JPH02281505A - パターン化した酸化錫系透明導電性薄膜の製法およびそれに用いる組成物 - Google Patents
パターン化した酸化錫系透明導電性薄膜の製法およびそれに用いる組成物Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical compound [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 4
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229940058905 antimony compound for treatment of leishmaniasis and trypanosomiasis Drugs 0.000 claims description 5
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 abstract description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- -1 divinylbenzene peroxide Chemical class 0.000 description 8
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N (+-)-Isoprenaline Chemical compound CC(C)NCC(O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FAWGZAFXDJGWBB-UHFFFAOYSA-N antimony(3+) Chemical class [Sb+3] FAWGZAFXDJGWBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- ZDINGUUTWDGGFF-UHFFFAOYSA-N antimony(5+) Chemical class [Sb+5] ZDINGUUTWDGGFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QORWLRPWMJEJKP-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;tantalum(5+) Chemical compound [Ta+5].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] QORWLRPWMJEJKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 2
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBSDEGCNBZHTNW-UHFFFAOYSA-L 2-methylprop-2-enoate;tin(2+) Chemical compound [Sn+2].CC(=C)C([O-])=O.CC(=C)C([O-])=O MBSDEGCNBZHTNW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JHUUPUMBZGWODW-UHFFFAOYSA-N 3,6-dihydro-1,2-dioxine Chemical compound C1OOCC=C1 JHUUPUMBZGWODW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100312810 Caenorhabditis elegans tin-9.2 gene Proteins 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOBBPQYNFFSLTL-UHFFFAOYSA-N [Ta].[CH]1C=CC=C1 Chemical compound [Ta].[CH]1C=CC=C1 FOBBPQYNFFSLTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XQRVLQLHRAJWLU-UHFFFAOYSA-K antimony(3+);butanoate Chemical compound [Sb+3].CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O XQRVLQLHRAJWLU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JRLDUDBQNVFTCA-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);trinitrate Chemical compound [Sb+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O JRLDUDBQNVFTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K diacetyloxystibanyl acetate Chemical compound [Sb+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N divinylbenzene Substances C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- FBXAIBZEZGSAAK-UHFFFAOYSA-L prop-2-enoate;tin(2+) Chemical compound [Sn+2].