JPS5978491A - 薄膜ｅｌの製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌの製造方法Info
- Publication number
- JPS5978491A JPS5978491A JP57189406A JP18940682A JPS5978491A JP S5978491 A JPS5978491 A JP S5978491A JP 57189406 A JP57189406 A JP 57189406A JP 18940682 A JP18940682 A JP 18940682A JP S5978491 A JPS5978491 A JP S5978491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- insulating film
- light emitting
- emitting layer
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分賢
Ｃの発明は薄膜ＫＬの製造方法に関し、特にその絶縁膜
の形成方法に関する。
の形成方法に関する。
背景技術
薄膜ＫＬは従来の無機型や有機型のＫＬに比較して、発
光輝度が大きいため最近注目されている。
光輝度が大きいため最近注目されている。
第１図は従来の代表的な二重絶縁膜構造の薄膜ＥＬの断
面図を示す。図において、１は透明ガラス基板で、その
片面にＳｎｏｗ 、 ＴｉＯ、工ｎｔ０３等の透明導電
膜２を形成し、その上に透明導電膜２よりも小面積に１
ＹｔＯｘ 、 ＴａｒＯｇ 、 ５ｉｒＮ＋ 、 Ｓｍ
２０ｓ 、 ＡｊＬ２０ｓ等の第１の絶縁膜３を形成し
、この第１の絶縁膜３上にこれよりも小面積にＺｎＳ
： Ｍｎ （Ｏｕ 、 Ｃ！見）、Ｔｂ？＋＋Ｚｎ５ｅ
：Ｍｎ等の発光層４を形成し、この発光層４の上から前
記第１の絶縁膜３と同一面積に前記のような材料で第２
の絶縁膜５を形成し、はらにこの第２の絶縁膜５の上に
前記発光層４とほぼ同一面積ＶＣアルミニウム等よりな
る背面電極６を形成している。
面図を示す。図において、１は透明ガラス基板で、その
片面にＳｎｏｗ 、 ＴｉＯ、工ｎｔ０３等の透明導電
膜２を形成し、その上に透明導電膜２よりも小面積に１
ＹｔＯｘ 、 ＴａｒＯｇ 、 ５ｉｒＮ＋ 、 Ｓｍ
２０ｓ 、 ＡｊＬ２０ｓ等の第１の絶縁膜３を形成し
、この第１の絶縁膜３上にこれよりも小面積にＺｎＳ
： Ｍｎ （Ｏｕ 、 Ｃ！見）、Ｔｂ？＋＋Ｚｎ５ｅ
：Ｍｎ等の発光層４を形成し、この発光層４の上から前
記第１の絶縁膜３と同一面積に前記のような材料で第２
の絶縁膜５を形成し、はらにこの第２の絶縁膜５の上に
前記発光層４とほぼ同一面積ＶＣアルミニウム等よりな
る背面電極６を形成している。
従来上記各膜３〜６は蒸着やスパッタ法で形成されてい
たが、第１．第２の絶縁膜３，５をこれらの方法で大面
積に均一な厚さに形成することは非常に困難で、しかも
大型、複雑、高価な装置が必要になるといった問題点が
あった。
たが、第１．第２の絶縁膜３，５をこれらの方法で大面
積に均一な厚さに形成することは非常に困難で、しかも
大型、複雑、高価な装置が必要になるといった問題点が
あった。
発明の開示
そこで、この発明は大型の装置を必要としないで、犬面
填に均一な厚さの絶縁膜を形成できる薄膜ＥＬの製造方
法を提供することを目的とする。
填に均一な厚さの絶縁膜を形成できる薄膜ＥＬの製造方
法を提供することを目的とする。
この発明は簡単に言えば、酸化膜形成剤を塗布。
スプレー、ディップ法によって成膜し、加熱分解するこ
とによって絶縁膜を形成することを特徴とするものであ
る。
とによって絶縁膜を形成することを特徴とするものであ
る。
すなわち、上記成膜作業は蒸着やスパッタ法に比較して
、大気中で常圧で行なえるので、成膜作業が著しく容易
になり、また大型の装置を必要としないで、大面積に均
一な厚さに成膜できるものであって、大面積のかつ発光
層のない薄膜ＥＬを安価に製造できるという効果がある
。
、大気中で常圧で行なえるので、成膜作業が著しく容易
になり、また大型の装置を必要としないで、大面積に均
一な厚さに成膜できるものであって、大面積のかつ発光
層のない薄膜ＥＬを安価に製造できるという効果がある
。
発明を実施するための最良の形態
透明カラス基板１の片面に透明導電膜２を形成したのち
、第２図に示すような工程で第１の絶縁膜３を形成した
。すなわち、まず界面活性剤水溶液で超音波洗浄したの
ち、水洗してアルコールまたはアセトンで洗浄して、前
処理ユＯを施す。その後１０ｃｍ １５０°Ｃの温度で
１０分間程度乾燥して表面の水分およびアルコール分を
揮発させることにより前乾燥処理１１を施す。こののち
、酸化物膜形成剤１例えば技研科学社製Ｇ工Ｐ型ＢａＴ
ｉＯ３溶液に浸漬し、ｌ Ｑ ｃｍ ／ ｍｉｎ で引
き上げて、透明導電膜２上に有機金属化合物膜を形成し
成膜処理１２を施す。続いて、１００〜ｌ ５０ ’Ｃ
で３０分間以上加熱して後乾燥処理１３を施す。さらに
これを５００°Ｃで３０分間加熱して焼成処理１４を施
し、徐冷処理１５を施した。以上のようにして、３０
ａｎ’内の厚さのばらつきが５００Ａ以下の厚さ４００
０ Ａの第１の絶縁膜３が形成できた。
、第２図に示すような工程で第１の絶縁膜３を形成した
。すなわち、まず界面活性剤水溶液で超音波洗浄したの
ち、水洗してアルコールまたはアセトンで洗浄して、前
処理ユＯを施す。その後１０ｃｍ １５０°Ｃの温度で
１０分間程度乾燥して表面の水分およびアルコール分を
揮発させることにより前乾燥処理１１を施す。こののち
、酸化物膜形成剤１例えば技研科学社製Ｇ工Ｐ型ＢａＴ
ｉＯ３溶液に浸漬し、ｌ Ｑ ｃｍ ／ ｍｉｎ で引
き上げて、透明導電膜２上に有機金属化合物膜を形成し
成膜処理１２を施す。続いて、１００〜ｌ ５０ ’Ｃ
で３０分間以上加熱して後乾燥処理１３を施す。さらに
