JPH05261339A - 透明導電膜を有するガラス基板 - Google Patents
透明導電膜を有するガラス基板Info
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- JPH05261339A JPH05261339A JP9224692A JP9224692A JPH05261339A JP H05261339 A JPH05261339 A JP H05261339A JP 9224692 A JP9224692 A JP 9224692A JP 9224692 A JP9224692 A JP 9224692A JP H05261339 A JPH05261339 A JP H05261339A
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- JP
- Japan
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- conductive film
- glass substrate
- transparent conductive
- film
- tin oxide
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板上に成膜した酸化錫透明導電膜
を、エッチングによりパターニングする際に、ガラス基
板と酸化錫導電膜との反応により形成された層がエッチ
ング残りすることのない酸化錫透明導電膜を有するガラ
ス基板の提供。 【構成】 ガラス基板１と酸化錫透明導電膜３との間に
酸化亜鉛膜２が成膜されていることを特徴とし、該酸化
亜鉛膜２は３００℃近傍に加熱されたホットプレート上
に設置されたガラス基板の上方から酢酸亜鉛０．０５モ
ル％のエタノール溶液をスプレーして成膜する。
を、エッチングによりパターニングする際に、ガラス基
板と酸化錫導電膜との反応により形成された層がエッチ
ング残りすることのない酸化錫透明導電膜を有するガラ
ス基板の提供。 【構成】 ガラス基板１と酸化錫透明導電膜３との間に
酸化亜鉛膜２が成膜されていることを特徴とし、該酸化
亜鉛膜２は３００℃近傍に加熱されたホットプレート上
に設置されたガラス基板の上方から酢酸亜鉛０．０５モ
ル％のエタノール溶液をスプレーして成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物透明導電膜等の
透明導電膜を有するガラス基板に関する。
透明導電膜を有するガラス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の透明導電膜を有するガラス
基板の模式断面図である。
基板の模式断面図である。
【０００３】ソーダライムガラス、シリカコートガラ
ス、硼珪酸ガラスなどを用いたガラス基板１に酸化錫透
明導電膜３をスプレー法や化学的霧化堆積(CMD:Chemica
l MistDeposition)法等で成膜し、レジストを使用して
所定のパターンにエッチング加工した透明導電膜を有す
るガラス基板は、太陽電池、各種表示素子あるいはセン
サ類等の機器類において広く用いられている。
ス、硼珪酸ガラスなどを用いたガラス基板１に酸化錫透
明導電膜３をスプレー法や化学的霧化堆積(CMD:Chemica
l MistDeposition)法等で成膜し、レジストを使用して
所定のパターンにエッチング加工した透明導電膜を有す
るガラス基板は、太陽電池、各種表示素子あるいはセン
サ類等の機器類において広く用いられている。
【０００４】酸化錫透明導電膜は、ＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2
Ｏ及びＮＨ4 Ｆの所定量を水に溶解して調製された酸化
錫透明導電膜作製用原料液を、５００℃に加熱されたホ
ットプレート上に設置したガラス基板の上方からスプレ
ーして成膜することにより得られている。
Ｏ及びＮＨ4 Ｆの所定量を水に溶解して調製された酸化
錫透明導電膜作製用原料液を、５００℃に加熱されたホ
ットプレート上に設置したガラス基板の上方からスプレ
ーして成膜することにより得られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記のようなガラス基
板に酸化錫透明導電膜を成膜し、エッチングによるパタ
ーニングを行うと、ガラス基板と酸化錫導電膜との反応