[O-]C(=O)C=C.[O-]C(=O)C=C FBXAIBZEZGSAAK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HUFOUQURBCDNKF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid;tin Chemical compound [Sn].OC(=O)C=C HUFOUQURBCDNKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate Chemical compound CCC[O-] IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L stannous fluoride Chemical compound F[Sn]F ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960002799 stannous fluoride Drugs 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- GCPVYIPZZUPXPB-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) bromide Chemical compound Br[Ta](Br)(Br)(Br)Br GCPVYIPZZUPXPB-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000003852 thin film production method Methods 0.000 description 1
- HVYVMSPIJIWUNA-UHFFFAOYSA-N triphenylstibine Chemical compound C1=CC=CC=C1[Sb](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HVYVMSPIJIWUNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、塗布熱分解法によりガラスなどの基板上にパ
ターン化した酸化錫系透明導電性薄膜を形成する方法お
よびそれに用いる組成物に関する。
ターン化した酸化錫系透明導電性薄膜を形成する方法お
よびそれに用いる組成物に関する。
[従来の技術および発明が解決しようとする課題]
酸化物透明導電膜は、液晶表示素子、エレクトロルミネ
ッセンス素子、プラズマ表示素子などの表示素子類、太
陽電池、光センサーなどの感光素子などにおいて多量に
使用されている。
ッセンス素子、プラズマ表示素子などの表示素子類、太
陽電池、光センサーなどの感光素子などにおいて多量に
使用されている。
これらの透明導電膜材料としては、現在、酸化錫にドー
パントとして微量のアンチモンまたはフッ素を添加した
ものや、酸化インジウムにドーパントとして酸化錫を添
加したものが使用されている。そして、この透明導電膜
の製法としては真空蒸着法、スパッタリング法、加熱し
た基板上に原料を吹きつけて原料を熱分解させる熱CV
D法またはスプレー法が汎用的に用いられている。
パントとして微量のアンチモンまたはフッ素を添加した
ものや、酸化インジウムにドーパントとして酸化錫を添
加したものが使用されている。そして、この透明導電膜
の製法としては真空蒸着法、スパッタリング法、加熱し
た基板上に原料を吹きつけて原料を熱分解させる熱CV
D法またはスプレー法が汎用的に用いられている。
これらの透明導電膜材料のうち酸化錫系透明導電膜材料
は、酸化インジウム系に比べ原料が豊富で安価である、
耐熱性が高く化学的にも安定している、という優れた性
質をもっている。
は、酸化インジウム系に比べ原料が豊富で安価である、
耐熱性が高く化学的にも安定している、という優れた性
質をもっている。
しかし、その反面いりたん製膜すると膜のエツチングが
繁雑で精度の高いパターンをうることが困難であるとい
う問題点がある。
繁雑で精度の高いパターンをうることが困難であるとい
う問題点がある。
かかる問題点に対して、有機または無機の錫化合物を基
板に塗布して熱分解することにより酸化錫系透明導電性
薄膜を作る塗布熱分解法によって、パターン化された酸
化錫系透明導電性薄膜を作成する方法が種々検討されて
いる。たとえば、有機もしくは無機の錫化合物をペース
ト化し、スクリーン印刷やグラビア印刷などの印刷方法
により透明導電性薄膜形成用前駆体をパターン状に印刷
したのち熱処理する方法や、有機もしくは無機の錫化合
物を塗布した前駆体薄膜上にさらにフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフィーによりパターンをエツチン
グする方法などがすでに提案されている。しかし、これ
らの方法はプロセスが繁雑になりコスト高になることや
パターンの精度に劣るという欠点がまだ残されている。
板に塗布して熱分解することにより酸化錫系透明導電性
