JP2774105B2 - 遮光膜とその製造方法 - Google Patents
遮光膜とその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、液晶やエレクトロルミネッセンス（EL）
などの表示パネルのブラックマスク、フォトマスクある
いはエンコーダーに用いられるハードマスクなどに利用
することのできる表面が平滑で遮光性が高く遮光部が黒
色である遮光膜に関するものである。
などの表示パネルのブラックマスク、フォトマスクある
いはエンコーダーに用いられるハードマスクなどに利用
することのできる表面が平滑で遮光性が高く遮光部が黒
色である遮光膜に関するものである。
従来、液晶やELなどの表示パネルに用いられる遮光膜
として、一般的に使用されているものとしては、（１）
透明な支持体上にクロムなどの金属薄膜をスパッタリン
グ法や蒸着法によって形成し、その後、金属薄膜上に感
光性レジストを塗布しマスクを介して露光し、現像を行
い、エッチングによって不要な部分を除去したものや、
（２）黒色インキを用いて、透明な支持体上の遮光すべ
き部分に遮光層を印刷したものがある。また、（３）IT
O膜をパターニングして形成した透明な支持体上に感光
性レジストを塗布・露光・現像した後、化学メッキによ
りITO膜上に選択的に金属薄膜を析出させたものがあ
る。
として、一般的に使用されているものとしては、（１）
透明な支持体上にクロムなどの金属薄膜をスパッタリン
グ法や蒸着法によって形成し、その後、金属薄膜上に感
光性レジストを塗布しマスクを介して露光し、現像を行
い、エッチングによって不要な部分を除去したものや、
（２）黒色インキを用いて、透明な支持体上の遮光すべ
き部分に遮光層を印刷したものがある。また、（３）IT
O膜をパターニングして形成した透明な支持体上に感光
性レジストを塗布・露光・現像した後、化学メッキによ
りITO膜上に選択的に金属薄膜を析出させたものがあ
る。
しかし、前記した従来の遮光膜には、それぞれ次のよ
うな問題点がある。 （１）の遮光膜の場合、遮光膜である金属薄膜を得る
のに、蒸着法やスパッタリング法などを利用するので真
空処理装置を必要とし、量産性に乏しい。また必要な遮
光性を得るのに0.2μｍ以上の膜厚を必要とし、エッチ
ング後に平滑な表面を得難い。また、エッチングにより
不要な部分を除去しなければならず、クロムなどの金属
のムダ使いや公害発生の原因ともなる。 （２）の遮光膜の場合、遮光層はインキ層なので、必
要な遮光性を得るためには２〜３μｍ以上の膜厚が必要
で、支持体表面に大きな凹凸を残す。また、印刷により
パターン化を行うために、200μｍ以下の微細なパター
ンを形成することは困難である。 （３）の遮光膜の場合、遮光膜はメッキ皮膜である
が、必要な遮光性を得るためには0.2μｍ以上の膜厚を
必要とし、平滑な表面を得難い。また、支持体側から見
た場合、この遮光膜は金属光沢を呈しており、ブラック
マスクとして利用するには不適当なものである。 この発明の目的は、以上のような問題点を解決し、表
面が平滑で遮光性が高く、遮光部が黒色である遮光膜と
その製造方法を提供することにある。
うな問題点がある。 （１）の遮光膜の場合、遮光膜である金属薄膜を得る
のに、蒸着法やスパッタリング法などを利用するので真
空処理装置を必要とし、量産性に乏しい。また必要な遮
光性を得るのに0.2μｍ以上の膜厚を必要とし、エッチ
ング後に平滑な表面を得難い。また、エッチングにより
不要な部分を除去しなければならず、クロムなどの金属
のムダ使いや公害発生の原因ともなる。 （２）の遮光膜の場合、遮光層はインキ層なので、必
要な遮光性を得るためには２〜３μｍ以上の膜厚が必要
で、支持体表面に大きな凹凸を残す。また、印刷により
パターン化を行うために、200μｍ以下の微細なパター
ンを形成することは困難である。 （３）の遮光膜の場合、遮光膜はメッキ皮膜である
が、必要な遮光性を得るためには0.2μｍ以上の膜厚を
必要とし、平滑な表面を得難い。また、支持体側から見
た場合、この遮光膜は金属光沢を呈しており、ブラック
マスクとして利用するには不適当なものである。 この発明の目的は、以上のような問題点を解決し、表
面が平滑で遮光性が高く、遮光部が黒色である遮光膜と
その製造方法を提供することにある。
この発明は、以上のような問題点を解決するために、
