JPH0435070A - 透光性配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、透光性配線基板に関する、。

［従来の技術］ ガラス等の透光性かつ絶縁性を具備した板状体にＩ　Ｔ
　Ｏ（Ｉ　ｎ　２０３　＋　Ｓ　ｎ　Ｏ２）あるいは５
ｎ０２等の酸化物透明導電体を成膜し、レジストを使用
して所定のパターンにエツチング加工した透光性配線基
板は太陽電池、各種表示素子あるいはセンザ類等の機器
類において広く用いられている。

上記透光性基板において、近年、機器の急速な軽薄短小
化に伴って、単位面積当たりの配線ラインを従来の数倍
に増加させる必要か生じてきた。

このため、第２図に示す模式的斜視図に見られるように
、従来からの透光性基板］」二の酸化物透明導電体配線
パターン２の幅ｇ、およびパターン間隔ｇ２の微細化、
いわゆるファイン化による配線ラインの増加では加工コ
ストおよび信頼性の而で限界が出てきた。

これに対して、近年、第３図の模式断面図に示すように
、上記と同様にパターン形成された第１の透明導電体配
線パターン２ａを覆うように透光性を有する二酸化珪素
等の絶縁性膜３を形成し、その」−からさらに第２の透
明導電体の配線パターン２ｂを形成するという手順を繰
り返して、配線を立体化した構造を有する基板が登場し
てきた。

このような配線パターンを立体化した構造を有する基板
の場合、配線パターンを特にファイン化しなくとも、単
位面積当たりの配線ラインを飛躍的に増すという前記要
請を満たず水準に配線ラインを増加させることか可能で
ある。

［発明か解決しようとする課題］ しかしなから、前記のような配線パターンを立体化する
二［程において、前記絶縁性膜３上に第２の透明導電体
配線パターン２ｂを形成するとき、エツチング液が露出
した絶縁性膜３および絶縁性膜下の第１の透明導電体配
線パターン２ａまて腐食してしまうことがあり、この結
果、該第１の配線パターンの断線の発生、あるいは配線
パターンの幅を侵食して細くすることによる配線パター
ンの抵抗の増加といった問題か生じてくることかあった
。

したかって本発明の目的は、上記のような問題を排除し
て、配線パターンを立体化して単位面積当たりの配線ラ
イン数を増加することが可能で、しかも透光性を損なわ
ない透光性配線基板を提（ｊ（することにある。

［課題を解決するための手段および作用］本発明者は、
上記目的を達成すべく研究の結果、配線パターンを多層
化してなる透光性配線基板において、絶縁性膜の表面を
透光性の金属酸化物薄膜でコートシておけば、第２の配
線パターンを形成するときエツチング溶液が該絶縁性膜
を侵食するのを防止するので、上記１」的か達成できる
ことを見い出し、本発明に到達した。

そこで、本発明は、透光性および絶縁性を備えた基板と
、該基板上に形成された透明導電体からなる第１の配線
パターンと、少なくとも該第１の配線パターンを覆うよ
うに成膜された絶縁性膜と、該絶縁性膜により前記第１
の配線パターンと絶縁されて形成された透明導電体から
なる第２の配線パターンとからなる透光性配線基板であ
って、」上記絶縁性膜はその表面上に透光性の金属酸化
物薄膜、好ましくはＴｌＯ２、Ａｇ２Ｏ３およびＭｎＯ
のうちいずれかの薄膜を成膜した二酸化珪素からなるこ
とを特徴とする透光性配線基板を提供するものである。

本発明の透光性配線基板では、二酸化珪素からなる絶縁
性膜上に成膜された透光性の金属酸化物薄膜、好ましく
はＴｌＯ２、Ａｇ２Ｏ３またはＭ　ｎ　Ｏのいずれかの
薄膜か該絶縁性膜をコートするので、絶縁性膜」二に第
２の透明導電体の配線パターンを形成するとき、エツチ
ング液が絶縁性膜を侵食するのを防雨する。

また、−船釣に金属酸化物はエネルギー禁制帯幅が広く
、その薄膜は透光性のものが多いので、配線基板の透光
性を損なうことなく、特にＴｉＯ２、Ａ、１７２０３お
よびＭｎＯは透光性ならびに腐食抵抗の点て好適である
。

以下、実施例により本発明をさらに説明する。

［実施例］］ 本発明に係る透光性配線基板の作製手順を第１図に示す
模式断面図を参照して説明する。まず純水１５０ｍΩと
エタノール１５ｍ、１７にＳｎＣΩ４６Ｈ２０およびＮ
Ｈ４Ｆをそれぞれ２５ｇ、　Ｉｏ、５８ｇ溶解し、透明
導電体膜（ＳｎＯ２）作製用原料液とした。

次に、寸法７０ｍｍＸ　７０ｍｍのシリカコートガラス
基板１を５００℃に加熱されたホットブレーｉ・上に設
置し、基板上方から前記透明導電膜作製用原料液をスプ
レーして膜厚４，０００人のＳｎＯ２膜を成膜した。