薄膜を作る塗布熱分解法によって、パターン化された酸
化錫系透明導電性薄膜を作成する方法が種々検討されて
いる。たとえば、有機もしくは無機の錫化合物をペース
ト化し、スクリーン印刷やグラビア印刷などの印刷方法
により透明導電性薄膜形成用前駆体をパターン状に印刷
したのち熱処理する方法や、有機もしくは無機の錫化合
物を塗布した前駆体薄膜上にさらにフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフィーによりパターンをエツチン
グする方法などがすでに提案されている。しかし、これ
らの方法はプロセスが繁雑になりコスト高になることや
パターンの精度に劣るという欠点がまだ残されている。
また、錫化合物そのものに光硬化性を賦与して前駆体膜
そのものをフォトリソグラフィーによりパターン化した
のち熱処理する方法が提案されている(特開昭55−2
0228号公報)。該公報に開示されている方法によれ
ば50虜程度の線幅のパターンが作れるものと記載され
ている。
そのものをフォトリソグラフィーによりパターン化した
のち熱処理する方法が提案されている(特開昭55−2
0228号公報)。該公報に開示されている方法によれ
ば50虜程度の線幅のパターンが作れるものと記載され
ている。
しかしながら、本発明者が前記公報に開示されている方
法を追試してみたところ、実施例に記載された光感応性
錫化合物では有機官能基の分子量が大きいこと、未露光
および光重合時における溶解度の差が小さいという問題
点があり最適な組成が見出せないために、光に対する感
度が弱く良質なパターンが作れない、塗布時にガラス基
板とのなじみが悪い、熱処理後の酸化錫膜の膜質か弱く
しかも導電性が低い、といった種々の問題点があること
がわかり、前記公報記載の製法によりえられるパターン
化された薄膜は実用的でないことが判明した。
法を追試してみたところ、実施例に記載された光感応性
錫化合物では有機官能基の分子量が大きいこと、未露光
および光重合時における溶解度の差が小さいという問題
点があり最適な組成が見出せないために、光に対する感
度が弱く良質なパターンが作れない、塗布時にガラス基
板とのなじみが悪い、熱処理後の酸化錫膜の膜質か弱く
しかも導電性が低い、といった種々の問題点があること
がわかり、前記公報記載の製法によりえられるパターン
化された薄膜は実用的でないことが判明した。
本発明の目的は、塗布してえられる酸化錫系透明導電性
薄膜前駆体そのものをパターン化したのち焼成すること
により、目的とするパターン化した酸化錫系透明導電体
薄膜を簡単にうろことのできる製法およびそれに用いる
組成物を提供することである。
薄膜前駆体そのものをパターン化したのち焼成すること
により、目的とするパターン化した酸化錫系透明導電体
薄膜を簡単にうろことのできる製法およびそれに用いる
組成物を提供することである。
[課題を解決するための手段]
本発明の製法は、重合性官能基を有する金属錫酸化物を
有機溶媒に溶解させた組成物を基板上に塗布し、赤外光
を含む光源によりパターン化した光をあてたのちに未露
光部を現像液で除去し、さらに焼成することを特徴とし
ている。
有機溶媒に溶解させた組成物を基板上に塗布し、赤外光
を含む光源によりパターン化した光をあてたのちに未露
光部を現像液で除去し、さらに焼成することを特徴とし
ている。
また、本発明の組成物は、重合性官能基を有する金属酸
化物を有機溶媒に溶解させてなることを特徴としている
。
化物を有機溶媒に溶解させてなることを特徴としている
。
[実施例]
本発明の製法において用いられる重合性官能基を有する
錫化合物は、熱により重合反応を起こし重合前と溶解□
性が異なった性質を有することでパターン化処理が可能
となる化合物群である。このような錫化合物の具体例と
しては、たとえば一般式 %式% (ここで、RI R2は不飽和結合を有する炭素数2
から18までのアルキル基、たとえばアクリル、メタク
リル、グリシジル基をあられし、Xは酸素、塩素、フッ
素および炭素数1から8までのアルキル基をあられす) で示される2価および4価の錫化合物をあげることがで
き、このうちとくに2価のアクリル酸、メタクリル酸が
反応性に優れ、しかも金属の含有濃度が高くなるので好
ましい。また、2価の錫のアクリル酸、メタクリル酸化
合物は、熱処理時に2価から4価の錫化合物となるが、
そのときの焼成雰囲気を調整することにより酸素欠陥を
作り品<、電子が動き易くなるため導電性の高い膜が作
りやすいという長所がある。
錫化合物は、熱により重合反応を起こし重合前と溶解□
性が異なった性質を有することでパターン化処理が可能
となる化合物群である。このような錫化合物の具体例と
しては、たとえば一般式 %式% (ここで、RI R2は不飽和結合を有する炭素数2
から18までのアルキル基、たとえばアクリル、メタク
リル、グリシジル基をあられし、Xは酸素、塩素、フッ
素および炭素数1から8までのアルキル基をあられす) で示される2価および4価の錫化合物をあげることがで
き、このうちとくに2価のアクリル酸、メタクリル酸が
反応性に優れ、しかも金属の含有濃度が高くなるので好
ましい。また、2価の錫のアクリル酸、メタクリル酸化
合物は、熱処理時に2価から4価の錫化合物となるが、
そのときの焼成雰囲気を調整することにより酸素欠陥を
作り品<、電子が動き易くなるため導電性の高い膜が作
りやすいという長所がある。
前記重合性官能基を有する錫化合物は、これだけでは必