次のような構成とした。すなわち、この発明の遮光膜
は、透明な支持体上に形成された、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布・焼成して得られた多孔性無機物質からなる
無機透明層の特定部分が、銅より貴なる金属によって化
学メッキされて黒色を呈するように構成したものであ
る。 また、この発明の遮光膜を製造方法は、透明な支持体
上に、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布し焼成して無機透明層を形成し、次いで透明
な支持体を銅より貴なる金属の化学メッキ浴に浸漬して
無機透明層に化学メッキを行い、最後に金属光沢部を除
去して黒色部を得るように構成したものである。 また、この発明の遮光膜の製造方法は、透明な支持体
上に、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布し焼成して無機透明層を形成し、次いで無機
透明層の上にレジスト層をパターン化して形成し、次い
で透明な支持体を銅より貴なる金属の化学メッキ浴に浸
漬して無機透明層に化学メッキを行い、最後に金属光沢
部とレジスト層を除去してパターン化された黒色部を得
るように構成したものである。 また、この発明の遮光膜の製造方法は、透明な支持体
上に、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布し焼成して無機透明層を形成し、無機透明層
の上にレジスト層を形成し、透明な支持体を銅より貴な
る金属の化学メッキ浴に浸漬して無機透明層に化学メッ
キを行い、次いで金属光沢部を除去し、黒色を呈してい
る無機透明層の上にレジスト層をパターン化して形成
し、次いで漂白・定着処理を行って不要な黒色部を透明
化し、最後にレジスト層を除去してパターン化された黒
色部を得るように構成したものである。 以下、図面にしたがってこの発明をさらに詳しく説明
する。 第１図はこの発明の遮光膜の一例を示す断面図であ
る。第２〜３図はこの発明の遮光膜の製造工程を示す断
面図である。１は支持体、２は無機透明層、３は黒色
部、４は金属光沢部、５はレジスト層をそれぞれ示す。 支持体１としては、通常遮光膜の基板として用いられ
るソーダガラス・ホウ珪酸ガラス・アルミノ珪酸ガラス
・合成石英ガラスなどの透明なガラスを用いる。 このような支持体１上に、多孔性無機物質からなる無
機透明層２が形成されている。無機透明層を形成する方
法としては、以下に示すゾルゲル法の利用が適してい
る。すなわち、一般式Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq…（た
だし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム・カルシウム・ジルコ
ニウム・チタニウム・ハフニウム・ゲルマニウム・イッ
トリウム・アルミニウム・ガリウム・スズ・ケイ素から
なる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。R1お
よびR2はそれぞれ水素原子アルキル基・アシル基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｘ・
Ｙはそれぞれ水素原子・塩素原子または水酸基を示し、
それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ・ｎ・
ｐ・ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑはＭの
原子価に等しい。）で表わされる化合物の水性液を加水
分解し、さらに解膠して得たゾルを支持体１に塗布し、
焼成することにより得られるものである。一般式Ｉで示
される化合物の例としては、テトラエチルシリケート・
アルミニウムトリイソプロポキシド・チタンテトラブト
キシド・ジルコニウムテトラブトキシドあるいはこれら
の部分加水分解物などがある。また、水性液は必要量の
水、および塩酸・硫酸・硝酸・酢酸などの加水分解の触
媒、およびアルコールを含むものである。このゾルを支
持体１上に塗布する方法には、バーコーティング法・ロ
ールコーティング法・スピンナーコーティング法・ディ
ッピング法などの方法がある。上記したようなゾルを支
