JPH0590752A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH0590752A JPH0590752A JP25110991A JP25110991A JPH0590752A JP H0590752 A JPH0590752 A JP H0590752A JP 25110991 A JP25110991 A JP 25110991A JP 25110991 A JP25110991 A JP 25110991A JP H0590752 A JPH0590752 A JP H0590752A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- polyimide
- mask
- forming
- wiring board
- Prior art date
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- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板１１上にポリイミドの薄膜１５を形成す
る工程と、前記ポリイミドの薄膜１５上にプロモータ１
２を塗布し、マスク１３上からのＵＶ照射により活性領
域を選択的に形成する工程と、無電解Ｃｕメッキ１４に
より配線パターンを形成する工程と、前記配線パターン
上からＵＶセンシブポリイミド１５ａの絶縁層を形成す
る工程と、マスク１６上からのＵＶ照射によりコンタク
トホール１９を形成する工程とを含む多層配線基板の製
造方法。 【効果】 レジストを用いることがなくなった為、レジ
スト塗布・露光・現像・レジスト除去などの工程を省く
ことができ、多層配線基板の製造工程の簡略化によるコ
ストの削減が可能となった。
る工程と、前記ポリイミドの薄膜１５上にプロモータ１
２を塗布し、マスク１３上からのＵＶ照射により活性領
域を選択的に形成する工程と、無電解Ｃｕメッキ１４に
より配線パターンを形成する工程と、前記配線パターン
上からＵＶセンシブポリイミド１５ａの絶縁層を形成す
る工程と、マスク１６上からのＵＶ照射によりコンタク
トホール１９を形成する工程とを含む多層配線基板の製
造方法。 【効果】 レジストを用いることがなくなった為、レジ
スト塗布・露光・現像・レジスト除去などの工程を省く
ことができ、多層配線基板の製造工程の簡略化によるコ
ストの削減が可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層配線基板の製造方
法、より詳細には、高密度実装ＭＣＭ（マルチチップモ
ジュール）基板、あるいは高密度実装ＰＣＢ（プリント
サーキットボード）等の多層配線基板の製造方法に関す
る。
法、より詳細には、高密度実装ＭＣＭ（マルチチップモ
ジュール）基板、あるいは高密度実装ＰＣＢ（プリント
サーキットボード）等の多層配線基板の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板本体の表面に多層の配線パタ
ーンを形成する技術としてフォトリソグラフイ技術とフ
ォトプロモータを用いた技術（特公昭４７ー３９８１９
号公報）が採用されている。前者の技術を用いたフォト
リソグラフィー工程は、レジストにマスクのパターンを
転写する工程と、パターン形成されたレジストをマスク
として下地材料（絶縁膜と金属蒸着膜）を加工する工程
とを含んでいる。
ーンを形成する技術としてフォトリソグラフイ技術とフ
ォトプロモータを用いた技術（特公昭４７ー３９８１９
号公報）が採用されている。前者の技術を用いたフォト
リソグラフィー工程は、レジストにマスクのパターンを
転写する工程と、パターン形成されたレジストをマスク
として下地材料（絶縁膜と金属蒸着膜）を加工する工程
とを含んでいる。
【０００３】すなわち、前者の技術は、（図２（ａ）〜
（ｉ））に示したような９つの主な工程から構成さてお
り、まず、基板２１上に絶縁膜となるポリイミド２８を
塗布し、この上からＣｕの金属蒸着膜２４を形成し、さ
らに感光性高分子膜から成るレジスト２７を塗布し、こ
