JPS6163581A - 無機質表面に金属皮膜を形成させる方法 - Google Patents
無機質表面に金属皮膜を形成させる方法Info
- Publication number
- JPS6163581A JPS6163581A JP18501484A JP18501484A JPS6163581A JP S6163581 A JPS6163581 A JP S6163581A JP 18501484 A JP18501484 A JP 18501484A JP 18501484 A JP18501484 A JP 18501484A JP S6163581 A JPS6163581 A JP S6163581A
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- JP
- Japan
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- roughening
- plating
- alkali
- electroless
- ceramics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、印刷配線板の製造等で使用される、セラミッ
クス、ガラス又はそれらの混合物からなる無機質（以下
セラミックス等の無機質という）表面に金属皮膜を形成
させる方法に関する。
クス、ガラス又はそれらの混合物からなる無機質（以下
セラミックス等の無機質という）表面に金属皮膜を形成
させる方法に関する。
（従来の技術）
従来、セラミックス等の無機質上に導体を形成する方法
としてはいわゆる厚膜法と薄膜法とがある。厚膜法はセ
ラミックス基板上にガラスと金属の混合物である導体ペ
ーストを印刷、焼成して導体パターンを形成する方法で
あり、比較的安価であり導体とセラミックスとの密着力
はガラス結合により強いものが得られる。しかしながら
導体抵抗が高くまた印刷のために回路密度が上がらない
、導体ライン形状が悪く、高周波回路に不適であるとい
う欠点がある。これに対して薄膜法はセラミックス基板
上に金属を蒸Ｎあるいは陰極スパッタリングなどで被層
させる方法であり、回路パターンはフォトエツチングに
より形成するので高精度な導体パターンが得られ高周波
用途などに用いられている。しかしながらこの方法は高
価な装置を用いるためにコスト高であるという欠点をも
っている。
としてはいわゆる厚膜法と薄膜法とがある。厚膜法はセ
ラミックス基板上にガラスと金属の混合物である導体ペ
ーストを印刷、焼成して導体パターンを形成する方法で
あり、比較的安価であり導体とセラミックスとの密着力
はガラス結合により強いものが得られる。しかしながら
導体抵抗が高くまた印刷のために回路密度が上がらない
、導体ライン形状が悪く、高周波回路に不適であるとい
う欠点がある。これに対して薄膜法はセラミックス基板
上に金属を蒸Ｎあるいは陰極スパッタリングなどで被層
させる方法であり、回路パターンはフォトエツチングに
より形成するので高精度な導体パターンが得られ高周波
用途などに用いられている。しかしながらこの方法は高
価な装置を用いるためにコスト高であるという欠点をも
っている。
これらの欠点を無（すために考えられている方法として
セラミックス基板上にｉ接銅をめっき（無電解銅めりき
）し、エツチング等の方法によって金属銅による導体パ
ターンな形成する方法がある。この場合、従来知られて
いる方法としては、（１）セラミックス基板（特にＡ１
２０ｓ）表面をＨＦあるいはＨＢ Ｆ４ などによっ
て処理し、粗化表面を得た後、無電解銅めっきおよび電
気銅めっきをする方法、（２）セラミックス基板表面を
アルカリで処理して粗化表面を得た後、無電１解銅めっ
きおよび電気銅めっきをする方法がある（ｖｊ開昭４７
−１ｊ６５２、特開昭５４−８２６６６、特開昭５８−
１０４０７９）が、（１）の方法においては、めっき銅
とセラミックスとの密着力が低いという問題があり、ま
た（１）。
セラミックス基板上にｉ接銅をめっき（無電解銅めりき
）し、エツチング等の方法によって金属銅による導体パ
ターンな形成する方法がある。この場合、従来知られて
いる方法としては、（１）セラミックス基板（特にＡ１
２０ｓ）表面をＨＦあるいはＨＢ Ｆ４ などによっ
て処理し、粗化表面を得た後、無電解銅めっきおよび電
気銅めっきをする方法、（２）セラミックス基板表面を
アルカリで処理して粗化表面を得た後、無電１解銅めっ
きおよび電気銅めっきをする方法がある（ｖｊ開昭４７
−１ｊ６５２、特開昭５４−８２６６６、特開昭５８−
１０４０７９）が、（１）の方法においては、めっき銅
とセラミックスとの密着力が低いという問題があり、ま
た（１）。
（２）とも、鋼を電気めっきによりて厚付するため、専
みの分布が均一なめっき膜が得らｎに（いという問題が