持体１上に塗布したのち乾燥し、300〜600℃の温度で焼
成することにより無機透明層２を得ることができる。無
機透明層２の厚さは、0.5〜20μｍ程度とするとよい。 以上のようにして形成された無機透明層２の特定部分
に化学メッキを行い、次いで金属光沢部４を除去するこ
とによって黒色部３が形成される。 化学メッキは、銅より貴なる金属で行われる。化学メ
ッキは公知の方法を用いて行うことができ、たとえば
『無電解メッキ』（神戸徳蔵著）によれば、銀メッキ浴
として以下に示す１液と２液を1:1に混合したものを用
いることができる。 １液： 硝酸銀 20g アンモニア水 適量 水 1000ml ２液： 酒石酸ナトリウムカリウム 100g/300ml 水を加えて 全量700ml 上記の銀メッキ浴に無機透明層２が形成された支持体
１を、30秒〜５分間浸漬した後引き上げることにより化
学メッキを行うことができる。 銅より貴なる金属としては、金・銀・パラジウム・白
金・ロジウム・ルテニウムがある。ここで、銅より貴な
る金属を用いる理由は、メッキ後、金属光沢を呈してい
る部分４の除去が容易で、かつ除去後、下地の黒色部３
の光学濃度が3.0以上を示すからである。 化学メッキが行われた後、金属光沢部４が除去され
て、遮光膜が完成する。 金属光沢部を除去するには、たとえば、布・紙・ゴム
ベラなどの柔らかいものを用いて無機透明層２の表面上
に析出した金属光沢部４を拭き取ればよい。 この操作により、金属光沢部４のみが剥離し、下の無
機透明層２の中に含浸した黒色部３は影響を受けずに残
る。 得られた黒色部３の断面を光学顕微鏡で調べた結果、
無機透明層２の表面から最深部の支持体１との界面まで
黒色が浸透していた。 ここで黒色部３を特定部分にパターン化して形成する
方法として、レジスト層５を利用する方法がある。レジ
スト層５を無機透明層２上に形成したのち化学メッキを
行い、次いで金属光沢部４とともにレジスト層５を除去
して、特定部分にのみ黒色部３を形成するのである。 レジストとして、たとえば感光性レジストを使用する
場合、用いる感光性レジストとしては、ポジ型あるいは
ネガ型のいずれを使用してもよい。感光性レジストを無
機透明層２上に塗布する方法には、たとえばスピンナー
コーティング法・ロールコーティング法・バーコーティ
ング法・ディッピング法などがある。感光性レジストを
無機透明層２に塗布した後、適当な温度で乾燥し、適当
なフォトマスクを用いて露光する。露光後、用いた感光
性レジストに応じた現像液で現像を行ってレジスト層５
を得る。この際、無機透明層２は、現像液の種類が、酸
・アルカリ・有機溶媒・水のどれであっても影響を受け
ない。現像後、必要ならばさらにポストベークを行って
もよい。また、高解像度を要求しないならば、レジスト
として通常のメッキレジストを用い、印刷法によってレ
ジスト層５を形成してもよい。 また、無機透明層２の特定部分を黒色にする他の方法
として漂白・定着処理を利用する方法がある。まず、支
持体１上の無機透明層２の全面に銅より貴なる金属にて
化学メッキを行う。次いで析出した金属光沢部４を除去
して不透明な黒色部３を得る。次いで無機透明層２の表
面に感光性レジストや印刷レジストなどでレジスト層５
を形成し、次いでレジスト層５で覆われていない黒色部
３を漂白する。漂白には一般に写真処理の際に用いられ
る漂白液を利用いることができる。たとえば、『写真の
ポケットブック』（林一男・宮本五郎・保積英次共編）
にある以下に示す漂白液を用いる。 漂白液： 重クロム酸カリウム 10g 塩酸 30g 明バン 50g 水 1000ml この漂白液に１〜10分間浸漬した後水洗する。漂白に
よって無機透明層２中に浸透・析出して黒色を呈してい
る金属粒子を水溶性の金属塩とし、さらに定着処理によ
りこの金属塩を溶解除去することによって、黒色が消失
し、無機透明層２に化学メッキを行う前の透明性が回復
するのである。定着処理には一般に写真処理の際に用い
られる定着液を利用することができる。たとえば、以下
に示す定着液を用いることができる。 定着液： チオ硫酸ナトリウム 240g 亜硫酸ナトリウム 3g 氷硝酸 5ml 明バン 6g 水 １ 水洗後、レジスト層５を除去すれば、特定部分に黒色
部３が形成された無機透明層２が得られる。
次のような構成とした。すなわち、この発明の遮光膜
