JPS62146275A - 硫化亜鉛薄膜の形成方法 - Google Patents
硫化亜鉛薄膜の形成方法Info
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- JPS62146275A JPS62146275A JP60286072A JP28607285A JPS62146275A JP S62146275 A JPS62146275 A JP S62146275A JP 60286072 A JP60286072 A JP 60286072A JP 28607285 A JP28607285 A JP 28607285A JP S62146275 A JPS62146275 A JP S62146275A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
-
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- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエレクトロニクスデバイスに使用される硫化亜
鉛薄膜及びその形成方法に関するものである。
鉛薄膜及びその形成方法に関するものである。
従来の技術
従来より硫化亜鉛薄膜はエレクトロニクス分野、特にマ
ンガンをドープすることにより、エレクトロルミネッセ
ンスパネル等に広く使用されている。
ンガンをドープすることにより、エレクトロルミネッセ
ンスパネル等に広く使用されている。
これらの硫化亜鉛薄膜の形成方法としてはスパッタリン
グ法、蒸着法等によって基板上に形成されていた。
グ法、蒸着法等によって基板上に形成されていた。
発明が解決しようとする問題点
上記、硫化亜鉛薄膜の形成方法は真空容器中で行われる
ために生産性が悪く、連続操業が困難であるか、あるい
は非常に高額の生産設備を必要とする。また、真空容器
の大きさで製品の大きさを規定され、大面積の製造が困
難である等の問題点を有している。
ために生産性が悪く、連続操業が困難であるか、あるい
は非常に高額の生産設備を必要とする。また、真空容器
の大きさで製品の大きさを規定され、大面積の製造が困
難である等の問題点を有している。
本発明は真空容器を使用せずに、硫化亜鉛薄膜を形成す
ることを目的とするものである。
ることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明が上記問題点を解決するための手段は、亜鉛−硫
黄結合を少なぐとも一つ内部に有する有機亜鉛化合物に
、ドーグ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に
有する有機金属化合物と混合したものを用い、形成方法
としてはその混合物を基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解により形成することと、熱分解後不活性雰囲気中
で焼成により形成することである。
黄結合を少なぐとも一つ内部に有する有機亜鉛化合物に
、ドーグ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に
有する有機金属化合物と混合したものを用い、形成方法
としてはその混合物を基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解により形成することと、熱分解後不活性雰囲気中
で焼成により形成することである。
本発明に使用できる亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機亜鉛化合物としては、各ｆＩＲ亜鉛メル
カプチド、各種チオカルボン酸、また（徒ジチオカルボ
ン酸の亜鉛塩等を挙げることができる。
部に有する有機亜鉛化合物としては、各ｆＩＲ亜鉛メル
カプチド、各種チオカルボン酸、また（徒ジチオカルボ
ン酸の亜鉛塩等を挙げることができる。
ドープ剤として、硫黄との結合を少なくとも一つ内部に
有する有機金属化合物はマンガン等のメルカプチド、チ
オカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げることが
できる。
有する有機金属化合物はマンガン等のメルカプチド、チ
オカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げることが
できる。
基板としては、熱分解温度に酎えるものであｈば、任意
に選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４５０
’Ｃ程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分
使用できる。
に選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４５０
’Ｃ程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分
使用できる。
熱分解は大気中や、酸素雰囲気中等の酸化雰囲気中で行
うことにより、有機分である炭素や水素を完全に分解す
ることができる。１だ、より・焼結度を増すためには、
高温に上げる場合は酸化雰囲気中では硫化亜鉛薄膜が酸
化され、酸化物が含１れた薄膜になるため、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成することが有効である。
うことにより、有機分である炭素や水素を完全に分解す
ることができる。１だ、より・焼結度を増すためには、
高温に上げる場合は酸化雰囲気中では硫化亜鉛薄膜が酸
化され、酸化物が含１れた薄膜になるため、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成することが有効である。
作 用
上記本発明の手段を用いることにより、従来の方法の問
題となっている真空容器を使用せずに、租鉛薄膜を形成
できるため、薄膜の製造に関して、生産性の向上が計ら
れ、かつ大面積の製造を容易に行うことができる等の作
用がある。
題となっている真空容器を使用せずに、租鉛薄膜を形成
できるため、薄膜の製造に関して、生産性の向上が計ら
れ、かつ大面積の製造を容易に行うことができる等の作
用がある。
実施例
以下実施例により説明する。
（実施例１）
加鉛ラウリルメルカプチド、マンガンオクチルメルカプ
チドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にス
ピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた
後、大気中で４５０℃、１時間熱分解する。この結果、
膜厚６００〜６０００ Ａのほぼ無色の亀裂のない均一
な硫化亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にか
けた結果、硫化亜鉛が生成していることが確認された。
チドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にス
ピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた
後、大気中で４５０℃、１時間熱分解する。この結果、
膜厚６００〜６０００ Ａのほぼ無色の亀裂のない均一
な硫化亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にか
けた結果、硫化亜鉛が生成していることが確認された。
また、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった。
（実捲例２）
亜鉛ラウリルメルカプチド、マンガンオクチルメルカプ
チドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にス
ピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた
後、大気中で４５０℃、３０分熱分解する。その後窒素
気流中でγＯＱ℃１時間焼成する。この結果、膜厚５０
０〜５０００ 人のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化亜
鉛の１ｔｒＪ、膜が得られた、っこの７ｔｊ膜・を元素
分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成していることが確認
された。また、１摸内に炭素、水素の残留は認められな
かった。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸化
雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著
