JP2880901B2 - 多層配線セラミック基板の製造方法 - Google Patents
多層配線セラミック基板の製造方法Info
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- JP2880901B2 JP2880901B2 JP6021740A JP2174094A JP2880901B2 JP 2880901 B2 JP2880901 B2 JP 2880901B2 JP 6021740 A JP6021740 A JP 6021740A JP 2174094 A JP2174094 A JP 2174094A JP 2880901 B2 JP2880901 B2 JP 2880901B2
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- insulating paste
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層配線セラミック基板
の製造方法に関し、特に、絶縁ペーストの現像方法に関
する。
の製造方法に関し、特に、絶縁ペーストの現像方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の多層配線セラミック基板の
製造方法の一例による多層配線セラミック基板を製造工
程順に示す斜視図である。
製造方法の一例による多層配線セラミック基板を製造工
程順に示す斜視図である。
【０００３】導体回路パターンを有するセラミック基板
上に絶縁ペーストを塗布して露光した後現像を行うこと
によってスルーホールを形成しながら多層配線セラミッ
ク基板を製造する従来の多層配線セラミック基板の製造
方法は、図３（ａ）に示すように、アルミナ等で形成し
たセラミック基板２１上に、スクリーン印刷法またはめ
っき法によって金または銀またはパラジウムまたはそれ
らの合金の導体回路パターン２２を形成し、次に、図３
（ｂ）に示すように、スクリーン印刷法またはスピンコ
ート法によってそれらの上に絶縁ペーストを塗布し、ホ
トリソグラフィ法によって露光した後、塩素系有機溶剤
を用いて現像して焼成することにより絶縁層２３および
スルーホール２４を形成し、次に、図３（ｃ）に示すよ
うに、スクリーン印刷法またはめっき法によってスルー
ホール２４にコンタクトビア２５を形成し、次に、図３
（ｄ）に示すように、スクリーン印刷法またはめっき法
によって絶縁層２３およびコンタクトビア２５の上に第
二層目の導体回路パターン２６を形成するという手順を
採用し、これらの手順を繰返えすことによって多層配線
セラミック基板を製造している。
上に絶縁ペーストを塗布して露光した後現像を行うこと
によってスルーホールを形成しながら多層配線セラミッ
ク基板を製造する従来の多層配線セラミック基板の製造
方法は、図３（ａ）に示すように、アルミナ等で形成し
たセラミック基板２１上に、スクリーン印刷法またはめ
っき法によって金または銀またはパラジウムまたはそれ
らの合金の導体回路パターン２２を形成し、次に、図３
（ｂ）に示すように、スクリーン印刷法またはスピンコ
ート法によってそれらの上に絶縁ペーストを塗布し、ホ
トリソグラフィ法によって露光した後、塩素系有機溶剤
を用いて現像して焼成することにより絶縁層２３および
スルーホール２４を形成し、次に、図３（ｃ）に示すよ
うに、スクリーン印刷法またはめっき法によってスルー
ホール２４にコンタクトビア２５を形成し、次に、図３
（ｄ）に示すように、スクリーン印刷法またはめっき法
によって絶縁層２３およびコンタクトビア２５の上に第
二層目の導体回路パターン２６を形成するという手順を
採用し、これらの手順を繰返えすことによって多層配線
セラミック基板を製造している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
多層配線セラミック基板の製造方法は、スルーホールを
形成するとき、ホトリソグラフィ法によって露光した後
塩素系有機溶剤を用いて現像しているため、オゾン層の
破壊等の地球環境への悪影響が問題となっている。
多層配線セラミック基板の製造方法は、スルーホールを
形成するとき、ホトリソグラフィ法によって露光した後
塩素系有機溶剤を用いて現像しているため、オゾン層の
破壊等の地球環境への悪影響が問題となっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線セラミ
ック基板の製造方法は、上述のような問題を解消するた
め、塩素系有機溶剤を使用せずに絶縁ペーストを現像し
てスルーホールを形成する手段を提供するものである。
ック基板の製造方法は、上述のような問題を解消するた
め、塩素系有機溶剤を使用せずに絶縁ペーストを現像し
てスルーホールを形成する手段を提供するものである。
【０００６】すなわち、本発明の第一の多層配線セラミ