により生じた層（以下「反応層」という）が残る。この
エッチング残りにはまず外観上の問題があり、さらにそ
の上に成膜する薄膜の剥離、ショート不良などを引き起
こす原因となっていた。
板に酸化錫透明導電膜を成膜し、エッチングによるパタ
ーニングを行うと、ガラス基板と酸化錫導電膜との反応
により生じた層（以下「反応層」という）が残る。この
エッチング残りにはまず外観上の問題があり、さらにそ
の上に成膜する薄膜の剥離、ショート不良などを引き起
こす原因となっていた。
【０００６】特にアモルファスシリコン太陽電池用の透
明導電膜の場合、テクスチャー構造を有する膜とするた
めには膜厚が少なくとも４５０ｎｍ必要であるが、この
膜厚をもつ酸化錫膜を成膜するとガラス基板との反応層
が生じる。
明導電膜の場合、テクスチャー構造を有する膜とするた
めには膜厚が少なくとも４５０ｎｍ必要であるが、この
膜厚をもつ酸化錫膜を成膜するとガラス基板との反応層
が生じる。
【０００７】また、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・
パネル）用の透明導電膜として利用するため表面抵抗率
が１０Ω／□程度のものを得ようとするときは、５００
ｎｍ程度の膜厚とし、かつファインパターニングするこ
とが必要であり、この場合にもエッチング残りの問題が
生ずるという課題があった。
パネル）用の透明導電膜として利用するため表面抵抗率
が１０Ω／□程度のものを得ようとするときは、５００
ｎｍ程度の膜厚とし、かつファインパターニングするこ
とが必要であり、この場合にもエッチング残りの問題が
生ずるという課題があった。
【０００８】したがって本発明の目的は、ガラス基板上
に酸化錫膜等の透明導電膜を成膜し、エッチングによる
パターニングを行う場合に、ガラス基板と透明導電膜と
の反応により生じた層などがエッチング残りとして生じ
支障をきたすことのない透明導電膜を有するガラス基板
を提供することにある。
に酸化錫膜等の透明導電膜を成膜し、エッチングによる
パターニングを行う場合に、ガラス基板と透明導電膜と
の反応により生じた層などがエッチング残りとして生じ
支障をきたすことのない透明導電膜を有するガラス基板
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ガラス基
板上に透明導電膜として例えば酸化錫透明導電膜を成膜
し、エッチングによるパターニングをする際に発生する
エッチング残りを防止すべく研究を進めたところ、ガラ
ス基板上に酸化亜鉛膜をスプレー法によって成膜し、そ
の上に酸化錫導電膜を同様にスプレーで成膜し、エッチ
ングによりパターニングするようにすれば、上記エッチ
ング残りがなくなり、ファインパターニングが容易とな
り、前記目的が達成されることを見出し本発明に到達し
た。形成する酸化亜鉛膜の膜厚は、５０〜１０００ｎｍ
が望ましい。５０ｎｍより薄いと、かえって反応層が発
生してしまい、望ましなく、１０００ｎｍより厚いと、
製造困難すなわち、量産効率が悪くなるからである。本
発明の効果および量産効率を考えると、特に１００〜２
００ｎｍの膜厚が最適である。また、本明細書における
実施例では、スプレー法を用いたが、公知である化学的
霧化体積法によれば、より一層量産が容易となる。
板上に透明導電膜として例えば酸化錫透明導電膜を成膜
し、エッチングによるパターニングをする際に発生する
エッチング残りを防止すべく研究を進めたところ、ガラ
ス基板上に酸化亜鉛膜をスプレー法によって成膜し、そ
の上に酸化錫導電膜を同様にスプレーで成膜し、エッチ
ングによりパターニングするようにすれば、上記エッチ
ング残りがなくなり、ファインパターニングが容易とな
り、前記目的が達成されることを見出し本発明に到達し
た。形成する酸化亜鉛膜の膜厚は、５０〜１０００ｎｍ
が望ましい。５０ｎｍより薄いと、かえって反応層が発
生してしまい、望ましなく、１０００ｎｍより厚いと、
製造困難すなわち、量産効率が悪くなるからである。本
発明の効果および量産効率を考えると、特に１００〜２
００ｎｍの膜厚が最適である。また、本明細書における
実施例では、スプレー法を用いたが、公知である化学的
霧化体積法によれば、より一層量産が容易となる。
【００１０】すなわち本発明は、第１に、ガラス基板と
透明導電膜との間に酸化亜鉛膜が成膜されていることを
特徴とする透明導電膜を有するガラス基板を：第２に、
