JPS62146273A - セレン化亜鉛薄膜及びその形成方法 - Google Patents
セレン化亜鉛薄膜及びその形成方法Info
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- JPS62146273A JPS62146273A JP28607085A JP28607085A JPS62146273A JP S62146273 A JPS62146273 A JP S62146273A JP 28607085 A JP28607085 A JP 28607085A JP 28607085 A JP28607085 A JP 28607085A JP S62146273 A JPS62146273 A JP S62146273A
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- selenide
- selenium
- zinc selenide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
-
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- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
-
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエレクトロニクスデバイスに使用されるセレン
化亜鉛薄膜及びその形成方法に関するものである。
化亜鉛薄膜及びその形成方法に関するものである。
従来の技術
従来よりセレン化亜鉛薄膜はエレクトロニクス分野、特
にマンガンをドープすることにより、エレクトロルミネ
ッセンスパネル等に広く使用されている。
にマンガンをドープすることにより、エレクトロルミネ
ッセンスパネル等に広く使用されている。
これらのセレン化亜鉛薄膜の形成方法としてはスパッタ
リング法、蒸着法等によって基板上に形成されていた。
リング法、蒸着法等によって基板上に形成されていた。
発明が解決しようとする問題点
上記、セレン化亜鉛薄膜の形成方法は真空容器中で行わ
れるために生産性が悪く、連続操業が困難であるか、あ
るいは非常に高額の生産設備を必要とする。また、真空
容器の大きさで製品の大きさを規定され、大面積の製造
が困難である等の問照点を有している。
れるために生産性が悪く、連続操業が困難であるか、あ
るいは非常に高額の生産設備を必要とする。また、真空
容器の大きさで製品の大きさを規定され、大面積の製造
が困難である等の問照点を有している。
本発明は真空容器を使用せずに、セレン化亜鉛薄膜を形
成することを目的とするものである。
成することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明が上記問題点を解決するための手段は、亜鉛−セ
レン結合を少なくとも一つ内部に有する有機亜鉛化合物
に、ドープ剤としてセレンとの結合を少なくとも一つ内
部に有する有機金属化合物を混合したものを用い、形成
方法としては混合物を基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解により形成することと、熱分解後不活性雰囲気中
で焼成により形成することである。
レン結合を少なくとも一つ内部に有する有機亜鉛化合物
に、ドープ剤としてセレンとの結合を少なくとも一つ内
部に有する有機金属化合物を混合したものを用い、形成
方法としては混合物を基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解により形成することと、熱分解後不活性雰囲気中
で焼成により形成することである。
本発明に使用できる亜鉛−セレン結合を少なくとも一つ
内部に有する有機亜鉛化合物としては、各種亜鉛セレニ
ド、各種セレノカルボン酸、またはジセレノカルボン酸
の亜鉛塩等を挙げることができる。
内部に有する有機亜鉛化合物としては、各種亜鉛セレニ
ド、各種セレノカルボン酸、またはジセレノカルボン酸
の亜鉛塩等を挙げることができる。
ドープ剤としてセレンとの結合を少なくとも一つ内部に
有する有機金属化合物はマンガン等のセレニド、セレノ
カルボン酸塩、ジセレノカルボン酸塩等を挙げることが
できる。
有する有機金属化合物はマンガン等のセレニド、セレノ
カルボン酸塩、ジセレノカルボン酸塩等を挙げることが
できる。
基板としては、熱分解温度に耐えるものであれば任意に
選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４５０℃
程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使用
できる。
選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４５０℃
程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使用
できる。
熱分解は大気中や、酸素雰囲気中等の酸化雰囲気中で行
うことにより有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すためには高温に
上げる場合は酸化雰囲気中成することが有効である。
うことにより有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すためには高温に
上げる場合は酸化雰囲気中成することが有効である。
作 用
上記本発明の手段を用いることにより、従来の方法の問
題となっている真空容器を使用せずに、亜鉛薄膜を形成
できるため、薄膜の製造に関して、生産性の向上が計ら
れ、かつ大面積の製造を容易に行うことができる等の作
用がある。
題となっている真空容器を使用せずに、亜鉛薄膜を形成
できるため、薄膜の製造に関して、生産性の向上が計ら
れ、かつ大面積の製造を容易に行うことができる等の作
用がある。
実施例
以下実施例により説明する。
（実施例１）
亜鉛ラウリルセレニド、マンガンオクチルセレニドをテ
トラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーに
て塗布し、１５０’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大
気中で４５０℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚６
００〜５ｏ０〇へのほぼ無色の亀裂のない均一なセレン
化亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた
結果、セレン化亜鉛が生成していることが確認された。
トラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーに
て塗布し、１５０’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大
気中で４５０℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚６
００〜５ｏ０〇へのほぼ無色の亀裂のない均一なセレン
化亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた
結果、セレン化亜鉛が生成していることが確認された。
また、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった。
（実施例２）
亜鉛ラウリルセレニド、マンガンオクチルセレニドをテ
トラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーに
て塗布し、１５０’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大
気中で４５０℃、３０分熱分解する。その後窒素気流中
で７００’ＣＩ時間焼成する。この結果、膜厚５００〜
５０００へのほぼ無色の亀裂のない均一なセレン化亜鉛
の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にがけた結果、
セレン化亜鉛が生成していることが確認された。また、
膜内に炭素、水素の残留は認められなかった。また、走
査型電子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気中で熱分解
しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であった。
トラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーに
て塗布し、１５０’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大
気中で４５０℃、３０分熱分解する。その後窒素気流中
で７００’ＣＩ時間焼成する。この結果、膜厚５００〜
５０００へのほぼ無色の亀裂のない均一なセレン化亜鉛
の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にがけた結果、
セレン化亜鉛が生成していることが確認された。また、
膜内に炭素、水素の残留は認められなかった。また、走
査型電子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気中で熱分解
しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であった。
（実施例３）
セレノ安息香酸亜鉛、セレノ安息香酸マンガンをテトラ
リンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗
布し、１ｓＯ’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４５０’Ｃ１１時間熱分解する。この結果、膜厚５０
０〜５ｏｏｏへのほぼ無色の亀裂のない均一なセレン化
亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた結
果、セレン化亜鉛が生成していることが確認された。ま
た、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった。
リンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗
布し、１ｓＯ’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４５０’Ｃ１１時間熱分解する。この結果、膜厚５０
０〜５ｏｏｏへのほぼ無色の亀裂のない均一なセレン化
亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた結
果、セレン化亜鉛が生成していることが確認された。ま
た、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった。
（実施例４）
セレノ安息香酸亜鉛、セレノ安息香酸マンガンをテトラ
リンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗
布し、１６０’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４５０’Ｃ，３０分熱分解する。その後窒素気流中で
７００℃１時間焼成する。
リンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗
布し、１６０’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４５０’Ｃ，３０分熱分解する。その後窒素気流中で
７００℃１時間焼成する。
この結果、膜厚５００〜５０００へのほぼ無色の亀裂の
ない均一なセレン化亜鉛の薄膜が得られた。
ない均一なセレン化亜鉛の薄膜が得られた。
この薄膜を元素分析にかけた結果、セレン化亜鉛が生成
していることが確認された。また、膜内に炭素、水素の
残留は認められなかった。また、走査型電子顕微鏡で観
察した結果、酸化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ
結晶の成長が顕著であった０ 発明の効果 以上のように本発明のセレン化亜鉛薄膜及びその形成方
法は、亜鉛−セレン結合を少なくとも一つ内部に有する
有機亜鉛化合物にドープ剤としてセレンとの結合を少な
くとも一つ内部に有する有機金属化合物と混合したもの
を用い、形成方法としては混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後還
元雰囲気中で焼成により形成することにより、スパッタ
リング法、蒸着法に比較して、生産性の向上が計られ、
非常に高額の設備を必要とせず、大面積の製造を容易に
行うことができ、その実用的効果は大なるものがある。
していることが確認された。また、膜内に炭素、水素の
残留は認められなかった。また、走査型電子顕微鏡で観
察した結果、酸化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ
結晶の成長が顕著であった０ 発明の効果 以上のように本発明のセレン化亜鉛薄膜及びその形成方
法は、亜鉛−セレン結合を少なくとも一つ内部に有する
有機亜鉛化合物にドープ剤としてセレンとの結合を少な
くとも一つ内部に有する有機金属化合物と混合したもの
を用い、形成方法としては混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後還
元雰囲気中で焼成により形成することにより、スパッタ
リング法、蒸着法に比較して、生産性の向上が計られ、
非常に高額の設備を必要とせず、大面積の製造を容易に
行うことができ、その実用的効果は大なるものがある。
Claims (3)
- （１）亜鉛−セレン結合を少なくとも一つ内部に有する
有機亜鉛化合物に、ドープ剤としてセレンとの結合を少
なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を混合したも
のを用いたセレン化亜鉛薄膜。 - （２）亜鉛−セレン結合を少なくとも一つ内部に有する
有機亜鉛化合物に、ドープ剤としてセレンとの結合を少
なくとも一つ内部に有する有機金属化合物と混合したも
のを基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成
することを特徴とするセレン化亜鉛薄膜の形成方法。 - （３）亜鉛−セレン結合を少なくとも一つ内部に有する
有機亜鉛化合物に、ドープ剤としてセレンとの結合を少
なくとも一つ内部に有する有機金属化合物と混合したも
のを基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解した後、不
活性雰囲気中での焼成により形成することを特徴とする
セレン化亜鉛薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28607085A JPS62146273A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | セレン化亜鉛薄膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28607085A JPS62146273A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | セレン化亜鉛薄膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62146273A true JPS62146273A (ja) | 1987-06-30 |
Family
ID=17699562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28607085A Pending JPS62146273A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | セレン化亜鉛薄膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62146273A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104229758A (zh) * | 2013-06-07 | 2014-12-24 | 吉林师范大学 | 一种大尺寸ZnSe纳米片的制备方法 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP28607085A patent/JPS62146273A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104229758A (zh) * | 2013-06-07 | 2014-12-24 | 吉林师范大学 | 一种大尺寸ZnSe纳米片的制备方法 |
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