ック基板の製造方法は、導体回路パターンを有するセラ
ミック基板上に絶縁ペーストを塗布して露光した後現像
を行うことによってスルーホールを形成する多層配線セ
ラミック基板の製造方法において、酢酸ブチル８０〜９
９容量％およびヘキサン１〜２０容量％を主成分とする
現像液を前記絶縁ペーストの現像液としてスプレーする
ことを含むものであり、特に、酢酸ブチルを８７容量％
としヘキサンを１３容量％とした現像液を用いるもので
ある。
ック基板の製造方法は、導体回路パターンを有するセラ
ミック基板上に絶縁ペーストを塗布して露光した後現像
を行うことによってスルーホールを形成する多層配線セ
ラミック基板の製造方法において、酢酸ブチル８０〜９
９容量％およびヘキサン１〜２０容量％を主成分とする
現像液を前記絶縁ペーストの現像液としてスプレーする
ことを含むものであり、特に、酢酸ブチルを８７容量％
としヘキサンを１３容量％とした現像液を用いるもので
ある。
【０００７】本発明の第二の多層配線セラミック基板の
製造方法は、導体回路パターンを有するセラミック基板
上に絶縁ペーストを塗布して露光した後現像を行うこと
によってスルーホールを形成する多層配線セラミック基
板の製造方法において、酢酸ブチル８０〜９９容量％お
よびヘキサン１〜２０容量％を主成分とする現像液の中
に浸漬して前記絶縁ペーストを現像することを含むもの
であり、特に、酢酸ブチルを８５容量％としヘキサンを
１５容量％とした現像液を用いるものであり、更に、周
波数が０．５ＭＨｚ以上の超音波を前記現像液に加える
ものである。
製造方法は、導体回路パターンを有するセラミック基板
上に絶縁ペーストを塗布して露光した後現像を行うこと
によってスルーホールを形成する多層配線セラミック基
板の製造方法において、酢酸ブチル８０〜９９容量％お
よびヘキサン１〜２０容量％を主成分とする現像液の中
に浸漬して前記絶縁ペーストを現像することを含むもの
であり、特に、酢酸ブチルを８５容量％としヘキサンを
１５容量％とした現像液を用いるものであり、更に、周
波数が０．５ＭＨｚ以上の超音波を前記現像液に加える
ものである。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明の第一の実施例を適用した多
層配線セラミック基板を製造工程順に示す断面図、図２
は図１の実施例に使用する絶縁ペーストの現像装置の一
例を示す断面図である。
層配線セラミック基板を製造工程順に示す断面図、図２
は図１の実施例に使用する絶縁ペーストの現像装置の一
例を示す断面図である。
【００１０】本発明の第一の実施例は、まず図１（ａ）
に示すように、アルミナ等で形成したセラミック基板１
上に、スクリーン印刷法またはめっき法によって金また
は銀またはパラジウムまたはそれらの合金の導体回路パ
ターン２を形成する。
に示すように、アルミナ等で形成したセラミック基板１
上に、スクリーン印刷法またはめっき法によって金また
は銀またはパラジウムまたはそれらの合金の導体回路パ
ターン２を形成する。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示すように、セラミッ
ク基板１および導体回路パターン２上に感光性を有する
絶縁ペースト３をスクリーン印刷法またはスピンコート
法によって均一の厚さ（４５μｍ）に塗布し、所定の温
度（例えば７０℃）で所定の時間（例えば２５分間）乾
燥する。
ク基板１および導体回路パターン２上に感光性を有する
絶縁ペースト３をスクリーン印刷法またはスピンコート
法によって均一の厚さ（４５μｍ）に塗布し、所定の温
度（例えば７０℃）で所定の時間（例えば２５分間）乾
燥する。
【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、所定の形
状のパターンを設けたガラスマスク４をセラミック基板
１の上に搭載し、その上から紫外線５を適当な量（例え
ば２０ｍＪ／ｃｍ2 ）だけ照射して露光する。これによ
り、絶縁ペースト３の紫外線５の照射を受けた部分は、
重合して光重合部６となる。
状のパターンを設けたガラスマスク４をセラミック基板
１の上に搭載し、その上から紫外線５を適当な量（例え
ば２０ｍＪ／ｃｍ2 ）だけ照射して露光する。これによ
り、絶縁ペースト３の紫外線５の照射を受けた部分は、
重合して光重合部６となる。
【００１３】次に、図１（ｄ）に示すように、酢酸ブチ
ル８０〜９９容量％（最適値８７容量％）およびヘキサ
ン１〜２０容量％（最適値１３容量％）を主成分とする
現像液を絶縁ペースト３にスプレーして現像を行い、光
重合部６以外の部分を溶解して除去した後、適当な温度
（例えば９２０℃）で焼成して所望の大きさ（例えば１
００μｍ角）のスルーホール７を形成する。
ル８０〜９９容量％（最適値８７容量％）およびヘキサ
ン１〜２０容量％（最適値１３容量％）を主成分とする