ある。また、複雑な形状のセラミック部材（たとえばシ
ーリング材）上へのめっぎは全くと言ってよい程困難で
あった。このような電気めつきの持つ問題点を解消しう
るものとして、無電解めっきがあるが、前記（２ンに示
される条件では、薄い無電解めっき後電気めっきによっ
て厚付する方法では問題がないが、無電解銅めっきでは
厚付する（１μｍ以上）とめっき皮膜にフクレが発生す
る。
みの分布が均一なめっき膜が得らｎに（いという問題が
ある。また、複雑な形状のセラミック部材（たとえばシ
ーリング材）上へのめっぎは全くと言ってよい程困難で
あった。このような電気めつきの持つ問題点を解消しう
るものとして、無電解めっきがあるが、前記（２ンに示
される条件では、薄い無電解めっき後電気めっきによっ
て厚付する方法では問題がないが、無電解銅めっきでは
厚付する（１μｍ以上）とめっき皮膜にフクレが発生す
る。
（発明の目的）
本発明の目的は、セラミックス等の無機質表面に密着力
の優れた厚付無電解金属皮膜を形成させる方法を提供す
るものである。
の優れた厚付無電解金属皮膜を形成させる方法を提供す
るものである。
よる重量減少がバルク組成と見なした平均粗化深さにし
て０．６μｍ〜６μｍに相半する範囲にアルカリ粗化し
た後、無電解めっきを行うことを特徴とするものである
。
て０．６μｍ〜６μｍに相半する範囲にアルカリ粗化し
た後、無電解めっきを行うことを特徴とするものである
。
すなわち本発明は、セラミックス等の無機質表面をアル
カリ金属水酸化物によって粗化し、次に無電解めっきの
みでセラミックス等の無機質表面上に銅を析出させる方
法において、アルカリ処理の温度・時間にかかわらず、
表面粗化による重量減少が、バルク組成とみなした平均
粗化深さにして、１６μｍ〜５μｍに相当する範囲にア
ルカリ粗化をすることを特徴とするものである。本発明
は、同一組成のセラミックス等の無機質においてもロフ
ト開、あるいは極表面におけるアルカリとの反応性に差
が生じること、さらに無電解めっき厚付時のめっきフク
レ発生は、無ｉｔ解めっき下地と厚付電気めっきとの併
用時における密着力との傾向とは必ずしも一致しないこ
とケ見い出し、なされたものでろる。
カリ金属水酸化物によって粗化し、次に無電解めっきの
みでセラミックス等の無機質表面上に銅を析出させる方
法において、アルカリ処理の温度・時間にかかわらず、
表面粗化による重量減少が、バルク組成とみなした平均
粗化深さにして、１６μｍ〜５μｍに相当する範囲にア
ルカリ粗化をすることを特徴とするものである。本発明
は、同一組成のセラミックス等の無機質においてもロフ
ト開、あるいは極表面におけるアルカリとの反応性に差
が生じること、さらに無電解めっき厚付時のめっきフク
レ発生は、無ｉｔ解めっき下地と厚付電気めっきとの併
用時における密着力との傾向とは必ずしも一致しないこ
とケ見い出し、なされたものでろる。
セラミックス、ガラス又はそれらの混合物からなる無機
質表面をアルカリ粗化した後、１μｍ以上、好ましくは
３μｍ以上の厚付無電解めっきをした場合の金属皮膜の
めっき時のふくれは、金属皮膜の密着強変、アルカリ粗
化の温度、時間等の粗化成埋栄件に関係するのでなく、
表面粗化による重量減少がバルク組成と見なした平均粗
化深さに関係することが見い出された。
質表面をアルカリ粗化した後、１μｍ以上、好ましくは
３μｍ以上の厚付無電解めっきをした場合の金属皮膜の
めっき時のふくれは、金属皮膜の密着強変、アルカリ粗
化の温度、時間等の粗化成埋栄件に関係するのでなく、
表面粗化による重量減少がバルク組成と見なした平均粗
化深さに関係することが見い出された。
表面粗化による１蓋減少がバルク組成とみなした平均粗
化深さｔは、粗化面の面積を８１粗化によるＮ量減少を
Ｗ、減少分の組成をバルク組成とみな丁バルク組成の密
度をｄとすｎば、ｄ で示されるイｙｒ″′ｒ：ある。
化深さｔは、粗化面の面積を８１粗化によるＮ量減少を
Ｗ、減少分の組成をバルク組成とみな丁バルク組成の密
度をｄとすｎば、ｄ で示されるイｙｒ″′ｒ：ある。
この表面粗化による重量減少がバルク組成とみなした平
均粗化深さがα６μｍ〜３μｍに相半する範囲にアルカ
リ粗化を行えば無電解めっきにより形成される１μｍ以
上、好ましくは３μｍ以上の厚付は金属皮膜のめっき時
でのふくれの発生がなくなる金属皮膜の形成をコントロ
ールすることが出来る。
均粗化深さがα６μｍ〜３μｍに相半する範囲にアルカ
リ粗化を行えば無電解めっきにより形成される１μｍ以
上、好ましくは３μｍ以上の厚付は金属皮膜のめっき時
でのふくれの発生がなくなる金属皮膜の形成をコントロ
ールすることが出来る。
アルカリ粗化は（１）アルカリ金属水酸化物水溶液に浸
漬後引き続きＩＪａ熱処理することにより、表面を粗化
する方法もしくは（２）溶融アルカリ金属水酸化物溶液
ｖｃ浸漬する°ことにより表面を粗化する方法などの方
法が使用さｎる。粗化処理湿度は、４００℃〜６００℃