は、透明な支持体上に形成された、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布・焼成して得られた多孔性無機物質からなる
無機透明層の特定部分が、銅より貴なる金属によって化
学メッキされて黒色を呈するように構成したものであ
る。 また、この発明の遮光膜を製造方法は、透明な支持体
上に、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布し焼成して無機透明層を形成し、次いで透明
な支持体を銅より貴なる金属の化学メッキ浴に浸漬して
無機透明層に化学メッキを行い、最後に金属光沢部を除
去して黒色部を得るように構成したものである。 また、この発明の遮光膜の製造方法は、透明な支持体
上に、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布し焼成して無機透明層を形成し、次いで無機
透明層の上にレジスト層をパターン化して形成し、次い
で透明な支持体を銅より貴なる金属の化学メッキ浴に浸
漬して無機透明層に化学メッキを行い、最後に金属光沢
部とレジスト層を除去してパターン化された黒色部を得
るように構成したものである。 また、この発明の遮光膜の製造方法は、透明な支持体
上に、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布し焼成して無機透明層を形成し、無機透明層
の上にレジスト層を形成し、透明な支持体を銅より貴な
る金属の化学メッキ浴に浸漬して無機透明層に化学メッ
キを行い、次いで金属光沢部を除去し、黒色を呈してい
る無機透明層の上にレジスト層をパターン化して形成
し、次いで漂白・定着処理を行って不要な黒色部を透明
化し、最後にレジスト層を除去してパターン化された黒
色部を得るように構成したものである。 以下、図面にしたがってこの発明をさらに詳しく説明
する。 第１図はこの発明の遮光膜の一例を示す断面図であ
る。第２〜３図はこの発明の遮光膜の製造工程を示す断
面図である。１は支持体、２は無機透明層、３は黒色
部、４は金属光沢部、５はレジスト層をそれぞれ示す。 支持体１としては、通常遮光膜の基板として用いられ
るソーダガラス・ホウ珪酸ガラス・アルミノ珪酸ガラス
・合成石英ガラスなどの透明なガラスを用いる。 このような支持体１上に、多孔性無機物質からなる無
機透明層２が形成されている。無機透明層を形成する方
法としては、以下に示すゾルゲル法の利用が適してい
る。すなわち、一般式Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq…（た
だし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム・カルシウム・ジルコ
ニウム・チタニウム・ハフニウム・ゲルマニウム・イッ
トリウム・アルミニウム・ガリウム・スズ・ケイ素から
なる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。R1お
よびR2はそれぞれ水素原子アルキル基・アシル基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｘ・
Ｙはそれぞれ水素原子・塩素原子または水酸基を示し、
それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ・ｎ・
ｐ・ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑはＭの
原子価に等しい。）で表わされる化合物の水性液を加水
分解し、さらに解膠して得たゾルを支持体１に塗布し、
焼成することにより得られるものである。一般式Ｉで示
される化合物の例としては、テトラエチルシリケート・
アルミニウムトリイソプロポキシド・チタンテトラブト
キシド・ジルコニウムテトラブトキシドあるいはこれら
の部分加水分解物などがある。また、水性液は必要量の
水、および塩酸・硫酸・硝酸・酢酸などの加水分解の触
媒、およびアルコールを含むものである。このゾルを支
持体１上に塗布する方法には、バーコーティング法・ロ
ールコーティング法・スピンナーコーティング法・ディ
ッピング法などの方法がある。上記したようなゾルを支
持体１上に塗布したのち乾燥し、300〜600℃の温度で焼
成することにより無機透明層２を得ることができる。無
