファインパターンの下では、セルフアラ
イメント効果なしでは、表面実装部品のアセンブル時の
位置合わせが困難になる他、ハンダブリッジが起りやす
くなり、実装後基板収率の低下が顕著となる。

この発明の目的は、永久レジストのもつセルフアライ
メント効果が利用できると同時に、ファインパターンの
場合でも線間絶縁抵抗が大きいという、本来は相容れな
いこの２つの要請を同時に満足するプリント配線板を開
発し、これによって上述した従来技術の問題点を克服す
ることにある。

〔課題を解決するための手段〕

上述のような要請に応えられるプリント配線板の開発
を目指し鋭意研究した結果、本発明者らは、一枚のプリ
ント配線板におけるセルフアライメント効果の必要な個
所と、逆に線間絶縁抵抗を大きくしなければならない個
所というのを区別し、前者についてはソルダーレジスト
を兼ねるめっきレジストを残して永久レジストとする一
方、後者の場所のめっきレジストおよび付与触媒は除去
して線間絶縁抵抗の向上を図るという新規な方法を開発
した。

すなわち、本発明は、導体ライン域のめっきレジスト
が除去されているのに対し、外部回路との接続部位のめ
っきレジストは永久レジストとして残留させてなるプリ
ント配線板を要旨構成とする。

このプリント配線板において、上記外部回路との接続
部位とは、コネクタ接続部およびパッドまわりの全部も
しくは大部分を指し、前記永久レジストの層厚を、導体
回路の厚みよりも大きくして、望ましくはこの両者の層
高差を３μｍ以上とし、そして前記永久レジストは80〜
200℃で10〜60分間熱処理して完全硬化させる。

なお、、このプリント配線板において、前記外部回路
との接続部位における付与触媒については、めっきレジ
ストとともに残留させる一方、導体ライン域の付与触媒
については、導体回路部分以外の触媒のうち、めっきレ
ジストの除去によって導体ライン域上に露出している触
媒を除去あるいは不導体化する。

また、本発明は、かかるプリント配線板を次のように
して製造する。すなわち、基板上に形成した粗化接着剤
層上に、触媒付与を行った後にレジスト層を形成し、そ
の後前記レジスト層を露光現像してめっきレジストを形
成し、得られたパターン上に無電解めっきを施して導体
回路を形成する方法において、 a.前記パターン形成処理に当っては、低硬化率の露光を
行った後弱い現像処理を行い、 b.得られた上記パターン上に、無電解めっきを施して導
体回路を形成し、 c.得られた導体回路のうち外部回路との接続部位を除く
導体ライン域上に、マスクをかけた後、残る外部回路と
の接続部位に高硬化率の強露光を施し、その後強い現像
処理して前記導体ライン域のめっきレジストのみを溶解
除去し、 d.そして、前記導体ライン域の露出している触媒を酸も
しくは酸化剤にて不導体化あるいは除去させること、 により、外部回路との接続部位のめっきレジストを永久
レジスト化して残留させる一方、導体ライン域について
のめっきレジストのみを剥離除去した状態のプリント配
線板とすることを特徴とするプリント配線板の製造方法
である。

この方法において、強現像によってめっきレジストを
剥離した後に残る導体ライン域に露出する触媒は、酸も
しくは酸化剤による処理によって溶解除去し、また強露
光によって永久レジスト化した部分は、80〜200℃で10
〜60分間の加熱処理によって完全硬化させる。