であった。
チドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にス
ピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた
後、大気中で４５０℃、３０分熱分解する。その後窒素
気流中でγＯＱ℃１時間焼成する。この結果、膜厚５０
０〜５０００ 人のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化亜
鉛の１ｔｒＪ、膜が得られた、っこの７ｔｊ膜・を元素
分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成していることが確認
された。また、１摸内に炭素、水素の残留は認められな
かった。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸化
雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著
であった。
（実施例３）
チオ安息香酸亜鉛、チオ安息香酸マンガンをテトラリン
に混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗布し
、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中で４５
０”Ｃ１１時間熱分解する。
に混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗布し
、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中で４５
０”Ｃ１１時間熱分解する。
この結果、膜厚５００〜５０００Ａのほぼ無色の亀裂の
ない均一な硫化亜鉛の薄膜が得られた。この；１γ膜を
元素分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。
ない均一な硫化亜鉛の薄膜が得られた。この；１γ膜を
元素分析にかけた結果、硫化亜鉛が生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。
（実施例４）
チオ安息香酸加鉛、チオ安息香酸マンガンをテトラリン
に混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗布し
、１５０’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中で４
５０℃、３０分熱分解する。
に混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて塗布し
、１５０’Ｃで乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中で４
５０℃、３０分熱分解する。
その後窒素気流中で７００℃１時間焼成する。この結果
、膜厚５００〜５０００ へのほぼ無色の亀裂のない均
一な硫化亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析に
かけた結果、硫化亜鉛が生成していることが確認された
。まだ、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった。
、膜厚５００〜５０００ へのほぼ無色の亀裂のない均
一な硫化亜鉛の薄膜が得られた。この薄膜を元素分析に
かけた結果、硫化亜鉛が生成していることが確認された
。まだ、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった。
まだ、走査型電子顕微鏡で観察しだ結果、酸化雰囲気中
で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であった
。
で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であった
。
発明の効果
以トのように本発明の硫化亜鉛薄膜及びその形成方法は
、亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機亜
鉛化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一
つ内部て有する有機金属化合物と混合したものを用い、
その混合物を基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解に
より形成することと、熱分解後還元雰囲気中で焼成によ
り形成することにより、スパッタリング法、蒸着法に比
咬して、生産性の向上が計られ、非常に高額の設備を必
要とせず、犬面債の製造を容易に行うことができ、その
実用的効果は犬なるものがある。
、亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機亜
鉛化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一
つ内部て有する有機金属化合物と混合したものを用い、
その混合物を基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解に
より形成することと、熱分解後還元雰囲気中で焼成によ
り形成することにより、スパッタリング法、蒸着法に比
咬して、生産性の向上が計られ、非常に高額の設備を必
要とせず、犬面債の製造を容易に行うことができ、その
実用的効果は犬なるものがある。
Claims (3)
- （１）亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有
機亜鉛化合物に、ドープ剤として硫黄との結合を少なく
とも一つ内部に有する有機金属化合物を混合したものを
用いた硫化亜鉛薄膜。 - （２）亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有
機亜鉛化合物に、ドープ剤として硫黄との結合を少なく
とも一つ内部に有する有機金属化合物を混合したものを
基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成する
ことを特徴とする硫化亜鉛薄膜の形成方法。 - （３）亜鉛−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有
機亜鉛化合物に、ドープ剤として硫黄との結合を少なく
とも一つ内部に有する有機金属化合物を混合したものを
基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解した後、不活性
雰囲気中での焼成により形成することを特徴とする硫化
亜鉛薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286072A JPH079065B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化亜鉛薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286072A JPH079065B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化亜鉛薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62146275A true JPS62146275A (ja) | 1987-06-30 |
| JPH079065B2 JPH079065B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=17699586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286072A Expired - Fee Related JPH079065B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化亜鉛薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079065B2 (ja) |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60286072A patent/JPH079065B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079065B2 (ja) | 1995-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |