JPS62146271A - 硫化カドミウム薄膜の形成方法 - Google Patents
硫化カドミウム薄膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエレクトロニクスデバイスに使用される硫化カ
ドミウム薄膜及びその形成方法に関するものである。
ドミウム薄膜及びその形成方法に関するものである。
従来の技術
従来よシ硫化カドミウム薄膜はエレクトロニクス分野、
特に光電池や半導体紫子等として広く使用されている。
特に光電池や半導体紫子等として広く使用されている。
硫化カドミウムは比抵抗が１００ＭΩ・αと高く抵抗を
下げる等のためにインジウムやガリウムをドープしてい
た。
下げる等のためにインジウムやガリウムをドープしてい
た。
これらの硫化カドミウム薄膜の形成方法としてはスパッ
タリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等によって基板上に形成
されていた。また、スクリーン印刷方式による形成方法
（ナショナル テクニカルレポート Ｖｏｌ、２９ Ｎ
ｏ、１ スクリーン印刷ＣｄＳ／Ｃｄ Ｔ ｅ太陽電
池 松下電器産業株式会社 無線研究所）もある。これ
は硫化カドミウムに塩化カドミウム９．１ｗｔ％とプロ
ピレングリコールを加え、硫化カドミウムのペーストを
つくり、スクリーン印刷によって基板上に印刷し、特殊
なアルミナ焼成容器に入れ窒素雰囲気中で６９０℃、１
時間焼成する方法である。
タリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等によって基板上に形成
されていた。また、スクリーン印刷方式による形成方法
（ナショナル テクニカルレポート Ｖｏｌ、２９ Ｎ
ｏ、１ スクリーン印刷ＣｄＳ／Ｃｄ Ｔ ｅ太陽電
池 松下電器産業株式会社 無線研究所）もある。これ
は硫化カドミウムに塩化カドミウム９．１ｗｔ％とプロ
ピレングリコールを加え、硫化カドミウムのペーストを
つくり、スクリーン印刷によって基板上に印刷し、特殊
なアルミナ焼成容器に入れ窒素雰囲気中で６９０℃、１
時間焼成する方法である。
発明が尊央しようとする問題点
上記、硫化カドミウム薄膜の形成方法は真空容器中で行
われるために生産性が悪く、連続操業が困難であるか、
あるいは非常に高額の生産設備を必要とする。また、真
空容器の大きさで製品の大きさを規定され、大面積の製
造が困難である等の問題点を有している。
われるために生産性が悪く、連続操業が困難であるか、
あるいは非常に高額の生産設備を必要とする。また、真
空容器の大きさで製品の大きさを規定され、大面積の製
造が困難である等の問題点を有している。
また、上記、スクリーン印刷方式による形成方法では生
産性が良く、連続操業が容易である等の利点があるが、
特殊な焼成容器を必要とし、焼結助剤として塩化カドミ
ウムを入れているため焼成時に塩化カドミウムの排気が
生じ公害の問題が生じる等の問題点を有している。
産性が良く、連続操業が容易である等の利点があるが、
特殊な焼成容器を必要とし、焼結助剤として塩化カドミ
ウムを入れているため焼成時に塩化カドミウムの排気が
生じ公害の問題が生じる等の問題点を有している。
本発明は真空容器を使用せずに、硫化カドミウム薄膜を
形成することを目的とするものである。
形成することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明が上記問題点を解決するための手段は、カドミウ
ム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機カドミ
ウム化合物に、ドープ剤として硫黄との結合を少なくと
も一つ内部に有する有機金属化合物を混合したものを用
い、形成方法としてはその混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成により形成することである。
ム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機カドミ
ウム化合物に、ドープ剤として硫黄との結合を少なくと
も一つ内部に有する有機金属化合物を混合したものを用
い、形成方法としてはその混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成により形成することである。
本発明に使用できるカドミウム−硫黄結合を少なくとも
一つ内部に有する有機カドミウム化合物としては、各種
カドミウムメルカプチド、各種チオカルボン酸、または
ジチオカルボン酸のカドミウム塩等を挙げることができ
る。
一つ内部に有する有機カドミウム化合物としては、各種
カドミウムメルカプチド、各種チオカルボン酸、または
ジチオカルボン酸のカドミウム塩等を挙げることができ
る。
ドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有
する有機金属化合物はインヂウム、ガリウム等のメルカ
プチド、チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙
げることができる。
する有機金属化合物はインヂウム、ガリウム等のメルカ
プチド、チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙
げることができる。
基板としては、熱分解温度に耐えるものであれば任意に
選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４５０℃
程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使用
できる。
選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４５０℃
程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使用
できる。
熱分解は大気中や、酸素雰囲気中等の酸化雰囲気中で行
うことにより有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すために高温に上
げる場合は、酸化雰囲気中では得られた硫化カドミウム
薄膜が酸化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱
分解後不活性雰囲気中で焼成することが有効である。
うことにより有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すために高温に上
げる場合は、酸化雰囲気中では得られた硫化カドミウム
薄膜が酸化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱
分解後不活性雰囲気中で焼成することが有効である。
作 用
上記本発明の手段を用いることにより、従来の方法の問
題となっている真空容器を使用せずに、抵抗の低い硫化
カドミウム薄膜を形成できるため、薄膜の製造に関して
、生産性の向上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行
うことができる。また、塩化カドミウムを使用しないた
め塩化カドミウムの排気が無く、有害物の排気を低減す
ることができる等の作用がある。
題となっている真空容器を使用せずに、抵抗の低い硫化
カドミウム薄膜を形成できるため、薄膜の製造に関して
、生産性の向上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行
うことができる。また、塩化カドミウムを使用しないた
め塩化カドミウムの排気が無く、有害物の排気を低減す
ることができる等の作用がある。