なお、前記低硬化率化のための露光は、0.1〜60％の
反応基が反応するよう行い、高硬化率のための露光は60
％を超える反応基が反応するようになるまで行う。

〔作 用〕

本発明の特徴は、一枚のプリント配線板について、セ
ルフアライメント作用が必要な部分と線間絶縁抵抗を大
きくしなければならない部分とを予め区別した処理をす
ることにある。この考え方に適合する本発明プリント配
線板の構造は、外部回路との接続部位，たとえば、プリ
ント配線板のコネクタ、実装用パッドの部分（以下は、
この部分を単に「パッド域」という）のめっきレジスト
を残留させ、高硬化処理を施して永久レジスト化させる
ことによって、この部分に限ってはセルフアライメント
作用が発揮されるような構造にする一方、その他の主と
して導体回路線が密集している部分（以下、この部分を
単に「ライン域」という）のめっきレジストおよび触媒
核を除去することによって、この部分の線間絶縁抵抗率
が大きくなるようにしたものである。

なお、上記永久レジストは熱処理して完全に硬化させ
ることが望ましい。

上記外部回路の接続部位Ｐにおける“パッド部”と
は、ICチップを搭載するために導体パターンの幅が広く
なっている部分を指し、また“コネクタ部”とは、外部
回路との接続のためにプリント配線板の周囲に形成され
ている広幅の導体パターン部を指し、 これらの部分は、第１図に示すように、いずれも導体
パッド（導体ランド）１間のスペース２が大きく、L/S
比が小さくなるので線間絶縁抵抗を大きくとれる。従っ
て、これらの部分に、セルフアランメント効果のために
絶縁性永久レジスト５を触媒核とともに残留させても不
都合が生じることはない。

なお、残留させた上記めっきレジスト（永久レジス
ト）３によるセルフアライメント効果およびはんだブリ
ッジ防止効果を得るためには、この永久レジスト３の層
高（Ｈ）を導体回路（ランド）高さ（ｈ）よりも大きく
することが望ましい。このような層高差（Ｈ−ｈ）を設
けることにより、パッド部の導体ランド１の部分が凹ん
だ状態となるために、この部分にICの接続端子、すなわ
ちリード線部を接続しようとした場合に、たとえこのリ
ード線が前記導体ランド１部から多少ずれていても自動
的に滑り落ち良好に接続でき（セルフアライメント効
果）、一方で印刷したはんだペーストをフェージングし
たときは、溶融はんだが表面張力の影響を受けて凹部導
体回路１内に収縮するので、いわゆるはんだブリッジが
なくなる。

また、セルフアライメント効果は、段差がなくても得
ることができる。導体回路に形成されたはんだとリード
線部のはんだが、溶融時にその表面張力で引き合うから
である。

なお、本発明において、導体ライン域の付与触媒につ
いては、導体回路部分以外の触媒のうちの全部もしくは
大部分，すなわち50％以上が、不導体化あるいは除去さ
れていることが必要である。その量が50％未満では必要
な表面抵抗が得られないからである。

このような効果を得るためには、永久レジストの厚み
0.01μｍ〜1000μｍが望ましい。層高差（Ｈ−ｈ）は、
めっきレジストの厚み（Ｈ）に依存し、例えばＨ＝20μ
ｍの場合、３〜12μｍが望ましく、Ｈ＝10μｍの場合は
０〜５μｍが望ましい。

また、ライン部ｌについての表面抵抗は、温度85℃／
湿度85％/30V印加/1000時間の環境条件の下で10⁸オーム
の表面抵抗を示すことが実用領域と言える。この観点か
ら、導体回路（ライン）４間の間隙（スペース）は、IC
チップ接続端子間隔も考慮すると0.1〜75μｍが好適な
範囲である。

次に、本発明に係るフルアディティブに基づく上記プ
リント配線板の製造方法について第２図に基づき説明す
る。

（Ａ）まず、第２図の（Ａ）工程の処理は、基板５上の
接着剤層６を粗化し、その表面に触媒を付与する段階で
ある。前記基板５としては、エポキシ基板、ポリイミド
基板の如きプラスチック基板、アルミナや窒化アルミニ
ウム基板のようなセラミック基板、アルミニウム基板の
ような金属基板などを用いる。この基板上に形成する接
着剤層６としては、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂ある
いはフェノール樹脂などのマトリックス中に耐熱性無機
微粉末を分散させてなる、先に本発明者らが提案した特
願昭63−104044号（特開平１−275682号公報）に示した
ようなものを用いる。