これを５００°Ｃで３０分間加熱して焼成処理１４を施
し、徐冷処理１５を施した。以上のようにして、３０
ａｎ’内の厚さのばらつきが５００Ａ以下の厚さ４００
０ Ａの第１の絶縁膜３が形成できた。
上記のＧ工Ｐ型成膜剤は、Ｍ−（○−Ｒ）３．Ｍ（０１
ＥＲ）ｘ（Ｍは金属、Ｒは直鎖アルキル基などの有機物
）等の構造を有し、加熱によって（Ｏ−Ｒ）ｓ 、 （
ｏ−０−Ｒ）ｓ 等が熱分解し、酸素（０）が１ 金属（Ｍ）と結合して、金属酸化物よりなる絶縁膜を形
成するのである。したがって、上記構造式の金属（Ｍ）
を適宜選定することによって、Ｐ ’ｂ Ｔ ｉ○、。
ＥＲ）ｘ（Ｍは金属、Ｒは直鎖アルキル基などの有機物
）等の構造を有し、加熱によって（Ｏ−Ｒ）ｓ 、 （
ｏ−０−Ｒ）ｓ 等が熱分解し、酸素（０）が１ 金属（Ｍ）と結合して、金属酸化物よりなる絶縁膜を形
成するのである。したがって、上記構造式の金属（Ｍ）
を適宜選定することによって、Ｐ ’ｂ Ｔ ｉ○、。
Ｔ １０２ ｚ Ｍ ｇ ＯＩＢ ａ Ｏ、Ｔ ａ ２
０ ｓ 等唸たはそれらの複合膜も形成することができ
る。
０ ｓ 等唸たはそれらの複合膜も形成することができ
る。
このようにして得られた第１の絶縁膜３を周知のフォト
エツチング法等によりパターニングし、その上に従来と
同様に発光層４を形成し、さらに上記と同様の方法で第
２の絶縁膜５を形成したのち、背ｍ］電錐６を形成した
ところ、発光層のない薄膜ＥＬが得られた。
エツチング法等によりパターニングし、その上に従来と
同様に発光層４を形成し、さらに上記と同様の方法で第
２の絶縁膜５を形成したのち、背ｍ］電錐６を形成した
ところ、発光層のない薄膜ＥＬが得られた。
なお、上記の成膜工程１２では、上記実ｆｌｉ例に示し
たティップ法のみならず、スピンナー塗布法。
たティップ法のみならず、スピンナー塗布法。
スプレー法や印刷法を採用することができる。
第１１図はこの発明の背景となる二重絶縁膜構造の薄膜
ＥＬの断面図、第２図はこの発明の薄＠ＥＬの製造方法
Ｖ（おける絶縁膜の製造工程のブロック図である。 １・・・・・透明ガラス基板、 ２・・・・透明導電膜、 ３．５・・・・ 絶縁膜、 ４・−・・・発光層、 ６ ・・・・背面電極。 第１図 第２図
ＥＬの断面図、第２図はこの発明の薄＠ＥＬの製造方法
Ｖ（おける絶縁膜の製造工程のブロック図である。 １・・・・・透明ガラス基板、 ２・・・・透明導電膜、 ３．５・・・・ 絶縁膜、 ４・−・・・発光層、 ６ ・・・・背面電極。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明ガラス基板に透明導電膜、絶縁膜１発光層。 背面電極を簿膜状に積層形成する薄膜ＥＩ、の製造方法
において、 前記絶縁膜を、酸化物形成剤を塗布、スプレー。 ディップ法により成膜し、加熱分解によって形成するこ
とを特徴とする薄膜ＥＬの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57189406A JPS5978491A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 薄膜ｅｌの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57189406A JPS5978491A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 薄膜ｅｌの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978491A true JPS5978491A (ja) | 1984-05-07 |
| JPS6250956B2 JPS6250956B2 (ja) | 1987-10-27 |
Family
ID=16240740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57189406A Granted JPS5978491A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 薄膜ｅｌの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978491A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122365A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10991898B2 (en) | 2017-09-13 | 2021-04-27 | Sakai Display Products Corporation | Flexible display, method for manufacturing same, and support substrate for flexible display |
| US10516121B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-12-24 | Sakai Display Products Corporation | Apparatus for producing flexible display |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP57189406A patent/JPS5978491A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122365A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6250956B2 (ja) | 1987-10-27 |
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