の後プリベークを行なってレジスト２７中に含まれる有
機溶剤を除去する（図２（ａ））。次に、マスク２３上
のパターンを露光によってレジスト２７上に転写し（図
２（ｂ））、その後、レジスト２７を現像して所定パタ
ーンに対応するレジスト２７のみを選択的に残し、次に
ポストベークを行なって後、現像により膨潤したレジス
ト２７を硬化させ、下地との密着性を良くする（図２
（ｃ））。さらにレジスト２７をマスクとして、レジス
トで保護されていない部分の金属蒸着膜２４のみをエッ
チング処理し、配線パターンを形成する（図２
（ｄ））。次に不要となったレジスト２７を溶かして除
去し（図２（ｅ））、さらにポリイミド２８および配線
パターン上からポリイミド２５を塗布、硬化後、レジス
ト２９を塗布し、レジスト２９の上からマスク２６をか
け、得たいコンタクトホールのパターンを露光によりレ
ジスト２９上に転写する（図２（ｆ））。次に現像を行
ない膨潤したレジスト２９を硬化させ（図２（ｇ））、
更にレジスト２９により保護されていないポリイミド２
５のみをエッチング処理し、金属蒸着膜２４上にコンタ
クトホール３０のパターンを形成し（図２（ｈ））、不
要となったレジスト２９を除去する（図２（ｉ））。
（ｉ））に示したような９つの主な工程から構成さてお
り、まず、基板２１上に絶縁膜となるポリイミド２８を
塗布し、この上からＣｕの金属蒸着膜２４を形成し、さ
らに感光性高分子膜から成るレジスト２７を塗布し、こ
の後プリベークを行なってレジスト２７中に含まれる有
機溶剤を除去する（図２（ａ））。次に、マスク２３上
のパターンを露光によってレジスト２７上に転写し（図
２（ｂ））、その後、レジスト２７を現像して所定パタ
ーンに対応するレジスト２７のみを選択的に残し、次に
ポストベークを行なって後、現像により膨潤したレジス
ト２７を硬化させ、下地との密着性を良くする（図２
（ｃ））。さらにレジスト２７をマスクとして、レジス
トで保護されていない部分の金属蒸着膜２４のみをエッ
チング処理し、配線パターンを形成する（図２
（ｄ））。次に不要となったレジスト２７を溶かして除
去し（図２（ｅ））、さらにポリイミド２８および配線
パターン上からポリイミド２５を塗布、硬化後、レジス
ト２９を塗布し、レジスト２９の上からマスク２６をか
け、得たいコンタクトホールのパターンを露光によりレ
ジスト２９上に転写する（図２（ｆ））。次に現像を行
ない膨潤したレジスト２９を硬化させ（図２（ｇ））、
更にレジスト２９により保護されていないポリイミド２
５のみをエッチング処理し、金属蒸着膜２４上にコンタ
クトホール３０のパターンを形成し（図２（ｈ））、不
要となったレジスト２９を除去する（図２（ｉ））。
【０００４】上記（ａ）〜（ｉ）の工程を繰り返すこと
により、多層配線基板を製造する。後者のフォトプロモ
ータを用いた技術は、図３（ａ）〜（ｇ）に示した主に
７つの工程から構成されている。まず基板３１上に絶縁
膜としてのポリイミド３５を塗布および硬化し、この上
から０．１〜０．５ＭＳｎＣｌ2 からなるフォトプロモ
ータ３２を塗布する（図３（ａ））。さらにマスク３３
のパターンを露光にして選択的に活性領域を形成し（図
３（ｂ））、更にこれを０．１〜０．６ＭＰｄＣｌ2 溶
液に浸漬することにより不活性領域のフォトプロモータ
３２上にのみ還元されたＰｄを析出させ、この上から無
電解のＣｕメッキ３４を施すことにより前記不活性領域
上にのみ無電解のＣｕメッキ３４を形成する（図３
（ｃ））。次にＣｕメッキ３４上からポリイミド３８お
よびレジスト３９を塗布し、レジスト３９上からマスク
３６をかけ、得たいコンタクトホールのパターンを露光
によりレジスト３９上に転写する（図３（ｄ））。次に
現像を行なって後、膨潤したレジスト３９を硬化させ
（図３（ｅ））、更にレジスト３９により保護されてい
ないポリイミド３８のみをエッチング処理してコンタク
トホール４０を形成し（図３（ｆ））、不要となったレ
ジスト３９を除去する（図３（ｇ））。上記（ａ）〜
（ｇ）の工程を繰り返すことにより多層配線基板を製造
する。
により、多層配線基板を製造する。後者のフォトプロモ