実施例
以下実施例により説明する。
（実施例１）
カドミウムラウリルメルカプチド、インジウムオクチル
メルカプチドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基
板上にスピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮
散させた後、大気中で４５０’（：、１時間熱分解する
。この結果、膜厚５００〜５０００人で、面積抵抗１５
０〜１．５にΩ／口のほぼ無色〜黄色い亀裂のない均一
な硫化カドミウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分
析にかけた結果、硫化カドミウムが生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。
メルカプチドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基
板上にスピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮
散させた後、大気中で４５０’（：、１時間熱分解する
。この結果、膜厚５００〜５０００人で、面積抵抗１５
０〜１．５にΩ／口のほぼ無色〜黄色い亀裂のない均一
な硫化カドミウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分
析にかけた結果、硫化カドミウムが生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。
（実施例２）
カドミウムラウリルメルカプチド、インジウムオクチル
メルカプチドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基
板上にスピナーにて塗布し、１８０′Ｃで乾燥し溶媒を
揮散させた後、大気中で４６０°Ｃ１３０分熱分解する
。その後窒素気流中で７００’Ｃ１時間で焼成する。こ
の結果、膜厚５００〜５０００人で、面積抵抗１ｏ○〜
１にΩ／口のほぼ無色〜黄色い亀裂のない均一な硫化カ
ドミウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけ
た結果、硫化カドミウムが生成していることが確認され
た。また、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった
。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気
中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であっ
た。
メルカプチドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基
板上にスピナーにて塗布し、１８０′Ｃで乾燥し溶媒を
揮散させた後、大気中で４６０°Ｃ１３０分熱分解する
。その後窒素気流中で７００’Ｃ１時間で焼成する。こ
の結果、膜厚５００〜５０００人で、面積抵抗１ｏ○〜
１にΩ／口のほぼ無色〜黄色い亀裂のない均一な硫化カ
ドミウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけ
た結果、硫化カドミウムが生成していることが確認され
た。また、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった
。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気
中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であっ
た。
（実施例３）
チオ安息香酸カドミウム、チオ安息香酸ガリウムをテト
ラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて
塗布し、１６０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４６０℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚ＳＯＯ
〜５ｏｏｏ入で、面積抵抗１５０〜１．５にΩ／口のほ
ぼ無色〜黄色い亀裂のない均一な硫化カドミウムの薄膜
が得られた。
ラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて
塗布し、１６０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４６０℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚ＳＯＯ
〜５ｏｏｏ入で、面積抵抗１５０〜１．５にΩ／口のほ
ぼ無色〜黄色い亀裂のない均一な硫化カドミウムの薄膜
が得られた。
この薄膜を元素分析【かけた結果、硫化カドミウムが生
成していることが確認された。また、膜内に炭素、水素
の残留は認められなかった。
成していることが確認された。また、膜内に炭素、水素
の残留は認められなかった。
（実施例４）
チオ安息香酸カドミウム、チオ安息香酸ガリウムをテト
ラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて
塗布し、１６０°Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大気
中で４５０’（：、３０分熱分解する。その後窒素気流
中で７００°Ｃ１時間、焼成する。この結果、膜厚５０
０〜５ｏｏｏ八で、面積抵抗１００〜１にΩ／口のほぼ
無色〜黄色い亀裂のない均一な硫化カドミウムの薄膜が
得られた。この薄膜を元素分析にかけた結果、硫化カド
ミウムが生成していることが確認された。また、膜内に
炭素、水素の残留は認められなかった。また、走査型電
子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気中で熱分解しただ
けの膜に比べ結晶の成長が顕著であった。
ラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて
塗布し、１６０°Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大気
中で４５０’（：、３０分熱分解する。その後窒素気流
中で７００°Ｃ１時間、焼成する。この結果、膜厚５０
０〜５ｏｏｏ八で、面積抵抗１００〜１にΩ／口のほぼ
無色〜黄色い亀裂のない均一な硫化カドミウムの薄膜が
得られた。この薄膜を元素分析にかけた結果、硫化カド
ミウムが生成していることが確認された。また、膜内に
炭素、水素の残留は認められなかった。また、走査型電
子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気中で熱分解しただ
けの膜に比べ結晶の成長が顕著であった。
発明の効果
以上のように本発明の硫化カドミウム薄膜及びその形成
方法は、カドミウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に
有する有機カドミウム化合物に、ドープ剤として硫黄と
の結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を
混合したものを用い、その混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成により形成することにより、スパッ
タリング法、蒸着法に比較して、生産性の向上が計られ
、非常に高額の設備を必要とせず、大面積の製造を容易
に行うことができる。また、塩化カドミウムを使用しな