機透明層２の厚さは、0.5〜20μｍ程度とするとよい。 以上のようにして形成された無機透明層２の特定部分
に化学メッキを行い、次いで金属光沢部４を除去するこ
とによって黒色部３が形成される。 化学メッキは、銅より貴なる金属で行われる。化学メ
ッキは公知の方法を用いて行うことができ、たとえば
『無電解メッキ』（神戸徳蔵著）によれば、銀メッキ浴
として以下に示す１液と２液を1:1に混合したものを用
いることができる。 １液： 硝酸銀 20g アンモニア水 適量 水 1000ml ２液： 酒石酸ナトリウムカリウム 100g/300ml 水を加えて 全量700ml 上記の銀メッキ浴に無機透明層２が形成された支持体
１を、30秒〜５分間浸漬した後引き上げることにより化
学メッキを行うことができる。 銅より貴なる金属としては、金・銀・パラジウム・白
金・ロジウム・ルテニウムがある。ここで、銅より貴な
る金属を用いる理由は、メッキ後、金属光沢を呈してい
る部分４の除去が容易で、かつ除去後、下地の黒色部３
の光学濃度が3.0以上を示すからである。 化学メッキが行われた後、金属光沢部４が除去され
て、遮光膜が完成する。 金属光沢部を除去するには、たとえば、布・紙・ゴム
ベラなどの柔らかいものを用いて無機透明層２の表面上
に析出した金属光沢部４を拭き取ればよい。 この操作により、金属光沢部４のみが剥離し、下の無
機透明層２の中に含浸した黒色部３は影響を受けずに残
る。 得られた黒色部３の断面を光学顕微鏡で調べた結果、
無機透明層２の表面から最深部の支持体１との界面まで
黒色が浸透していた。 ここで黒色部３を特定部分にパターン化して形成する
方法として、レジスト層５を利用する方法がある。レジ
スト層５を無機透明層２上に形成したのち化学メッキを
行い、次いで金属光沢部４とともにレジスト層５を除去
して、特定部分にのみ黒色部３を形成するのである。 レジストとして、たとえば感光性レジストを使用する
場合、用いる感光性レジストとしては、ポジ型あるいは
ネガ型のいずれを使用してもよい。感光性レジストを無
機透明層２上に塗布する方法には、たとえばスピンナー
コーティング法・ロールコーティング法・バーコーティ
ング法・ディッピング法などがある。感光性レジストを
無機透明層２に塗布した後、適当な温度で乾燥し、適当
なフォトマスクを用いて露光する。露光後、用いた感光
性レジストに応じた現像液で現像を行ってレジスト層５
を得る。この際、無機透明層２は、現像液の種類が、酸
・アルカリ・有機溶媒・水のどれであっても影響を受け
ない。現像後、必要ならばさらにポストベークを行って
もよい。また、高解像度を要求しないならば、レジスト
として通常のメッキレジストを用い、印刷法によってレ
ジスト層５を形成してもよい。 また、無機透明層２の特定部分を黒色にする他の方法
として漂白・定着処理を利用する方法がある。まず、支
持体１上の無機透明層２の全面に銅より貴なる金属にて
化学メッキを行う。次いで析出した金属光沢部４を除去
して不透明な黒色部３を得る。次いで無機透明層２の表
面に感光性レジストや印刷レジストなどでレジスト層５
を形成し、次いでレジスト層５で覆われていない黒色部
３を漂白する。漂白には一般に写真処理の際に用いられ
る漂白液を利用いることができる。たとえば、『写真の
ポケットブック』（林一男・宮本五郎・保積英次共編）
にある以下に示す漂白液を用いる。 漂白液： 重クロム酸カリウム 10g 塩酸 30g 明バン 50g 水 1000ml この漂白液に１〜10分間浸漬した後水洗する。漂白に
よって無機透明層２中に浸透・析出して黒色を呈してい
る金属粒子を水溶性の金属塩とし、さらに定着処理によ
りこの金属塩を溶解除去することによって、黒色が消失
し、無機透明層２に化学メッキを行う前の透明性が回復
するのである。定着処理には一般に写真処理の際に用い
られる定着液を利用することができる。たとえば、以下
に示す定着液を用いることができる。 定着液： チオ硫酸ナトリウム 240g 亜硫酸ナトリウム 3g 氷硝酸 5ml 明バン 6g 水 １ 水洗後、レジスト層５を除去すれば、特定部分に黒色
部３が形成された無機透明層２が得られる。
実施例１ アルミニウムイソプロポキシドを加水分解・縮重合す
ることによって得られた透明なゾル液を、洗浄・乾燥し
たソーダガラス板上に、ロールコーターを用いて塗布し
た。これを70℃にて30分間乾燥後、400℃にて２時間焼