ずしも熱に対する充分な反応性かえられない。したがっ
て、これらを含む組成物中に、加熱によりラジカルを発
生する重合開始剤を添加しておくのが好ましい。
ずしも熱に対する充分な反応性かえられない。したがっ
て、これらを含む組成物中に、加熱によりラジカルを発
生する重合開始剤を添加しておくのが好ましい。
かかる重合開始剤としては、150℃以下、好ましくは
100℃以下で分解を開始しラジカルを発生する化合物
が好ましく、たとえばジビニルベンゼンパーオキサイド
、アゾビスイソブチロニトリルなどを具体例としてあげ
ることができる。
100℃以下で分解を開始しラジカルを発生する化合物
が好ましく、たとえばジビニルベンゼンパーオキサイド
、アゾビスイソブチロニトリルなどを具体例としてあげ
ることができる。
重合開始剤の添加量は、金属錫酸化物に対して0.1〜
20重量%の範囲であるのが好ましい。
20重量%の範囲であるのが好ましい。
添加量が0.1重量%未満だと重合開始剤の添加効果が
弱まり赤外光の強度を上げないとパターン化が不充分と
なり生産性が低下し不適当であり、一方20重量%を超
えると前駆体溶液が不安定になるとともに熱分解後の膜
質が不均質になり易いという問題が生じる。
弱まり赤外光の強度を上げないとパターン化が不充分と
なり生産性が低下し不適当であり、一方20重量%を超
えると前駆体溶液が不安定になるとともに熱分解後の膜
質が不均質になり易いという問題が生じる。
また、これらの組成物中に焼成後の透明導電膜の導電率
を向上させる目的でアンチモン化合物、フッ素化合物、
タンタル化合物からなる群より選ばれた少なくとも11
1の成分をドーパントとして添加するのが好ましい。
を向上させる目的でアンチモン化合物、フッ素化合物、
タンタル化合物からなる群より選ばれた少なくとも11
1の成分をドーパントとして添加するのが好ましい。
添加するアンチモン化合物としては、5価のアンチモン
化合物は不安定であるので、3価のアンチモンアルコキ
シド類や、硝酸アンチモン、塩化アンチモンなどの無機
塩類や、酢酸アンチモン、酪酸アンチモンなどの有機酸
塩や、トリフェニルスチビンなどの有機アンチモン化合
物の1種以上を用いることができる。これら3価のアン
チモン化合物は、重合性官能基を有する錫化合物中に加
えたのち焼成することにより、4価の酸化錫中に固溶し
た5価の酸化アンチモンとして自由電子を補給するドー
パントの役割を果す。しかし、不活性雰囲気または還元
性の雰囲気で焼成したばあいは、焼成後も3価のアンチ
モンが残って酸化錫中に固溶するため期待した導電性か
えられないばあいがある。このため3価のアンチモン化
合物をドーパントとして添加するばあいには、焼成雰囲
気が大気中などの酸化性雰囲気のときに期待した導電性
が確保できる。錫化合物に対してアンチモン化合物の添
加量は2〜15モル%の範囲が好ましい。2モル%未満
または15モル%を超える範囲ではアンチモン化合物添
加によるドーパント効果が希薄となり、期待した導電性
の向上かえられず好ましくない。
化合物は不安定であるので、3価のアンチモンアルコキ
シド類や、硝酸アンチモン、塩化アンチモンなどの無機
塩類や、酢酸アンチモン、酪酸アンチモンなどの有機酸
塩や、トリフェニルスチビンなどの有機アンチモン化合
物の1種以上を用いることができる。これら3価のアン
チモン化合物は、重合性官能基を有する錫化合物中に加
えたのち焼成することにより、4価の酸化錫中に固溶し
た5価の酸化アンチモンとして自由電子を補給するドー
パントの役割を果す。しかし、不活性雰囲気または還元
性の雰囲気で焼成したばあいは、焼成後も3価のアンチ
モンが残って酸化錫中に固溶するため期待した導電性か
えられないばあいがある。このため3価のアンチモン化
合物をドーパントとして添加するばあいには、焼成雰囲
気が大気中などの酸化性雰囲気のときに期待した導電性
が確保できる。錫化合物に対してアンチモン化合物の添
加量は2〜15モル%の範囲が好ましい。2モル%未満
または15モル%を超える範囲ではアンチモン化合物添
加によるドーパント効果が希薄となり、期待した導電性
の向上かえられず好ましくない。
重合性官能基を有する錫化合物にフッ素化合物をドーパ
ントとして添加する方法としては、組成物中にフッ化水
素、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、ま
たはフッ化錫の1種以上を添加することが好ましいが、
これらのうちとくにフッ化錫を用いるのが取扱が容易で
あるので好ましい。錫に対するフッ素の添加量は、2〜
50モル%の範囲が好ましい。2モル%未満または50
モル%を超える範囲ではフッ素のドーパント効果が薄れ
、期待される導電性の向上かえられず好ましくない。こ
のフッ素添加系の透明導電膜組成物は、酸化性雰囲気よ
りも不活性ガス雰囲気または還元性ガス雰囲気で焼成す
ることにより良好な導電性かえられやすい傾向がある。
ントとして添加する方法としては、組成物中にフッ化水
素、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、ま
たはフッ化錫の1種以上を添加することが好ましいが、
これらのうちとくにフッ化錫を用いるのが取扱が容易で
あるので好ましい。錫に対するフッ素の添加量は、2〜
50モル%の範囲が好ましい。2モル%未満または50
モル%を超える範囲ではフッ素のドーパント効果が薄れ
、期待される導電性の向上かえられず好ましくない。こ
