JPS62243285A - エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 - Google Patents
エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法Info
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- JPS62243285A JPS62243285A JP61085309A JP8530986A JPS62243285A JP S62243285 A JPS62243285 A JP S62243285A JP 61085309 A JP61085309 A JP 61085309A JP 8530986 A JP8530986 A JP 8530986A JP S62243285 A JPS62243285 A JP S62243285A
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- 150000003438 strontium compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 7
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XXCMBPUMZXRBTN-UHFFFAOYSA-N strontium sulfide Chemical compound [Sr]=S XXCMBPUMZXRBTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002023 dithiocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 159000000008 strontium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003566 thiocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は平面ディスプレイ等に使用されるエレクトロル
ミネッセンスパネル及びその形成方法に関するものであ
る。
ミネッセンスパネル及びその形成方法に関するものであ
る。
従来の技術
に来！りエレクトロルミネッセンスノ（ネルはコンピュ
ータ端末や液晶のバックライト等に広く使用されている
。
ータ端末や液晶のバックライト等に広く使用されている
。
これらのエレクトロルミネ・ンセンスノ々ネルはスパッ
タリング法、蒸着法、ＭＯＣＶＤ法等によって基板上に
形成されていた。また、スクリーン印刷法等によっても
形成されていた。
タリング法、蒸着法、ＭＯＣＶＤ法等によって基板上に
形成されていた。また、スクリーン印刷法等によっても
形成されていた。
発明が解決しようとする問題点
上記のような従来のエレクトロルミネッセンスパネルの
形成方法は、真空容器中で行われるために生産性が悪く
、連続操業が困難であるか、あるいは非常に高顎の生産
設備を必要とするものであった。また、真空容器の大き
さで製品の大きさを規定され、大面積の製造が困難であ
る等の問題点を有していた。さらに、スクリーン印刷法
では、生産性が良く、大面積の製造が容易であるが、透
明なエレクトロルミネッセンスパネルを形成できない等
の問題点を有していた。
形成方法は、真空容器中で行われるために生産性が悪く
、連続操業が困難であるか、あるいは非常に高顎の生産
設備を必要とするものであった。また、真空容器の大き
さで製品の大きさを規定され、大面積の製造が困難であ
る等の問題点を有していた。さらに、スクリーン印刷法
では、生産性が良く、大面積の製造が容易であるが、透
明なエレクトロルミネッセンスパネルを形成できない等
の問題点を有していた。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明は、ストロンチウ
ム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機ストロ
ンチウム化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なく
とも一つ内部に有する有機金属化合物と混合したものを
原料として用いてなるものである。また、本発明が上記
問題点を解決するだめの手段は、ストロンチウム−硫黄
結合を少なくとも一つ内部に有する有機ストロンチウム
化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ
内部に有する有機金属化合物と混合したものを基板上に
形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成することと、
あるいは熱分解後不活性雰囲気中で焼成により形成する
ことである。
ム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機ストロ
ンチウム化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なく
とも一つ内部に有する有機金属化合物と混合したものを
原料として用いてなるものである。また、本発明が上記
問題点を解決するだめの手段は、ストロンチウム−硫黄
結合を少なくとも一つ内部に有する有機ストロンチウム
化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ
内部に有する有機金属化合物と混合したものを基板上に
形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成することと、
あるいは熱分解後不活性雰囲気中で焼成により形成する
ことである。
本発明に庚用できるストロンチウム−硫黄結合を少なく
とも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物として
は、各種ストロンチウムメルカプチド、各種チオカルボ
ン酸、またはジチオカルボン酸のストロンチウム塩等を
挙けることができる。
とも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物として
は、各種ストロンチウムメルカプチド、各種チオカルボ
ン酸、またはジチオカルボン酸のストロンチウム塩等を
挙けることができる。
ドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有
する有機金属化合物としては、セリウム等のメルカプチ
ド、チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げる
ことができる。
する有機金属化合物としては、セリウム等のメルカプチ
ド、チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げる
ことができる。
基板としては、熱分解温度に耐えるものであれば任意に
選ぶことができる。通常熱分解湿度は３２０〜４５０’
Ｃ程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使
用できる。
選ぶことができる。通常熱分解湿度は３２０〜４５０’
Ｃ程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使
用できる。
熱分解は、大気中や酸素雰囲気中等の酸化雰囲気中で行
うことによυ有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すために高温に上
げる場合は、酸化雰囲気中では硫化ストロンチウム薄膜
が酸化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱分解
後不活性雰囲気中で焼成することが有効である。
うことによυ有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すために高温に上
げる場合は、酸化雰囲気中では硫化ストロンチウム薄膜
が酸化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱分解
後不活性雰囲気中で焼成することが有効である。
作用
上記本発明の手段を用いることにより、従来の方法の問
題となっている真空容器を使用せずに、エレクトロルミ
ネッセンスパネルを形成できるため、製造に関して、生
産性の向上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うこ
とができ、透明のエレクトロルミネッセンスパネルを形
成できる等の作用がある。
題となっている真空容器を使用せずに、エレクトロルミ
ネッセンスパネルを形成できるため、製造に関して、生
産性の向上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うこ
とができ、透明のエレクトロルミネッセンスパネルを形
成できる等の作用がある。
実施例
以下、実施例により図面を参照しながら本発明を説明す