成し、４μｍ厚の透明な無機透明層を得た。この上に、
Az−1350（ヘキスト社製）ポジ型レジストをスピンナー
を用いて厚さ１μｍになるよう塗布し乾燥した。フォト
マスクを介して10秒間露光した後、現像・ポストベーク
を行ってレジスト層を形成した。 次いで、次に示すメッキ液（１液:2液＝1:1で混合し
たもの）に５分間浸漬した。 １液： 硝酸銀 12g アンモニア水 適量 水 500ml ２液： 酒石酸ナトリウムカリウム 120g 水 500ml ソーダガラス板をメッキ液から引き上げた後、ただち
に剥離液に浸漬し、布で無機透明層表面を拭き取って、
レジスト層および金属光沢部を除去して遮光膜を得た。 得られた黒色部の光学濃度は4.0以上であった。ま
た、黒色部と透明部の間に段差はなく、黒色部は完全に
無機透明層内部に浸透していた。 実施例２ 実施例１と同様のレジスト層を有するソーダガラス板
を、次に示す金メッキ浴（１液:2液:3液＝4:10:1で混合
したもの）に10分間浸漬した。 １液： 塩化金 45g 水 200ml ２液： 水酸化ナトリウム 10g 水 50ml ３液： ホルムアルデヒド 35g ブドウ糖 5g アルコール 40g 水 60ml ソーダガラス板をメッキ液から引き上げた後、実施例
１と同様に、レジスト層および金属光沢部を除去して遮
光膜を得た。 得られた黒色部の光学濃度は3.0以上であった。 実施例３ 実施例１と同様のレジスト層を有するソーダガラス板
を、次に示す銀メッキ浴（１液:2液＝1:1で混合したも
の）に１分間浸漬した。 １液： 塩化銀 45g 水 200ml ２液： ホルムアルデヒド 35g ブドウ糖 5g アルコール 40g 水 60ml ソーダガラス板をメッキ液から引き上げた後、実施例
１と同様に、レジスト層および金属光沢部を除去して遮
光膜を得た。 得られた黒色部の光学濃度は4.0以上であった。 実施例４ 実施例１と同様に無機透明層を有するソーダガラス板
を、実施例１に示した銀メッキ浴から引き上げた後、水
浴中で表面金属光沢部を布で拭き取り、水洗後、70℃で
１時間乾燥した。この上に、ポジ型レジストを塗布し、
露光・現像を行った後、以下に示す漂白液に５分間浸漬
した。 漂白液： 重クロム酸カリウム 4g ３％塩酸 5ml 水 200ml これを引き上げた後、水洗し、以下に示す定着液に浸
漬した。 定着液： チオ硫酸ナトリウム 740g 亜硫酸ナトリウム 3g 氷酢酸 5ml 明バン 6g 水 １ その後、レジストを剥離し水洗、乾燥した。得られた
黒色部の光学濃度は4.0以上であり、漂白部はメッキ前
の透明性を示した。
ることによって得られた透明なゾル液を、洗浄・乾燥し
たソーダガラス板上に、ロールコーターを用いて塗布し
た。これを70℃にて30分間乾燥後、400℃にて２時間焼
成し、４μｍ厚の透明な無機透明層を得た。この上に、
Az−1350（ヘキスト社製）ポジ型レジストをスピンナー
を用いて厚さ１μｍになるよう塗布し乾燥した。フォト
マスクを介して10秒間露光した後、現像・ポストベーク
を行ってレジスト層を形成した。 次いで、次に示すメッキ液（１液:2液＝1:1で混合し
たもの）に５分間浸漬した。 １液： 硝酸銀 12g アンモニア水 適量 水 500ml ２液： 酒石酸ナトリウムカリウム 120g 水 500ml ソーダガラス板をメッキ液から引き上げた後、ただち
に剥離液に浸漬し、布で無機透明層表面を拭き取って、
レジスト層および金属光沢部を除去して遮光膜を得た。 得られた黒色部の光学濃度は4.0以上であった。ま
た、黒色部と透明部の間に段差はなく、黒色部は完全に
無機透明層内部に浸透していた。 実施例２ 実施例１と同様のレジスト層を有するソーダガラス板
を、次に示す金メッキ浴（１液:2液:3液＝4:10:1で混合
したもの）に10分間浸漬した。 １液： 塩化金 45g 水 200ml ２液： 水酸化ナトリウム 10g 水 50ml ３液： ホルムアルデヒド 35g ブドウ糖 5g アルコール 40g 水 60ml ソーダガラス板をメッキ液から引き上げた後、実施例
１と同様に、レジスト層および金属光沢部を除去して遮
光膜を得た。 得られた黒色部の光学濃度は3.0以上であった。 実施例３ 実施例１と同様のレジスト層を有するソーダガラス板
を、次に示す銀メッキ浴（１液:2液＝1:1で混合したも