ータを用いた技術は、図３（ａ）〜（ｇ）に示した主に
７つの工程から構成されている。まず基板３１上に絶縁
膜としてのポリイミド３５を塗布および硬化し、この上
から０．１〜０．５ＭＳｎＣｌ2 からなるフォトプロモ
ータ３２を塗布する（図３（ａ））。さらにマスク３３
のパターンを露光にして選択的に活性領域を形成し（図
３（ｂ））、更にこれを０．１〜０．６ＭＰｄＣｌ2 溶
液に浸漬することにより不活性領域のフォトプロモータ
３２上にのみ還元されたＰｄを析出させ、この上から無
電解のＣｕメッキ３４を施すことにより前記不活性領域
上にのみ無電解のＣｕメッキ３４を形成する（図３
（ｃ））。次にＣｕメッキ３４上からポリイミド３８お
よびレジスト３９を塗布し、レジスト３９上からマスク
３６をかけ、得たいコンタクトホールのパターンを露光
によりレジスト３９上に転写する（図３（ｄ））。次に
現像を行なって後、膨潤したレジスト３９を硬化させ
（図３（ｅ））、更にレジスト３９により保護されてい
ないポリイミド３８のみをエッチング処理してコンタク
トホール４０を形成し（図３（ｆ））、不要となったレ
ジスト３９を除去する（図３（ｇ））。上記（ａ）〜
（ｇ）の工程を繰り返すことにより多層配線基板を製造
する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の図２で示した多
層配線基板の製造方法では、レジスト２７、２９を用い
ることが必須条件で、図３に示した製造方法ではコンタ
クトホール４０を形成する工程でレジスト３９が必要と
なり、どちらもレジストを用いたフォトリソグラフィ工
程なしには成立しない製造方法であった。
層配線基板の製造方法では、レジスト２７、２９を用い
ることが必須条件で、図３に示した製造方法ではコンタ
クトホール４０を形成する工程でレジスト３９が必要と
なり、どちらもレジストを用いたフォトリソグラフィ工
程なしには成立しない製造方法であった。
【０００６】このレジスト２７、２９、３９を用いれば
必然的にレジスト塗布・露光・現像・レジスト除去など
の工程が必要となり多層配線基板の製造工程の繁雑化を
招く。これによりコストもおのずと高くなるという課題
があった。
必然的にレジスト塗布・露光・現像・レジスト除去など
の工程が必要となり多層配線基板の製造工程の繁雑化を
招く。これによりコストもおのずと高くなるという課題
があった。
【０００７】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、レジストを用いない簡略化されたプロセ
スにより製造することができる多層配線基板の製造方法
を提供することを目的としている。
ものであって、レジストを用いない簡略化されたプロセ
スにより製造することができる多層配線基板の製造方法
を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る多層配線基板の製造方法は、基板上にポ
リイミドの薄膜を形成する工程と、前記ポリイミドの薄
膜上にプロモータを塗布し、マスク上からのＵＶ照射に
より活性領域を選択的に形成する工程と、無電解Ｃｕメ
ッキにより配線パターンを形成する工程と、前記配線パ
ターン上からＵＶセンシブポリイミドの絶縁層を形成す
る工程と、マスク上からのＵＶ照射によりコンタクトホ
ールを形成する工程とを含んでいることを特徴としてい
る。
に本発明に係る多層配線基板の製造方法は、基板上にポ
リイミドの薄膜を形成する工程と、前記ポリイミドの薄
膜上にプロモータを塗布し、マスク上からのＵＶ照射に
より活性領域を選択的に形成する工程と、無電解Ｃｕメ
ッキにより配線パターンを形成する工程と、前記配線パ
ターン上からＵＶセンシブポリイミドの絶縁層を形成す
る工程と、マスク上からのＵＶ照射によりコンタクトホ
ールを形成する工程とを含んでいることを特徴としてい
る。
【０００９】
【作用】上記した方法によれば、基板上にポリイミドの
薄膜を形成する工程と、前記ポリイミドの薄膜上にプロ
モータを塗布し、マスク上からＵＶ照射により活性領域
を選択的に形成する工程とを含んでおり、無電解Ｃｕメ
ッキによる配線パターンがレジストを用いることなく形
