JPS62146272A - 硫化ストロンチウム薄膜及びその形成方法 - Google Patents
硫化ストロンチウム薄膜及びその形成方法Info
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- JPS62146272A JPS62146272A JP28606985A JP28606985A JPS62146272A JP S62146272 A JPS62146272 A JP S62146272A JP 28606985 A JP28606985 A JP 28606985A JP 28606985 A JP28606985 A JP 28606985A JP S62146272 A JPS62146272 A JP S62146272A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
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-
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-
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- C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエレクトロニクスデバイスに使用される硫化ス
トロンチウム薄膜及びその形成方法に関するものである
。
トロンチウム薄膜及びその形成方法に関するものである
。
従来の技術
従来より硫化ストロンチウム薄膜はエレクトロニクス分
野、特にセリウムをドープすることによす、エレクトロ
ルミネッセンスパネル等に広く使用されている。
野、特にセリウムをドープすることによす、エレクトロ
ルミネッセンスパネル等に広く使用されている。
これらの硫化ストロンチウム薄膜の形成方法としてはス
パッタリング法、蒸着法等によって基板上に形成されて
いた。
パッタリング法、蒸着法等によって基板上に形成されて
いた。
発明が解決しようとする問題点
上記、硫化ストロンチウム薄膜の形成方法は真空容器中
で行われるために生産性が悪く、連続操業が困難である
か、ちるいは非常に高額の生産設備を必要とする。また
、真空容器の大きさで製品の大きさを規定され、大面積
の製造が困難である等の問題点を有している。
で行われるために生産性が悪く、連続操業が困難である
か、ちるいは非常に高額の生産設備を必要とする。また
、真空容器の大きさで製品の大きさを規定され、大面積
の製造が困難である等の問題点を有している。
本発明は真空容器を使用せずＫ、硫化ストロンチウム薄
膜を形成することを目的とするものである。
膜を形成することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明が上記問題点を解決するための手段は、ストロン
チウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機ス
トロンチウム化合物に、ドープ剤として硫黄との結合を
少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物と混合した
ものを用い、形成方法としてはその混合物を基板上に形
成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱
分解後不活性雰囲気中で焼成により形成することである
。
チウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機ス
トロンチウム化合物に、ドープ剤として硫黄との結合を
少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物と混合した
ものを用い、形成方法としてはその混合物を基板上に形
成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱
分解後不活性雰囲気中で焼成により形成することである
。
本発明に使用できるストロンチウム−硫黄結合を少なく
とも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物として
は、各種ストロンチウムメルカプチド、各種チオカルボ
ン酸、またはジチオカルボン酸のストロンチウム塩等を
挙げることができる。
とも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物として
は、各種ストロンチウムメルカプチド、各種チオカルボ
ン酸、またはジチオカルボン酸のストロンチウム塩等を
挙げることができる。
ドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有
する有機金属化合物はセリウム等のメルカプチド、チオ
カルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げることがで
きる。
する有機金属化合物はセリウム等のメルカプチド、チオ
カルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げることがで
きる。
基板としては、熱分解温度に酎えるものであれば任意に
選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４６０°
Ｃ程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使
用できる。
選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４６０°
Ｃ程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使
用できる。
熱分解は大気中や、酸素雰囲気中等の酸化雰囲気中で行
うことにより有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すためには高温に
上げ、る場合は、酸化雰囲気中では硫化ストロンチウム
薄膜が酸化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱
分解後不活性雰囲気中で焼成することが有効である。
うことにより有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すためには高温に
上げ、る場合は、酸化雰囲気中では硫化ストロンチウム
薄膜が酸化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱
分解後不活性雰囲気中で焼成することが有効である。
作 用
上記本発明の手段を用いることにより、従来の方法の問
題となっている真空容器を使用せずに、ストロンチウム
薄膜を形成できるため、薄膜の製造に関して、生産性の
向上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うことがで
きる等の作用がある。
題となっている真空容器を使用せずに、ストロンチウム
薄膜を形成できるため、薄膜の製造に関して、生産性の
向上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うことがで
きる等の作用がある。
実施例
以下実施例により説明する。
（実施例１ ）
ストロンチウムラウリルメルカプチド、セリウムオクチ
ルメルカプチドをテトラリ／に混合、溶解し、アルミナ
基板上にスピナーにて塗布し、１５０’ｃで乾燥し溶媒
を揮散させた後、大気中で４５０℃、１時間熱分解する
。この結果、膜厚５００〜５０００人のほぼ無色の亀裂
のない均一な硫化ストロンチウムの薄膜が得られた。こ
の薄膜を元素分析にかけた結果、硫化ストロンチウムが
生成していることが確認された。また、膜内に炭素、水
素の残留は認められなかった。
ルメルカプチドをテトラリ／に混合、溶解し、アルミナ
基板上にスピナーにて塗布し、１５０’ｃで乾燥し溶媒
を揮散させた後、大気中で４５０℃、１時間熱分解する
。この結果、膜厚５００〜５０００人のほぼ無色の亀裂
のない均一な硫化ストロンチウムの薄膜が得られた。こ
の薄膜を元素分析にかけた結果、硫化ストロンチウムが
生成していることが確認された。また、膜内に炭素、水
素の残留は認められなかった。
（実施例２）
ストロンチウムラウリルメルカプチド、セリウムオクチ
ルメルカプチドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ
基板上にスピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を
揮散させた後、大気中で４６０’Ｃ１３０分熱分解する
。その後窒素気流中でアＯｏ′０１時間焼成する。この
結果、膜厚５００〜５ｏｏｏへのほぼ無色の亀裂のない
均一な硫化ストロンチウムの薄膜が得られた。この薄膜
を元素分析にかけた結果、硫化ストロンチウムが生成し
ていることが確認された。また、膜内に炭素、水素の残
留は認められなかった。また、走査型電子顕微鏡で観察
した結果、酸化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ結
晶の成長が顕著であった。
ルメルカプチドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ
基板上にスピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を
揮散させた後、大気中で４６０’Ｃ１３０分熱分解する
。その後窒素気流中でアＯｏ′０１時間焼成する。この
結果、膜厚５００〜５ｏｏｏへのほぼ無色の亀裂のない
均一な硫化ストロンチウムの薄膜が得られた。この薄膜
を元素分析にかけた結果、硫化ストロンチウムが生成し
ていることが確認された。また、膜内に炭素、水素の残
留は認められなかった。また、走査型電子顕微鏡で観察