る。
る。
〈実施例１〉
図に示すように、ストロンチウムラウリルメルカプチド
、セリウムオクチルメルカプチドをテトラリンに混合、
溶解したものを、パイレックスガラス１に透明電極２を
設け、その上に誘電体層３を設けた基板４上にスピナー
にて塗布し、１６０°Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、
大気中で４５Ｑ°Ｃ１１時間熱分解して硫化物５を形成
する。その上に誘電体層６を設け、アルミ電極７を設け
る。
、セリウムオクチルメルカプチドをテトラリンに混合、
溶解したものを、パイレックスガラス１に透明電極２を
設け、その上に誘電体層３を設けた基板４上にスピナー
にて塗布し、１６０°Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、
大気中で４５Ｑ°Ｃ１１時間熱分解して硫化物５を形成
する。その上に誘電体層６を設け、アルミ電極７を設け
る。
そして、透明電極２．アルミ電極７間に交流電圧を印加
した結果、硫化ストロンチウムにセリウムをドープした
エレクトロルミネッセンスパネル特有の青色の発光が見
られた。
した結果、硫化ストロンチウムにセリウムをドープした
エレクトロルミネッセンスパネル特有の青色の発光が見
られた。
〈実施例２〉
ストロンチウムラウリルメルカプチド、セリウムオクチ
ルメルカプチドをテトラリンに混合、溶解したものを、
パイレックスガラスに透明電極を設け、その上に誘電体
層を設けた基板上にスピナーにて塗布し、１６０°Ｃで
乾探し溶媒を揮散させた後、大気中で４６０”Ｃ，３０
分熱分解する。その後、窒素気流中で６５０’Ｃ，１時
間焼成して硫化物を形成する。そめ上に誘電体層を設け
、アルミ電極を設ける。そして、透明電極、アルミ電極
間に交流電圧を印加した結果、硫化ストロンチウムにセ
リウムをドープしたエレクトロルミネッセンスパネル特
有の青色の発光が見られた。
ルメルカプチドをテトラリンに混合、溶解したものを、
パイレックスガラスに透明電極を設け、その上に誘電体
層を設けた基板上にスピナーにて塗布し、１６０°Ｃで
乾探し溶媒を揮散させた後、大気中で４６０”Ｃ，３０
分熱分解する。その後、窒素気流中で６５０’Ｃ，１時
間焼成して硫化物を形成する。そめ上に誘電体層を設け
、アルミ電極を設ける。そして、透明電極、アルミ電極
間に交流電圧を印加した結果、硫化ストロンチウムにセ
リウムをドープしたエレクトロルミネッセンスパネル特
有の青色の発光が見られた。
発明の効果
以上のように本発明のエレクトロルミネッセンスパネル
及びその形成方法は、ストロンチウム−硫黄結合を少な
くとも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物にド
ープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有す
る有機金属化合物と混合したものを基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、あるいは熱
分解後不活性雰囲気中で焼成により形成することにより
、スパッタリング法、蒸着法、ｍｏｃｖＤ法に比較して
、生産性の向上が計られ、非常に高額の設備を必要とせ
ず、大面積の製造を容易に行うことができ、また透明な
エレクトロルミネッセンスパネルを形成することができ
、その実用的効果は大なるものがある。
及びその形成方法は、ストロンチウム−硫黄結合を少な
くとも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物にド
ープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有す
る有機金属化合物と混合したものを基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、あるいは熱
分解後不活性雰囲気中で焼成により形成することにより
、スパッタリング法、蒸着法、ｍｏｃｖＤ法に比較して
、生産性の向上が計られ、非常に高額の設備を必要とせ
ず、大面積の製造を容易に行うことができ、また透明な
エレクトロルミネッセンスパネルを形成することができ
、その実用的効果は大なるものがある。
図は本発明の実施例によるエレクトロルミネッセンスパ
ネルの構成を示す断面図である。 １・・・・・・パイレックスガラス、２・・・・・・透
明電極、３．６・・・・・・誘電体層、４・・・・・・
基板、６・・・・・・硫化物、７・・・・・・アルミ電
極。
ネルの構成を示す断面図である。 １・・・・・・パイレックスガラス、２・・・・・・透
明電極、３．６・・・・・・誘電体層、４・・・・・・
基板、６・・・・・・硫化物、７・・・・・・アルミ電
極。
Claims (3)
- （１） ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機ストロンチウム化合物にドープ剤として
硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化
合物と混合したものを原料として用いることを特徴とす
るエレクトロルミネッセンスパネル。 - （２） ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機ストロンチウム化合物にドープ剤として
硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化
合物と混合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解により形成することを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンスパネルの形成方法。 - （３） ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機ストロンチウム化合物にドープ剤として
硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化
合物と混合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解した後、不活性雰囲気中での焼成により形成する
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61085309A JPS62243285A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61085309A JPS62243285A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243285A true JPS62243285A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13854998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61085309A Pending JPS62243285A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62243285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122365A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
| US8187669B2 (en) | 1999-03-29 | 2012-05-29 | Seiko Epson Corporation | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP61085309A patent/JPS62243285A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122365A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
| US8187669B2 (en) | 1999-03-29 | 2012-05-29 | Seiko Epson Corporation | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
| US8231932B2 (en) | 1999-03-29 | 2012-07-31 | Cambridge Display Technology Limited | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
| US9620719B2 (en) | 1999-03-29 | 2017-04-11 | Seiko Epson Corporation | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
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