また、触媒の付与は、触媒となりうる金属イオンを含
む水溶液、例えばPdCl₂−SnCl₂−HCl（コロイドタイ
プ）、塩酸では作業環境を悪くすることがあるので、そ
の改良型であるPdCl₂−SnCl₂−NaCl（コロイドタイ
プ）、パラジウム有機錯塩化合物、中性銅タイプのいず
れか１種を用いる。この処理は上記薬剤の浴に被めっき
基板を浸漬して、被めっき基板上に金属イオンを吸着さ
せることにより行う。

触媒付与の後は熱処理することが好ましい。その理由
は、触媒核を固定することによって、現像のときに洗浄
されて離脱することがないようにすることにある。

（Ｂ）第２図の（Ｂ）工程の処理は、触媒付与を行った
接着剤層６の表面に、めっきレジスト形成のための絶縁
膜（ドライフィルム）８を被成する段階である。このめ
っきレジスト用フィルム材料としては、紫外線によって
硬化するエポキシ樹脂，エポキシアクリレート樹脂，ウ
レタンアクリレート樹脂のような紫外線感光樹脂、また
は熱硬化するタイプのエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，
エポキシ変成ポリイミド樹脂のような熱硬化性樹脂、あ
るいはレーザー露光や電子線照射によって硬化する樹脂
などを用いる。

なお、上記めっきレジストとしての絶縁膜８の形成に
は、上述のドライフィルム８のラミネートの他に、アク
リル樹脂液とエポキシ樹脂液との混合レジスト液を塗覆
（カーテンコート，ロールコータ，印刷，ディップ）す
ることによって行う方法であってもよい。

（Ｃ）第２図の（Ｃ）工程の処理は、上述のようにして
めっきレジスト用絶縁膜８の被成された基板を、次に例
えば紫外線を照射して硬化させた後、用材（現像液）に
て溶解除去し、弱硬化めっきレジスト９を形成して所要
のパターンを得る段階である。

この段階で行われる硬化処理は、本発明方法において
最も重要な処理であり、後でこのめっきレジスト８を永
久レジスト化にするための高硬化率処理とは異なり、そ
れは硬化の程度が硬化率（硬化に関与する反応基のう
ち、何％が反応するかを示す）にして0.1〜60％，望ま
しくは１〜10％の範囲内の樹脂硬化を示すようにコント
ロールされた低硬化率の処理を行わねばならない。

そのために本発明では、最初は露光（紫外線感光，レ
ーザ露光などを含めていう）の程度および現像処理の程
度を弱くして、前記硬化率の範囲内に収まるように、例
えば紫外線を250mJ/cm²照射し、クロロセンを代表例と
しその他ブチルセルソルブ，メチルセロソルブ，ブチル
セロソルブアセテート，メチルセロソルブアセテート，
メチルエチルケトン，シクロヘキサンなどの弱い現像液
を用い、さらに必要に応じてイソプロパノール，エタノ
ール，イソブタノール，トルエンなどの溶媒を混合した
ものにて現像することにより、相対的に弱硬化めっきレ
ジスト９を形成して所要のパターンを描画するのであ
る。

（Ｄ）第２図（Ｄ）での工程は、上述のようにして得ら
れた弱硬化めっきレジストを有する基板を、無電解めっ
き浴中に浸漬して、パッド域（ｐ）とライン域（ｌ）と
のパターン部にそれぞれめっき導体10a,10bを形成す
る。そして、前述したように、後述する永久レジストの
層高との層厚差が所要の厚みとなるような層高とする。

（Ｅ）次に第２図（Ｅ）での処理工程は、上記（Ｄ）工
程の処理を終えたプリント配線板のうち、パッド域ｐを
のぞく、いわゆるライン域（ｌ）の部分を常法によりフ
ィルムでマスクして、露出しているパッド域ｐを高硬化
率化のための露光処理を施し、弱硬化率の前記めっきレ
ジスト９を60％超〜100％の高硬化率，望ましくは90％
以上の硬化率を示すような処理を施す段階である。