成される。また前記配線パターン上からＵＶセンシブポ
リイミドの絶縁層を形成する工程とマスク上からのＵＶ
照射によりコンタクトホールを形成する工程とを含んで
おり、レジストを用いることなくコンタクトホールを形
成することが可能となる。
薄膜を形成する工程と、前記ポリイミドの薄膜上にプロ
モータを塗布し、マスク上からＵＶ照射により活性領域
を選択的に形成する工程とを含んでおり、無電解Ｃｕメ
ッキによる配線パターンがレジストを用いることなく形
成される。また前記配線パターン上からＵＶセンシブポ
リイミドの絶縁層を形成する工程とマスク上からのＵＶ
照射によりコンタクトホールを形成する工程とを含んで
おり、レジストを用いることなくコンタクトホールを形
成することが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明に係る多層配線基板の製造方法
の実施例を図面に基づいて説明する。図１（ａ）〜
（ｌ）は本実施例に係る多層配線基板の製造方法を説明
するための各工程における断面図であり、２層目までの
配線パターンの製造工程を示している。まず図１（ａ）
に示したように、基板１１の表面を５〜１５μｍの厚さ
のポリイミドによる絶縁膜１５で被覆し、このポリイミ
ドの絶縁膜１５の上から０．１Ｍ〜０．５ＭＳｎＣｌ2
溶液からなるフォトプロモータ１２ａを１〜４分間、塗
布する。絶縁膜１５形成はスピンコートにより行ない、
第１段階は５００ｒｐｍで３０秒間、第２段階は３００
０ｒｐｍで３０秒間の条件で塗布し、この後１４０℃で
３０分間、３００℃で３０分間、４００℃で３０分間の
熱処理を施して硬化させる。
の実施例を図面に基づいて説明する。図１（ａ）〜
（ｌ）は本実施例に係る多層配線基板の製造方法を説明
するための各工程における断面図であり、２層目までの
配線パターンの製造工程を示している。まず図１（ａ）
に示したように、基板１１の表面を５〜１５μｍの厚さ
のポリイミドによる絶縁膜１５で被覆し、このポリイミ
ドの絶縁膜１５の上から０．１Ｍ〜０．５ＭＳｎＣｌ2
溶液からなるフォトプロモータ１２ａを１〜４分間、塗
布する。絶縁膜１５形成はスピンコートにより行ない、
第１段階は５００ｒｐｍで３０秒間、第２段階は３００
０ｒｐｍで３０秒間の条件で塗布し、この後１４０℃で
３０分間、３００℃で３０分間、４００℃で３０分間の
熱処理を施して硬化させる。
【００１１】次にマスク１３に形成された第１層目の配
線パターンを露光し（ＵＶ波長は１５０〜３００ｎｍで
１〜４分間照射）（図１（ｂ））、選択的にフォトプロ
モータ１２ａ上に活性領域を形成する。つまりＵＶの照
射されない部分は不活性領域を形成し、ＵＶが照射され
た部分は活性領域となり、後記ＰｄＣｌ2 溶液による処
理の後、洗浄されることにとにより除去される（図１
（ｃ））。
線パターンを露光し（ＵＶ波長は１５０〜３００ｎｍで
１〜４分間照射）（図１（ｂ））、選択的にフォトプロ
モータ１２ａ上に活性領域を形成する。つまりＵＶの照
射されない部分は不活性領域を形成し、ＵＶが照射され
た部分は活性領域となり、後記ＰｄＣｌ2 溶液による処
理の後、洗浄されることにとにより除去される（図１
（ｃ））。
【００１２】なお、フォトプロモータ１２ａ（ＳｎＣｌ
2 ）は、貴金属を還元するが、ＵＶ照射により活性状態
となれば貴金属を還元し得ない化学的に不活性な高度に
酸化された状態になる。この性質を利用することによ
り、基板１１を０．１〜０．５ＭＰｄＣｌ2 溶液に浸漬
することにより前記不活性領域のフォトプロモータ１２
ｂ（ＳｎＣｌ2 ）によりＰｄが還元されて析出し、その
うえから無電解Ｃｕメッキ１４（５〜１０μの厚さ）を
施す際、ＰｄはＣｕメッキ１４の核となり、前記不活性
領域上にのみＣｕメッキが形成される（図１（ｄ））。
2 ）は、貴金属を還元するが、ＵＶ照射により活性状態
となれば貴金属を還元し得ない化学的に不活性な高度に
酸化された状態になる。この性質を利用することによ
り、基板１１を０．１〜０．５ＭＰｄＣｌ2 溶液に浸漬
することにより前記不活性領域のフォトプロモータ１２