が好ましい。
漬後引き続きＩＪａ熱処理することにより、表面を粗化
する方法もしくは（２）溶融アルカリ金属水酸化物溶液
ｖｃ浸漬する°ことにより表面を粗化する方法などの方
法が使用さｎる。粗化処理湿度は、４００℃〜６００℃
が好ましい。
無電解めっき液としては、一般の無電解銅めっき液、無
電解ニッケルめっき液が使用される。
電解ニッケルめっき液が使用される。
セラミックス等の無機質基板としてはアルミナ基板が好
ましい。
ましい。
実施例、比較例
アルミナ基板（９６％、日立化成工業■製、たて６０［
１１１１＋、よこ４ＱｆｆｌｆＯ，厚み０．６３５ｆｆ
１ｍ）ヲ溶融水酸化ナトリウムで別表による条件、平均
粗化深さで粗化後中和、水洗し、無電解銅めっき液（Ｃ
Ｃ−４めっき液、日立化成工菓（社））製部品名）で１
０μｍの銅皮腿を施した。この時ふくれ発生の有無を別
表に示す。
１１１１＋、よこ４ＱｆｆｌｆＯ，厚み０．６３５ｆｆ
１ｍ）ヲ溶融水酸化ナトリウムで別表による条件、平均
粗化深さで粗化後中和、水洗し、無電解銅めっき液（Ｃ
Ｃ−４めっき液、日立化成工菓（社））製部品名）で１
０μｍの銅皮腿を施した。この時ふくれ発生の有無を別
表に示す。
（発明の効果）
本発明により、従来困難とされていたセラミックス等の
無機質表面上の厚付無電解銅めっき等の無電解めっきに
よる金檎反膜か安定的に行なえるようになった。また、
こｆＬにより、単なる平板上へのめっき析出ばかりでな
く、複雑な形状のセラミックス上へも膜厚の均一なめっ
きが行なえるようになった。
無機質表面上の厚付無電解銅めっき等の無電解めっきに
よる金檎反膜か安定的に行なえるようになった。また、
こｆＬにより、単なる平板上へのめっき析出ばかりでな
く、複雑な形状のセラミックス上へも膜厚の均一なめっ
きが行なえるようになった。
Claims (1)
- １、セラミックス、ガラス又はそれらの混合物からなる
無機質表面を、表面粗化による重量減少がバルク組成と
みなした平均粗化深さにして０．６μｍ〜３μｍに相当
する範囲にアルカリ粗化した後、無電解めつきを行うこ
とを特徴とする無機質表面に金属皮膜を形成させる方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18501484A JPS6163581A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 無機質表面に金属皮膜を形成させる方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18501484A JPS6163581A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 無機質表面に金属皮膜を形成させる方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163581A true JPS6163581A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=16163257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18501484A Pending JPS6163581A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 無機質表面に金属皮膜を形成させる方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163581A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192701A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Hitachi Ltd | 電子回路板及びその製法と用途 |
| JP2004196633A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックスの改質方法 |
-
1984
- 1984-09-04 JP JP18501484A patent/JPS6163581A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192701A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Hitachi Ltd | 電子回路板及びその製法と用途 |
| JP2004196633A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックスの改質方法 |
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