この処理は、前記（Ｃ）工程での弱硬化と異なり、例
えば紫外線を1J/cm²照射することにより、前記めっきレ
ジストを永久レジスト12化して剥離、溶解が困難となる
状態に変成する方法である。照射後、マスク材11は取り
除く。

なお、この永久レジスト12は、完全に硬化させること
が望ましく、例えば80〜200℃で10〜60分間、熱処理す
ることにより、レジストの反応性の感応基を完全に反応
させたり、熱硬化感応基を重合させたりして耐熱性，耐
薬品性を向上させることが望ましい。

この処理により、プリント配線板のパターン域
（ｐ），すなわち外部回路との接続部位の、導体回路10
aが、層高の大きい永久レジスト12によって覆われた状
態となり、本発明の一方の目的が達成されることにな
る。

（Ｆ）永久レジスト12形成後の上記プリント配線板を、
高レベルの現象、例えば塩化メチレンの如き溶媒中にて
超音波振動（15KHz〜1MHz）をかけながら、現像するこ
とにより、高硬化率の露光部（パッド域ｐ）以外の、い
わゆるライン域（ｌ）の前記めっきレジスト９を溶解除
去する。

（Ｇ）その後、第２図の（Ｇ）工程では、前記（Ｆ）工
程を経たプリント配線板を酸もしくは酸化処理して、ラ
イン域ｌに残留するめっき触媒７を除去する。このめっ
き触媒７の除去のための酸溶液としては、塩酸および／
もしくはフッ酸あるいはホウフッ酸を含む溶液、貴金属
のエッチング液として知られる溶液などの酸が使用でき
る。また、ヨウ化カリウム，ヨウ化ナトリウム，ヨウ化
アンモニウムの少なくとも１種とヨウ素の水溶液なども
使用できる。

一方、酸化処理は、ホウフッ酸700l％，塩化ナトリウ
ム50g/，亜塩素酸ソーダ0.4g/,40℃の剥離液（酸化
剤）に２分間浸漬して処理することにより行う。

この処理を経たプリント配線板は、それのライン域ｌ
のめっきレジスト９および触媒７の50〜100％が除去さ
れるので、この部分の表面抵抗が著しく向上し、ファイ
ンパターン化にも応じることができ、本発明の他方の目
的が達成されることになる。

〔実施例〕

実施例１ （１）フェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェ
ル製）60重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油
化シェル製）40重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成
製）４重量部、粒径の大きいエポキシ樹脂粉末（東レ
製、粒径3.9μｍ）10重量部、および粒径の小さいエポ
キシ樹脂粉末（東レ製粒径0.5μｍ）25重量部からなる
ものにブチルカルビトールを加え、ホモディスパー分散
機で粘度を250cpsに調整して、次いで３本ローラーで混
練し、接着剤溶液を作成した。

（２）基板５上に上記接着剤溶液を塗布して厚さ30μｍ
の接着剤層を形成し、この接着剤層６の粗化を行った
後、常法によりPd/Sn触媒７を付与し、さらにその後120
℃で40分間の熱処理を行った。

（３）上記接着剤層６上にめっきレジスト形成用感光性
ドライフィルム（アクリル基＋エポキシ基）８を、プレ
ス用ローラーを用いて0.5m/minの速度で搬送しながら、
90℃の温度にて2kg/cm²の圧力をかけてラミネートし
た。

（４）上記ラミネートフィルム８を250mJ/cm²の弱い紫
外線露光を施し、５％程度の硬化率のレジストとした
後、60秒間クロロセンで現像を行い、高さ50μｍのめっ
き用レジスト９を形成した。