した結果、酸化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ結
晶の成長が顕著であった。
（実施例３）
チオ安息香酸ストロンチウム、チオ安息香酸セリウムを
テトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナー
にて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大
気中で４５０℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚５
００〜６０００人のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化ス
トロンチウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分析に
かけた結果、硫化ストロンチウムが生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。
テトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナー
にて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大
気中で４５０℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚５
００〜６０００人のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化ス
トロンチウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分析に
かけた結果、硫化ストロンチウムが生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。
（実施例４）
チオ安息香酸ストロンチウム、チオ安息香酸セリウムを
テトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナー
にて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大
気中で４６０℃、３０分熱分解する。その後窒素気流中
で７００℃１時間焼成する。この結果、膜厚５００〜５
０００人のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化ストロンチ
ウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた結
果、硫化ストロンチウムが生成していることが確認され
た。また、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった
。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気
中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であっ
た。
テトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナー
にて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大
気中で４６０℃、３０分熱分解する。その後窒素気流中
で７００℃１時間焼成する。この結果、膜厚５００〜５
０００人のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化ストロンチ
ウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた結
果、硫化ストロンチウムが生成していることが確認され
た。また、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった
。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気
中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であっ
た。
発明の効果
以上のように本発明の硫化ストロンチウム薄膜及びその
形成方法は、ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一
つ内部に有する有機ストロンチウム化合物に、ドープ剤
として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機
金属化合物と混合したものを用い、その混合物を基板上
に形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成することと
、熱分解後還元雰囲気中で焼成により形成することによ
り、スパンタリング法、蒸着法に比較して、生産性の向
上が計られ、非常に高額の設備を必要とせず、大面積の
製造を容易に行うことができ、その実用的効果は犬なる
ものがある。
形成方法は、ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一
つ内部に有する有機ストロンチウム化合物に、ドープ剤
として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機
金属化合物と混合したものを用い、その混合物を基板上
に形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成することと
、熱分解後還元雰囲気中で焼成により形成することによ
り、スパンタリング法、蒸着法に比較して、生産性の向
上が計られ、非常に高額の設備を必要とせず、大面積の
製造を容易に行うことができ、その実用的効果は犬なる
ものがある。
Claims (3)
- （１）ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部
に有する有機ストロンチウム化合物に、ドープ剤として
硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化
合物を混合したものを用いた硫化ストロンチウム薄膜。 - （２）ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部
に有する有機ストロンチウム化合物に、ドープ剤として
硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化
合物を混合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解により形成することを特徴とする硫化ストロンチ
ウム薄膜の形成方法。 - （３）ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部
に有する有機ストロンチウム化合物に、ドープ剤として
硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化
合物を混合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解した後、不活性雰囲気中での焼成により形成する
ことを特徴とする硫化ストロンチウム薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28606985A JPS62146272A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化ストロンチウム薄膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28606985A JPS62146272A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化ストロンチウム薄膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62146272A true JPS62146272A (ja) | 1987-06-30 |
Family
ID=17699550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28606985A Pending JPS62146272A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化ストロンチウム薄膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62146272A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744198A (en) * | 1996-02-27 | 1998-04-28 | The University Of New Mexico | Method of depositing metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with multidentate ligands |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP28606985A patent/JPS62146272A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744198A (en) * | 1996-02-27 | 1998-04-28 | The University Of New Mexico | Method of depositing metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with multidentate ligands |
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