前記酸化亜鉛膜が、３００℃近傍に加熱されたホットプ
レート上に設置されたガラス基板の上方から極稀薄な酢
酸亜鉛のエタノール溶液をスプレーして成膜されたもの
である上記ガラス基板を：第３に、前記透明導電膜が酸
化錫導電膜である上記いずれかのガラス基板を提供する
ものである。
透明導電膜との間に酸化亜鉛膜が成膜されていることを
特徴とする透明導電膜を有するガラス基板を：第２に、
前記酸化亜鉛膜が、３００℃近傍に加熱されたホットプ
レート上に設置されたガラス基板の上方から極稀薄な酢
酸亜鉛のエタノール溶液をスプレーして成膜されたもの
である上記ガラス基板を：第３に、前記透明導電膜が酸
化錫導電膜である上記いずれかのガラス基板を提供する
ものである。
【００１１】
【作用】酸化亜鉛は比較的低温の３００℃程度で成膜で
きるため、ガラス基板との反応層がほとんど生じない。
また酸化亜鉛膜のエッチングは塩酸のみで容易に可能な
ため、この上に成膜した透明導電膜、例えば酸化錫導電
膜のエッチングによるパターニングを行うとパターンの
凹部は酸化亜鉛膜ごと払拭されるためエッチングは容易
であり反応層が残ることもない。
きるため、ガラス基板との反応層がほとんど生じない。
また酸化亜鉛膜のエッチングは塩酸のみで容易に可能な
ため、この上に成膜した透明導電膜、例えば酸化錫導電
膜のエッチングによるパターニングを行うとパターンの
凹部は酸化亜鉛膜ごと払拭されるためエッチングは容易
であり反応層が残ることもない。
【００１２】透明導電膜を酸化錫導電膜とすることによ
り、耐熱性の良いガラス基板を得ることができる。
り、耐熱性の良いガラス基板を得ることができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明に係る透明導電膜を有するガラ
ス基板の模式断面図である。以下この図を参照して本発
明の透明導電膜を有するガラス基板の作製手順を説明す
る。 （１）ガラス基板を７０ｍｍ角にスクライブし、溶剤及
び純水による洗浄を行った。 （２）該基板を３００℃に加熱されたホットプレート上
に設置し、基板上方から酢酸亜鉛０．０５モル％のエタ
ノール溶液を直接スプレーし、膜厚５０ｎｍのＺｎＯ膜
を成膜した。 （３）純水１５０ｍｌにＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2 Ｏ及びＮＨ
4 Ｆをそれぞれ２５ｇおよび１０．５８ｇ溶解して酸化
錫透明導電膜作製用原料液とした。そして該基板を５０
０℃に加熱されたホットプレート上に設置し、基板上方
から前記透明導電膜作製用原料液をスプレーして膜厚５
００ｎｍのＳｎＯ2 膜を成膜した。 （４）該基板にフォトレジストを均一に塗布し、１２０
℃、３０分間プレベークした後、所定のマスクに合わせ
て紫外線を照射し、未照射のレジストを溶解除去してＳ
ｎＯ2 を露出させた。続いて該基板を１５０℃で３０分
間プレベークし、基板上に亜鉛粉末を均一に散布し、エ
ッチング液（ＨＣｌ＋ＦｅＣｌ3 ）中に置き、露出した
ＳｎＯ2 を除去した後、溶剤でレジストを剥離して所定
のマスク形状のパターンを有するＳｎＯ2 膜３を形成し
た。
ス基板の模式断面図である。以下この図を参照して本発
明の透明導電膜を有するガラス基板の作製手順を説明す
る。 （１）ガラス基板を７０ｍｍ角にスクライブし、溶剤及
び純水による洗浄を行った。 （２）該基板を３００℃に加熱されたホットプレート上
に設置し、基板上方から酢酸亜鉛０．０５モル％のエタ
ノール溶液を直接スプレーし、膜厚５０ｎｍのＺｎＯ膜
を成膜した。 （３）純水１５０ｍｌにＳｎＣｌ4 ・６Ｈ2 Ｏ及びＮＨ
4 Ｆをそれぞれ２５ｇおよび１０．５８ｇ溶解して酸化
錫透明導電膜作製用原料液とした。そして該基板を５０
０℃に加熱されたホットプレート上に設置し、基板上方
から前記透明導電膜作製用原料液をスプレーして膜厚５
００ｎｍのＳｎＯ2 膜を成膜した。 （４）該基板にフォトレジストを均一に塗布し、１２０
℃、３０分間プレベークした後、所定のマスクに合わせ
て紫外線を照射し、未照射のレジストを溶解除去してＳ
ｎＯ2 を露出させた。続いて該基板を１５０℃で３０分
間プレベークし、基板上に亜鉛粉末を均一に散布し、エ
ッチング液（ＨＣｌ＋ＦｅＣｌ3 ）中に置き、露出した
ＳｎＯ2 を除去した後、溶剤でレジストを剥離して所定
のマスク形状のパターンを有するＳｎＯ2 膜３を形成し
た。
【００１４】得られたガラス基板の透明導電膜パターニ