（５）上記めっきレジスト付き基板を無電解めっき処理
し、ライン部ｌの配線密度L/S＝30/30μｍで、パッド部
の密度80μｍとし、厚さ（高さ）30μｍの導体回路10a,
10bを形成した。

（６）次に、パッド部ｐの周辺を除く部分（ライン域
ｌ）にフィルムでマスクし、3J/cm²紫外線を照射して、
前記めっきレジスト層９を硬化率60％に硬化させた。こ
の強露光処理によって硬化率５％のめっきレジスト９
は、それの95％が永久レジスト12となった。

（７）次に、上記永久レジスト12つき基板を、26KHz,12
0Wの超音波をかけながら塩化メチレン中に60秒浸漬し、
マスク大のライン域ｌに形成されている低硬化率（５
％）のめっきレジスト９を完全に除去した。残った永久
レジスト12の幅は、１μｍであった。

（８）次に、基板をホウフッ酸7v％、塩化ナトリウム5g
/、亜塩素酸ソーダ0.4/、40℃の剥離液中に２分間
浸漬し、上記触媒を溶解除去した。

（９）最後に、基板を150℃、30分の熱処理を施し、本
発明のプリント配線板を製造した。

実施例２ この実施例は、基本的には実施例１と同様であるが、
ライン域ｐの配線密度L/S＝50/50μｍとし、パッド域ｐ
のスペース（ｓ）を100μｍとした導体回路についての
ものである。

実施例３ （１）エポキシ樹脂粒子（東レ性、平均粒径3.9μｍ）1
90gを、５のアセトン中に分散させたエポキシ樹脂粒
子懸濁液中へ、ヘンシェルミキサー（三井三池加工機
製）内で撹拌しながら、アセトン１に対してエポキシ
樹脂（三井石油化学製）を40gの割合で溶解させたアセ
トン溶液中にエポキシ樹脂粉末（東レ製、平均粒径0.45
μｍ）280gを分散させた懸濁液を滴下することにより、
上記エポキシ樹脂粒子表面にエポキシ樹脂粉末を付着せ
しめた後、上記アセトンを除去し、その後150℃に加熱
して、擬似粒子を作製した。この擬似粒子は、平均粒径
が4.5μｍであり、約77重量％が平均粒径を中心として
±２μｍの範囲に存在していた。

（２）前記（１）で調製した擬似粒子55重量部、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェル製）55重量
部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製）
40重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製）４重量部
からなるものにブチルカルビトールを加え、粘度が125c
pとなるようにホモディスパー分散機で調整し、接着剤
溶液を得た。

（３）基板５上に、上記接着剤溶液を塗覆層して30μｍ
の接着剤層を形成し、粗化処理を行った後、常法により
Pd/Sn触媒を付与し、さらにその後120℃で40分間の熱処
理を行った。

（４）液状感光性めっきレジストをロールコーターで塗
布した後、120℃で５時間かけて乾燥し、感光性フィル
ム８を形成した。

（５）100mJ/cm²の弱い紫外線露光を施し、次いで60秒
間ブチルセロソルブに５％エタノールを溶解した溶剤で
現像処理を行い、めっき用レジスト９を形成（高さ35μ
ｍ）した。ついで紫外線照射装置を用いて、1J/cm²の露
光を施して硬化させた。（硬化率50％） （６）上記めっきレジストつき基板を無電解めっき処理
し、ライン域ｌの配線密度L/S＝75/75μｍで、パッド部
ｐの密度（スペース）を100μｍとし、厚さ30μｍの導
体回路10a,10bを形成した。

（７）次に、パッド部ｐの周辺を除く部分（ライン域
ｌ）にマスク11を被せ、3J/cm²紫外線を照射して強露光
を行い、前記めっきレジスト層９を、硬化率80％に硬化
させた。これによって硬化率50％のめっきレジストは、
それの80％が永久レジスト12に変わった。