現像液を絶縁ペースト３にスプレーして現像を行い、光
重合部６以外の部分を溶解して除去した後、適当な温度
（例えば９２０℃）で焼成して所望の大きさ（例えば１
００μｍ角）のスルーホール７を形成する。
【００１４】上記の図１（ｂ）〜図１（ｄ）の工程を複
数回（例えば２回）繰返えすことにより、絶縁層８の厚
さを所望の厚さ（例えば５０μｍ）とすることができ
る。
数回（例えば２回）繰返えすことにより、絶縁層８の厚
さを所望の厚さ（例えば５０μｍ）とすることができ
る。
【００１５】以上の状態が図３（ｂ）に相当する状態で
ある。次に、図３の従来例と同様に、スクリーン印刷法
またはめっき法によってスルーホール７にコンタクトビ
アを形成し、更に図１（ａ）の手順に戻って絶縁層８お
よびコンタクトビアの上に第二層目の導体回路パターン
２を形成し、以下上述の手順を繰返えすことによって多
層配線セラミック基板を製造することができる。
ある。次に、図３の従来例と同様に、スクリーン印刷法
またはめっき法によってスルーホール７にコンタクトビ
アを形成し、更に図１（ａ）の手順に戻って絶縁層８お
よびコンタクトビアの上に第二層目の導体回路パターン
２を形成し、以下上述の手順を繰返えすことによって多
層配線セラミック基板を製造することができる。
【００１６】図２は本発明の第二の実施例に使用する絶
縁ペーストの現像装置の一例を示す断面図である。
縁ペーストの現像装置の一例を示す断面図である。
【００１７】第二の実施例は、絶縁ペーストの現像方法
として、酢酸ブチルおよびヘキサンを主成分とする現像
液を絶縁ペーストにスプレーする代りに、図２に示すよ
うに、酢酸ブチル８０〜９９容量％（最適値８５容量
％）およびヘキサン１〜２０容量％（最適値１５容量
％）を主成分とする現像液をステンレス製の液槽１１の
中に入れておき、この現像液１２の中にセラミック基板
を浸漬することよって現像を行なうようにしたものであ
る。
として、酢酸ブチルおよびヘキサンを主成分とする現像
液を絶縁ペーストにスプレーする代りに、図２に示すよ
うに、酢酸ブチル８０〜９９容量％（最適値８５容量
％）およびヘキサン１〜２０容量％（最適値１５容量
％）を主成分とする現像液をステンレス製の液槽１１の
中に入れておき、この現像液１２の中にセラミック基板
を浸漬することよって現像を行なうようにしたものであ
る。
【００１８】液槽１１の底面には、振動板１３が装着さ
れており、この振動板１３には、周波数が０．５ＭＨｚ
以上の超音波を発生することが可能な発振器１４が接続
されている。
れており、この振動板１３には、周波数が０．５ＭＨｚ
以上の超音波を発生することが可能な発振器１４が接続
されている。
【００１９】絶縁ペーストの現像を行なうときは、液槽
１１の現像液１２の中にセラミック基板を適当な時間
（例えば４０秒間）浸漬し、その間発振器１４によって
振動板１３に対して周波数が０．５ＭＨｚ以上（例えば
１ＭＨｚ）の超音波を加える。この後、適当な温度（例
えば９２０℃）で焼成することにより、所望の大きさ
（例えば８０μｍ角）のスルーホールを形成することが
できる。この工程を複数回（例えば２回）繰返えすこと
により、絶縁層の厚さを所望の厚さ（例えば５０μｍ）
とすることができる。
１１の現像液１２の中にセラミック基板を適当な時間
（例えば４０秒間）浸漬し、その間発振器１４によって
振動板１３に対して周波数が０．５ＭＨｚ以上（例えば
１ＭＨｚ）の超音波を加える。この後、適当な温度（例
えば９２０℃）で焼成することにより、所望の大きさ
（例えば８０μｍ角）のスルーホールを形成することが
できる。この工程を複数回（例えば２回）繰返えすこと
により、絶縁層の厚さを所望の厚さ（例えば５０μｍ）
とすることができる。
【００２０】このように、セラミック基板を液槽中の現
像液の中に浸漬して超音波を加えることにより、微細な
スルーホールを良好な状態に形成することが可能とな
る。
像液の中に浸漬して超音波を加えることにより、微細な
スルーホールを良好な状態に形成することが可能とな
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層配線
セラミック基板の製造方法は、塩素系有機溶剤の代り
に、酢酸ブチル８０〜９９容量％およびヘキサン１〜２
０容量％を主成分とする現像液を用い、この現像液を絶
縁ペーストを塗布したセラミック基板上にスプレーする
か、またはこの現像液中に絶縁ペーストを塗布したセラ
ミック基板を浸漬することにより、塩素系有機溶剤によ
るオゾン層の破壊等の地球環境への悪影響を排除するこ
とが可能になるという効果がある。更に、現像液を入れ
た液槽に超音波を加えることにより、微細なスルーホー
ルを良好な状態に形成することが可能となるという効果
がある。
セラミック基板の製造方法は、塩素系有機溶剤の代り
に、酢酸ブチル８０〜９９容量％およびヘキサン１〜２
０容量％を主成分とする現像液を用い、この現像液を絶