のフッ素添加系の透明導電膜組成物は、酸化性雰囲気よ
りも不活性ガス雰囲気または還元性ガス雰囲気で焼成す
ることにより良好な導電性かえられやすい傾向がある。
重合性官能基を有する錫化合物にタンタル化合物をドー
パントとして添加するばあい、タンタル化合物としては
五塩化タンタル、五臭化タンタル、タンタルアルコキシ
ド類、テトラカルボニル(シクロペンタジェニル)タン
タルなどが用いられるが、とくにたとえばタンタルベン
タエトキシド、タンタルベンタイツプロポキシド、タン
タルペンタブトキシドなどのタンクルアルコキシド類が
溶解性にすぐれ、本発明の塗布溶液の合成々(簡便であ
るので好ましい。錫に対するタンタルの添加量は2〜1
5モル%の範囲が好ましい。2モル%未満または15モ
ル%を超える範囲ではタンタルのドーパント効果が弱ま
ってしまい導電性の向上効果が小さくなり好ましくない
。さらに焼成雰囲気は5価のタンタルが安定なため、酸
化雰囲気または不活性、還元性ガス雰囲気でもよく、こ
れらの雰囲気中で焼成しても良好な導電性かえられる。
パントとして添加するばあい、タンタル化合物としては
五塩化タンタル、五臭化タンタル、タンタルアルコキシ
ド類、テトラカルボニル(シクロペンタジェニル)タン
タルなどが用いられるが、とくにたとえばタンタルベン
タエトキシド、タンタルベンタイツプロポキシド、タン
タルペンタブトキシドなどのタンクルアルコキシド類が
溶解性にすぐれ、本発明の塗布溶液の合成々(簡便であ
るので好ましい。錫に対するタンタルの添加量は2〜1
5モル%の範囲が好ましい。2モル%未満または15モ
ル%を超える範囲ではタンタルのドーパント効果が弱ま
ってしまい導電性の向上効果が小さくなり好ましくない
。さらに焼成雰囲気は5価のタンタルが安定なため、酸
化雰囲気または不活性、還元性ガス雰囲気でもよく、こ
れらの雰囲気中で焼成しても良好な導電性かえられる。
また前記アンチモン化合物、フッ素化合物を併用するこ
とも可能であり、これによりさらに優れた導電性をうろ
ことができる。
とも可能であり、これによりさらに優れた導電性をうろ
ことができる。
本発明における重合性官能基を有する錫化合物を溶解さ
せるのに用いられる溶媒としては、実質的にこれらを溶
解し、しかも乾燥時や焼成時に揮散するか、焼成後の膜
中にアルカリ金属やカーボンなどの導電性を阻害する不
純物を副生することがなければどのようなものでも使用
が可能である。たとえば、メチルアルコール、エチルア
ルコール、イソおよびノルマルプロピルアルコール、イ
ソおよびノルマルそしてt−ブチルアルコールなどの低
級アルコール類、テトラヒドロフラン、アセトン、メチ
ルエチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸イソ
プロピル、酢酸ブチルなどの有機酸エステル、エチレン
グリコール、グリセリン、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルなどの多価アルコールおよびそのエーテルエ
ステル類、およびアセチルアセトン、■、4−ジオキサ
ンなどの1種以上が好適に用いられる。これら溶媒の使
用量は、塗布方法および用いられる溶媒の粘度によって
も異なるが、重合性官能基を有する錫化合物の濃度が5
〜50重量%となる範囲内で用いるのが好ましい。
せるのに用いられる溶媒としては、実質的にこれらを溶
解し、しかも乾燥時や焼成時に揮散するか、焼成後の膜
中にアルカリ金属やカーボンなどの導電性を阻害する不
純物を副生することがなければどのようなものでも使用
が可能である。たとえば、メチルアルコール、エチルア
ルコール、イソおよびノルマルプロピルアルコール、イ
ソおよびノルマルそしてt−ブチルアルコールなどの低
級アルコール類、テトラヒドロフラン、アセトン、メチ
ルエチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸イソ
プロピル、酢酸ブチルなどの有機酸エステル、エチレン
グリコール、グリセリン、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルなどの多価アルコールおよびそのエーテルエ
ステル類、およびアセチルアセトン、■、4−ジオキサ
ンなどの1種以上が好適に用いられる。これら溶媒の使
用量は、塗布方法および用いられる溶媒の粘度によって
も異なるが、重合性官能基を有する錫化合物の濃度が5
〜50重量%となる範囲内で用いるのが好ましい。
本発明に用いられる基板材料の具体例としては、通常用
いられているソーダーライムガラス、硼珪酸ガラス、バ
イコールガラス、石英ガラスなどの各種ガラス基板、ア
ルミナ、酸化ジルコニウムなどのセラミックス基板、ポ
リイミドフィルムなどの耐熱性高分子フィルムなどをあ
げることができる。このうちソーダーライムガラスなど
のように基板内にアルカリ金属を含む材料を使用すると
きには、熱処理時に透明導電膜内にアルカリ金属イオン
が拡散して著しく導電性を妨げるばあいがあるので、予
めアルカリ金属イオンの拡散を防止する目的で5to2
などのパッシベーション膜を施しておく必要がある。
いられているソーダーライムガラス、硼珪酸ガラス、バ
イコールガラス、石英ガラスなどの各種ガラス基板、ア
ルミナ、酸化ジルコニウムなどのセラミックス基板、ポ
リイミドフィルムなどの耐熱性高分子フィルムなどをあ
げることができる。このうちソーダーライムガラスなど
のように基板内にアルカリ金属を含む材料を使用すると