（８）次に、上記永久レジスト12つき基板を、26KHz,12
00Wの超音波をかけながら塩化メチレン中に60秒浸漬
し、ライン域ｌに形成されている低硬化率（50％）のめ
っきレジスト９を完全に除去した。残った永久レジスト
12の幅は、10μｍであった。

（９）次に、基板を1N硝酸に浸漬処理して触媒を溶解除
去した。

（10）最後に基板を150℃、30分間の熱処理を行い、本
発明のプリント配線板を製造した。

実施例４ （１）FR−４クレードの絶縁板（日立化成工業製）の表
面をバフ研磨した後、水洗乾燥した。

（２）フェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェ
ル製）60重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油
化シェル製）40重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成
製）５重量部、アンカー形成用の粗粒子および微粉末と
してエポキシ樹脂粉末（東レ製，平均粒径5.5μｍ）25
重量部、およびエポキシ樹脂粉末（東レ製，平均粒径0.
5μｍ）10重量部からなるものにブチルセロソルブアセ
テート溶剤を添加しながらホモディスパー分散機で粘度
を120cpsに調整し、次いで３本ローラーで混練して接着
剤を得た。

（３）前記（２）で得られた接着剤を前記（１）の基板
５上にロールコーターを用いて塗覆層した後、100℃１
時間,150℃５時間で乾燥，硬化した。

（４）前記（３）で得られた基板５を、クロム酸（Cr₂O
₃）700g/水溶液からなる酸化剤に70℃で15分間浸漬し
て接着剤層６の表面を粗化してから中和溶液（シプレイ
社製）に浸漬し、水洗した。

（５）前記（４）で得られた基板に、脱脂、コンディシ
ョナー、酸処理を行ってから、キャタポジット44（シプ
レイ社製）を用いてスズ−パラジウムコロイド系触媒７
を基板前面に付与した。

（６）前記（５）で得られた基板５に、ドライフィルム
フォトレジスト（サンノプコ社製）８をラミネートし、
300J/cm²で露光処理によって硬化率６％とした。

次いで、ライン式スプレー現像機でクロロセンにて60
秒間の現像処理を行い、ライン幅75μｍ、スペース幅75
μｍ、表面実装用パッド（ピッチ250μｍ）パターンを
もつプリント配線板のめっきレジスト９を形成した。こ
のめっきレジスト９の層高は25μｍであった。

（７）前記（６）で得られた基板を、70℃,5分湯洗した
後、再び活性化浴（シプレイ社製）中に浸漬し活性化処
理を行った後、水洗を行った。

（８）前記（７）で得られた基板のパターンおよびスル
ホール部に厚さ20μｍ無電解銅めっき皮膜を形成した。

（９）パットｐの部分を除くライン域ｌの部分に、マス
ク11をかぶせ、紫外線照射装置によって、3J/cm²の光量
で光硬化させた（硬化率65％）。この時、未硬化のめっ
きレジストは全体の95％に達した。

（10）前記（９）で得られた基板を、塩化メチレン（徳
山ソーダ製）に浸漬し、超音波をかけて、前記（９）で
光硬化させた部分以外のめっきレジスト９を剥離除去し
た。残っためっきレジストの幅は50μｍであった。

（11）基板を、触媒除去液（ホウフッ酸7vol％，塩化ナ
トリウム50g/，亜塩素酸ソーダ0.4g/）に２分間浸
漬し、ライン域ｌにあった触媒を溶解除去した。

（12）上記で得られた基板を150℃で30分の熱処理を行
った（硬化率100％）。

上記方法によりパッド間にハンダブリッジがなく、セ
ルフアライメント効果を持つ信頼性の高い高密度実装基
板が形成できた。

実施例５ （１）実施例４の（１）〜（６）と同様の処理を行い、
L/S＝50/50μｍ、パッド間250μｍのめっきレジスト９
を形成した。めっきレジスト９の硬化率は、10％であっ
た。めっきレジストの層高は60μｍであった。