ング後のスペース部にはエッチング残りによる膜むらは
見られなかった。
ング後のスペース部にはエッチング残りによる膜むらは
見られなかった。
【００１５】
【比較例】実施例の手順（２）を省略した他は実施例と
同様な手順により透明導電膜をパターニングしたガラス
基板を作製した。
同様な手順により透明導電膜をパターニングしたガラス
基板を作製した。
【００１６】得られた基板の透明導電膜パターニング後
のスペースにはエッチング残りによる膜むらが全面に見
られた。
のスペースにはエッチング残りによる膜むらが全面に見
られた。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の透明導電
膜を有するガラス基板は、ガラス基板と酸化錫などの透
明導電膜との間に酸化亜鉛膜１層が設けられているため
エッチング残りがなく、ファインパターニングが容易で
ある。
膜を有するガラス基板は、ガラス基板と酸化錫などの透
明導電膜との間に酸化亜鉛膜１層が設けられているため
エッチング残りがなく、ファインパターニングが容易で
ある。
【図１】本発明の透明導電膜を有するガラス基板の一実
施例を示す模式断面図である。
施例を示す模式断面図である。
【図２】ガラス基板上に直接透明導電膜が形成された従
来の透明導電膜を有するガラス基板を示す模式断面図で
ある。
来の透明導電膜を有するガラス基板を示す模式断面図で
ある。
１・・・ガラス基板 ２・・・酸化亜鉛膜 ３・・・酸化錫透明導電膜
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板と透明導電膜との間に酸化亜
鉛膜が成膜されていることを特徴とする透明導電膜を有
するガラス基板。 - 【請求項２】 前記酸化亜鉛膜が、３００℃近傍に加熱
されたホットプレート上に設置されたガラス基板の上方
から極稀薄な酢酸亜鉛の水溶液またはエタノール溶液を
化学的霧化堆積法またはスプレー法により成膜されたも
のである請求項１記載のガラス基板。 - 【請求項３】 前記透明導電膜が酸化錫導電膜である請
求項１または２のいずれかに記載のガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09224692A JP3332409B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 透明導電膜を有するガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09224692A JP3332409B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 透明導電膜を有するガラス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05261339A true JPH05261339A (ja) | 1993-10-12 |
| JP3332409B2 JP3332409B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=14049073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09224692A Expired - Fee Related JP3332409B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 透明導電膜を有するガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3332409B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP09224692A patent/JP3332409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3332409B2 (ja) | 2002-10-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020702 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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