の）に１分間浸漬した。 １液： 塩化銀 45g 水 200ml ２液： ホルムアルデヒド 35g ブドウ糖 5g アルコール 40g 水 60ml ソーダガラス板をメッキ液から引き上げた後、実施例
１と同様に、レジスト層および金属光沢部を除去して遮
光膜を得た。 得られた黒色部の光学濃度は4.0以上であった。 実施例４ 実施例１と同様に無機透明層を有するソーダガラス板
を、実施例１に示した銀メッキ浴から引き上げた後、水
浴中で表面金属光沢部を布で拭き取り、水洗後、70℃で
１時間乾燥した。この上に、ポジ型レジストを塗布し、
露光・現像を行った後、以下に示す漂白液に５分間浸漬
した。 漂白液： 重クロム酸カリウム 4g ３％塩酸 5ml 水 200ml これを引き上げた後、水洗し、以下に示す定着液に浸
漬した。 定着液： チオ硫酸ナトリウム 740g 亜硫酸ナトリウム 3g 氷酢酸 5ml 明バン 6g 水 １ その後、レジストを剥離し水洗、乾燥した。得られた
黒色部の光学濃度は4.0以上であり、漂白部はメッキ前
の透明性を示した。
この発明の遮光膜は、黒色部が無機透明層中に形成さ
れているので、表面が平滑で遮光性が高いものである。 また、この発明の遮光膜の製造方法によると、上記の
遮光膜を少ない工程で容易に得ることができる。
れているので、表面が平滑で遮光性が高いものである。 また、この発明の遮光膜の製造方法によると、上記の
遮光膜を少ない工程で容易に得ることができる。
第１図はこの発明の遮光膜の一例を示す断面図である。
第２〜３図はこの発明の遮光膜の製造工程を示す断面図
である。 １……支持体、２……無機透明層、３……黒色部、４…
…金属光沢部、５……レジスト層。
第２〜３図はこの発明の遮光膜の製造工程を示す断面図
である。 １……支持体、２……無機透明層、３……黒色部、４…
…金属光沢部、５……レジスト層。
Claims (5)
- 【請求項１】透明な支持体（１）上に形成された、一般
式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布・焼成して得られた多孔性無機物質からなる
無機透明層（２）の特定部分が、銅より貴なる金属によ
って化学メッキされて黒色を呈していることを特徴とす
る遮光膜。 - 【請求項２】銅より貴なる金属が、金、銀、パラジウ
ム、白金、ロジウム、ルテニウムからなる群より選ばれ
た少なくとも一つの元素である請求項１記載の遮光膜。 - 【請求項３】透明な支持体（１）上に、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布し焼成して無機透明層（２）を形成し、次い
で透明な支持体（１）を銅より貴なる金属の化学メッキ
浴に浸漬して無機透明層（２）に化学メッキを行い、最
後に金属光沢部（４）を除去して黒色部（３）を得るこ
とを特徴とする遮光膜の製造方法。 - 【請求項４】透明な支持体（１）上に、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布し焼成して無機透明層（２）を形成し、次い
で無機透明層（２）の上にレジスト層（５）をパターン
化して形成し、次いで透明な支持体（１）を銅より貴な
る金属の化学メッキ浴に浸漬して無機透明層（２）に化
学メッキを行い、最後に金属光沢部（４）とレジスト層
（５）を除去してパターン化された黒色部（３）を得る
ことを特徴とする遮光膜の製造方法。 - 【請求項５】透明な支持体（１）上に、一般式 Ｍ（OR1）ｍ（OR2）nXpYq …Ｉ （ただし、Ｉ式中、Ｍはマグネシウム、カルシウム、ジ
ルコニウム、チタニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、
イットリウム、アルミニウム、ガリウム、スズ、ケイ素
からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を示す。
R1およびR2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基
を示し、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子、塩素原子または水酸基を示
し、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｍ、