（２）実施例４の（７），（８）と同様の処理により、
無電解めっきを行った。めっき膜の膜厚は45μｍであっ
た。

（３）パッドｐ部分を除くライン域ｌにマスク11を被
せ、紫外線照射装置により、3J/cm²の光量で光硬化させ
た。めっきレジストの硬化率は70％であった。このとき
未硬化のままのめっきレジスト９は全体の90％に達し
た。

（４）実施例４の（10）〜（11）の処理により、プリン
ト配線板を得た。残っためっきレジストの幅は100μｍ
であった。

実施例６ （１）実施例４の（１）〜（６）と同様の処理を行い、
L/S＝30/30μｍ、パッド間250μｍのめっきレジストを
形成した。めっきレジストの硬化率は、３％であった。
めっきレジストの層高は、30μｍであった。

（２）実施例４の（７），（８）と同様の処理により、
無電解めっきを行った。無電解めっき膜の膜厚は30μｍ
であった。

（３）パッドｐ部分を除くライン域ｌに、マスク11を被
せ、紫外線照射装置により、3J/cm²の光量で光硬化させ
た。めっきレジスト９の硬化率は80％であった。このと
き未硬化のめっきレジストは全体の95％に達した。

（４）実施例４の（10）〜（11）の処理により、プリン
ト配線板を得た。残った永久レジストの幅は10μｍであ
った。

実施例７ （１）実施例４の（１）〜（６）と同様の処理を行い、
L/S＝10/10μｍ、パッド間250μｍのめっきレジストを
形成した。めっきレジストの硬化率は３％であった。め
っきレジストの高さは、10μｍであった。

（２）実施例４の（７），（８）と同様の処理により、
無電解めっきを行った。無電解めっき膜の膜厚は８μｍ
であった。

（３）パッドｐ部分を除くライン域ｌにマスク11を被
せ、紫外線照射装置により、3J/cm²の光量で光硬化させ
た。めっきレジストの硬化率は80％であった。このとき
未硬化のめっきレジストは全体の90％に達した。

（４）実施例４の（10）〜（11）の処理により、プリン
ト配線板を得た。残っためっきレジストの幅は20μｍで
あった。

実施例８ （１）実施例４の（１）〜（５）と同様の処理を行い、
ついで、感光性液状レジスト（アクリル基とポリイミド
鎖をもつ）を基板に印刷し、120℃で２時間乾燥させ
た。

ついで、熱硬化を行い、L/S＝50/50μｍ、コネクタ間
250μｍのめっきレジストを形成した。めっきレジスト
の硬化率は８％であった。

（２）実施例４の（７），（８）と同様の処理により、
無電解めっきを行った。

（３）コネクタ部分を除く部分にマスクを被せ、紫外線
照射装置により、3J/cm²の光量で光硬化させた。めっき
レジストの硬化率は70％であった。このとき未硬化のめ
っきレジストは全体の80％に達した。

（４）実施例４の（10）〜（11）の処理により、プリン
ト配線板を得た。残っためっきレジストの幅は、100μ
ｍであった。

比較例１ 実施例４と基本的に同様であるが、L/S＝40/40μｍ、
パッド間80μｍとし、無電解めっきを施した後、10J/cm
²で紫外線照射を用いて、熱処理150℃で30分でキュアを
行った。

比較例２ 実施例４と基本的に同様であるが、L/S＝30/30μｍ、
パッド間80μｍとし、無電解めっきを施した後、10J/cm
²で紫外線照射を用いて、熱処理150℃で30分でキュアを
行った。

比較例３ 実施例４と基本的に同様であるが、L/S＝10/10μｍ、
パッド間80μｍとし、無電解めっきを施した後、10J/cm
²で紫外線照射を用いて、熱処理150℃で30分でキュアを
行った。

比較例４ 実施例４と基本的に同様であるが、L/S＝50/50μｍ、
パッド間80μｍとし、無電解めっきを施した後、塩化メ
チレンにてめっきレジストを完全に剥離し、ついで実施
例４と同じ触媒除去液に漬け、触媒を除去した。