ｂ（ＳｎＣｌ2 ）によりＰｄが還元されて析出し、その
うえから無電解Ｃｕメッキ１４（５〜１０μの厚さ）を
施す際、ＰｄはＣｕメッキ１４の核となり、前記不活性
領域上にのみＣｕメッキが形成される（図１（ｄ））。
【００１３】次に上記（図１（ｄ））の状態からＵＶセ
ンシブポリイミド１８ａ（フォントニース３１００／３
８４０（東レ製），ＰＬ２０３５／４２３５（日立化成
製））を塗布してプリベーク（９０℃で１２０分間）を
行い（図１（ｅ））、この上からマスク１６のコンタク
トホールのパターンを露光（ＵＶ波長３００〜５００ｎ
ｍを２０〜４０秒間照射）する（図１（ｆ））。前記露
光によってＵＶが照射された部分は変質を起こし、現像
（超音波による現像３〜５分間）により除去されてコン
タクトホール１９が形成される。その後熱で図１ａにお
ける工程と同様の熱処理を施してＵＶセンシブポリイミ
ド１８ａを硬化させる（図１（ｇ））。
ンシブポリイミド１８ａ（フォントニース３１００／３
８４０（東レ製），ＰＬ２０３５／４２３５（日立化成
製））を塗布してプリベーク（９０℃で１２０分間）を
行い（図１（ｅ））、この上からマスク１６のコンタク
トホールのパターンを露光（ＵＶ波長３００〜５００ｎ
ｍを２０〜４０秒間照射）する（図１（ｆ））。前記露
光によってＵＶが照射された部分は変質を起こし、現像
（超音波による現像３〜５分間）により除去されてコン
タクトホール１９が形成される。その後熱で図１ａにお
ける工程と同様の熱処理を施してＵＶセンシブポリイミ
ド１８ａを硬化させる（図１（ｇ））。
【００１４】更に、フォトプロモータ１２ｂを全面に塗
布し（図１（ｈ））、次に第１層目の場合と同様にフォ
トマスク（図示せず）に形成された第２層目の配線パタ
ーンを露光し、ＵＶの照射されていない不活性領域を形
成する。
布し（図１（ｈ））、次に第１層目の場合と同様にフォ
トマスク（図示せず）に形成された第２層目の配線パタ
ーンを露光し、ＵＶの照射されていない不活性領域を形
成する。
【００１５】更に０．１〜０．５ＭＰｄＣｌ2 に浸漬す
ることにより不活性領域のフォトプロモータ１２ｂにＰ
ｄが還元されて析出し、他方活性領域のフォトプロモー
タ１２ｂを洗浄して除去する（図１（ｉ））。この上か
らＣｕメッキを施して配線パターンを形成する（図１
（ｊ））。更に積層させて配線パターンを作製する場合
には上記（図１（ｊ））の状態から更にポリイミド１８
ｂを塗布してプリベークを行い（図１（ｋ））、次に上
記図１（ｆ），（ｇ）と同様の工程、つまりコンタクト
ホールのパターンを形成したマスクをのせ、露光、現像
を行なう（図１（ｌ））。これら（ａ）〜（ｌ）の工程
を繰り返すことにより多層配線基板をレジストを用いる
ことなく、簡略化された工程により製造することがで
き，コストダウンを図ることができる。
ることにより不活性領域のフォトプロモータ１２ｂにＰ
ｄが還元されて析出し、他方活性領域のフォトプロモー
タ１２ｂを洗浄して除去する（図１（ｉ））。この上か
らＣｕメッキを施して配線パターンを形成する（図１
（ｊ））。更に積層させて配線パターンを作製する場合
には上記（図１（ｊ））の状態から更にポリイミド１８
ｂを塗布してプリベークを行い（図１（ｋ））、次に上
記図１（ｆ），（ｇ）と同様の工程、つまりコンタクト
ホールのパターンを形成したマスクをのせ、露光、現像
を行なう（図１（ｌ））。これら（ａ）〜（ｌ）の工程
を繰り返すことにより多層配線基板をレジストを用いる
ことなく、簡略化された工程により製造することがで
き，コストダウンを図ることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る多層配
線基板の製造工程においては、基板上にポリイミドの薄
膜を形成する工程と前記ポリイミドの薄膜上にプロモー
タを塗布し、マスク上からのＵＶ照射により活性領域を
選択的に形成する工程と、無電解Ｃｕメッキにより配線
パターンを形成する工程と、前記配線パターン上からＵ
Ｖセンシブポリイミドの絶縁層を形成する工程と、マス
ク上からのＵＶ照射によりコンタクトホールを形成する
工程とを含んでいるので、レジストを用いてのフォトリ