きには、熱処理時に透明導電膜内にアルカリ金属イオン
が拡散して著しく導電性を妨げるばあいがあるので、予
めアルカリ金属イオンの拡散を防止する目的で5to2
などのパッシベーション膜を施しておく必要がある。
本発明における重合性官能基を有する錫化合物を有機溶
媒に溶解させた組成物からなる塗布溶液を基板上に塗布
する方法としては、デイツプコーティング、スピンコー
ティング、ロールコータ−によるコーティング、スクリ
ーン印刷、グラビア印刷などの各種印刷方法によるコー
ティングが可能である。塗布膜厚としては、乾燥後に0
.05〜5.cmであって、かつ焼成後で0.O1〜0
.5−の範囲内であるのが好ま゛しく、この範囲内だと
剥がれやクラックがなく緻密で平滑性に優れた良質な酸
化錫系透明導電性薄膜をうることができる。
媒に溶解させた組成物からなる塗布溶液を基板上に塗布
する方法としては、デイツプコーティング、スピンコー
ティング、ロールコータ−によるコーティング、スクリ
ーン印刷、グラビア印刷などの各種印刷方法によるコー
ティングが可能である。塗布膜厚としては、乾燥後に0
.05〜5.cmであって、かつ焼成後で0.O1〜0
.5−の範囲内であるのが好ま゛しく、この範囲内だと
剥がれやクラックがなく緻密で平滑性に優れた良質な酸
化錫系透明導電性薄膜をうることができる。
基板上に塗布された前駆体膜をバターニングする方法と
して、たとえばパターンを形成したフォトマスクまたは
エツチングによりパターンを形成したメタルマスクを通
じて赤外線を含む光源(たとえばタングステンランプ、
マグネシウムランプ、ハロゲンランプなど)を照射する
か、または赤外領域の波長を有するレーザー光(たとえ
ば炭酸ガスレーザー、YAGレーザ−アルゴンレーザー
など)を目的とするパターンに照射したのちに、現像液
で処理して未露光部を溶解させることで、パターン化し
た前駆体膜かえられる。
して、たとえばパターンを形成したフォトマスクまたは
エツチングによりパターンを形成したメタルマスクを通
じて赤外線を含む光源(たとえばタングステンランプ、
マグネシウムランプ、ハロゲンランプなど)を照射する
か、または赤外領域の波長を有するレーザー光(たとえ
ば炭酸ガスレーザー、YAGレーザ−アルゴンレーザー
など)を目的とするパターンに照射したのちに、現像液
で処理して未露光部を溶解させることで、パターン化し
た前駆体膜かえられる。
赤外線を含む光源の光のエネルギーの強さは、本発明に
おいてとくに制限はないが、前駆体膜を50〜150℃
程度に加熱することのできる強さであれば問題なくパタ
ーンを作ることができる。
おいてとくに制限はないが、前駆体膜を50〜150℃
程度に加熱することのできる強さであれば問題なくパタ
ーンを作ることができる。
通常、波長0.7I以上の赤外線がエネルギー量として
0.01−1000ジユールの範囲内で含まれる光であ
れば充分に本発明で採用しうる。
0.01−1000ジユールの範囲内で含まれる光であ
れば充分に本発明で採用しうる。
未露光部を溶解させるための現像液の成分としては、前
述した重量性官能基を有する錫化合物を有機溶媒に溶解
させた組成物に用いられる溶媒、たとえばメチルアルコ
ール、エチルアルコール、イソおよびノルマルプロピル
アルコール、イソおよびノルマルそしてt−ブチルアル
コールなどの低級アルコール類、テトラヒドロフラン、
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、酢酸エ
チル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチルなどの有機酸エス
テル、エチレングリコール、グリセリン、エチレングリ
コールモノエチルエーテルなどの多価アルコールおよび
そのエーテルエステル類、アセチルアセトン、 1.4
−ジオキサンなどの1種以上の使用が可能であるが、さ
らにこの溶媒中に0.05〜15重量%の塩酸、硝酸な
どの無機酸、ギ酸、酢酸、アクリル酸、メタクリル酸な
どの有機酸などの酸性成分を添加した溶媒、または0.
05〜30重量%のアンモニア、トリエチルアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミンなどの塩基性
成分を添加した溶媒を用いることもできる。酸性成分ま
たは塩基性成分を添加した溶媒を用いるばあい、現像時
間が短くコントラストの良いパターン化された前駆体膜
かえられやすいという効果がある。
述した重量性官能基を有する錫化合物を有機溶媒に溶解
させた組成物に用いられる溶媒、たとえばメチルアルコ
ール、エチルアルコール、イソおよびノルマルプロピル
アルコール、イソおよびノルマルそしてt−ブチルアル
コールなどの低級アルコール類、テトラヒドロフラン、
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、酢酸エ
チル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチルなどの有機酸エス
テル、エチレングリコール、グリセリン、エチレングリ
コールモノエチルエーテルなどの多価アルコールおよび
そのエーテルエステル類、アセチルアセトン、 1.4
−ジオキサンなどの1種以上の使用が可能であるが、さ
らにこの溶媒中に0.05〜15重量%の塩酸、硝酸な
どの無機酸、ギ酸、酢酸、アクリル酸、メタクリル酸な
どの有機酸などの酸性成分を添加した溶媒、または0.