実施結果 実施例１〜８と比較例１〜４とについて、それぞれラ
イン間，パッド間の表面抵抗と、セルフアライメントな
らびにはんだブリッジ特性とを試験したので、それの結
果を第１表に示す。

〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、電子部品搭載域
におけるセルフアライメント効果とはんだブリッジ防止
効果に優れる一方で、高密度ラインパターン域における
絶縁抵抗特性にも優れるプリント配線板を製造すること
ができる。従って、プリント配線板へのはんだペースト
の印刷が容易になり、部品搭載の容易化と共に電子部品
接続信頼性の高いプリント配線板を高歩留りで製造でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明プリント配線板の図であり、（ａ）は
パット部とライン部からなるプリント配線板の平面図、
（ｂ）はパッド部の斜視図、（ｃ）はコネクター部の斜
視図、 第２図は、本発明プリント配線板の製造工程図である。

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】めっきレジストを介して形成した導体回路
   が、外部回路との接続部位と、それ以外の導体ライン域
   とを構成してなるプリント配線板において、前記導体ラ
   イン域のめっきレジストの全部もしくは大部分は除去さ
   れているのに対し、前記外部回路との接続部位のめっき
   レジストは永久レジストとして残留させてなり、前記導
   体ライン域の付与触媒のうち、前記めっきレジストの除
   去によって導体ライン域上に露出した触媒は、除去もし
   くは不導体化されていることを特徴とするプリント配線
   板。
2. 【請求項２】外部回路との接続部位が、コネクタ接続部
   および／またはパッドまわりの全部もしくは大部分であ
   る請求項１記載のプリント配線板。
3. 【請求項３】永久レジストの層厚を、導体回路の厚みよ
   りも大きくすることを特徴とする請求項１に記載のプリ
   ント配線板。
4. 【請求項４】外部回路との接続部位における付与触媒を
   めっきレジストとともに残留させる一方、導体ライン域
   の付与触媒については、導体回路部分を除くめっきレジ
   スト形成部分が不導体化もしくは除去されていることを
   特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
5. 【請求項５】永久レジストが80〜200℃で10〜60分間の
   熱処理によって完全硬化していることを特徴とする請求
   項１に記載のプリント配線板。
6. 【請求項６】基板上に形成した粗化接着剤層上に、触媒
   付与を行った後にレジスト層を形成し、その後前記レジ
   スト層を露光現像してめっきレジストを形成し、得られ
   たパターン上に無電解めっきを施して導体回路を形成す
   る方法において、 a.前記パターン形成処理に当っては、低硬化率の弱露光
   を行った後弱い現像処理を行い、 b.得られた上記パターン上に、無電解めっきを施して導
   体回路を形成し、 c.得られた導体回路のうち、外部回路との接続部位を除
   く導体ライン域上の全部もしくは大部分に、マスクをか
   けた後、残る外部回路との接続部位に高硬化率の強露光
   を施し、その後強い現像処理して前記導体ライン域のめ
   っきレジストのみを溶解除去し、 d.そして、前記導体ライン域の露出している触媒を酸も
   しくは酸化剤にて不導体化あるいは除去させること、 により、外部回路との接続部位のめっきレジストを永久
   レジスト化して残留させる一方、導体ライン域について
   のめっきレジストのみを剥離除去した状態のプリント配
   線板とすることを特徴とするプリント配線板の製造方
   法。
7. 【請求項７】低硬化率露光を0.1〜60％の反応基が反応
   するよう行い、高硬化率の露光を60％を超える反応基が
   反応するように行うことを特徴とする請求項６に記載の
   プリント配線板の製造方法。
8. 【請求項８】めっきレジストを80〜200℃で10〜60分間
   の加熱処理によって永久レジスト化させることを特徴と
   する請求項６に記載の製造方法。