ｎ、ｐ、ｑは０〜８の整数でありかつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑは
Ｍの原子価に等しい。）で表される化合物から生成した
ゾルを塗布し焼成して無機透明層（２）を形成し、無機
透明層（２）の上にレジスト層（５）を形成し、透明な
支持体（１）を銅より貴なる金属の化学メッキ浴に浸漬
して無機透明層（２）に化学メッキを行い、次いで金属
光沢部（４）を除去し、黒色を呈している無機透明層
（２）の上にレジスト層（５）をパターン化して形成
し、次いで漂白・定着処理を行って不要な黒色部（３）
を透明化し、最後にレジスト層（５）を除去してパター
ン化された黒色部（３）を得ることを特徴とする遮光膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13221188A JP2774105B2 (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 遮光膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13221188A JP2774105B2 (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 遮光膜とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302223A JPH01302223A (ja) | 1989-12-06 |
| JP2774105B2 true JP2774105B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=15075994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13221188A Expired - Fee Related JP2774105B2 (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 遮光膜とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2774105B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0546198B1 (en) * | 1991-06-28 | 1999-08-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Black matrix base board and manufacturing method therefor, and liquid crystal display panel and manufacturing method therefor |
| JPH06130214A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-13 | Nissha Printing Co Ltd | 液晶用ガラス基板、ｔｆｔ液晶用カラーフィルター、プロジェクション用ｔｆｔ液晶表示装置、カラーｔｆｔ液晶表示装置 |
| CN100462479C (zh) * | 2005-09-05 | 2009-02-18 | 李克清 | 镁及其合金的化学镀方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207253A (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-18 | Seiko Epson Corp | Plastic mask |
| JPH0826821B2 (ja) * | 1987-06-24 | 1996-03-21 | マツダ株式会社 | ディ−ゼルエンジンの排気還流制御装置 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13221188A patent/JP2774105B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01302223A (ja) | 1989-12-06 |
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