05〜30重量%のアンモニア、トリエチルアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミンなどの塩基性
成分を添加した溶媒を用いることもできる。酸性成分ま
たは塩基性成分を添加した溶媒を用いるばあい、現像時
間が短くコントラストの良いパターン化された前駆体膜
かえられやすいという効果がある。
このようにして基板上に形成された前駆体薄膜を焼成す
ることによって、酸化錫系透明導電性薄膜かえられるが
、このときの焼成温度は400℃以上700℃以下の温
度で、1〜60分程度加熱することが好ましい。400
℃未満では膜中の有機成分が完全に分解を終了せず導電
性の乏しい膜となり、700℃を超える焼成温度ではガ
ラス基板などは基板の溶融、変形が起こるばあいかあり
好ましくない。なお、前述したドーパントの種類に応じ
て焼成雰囲気を調整したり、加熱分解時の焼成速度を大
きくする(好ましくは50℃/sin以上)ことにより
、えられる酸化錫系透明導電膜の導電性をさらに向上さ
せることができる。
ることによって、酸化錫系透明導電性薄膜かえられるが
、このときの焼成温度は400℃以上700℃以下の温
度で、1〜60分程度加熱することが好ましい。400
℃未満では膜中の有機成分が完全に分解を終了せず導電
性の乏しい膜となり、700℃を超える焼成温度ではガ
ラス基板などは基板の溶融、変形が起こるばあいかあり
好ましくない。なお、前述したドーパントの種類に応じ
て焼成雰囲気を調整したり、加熱分解時の焼成速度を大
きくする(好ましくは50℃/sin以上)ことにより
、えられる酸化錫系透明導電膜の導電性をさらに向上さ
せることができる。
以下、本発明の製法を実施例に基づきさらに詳しく説明
するが、本発明はもとよりかかる実施例のみに限定され
るものではない。
するが、本発明はもとよりかかる実施例のみに限定され
るものではない。
実施例1
錫ジメタアクリレートのエチルアルコール溶液(錫含有
−9,2重量%二用研コアインケミカル■製) 25.
0gに0.ll11gのフッ化第−錫を攪拌しながら加
えて溶解させたのち、さらに重合開始剤として0.2g
のアゾビスイソブチロニトリルを加えて前駆体薄膜形成
溶液を作製した。この溶液をスピンコーターによって厚
さ約1.lavのコーニング# 7059基板上に3,
000rpmの回転速度でコーティングした。この基板
を常温(25±3℃)で乾燥させたのち、メタルマスク
を基板上にのせて中心波長約1遍の赤外光を発生するタ
ングステンランプを光源とするアークイメージ炉で約5
ν1CI12の光量で10秒間照射した。その後、この
基板を約2重量96の酢酸を含むエチルアルコール溶液
を現像液とし約5分間処理した。
−9,2重量%二用研コアインケミカル■製) 25.
0gに0.ll11gのフッ化第−錫を攪拌しながら加
えて溶解させたのち、さらに重合開始剤として0.2g
のアゾビスイソブチロニトリルを加えて前駆体薄膜形成
溶液を作製した。この溶液をスピンコーターによって厚
さ約1.lavのコーニング# 7059基板上に3,
000rpmの回転速度でコーティングした。この基板
を常温(25±3℃)で乾燥させたのち、メタルマスク
を基板上にのせて中心波長約1遍の赤外光を発生するタ
ングステンランプを光源とするアークイメージ炉で約5
ν1CI12の光量で10秒間照射した。その後、この
基板を約2重量96の酢酸を含むエチルアルコール溶液
を現像液とし約5分間処理した。
さらにこの基板を窒素雰囲気中で約100℃/ff1i
nの昇温速度で500℃15分間熱処理した。えられた
酸化錫系透明導電性薄膜の膜厚および表面抵抗値をf4
pj定したところ、それぞれ550人、800Ω/口で
あった。
nの昇温速度で500℃15分間熱処理した。えられた
酸化錫系透明導電性薄膜の膜厚および表面抵抗値をf4
pj定したところ、それぞれ550人、800Ω/口で
あった。
この結果から、えられた酸化錫系透明導電膜は液晶表示
用として充分に使用可能であることが判明した。
用として充分に使用可能であることが判明した。
実施例2
錫ジアクリレートのエチルアルコール溶液(賜金を量7
.6重量%) 25.0gに0.44gのタンタルペン
タブトキシド(モル比Ta/ Sn −0,05)と2
.Ogのアクリル酸を加えて充分に攪拌して均一な溶液
とした。
.6重量%) 25.0gに0.44gのタンタルペン
タブトキシド(モル比Ta/ Sn −0,05)と2
.Ogのアクリル酸を加えて充分に攪拌して均一な溶液
とした。
つぎにこの溶液中に重合開始剤として、0.2gのアゾ
ビスイソブチロニトリルを加えて、実施例1に記載され
ている方法と同様な方法によりコーニング# 7059
基板上に溶液をコーティングして前駆体薄膜を作成した
。ついで中心波長!−;−06amのYAGレーザ−(
出力的3V)で基板上を約1.0s/秒の速度で1■の
ピッチでスキャンした。さらに実施例1と同様な方法で
パターンを現像したのち500℃で15分間焼成したと
ころ、膜厚約800人、表面抵抗値700Ω/口の酸化
錫系透明導電体薄膜かえられた。
ビスイソブチロニトリルを加えて、実施例1に記載され
ている方法と同様な方法によりコーニング# 7059
基板上に溶液をコーティングして前駆体薄膜を作成した
。ついで中心波長!−;−06amのYAGレーザ−(
出力的3V)で基板上を約1.0s/秒の速度で1■の
ピッチでスキャンした。さらに実施例1と同様な方法で
パターンを現像したのち500℃で15分間焼成したと
ころ、膜厚約800人、表面抵抗値700Ω/口の酸化
錫系透明導電体薄膜かえられた。
[発明の効果]
以上の結果からも容易に分るとおり、本発明の方法によ
れば、パターン化作業として繁雑なプロセスを要してい
た従来の酸化錫系透明導電膜のパターンエツチングを極
めて簡略化することができ、しかもえられた透明導電膜
は優れた導電性を有しているという効果かえられる。ま
た、それ以外に ■熱処理により透明導電膜を作るためガラス基板との密
着性が大きく、表面硬度が大きい、■装置コスト、原料
コストが、蒸着およびスパッタリング法による薄膜作成