縁ペーストを塗布したセラミック基板上にスプレーする
か、またはこの現像液中に絶縁ペーストを塗布したセラ
ミック基板を浸漬することにより、塩素系有機溶剤によ
るオゾン層の破壊等の地球環境への悪影響を排除するこ
とが可能になるという効果がある。更に、現像液を入れ
た液槽に超音波を加えることにより、微細なスルーホー
ルを良好な状態に形成することが可能となるという効果
がある。
【図１】本発明の第一の実施例を適用した多層配線セラ
ミック基板を製造工程順に示す断面図である。
ミック基板を製造工程順に示す断面図である。
【図２】本発明の第二の実施例に使用する絶縁ペースト
の現像装置の一例を示す断面図である。
の現像装置の一例を示す断面図である。
【図３】従来の多層配線セラミック基板の製造方法の一
例による多層配線セラミック基板を製造工程順に示す斜
視図である。
例による多層配線セラミック基板を製造工程順に示す斜
視図である。
１・２１ セラミック基板 ２・２２・２６ 導体回路パターン ３ 絶縁ペースト ４ ガラスマスク ５ 紫外線 ６ 光重合部 ７・２４ スルーホール ８・２３ 絶縁層 １１ 液槽 １２ 現像液 １３ 振動板 １４ 発振器 ２５ コンタクトビア
Claims (3)
- 【請求項１】 導体回路パターンを有するセラミック基
板上に絶縁ペーストを塗布して露光した後現像を行うこ
とによってスルーホールを形成する多層配線セラミック
基板の製造方法において、酢酸ブチルを８７容量％とし
ヘキサンを１３容量％とした現像液を前記絶縁ペースト
の現像液としてスプレーすることを含むことを特徴とす
る多層配線セラミック基板の製造方法。 - 【請求項２】 導体回路パターンを有するセラミック基
板上に絶縁ペーストを塗布して露光した後現像を行うこ
とによってスルーホールを形成する多層配線セラミック
基板の製造方法において、酢酸ブチルを８５容量％とし
ヘキサンを１５容量％とした現像液の中に浸漬して前記
絶縁ペーストを現像することを含むことを特徴とする多
層配線セラミック基板の製造方法。 - 【請求項３】 周波数が０．５ＭＨｚ以上の超音波を現
像液に加えることを特徴とする請求項２記載の多層配線
セラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6021740A JP2880901B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 多層配線セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6021740A JP2880901B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 多層配線セラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231170A JPH07231170A (ja) | 1995-08-29 |
| JP2880901B2 true JP2880901B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=12063478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6021740A Expired - Lifetime JP2880901B2 (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 多層配線セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2880901B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51130222A (en) * | 1975-05-07 | 1976-11-12 | Hitachi Ltd | A process for producing an electron beam resist image |
| JPH05226243A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-09-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 高速素子実装用回路基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-02-21 JP JP6021740A patent/JP2880901B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07231170A (ja) | 1995-08-29 |
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