ソグラフィ工程をなくすことができ、レジスト塗布・露
光・現像・レジスト除去などの工程が省かれるので、多
層配線基板の製造工程を簡略化することができ、コスト
ダウンを図ることができる。
線基板の製造工程においては、基板上にポリイミドの薄
膜を形成する工程と前記ポリイミドの薄膜上にプロモー
タを塗布し、マスク上からのＵＶ照射により活性領域を
選択的に形成する工程と、無電解Ｃｕメッキにより配線
パターンを形成する工程と、前記配線パターン上からＵ
Ｖセンシブポリイミドの絶縁層を形成する工程と、マス
ク上からのＵＶ照射によりコンタクトホールを形成する
工程とを含んでいるので、レジストを用いてのフォトリ
ソグラフィ工程をなくすことができ、レジスト塗布・露
光・現像・レジスト除去などの工程が省かれるので、多
層配線基板の製造工程を簡略化することができ、コスト
ダウンを図ることができる。
【図１】（ａ）〜（ｌ）は本発明に係る多層配線基板の
製造方法の工程の実施例を各工程順に示した模式的断面
図である。
製造方法の工程の実施例を各工程順に示した模式的断面
図である。
【図２】（ａ）〜（ｉ）は従来の多層配線基板の製造方
法における各工程を順に示した模式的断面図である。
法における各工程を順に示した模式的断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は別の従来例における各工程を
順に示した模式的断面図である。
順に示した模式的断面図である。
１１ 基板 １２ フォトプロモータ １３ マスク １４ Ｃｕメッキ １５ ポリイミドの絶縁膜 １８ａ ＵＶセンシブポリイミド １６ マスク １９ コンタクトホール
Claims (1)
- 【請求項１】 ａ）基板上にポリイミドの薄膜を形成す
る工程 ｂ）前記ポリイミドの薄膜上にプロモータを塗布し、マ
スク上からのＵＶ照射により活性領域を選択的に形成す
る工程 ｃ）無電解Ｃｕメッキにより配線パターンを形成する工
程 ｄ）前記配線パターン上からＵＶセンシブポリイミドの
絶縁層を形成する工程 ｅ）マスク上からのＵＶ照射によりコンタクトホールを
形成する工程 を含んでいることを特徴とする多層配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25110991A JPH0590752A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25110991A JPH0590752A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590752A true JPH0590752A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17217787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25110991A Pending JPH0590752A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590752A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100869049B1 (ko) * | 2007-06-25 | 2008-11-17 | 대덕전자 주식회사 | 자외선 감광 폴리이미드 라미네이션을 적용한 세미애디티브 기판 제조 방법 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25110991A patent/JPH0590752A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100869049B1 (ko) * | 2007-06-25 | 2008-11-17 | 대덕전자 주식회사 | 자외선 감광 폴리이미드 라미네이션을 적용한 세미애디티브 기판 제조 방법 |
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