法に較べて安価となり大巾なコストダウンとなる、 ■酸化錫系なので化学的耐久性がITO系に比べて優れ
ている、 0曲面上の表面に容易に酸化錫系透明導電性薄膜パター
ン化が可能となる、 といった種々の効果かえられる。
れば、パターン化作業として繁雑なプロセスを要してい
た従来の酸化錫系透明導電膜のパターンエツチングを極
めて簡略化することができ、しかもえられた透明導電膜
は優れた導電性を有しているという効果かえられる。ま
た、それ以外に ■熱処理により透明導電膜を作るためガラス基板との密
着性が大きく、表面硬度が大きい、■装置コスト、原料
コストが、蒸着およびスパッタリング法による薄膜作成
法に較べて安価となり大巾なコストダウンとなる、 ■酸化錫系なので化学的耐久性がITO系に比べて優れ
ている、 0曲面上の表面に容易に酸化錫系透明導電性薄膜パター
ン化が可能となる、 といった種々の効果かえられる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 重合性官能基を有する金属錫酸化物を有機溶媒に溶
解させた組成物を基板上に塗布し、赤外光を含む光源に
よりパターン化した光をあてたのちに未露光部を現像液
で除去し、さらに焼成することを特徴とするパターン化
された酸化錫系透明導電性薄膜の製法。 2 前記組成物中に、重合開始剤が添加されてなる請求
項1記載の製法。 3 前記組成物中に、アンチモン化合物、フッ素化合物
およびタンタル化合物からなる群より選ばれた少なくと
も1種の成分がドーパントとして溶解されてなる請求項
1記載の製法。 4 重合性官能基を有する金属錫酸化物を有機溶媒に溶
解させてなることを特徴とする組成物。 5 前記組成物中に、重合開始剤が添加されてなる請求
項4記載の組成物。 6 前記組成物中に、アンチモン化合物、フッ素化合物
およびタンタル化合物からなる群より選ばれた少なくと
も1種の成分がドーパントとして溶解されてなる請求項
4記載の組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1102583A JPH0779009B2 (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | パターン化した酸化錫系透明導電性薄膜の製法およびそれに用いる組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1102583A JPH0779009B2 (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | パターン化した酸化錫系透明導電性薄膜の製法およびそれに用いる組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02281505A true JPH02281505A (ja) | 1990-11-19 |
JPH0779009B2 JPH0779009B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=14331253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1102583A Expired - Lifetime JPH0779009B2 (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | パターン化した酸化錫系透明導電性薄膜の製法およびそれに用いる組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0779009B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002054416A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Procede de modelage des contours d'une couche d'oxyde d'etain electro-conductrice |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5913605A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-24 | Nissha Printing Co Ltd | 金属酸化物皮膜を有する基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1102583A patent/JPH0779009B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5913605A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-24 | Nissha Printing Co Ltd | 金属酸化物皮膜を有する基板の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002054416A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Procede de modelage des contours d'une couche d'oxyde d'etain electro-conductrice |
KR100731945B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-06-25 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 도전성 산화 주석 막의 패터닝 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0779009B2 (ja) | 1995-08-23 |
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