いため塩化カドミウムの排気が無く、有害物の排気を低
減することができ、炭素や、水素の残留を無くすことが
でき、その実用的効果は犬なるものがある。
方法は、カドミウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に
有する有機カドミウム化合物に、ドープ剤として硫黄と
の結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を
混合したものを用い、その混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成により形成することにより、スパッ
タリング法、蒸着法に比較して、生産性の向上が計られ
、非常に高額の設備を必要とせず、大面積の製造を容易
に行うことができる。また、塩化カドミウムを使用しな
いため塩化カドミウムの排気が無く、有害物の排気を低
減することができ、炭素や、水素の残留を無くすことが
でき、その実用的効果は犬なるものがある。
Claims (3)
- （１）カドミウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有
する有機カドミウム化合物に、ドープ剤として硫黄との
結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を混
合したものを用いた硫化カドミウム薄膜。 - （２）カドミウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有
する有機カドミウム化合物に、ドープ剤として硫黄との
結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を混
合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解に
より形成することを特徴とする硫化カドミウム薄膜の形
成方法。 - （３）カドミウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有
する有機カドミウム化合物に、ドープ剤として硫黄との
結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を混
合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解し
た後、不活性雰囲気中での焼成により形成することを特
徴とする硫化カドミウム薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286068A JPH0699808B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化カドミウム薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286068A JPH0699808B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化カドミウム薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62146271A true JPS62146271A (ja) | 1987-06-30 |
| JPH0699808B2 JPH0699808B2 (ja) | 1994-12-07 |
Family
ID=17699536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286068A Expired - Fee Related JPH0699808B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化カドミウム薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0699808B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0744779A3 (en) * | 1995-05-17 | 1998-10-21 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | A manufacturing method of compound semiconductor thinfilms and photoelectric device or solar cell using the same compound semiconductor thinfilms |
| CN106702354A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-05-24 | 神华集团有限责任公司 | 硫化镉薄膜及其制备方法和应用及制备硫化镉薄膜用装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5485670A (en) * | 1977-11-15 | 1979-07-07 | Ici Ltd | Method of fabricating thin film |
| JPS55140705A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-04 | Exxon Research Engineering Co | Formation of metal or mixed metal chalcogenide film |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60286068A patent/JPH0699808B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5485670A (en) * | 1977-11-15 | 1979-07-07 | Ici Ltd | Method of fabricating thin film |
| JPS55140705A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-04 | Exxon Research Engineering Co | Formation of metal or mixed metal chalcogenide film |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0744779A3 (en) * | 1995-05-17 | 1998-10-21 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | A manufacturing method of compound semiconductor thinfilms and photoelectric device or solar cell using the same compound semiconductor thinfilms |
| CN106702354A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-05-24 | 神华集团有限责任公司 | 硫化镉薄膜及其制备方法和应用及制备硫化镉薄膜用装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0699808B2 (ja) | 1994-12-07 |
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