次にフォトレジスト 所定のマスクに合わせて紫外線を照射した後、未照射の
レジストを溶解除去してＳｎＯ２を露出させた。

続いて、該基板上に亜鉛粉末を均一に散布し、エツチン
グ液（ＨＣＪｌｌ＋ＦｅＣΩ３）中に置き、露出したＳ
ｎＯ２を除去し、該基板上にＳ　ｎ　Ｏ　２配線パター
ン２ａ（以下、第１の配線パターンと称する）を形成し
た。

次に、前記基板を有機珪酸塩溶液中に１０分間置いた後
、５　ｃｍ／ｍｉｎで引き上げ、クリーンルームで１５
時間乾燥してから５００°Ｃの環境下で１０分間置き、
基板全面上に膜厚１．０００人のＳｉＯ２絶縁性膜３を
得た。

続いて、該基板を２ｗｔ％−Ｔ１テトライソブロボキン
ド・エチルアルコール溶液中に浸漬し、」１記と同様の
手順で、基板全面」二に無色かつ透明な膜厚１００人の
ＴｌＯ２金属酸化物薄膜４を得た。

さらに、該基板を５００°Ｃに加熱されたホットブレー
ト 同様の手順で該基板上にＳｎＯ２膜配線パターン２ｂ（
以下、第２の配線パターンと称す）を形成した。

このとき、前記Ｓｉｎ２絶縁性膜および前記第１の配線
パターンにはエツチング液による腐食は見られなかった
。

［実施例２］ 実施例１の２ｗＬ％ーＴ１テトライソプロポキシド・エ
チルアルコール溶液に代えて２ｗｔ％−へρイソプロポ
キシド・エチルアルコール溶液を用いた他は実施例］と
同様な手順により透光性配線ノ，（板を得た。

このとき、金属酸化物薄膜としては無色かつ透明な膜厚
１０〇へのＡρ２０３薄膜が得られた。

また、実施例１と同様、前記ＳＩＯ２絶縁性膜および前
記第１の配線パターンにはエツチング液による腐食は見
られなかった。

［実施例３］ 実施例１の２ｗＬ％ーＴ１テトライソブロボキンド・エ
チルアルコール溶液に代えて１ｗｔ％−Ｍｎアセチルア
セトナート 用いた他は実施例］と同様な手順により透光性配線基板
を得た。

このとき、金属酸化物薄膜としては無色かつ透明な膜厚
１００人のＭｎＯ薄膜が得られた。

また、実施例］と同様、前記Ｓ１０２絶縁性膜および前
記第１の配線パターンにはエッチンク溶液による腐食は
見られなかった。

［比較例１］ 実施例］における金属酸化物薄膜を１１１る手順を省い
た他は実施例１の要領に従って透光性配線基板を得た。

このとき、前述の８１０２絶縁性薄膜上の膜をエツチン
グして、第２の配線パターンを形成する過程において、
エツチング液か絶縁性膜を侵食して、絶縁性膜下まて達
してしまい、絶縁性膜下の透明導電膜配線パターンか腐
食を受けた。

［比較例２］ 比較例１の２騒・１％−Ｔ１テトライソプロポキシド・
エチルアルコール溶液に代えて４０ｗｔ％−ＦｅＣρ３
水溶液を用いた他は実施例］と同様の要領で配線基板を
得た。

このとき、実施例１と同様、前記Ｓ１０２絶縁性膜およ
び前記第１の配線パターンにはエツチング液による腐食
は見られなかったが、得られた金属酸化物薄膜は黄褐色
で膜厚１０〇へのα−Ｆｅ２０３薄膜であった。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の透光性配線基板は、透光
性を損なわずに配線パターンを多層化して、単位面積当
たりの配線ライン数を必要に応し増加させることを可能
とした。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の透光性配線基板の一実施例を示す模
式断面図である。 第２図は、基板上に透明導電体配線パターンが平面的に
形成された従来の透光性配線基板を示す模式的斜視図で
ある。 第３図は、基板」二に透明導電体配線パターンが立体的
に形成された従来の透光性配線基板を示す模式断面図で
ある。 符号の説明 １・・・・・・透光性基板 ２・・・・・・酸化物透明導電体配線パターン２ａ・・
・・第１の透明導電体配線パターン２＃・・・・第２の
透明導電体配線パターン３　・・絶縁性膜 ４・・・・・・透光性金属酸化物薄膜 ｇ１・・・・配線パターンの幅 ｇ２・・・・配線パターンの間隔

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性および絶縁性を備えた基板と、前記基板上
   に形成された透明導電体からなる第１の配線パターンと
   、少なくとも該第１の配線パターンを覆うように成膜さ
   れた絶縁性膜と、該絶縁性膜により前記第１の配線パタ
   ーンと絶縁されて形成された透明導電体からなる第２の
   配線パターンとからなる透光性配線基板であって、上記
   絶縁性膜はその表面上に透光性の金属酸化物薄膜を成膜
   した二酸化珪素からなることを特徴とする透光性配線基
   板。
2. （２）上記金属酸化物薄膜がＴｉＯ＿２、Ａｌ＿２Ｏ＿
   ３またはＭｎＯの薄膜である請求項１記載の透光性配線
   基板。