JPS61166979A - 硫化物薄膜の形成方法 - Google Patents
硫化物薄膜の形成方法Info
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- JPS61166979A JPS61166979A JP644185A JP644185A JPS61166979A JP S61166979 A JPS61166979 A JP S61166979A JP 644185 A JP644185 A JP 644185A JP 644185 A JP644185 A JP 644185A JP S61166979 A JPS61166979 A JP S61166979A
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
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-
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種エレクトロニクスデバイスに使用される金
属硫化物薄膜の形成方法に関するものである。
属硫化物薄膜の形成方法に関するものである。
従来の技術
従来より、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化銅
などの金属硫化物は薄膜あるいは結晶等の形でエレクト
ロニクス分野で広く使用されている。
などの金属硫化物は薄膜あるいは結晶等の形でエレクト
ロニクス分野で広く使用されている。
これら化合物の薄膜は従来は主として真空蒸着あるいは
スパッタ等の手法で形成されてきた。
スパッタ等の手法で形成されてきた。
発明が解決しようとする問題点
上記、従来の方法は真空容器中で行われるため、生産性
が悪く、連続操業が困難であるか、あるいは非常に高額
の生産設備を必要とする。また、真空容器の大きさで製
品の大きさを規定され、大面積の製造が困難である等の
問題点を有している。
が悪く、連続操業が困難であるか、あるいは非常に高額
の生産設備を必要とする。また、真空容器の大きさで製
品の大きさを規定され、大面積の製造が困難である等の
問題点を有している。
本発明は以上のような従来の欠点を除去するもに
のであり、簡単１・つ生産性良く生産できる金属硫化物
薄膜の形成方法を提供するものである。
薄膜の形成方法を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明が上記問題点を解決するだめの手段は、金属−硫
黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物層
を基板上に印刷その他の方法で形成してのち、上記有機
金属化合物層を、不活性ガ、 ス中で熱分解することに
より金属硫化物を形成することである。
黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物層
を基板上に印刷その他の方法で形成してのち、上記有機
金属化合物層を、不活性ガ、 ス中で熱分解することに
より金属硫化物を形成することである。
本発明に使用できる金属−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機金属化合物としては、各種金属メルカプ
タン、各種チオカルボン酸またはジチオカルボン酸の各
種金属塩などを挙げることができる。これら化合物の合
成方法は公知である。
部に有する有機金属化合物としては、各種金属メルカプ
タン、各種チオカルボン酸またはジチオカルボン酸の各
種金属塩などを挙げることができる。これら化合物の合
成方法は公知である。
有機金属化合物を積層する基板としては、熱分解温度に
耐えるものであれば任意に選ぶことができる。通常熱分
解温度は３６０〜４６０℃ていどであるため、安価なガ
ラス板で十分使用することができる。
耐えるものであれば任意に選ぶことができる。通常熱分
解温度は３６０〜４６０℃ていどであるため、安価なガ
ラス板で十分使用することができる。
作 用
上記本発明の手段を用いることにより、従来の手法のネ
ックとなっている真空容器を使用せずに、金属硫化物薄
膜を形成できるため、薄膜の製造に際して、生産性の向
上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うことができ
る。
ックとなっている真空容器を使用せずに、金属硫化物薄
膜を形成できるため、薄膜の製造に際して、生産性の向
上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うことができ
る。
実施例
以下実施例により説明する。
亜鉛と反応させて得られる亜鉛ラウリルメルカプチド（
Ｔ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ ｔｓｔｓ １０９０（１
９３３）の手法による）を炭化水素°溶媒に溶かし、ガ
ラス板上にスピナ一方式により塗布する。
Ｔ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ ｔｓｔｓ １０９０（１
９３３）の手法による）を炭化水素°溶媒に溶かし、ガ
ラス板上にスピナ一方式により塗布する。
塗布されたガラス板は、約１５０’Ｃで予備乾燥して溶
媒を揮散させた後、焼成炉中、５５０℃ １時間焼成す
る。焼成炉内部は、窒素ガス気流とす名。
媒を揮散させた後、焼成炉中、５５０℃ １時間焼成す
る。焼成炉内部は、窒素ガス気流とす名。
焼成されたガラス板上には、はぼ透明で膜厚１０００〜
６０００Åの薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より
六方晶系硫化亜鉛であることがま ゛た、焼成し
た化合物の元素分析も、Ｚｎ ６７．７％（計算値６７
．１チ）、５３Ｌ３％（計算値３２．９チ）と計算値と
よく合うことが確認された。
６０００Åの薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より
六方晶系硫化亜鉛であることがま ゛た、焼成し
た化合物の元素分析も、Ｚｎ ６７．７％（計算値６７
．１チ）、５３Ｌ３％（計算値３２．９チ）と計算値と
よく合うことが確認された。
実施例２
ラウリルメルカプタンを水−アルコール溶媒中酢酸鉛と
反応させて得られる鉛ラウリルメルカプチドを炭化水素
系溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナ一方式により塗布
する。 ゛塗布されたガラス板は、約１５０℃で
予備乾燥して溶媒を揮散させた後、焼成炉中、５５０℃
１時間焼成する。焼成炉内部は、窒素ガス気流とする
。
反応させて得られる鉛ラウリルメルカプチドを炭化水素
系溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナ一方式により塗布
する。 ゛塗布されたガラス板は、約１５０℃で
予備乾燥して溶媒を揮散させた後、焼成炉中、５５０℃
１時間焼成する。焼成炉内部は、窒素ガス気流とする
。
焼成されたガラス板上には、はぼ透明で膜厚１０００〜
６００ｏ人薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より硫
化鉛であることが確認された。
６００ｏ人薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より硫
化鉛であることが確認された。
実施例３
ラウリルメルカプタンを水−エタノール溶媒中酢酸カド
ミウムと反応させて得られるカドミウムメルカプチドを
炭化水素溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナ一方式によ
り塗布する。
ミウムと反応させて得られるカドミウムメルカプチドを
炭化水素溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナ一方式によ
り塗布する。
塗布されたガラス板は、約１５０℃で予備乾燥して溶媒
を揮散させた後、焼成炉中、６６０℃ １時間焼成する
。
を揮散させた後、焼成炉中、６６０℃ １時間焼成する
。
焼成炉内部は、窒素ガス気流とする。
焼成されたガラス板上には、はぼ透明で膜厚１００ｏ〜
５０００人の薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定によ
り硫化カドミウムであることが確認された。
５０００人の薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定によ
り硫化カドミウムであることが確認された。
実施例４
水酸化カリウム−エタノール溶液に硫化水素を飽和させ
、塩化ペンジイルと反応して得られるチオ安息香酸カリ
ウＡ （Ｏｒｇ、５ｙｎｔｈ、、ＩＶ ９２４（１９６
３） ）を酢酸亜鉛と作用させてチオ安息香酸亜鉛を合
成する。これを炭化水素系溶媒に溶かしてガラス板上に
、スピナ一方式で塗布する。
、塩化ペンジイルと反応して得られるチオ安息香酸カリ
ウＡ （Ｏｒｇ、５ｙｎｔｈ、、ＩＶ ９２４（１９６
３） ）を酢酸亜鉛と作用させてチオ安息香酸亜鉛を合
成する。これを炭化水素系溶媒に溶かしてガラス板上に
、スピナ一方式で塗布する。
塗布されたガラス板は、約１５０℃で予備乾燥して溶媒
を揮散させた後、焼成炉中で、５５０’Ｃ１時間焼成す
る。焼成炉内部は、窒素ガス気流とする。
を揮散させた後、焼成炉中で、５５０’Ｃ１時間焼成す
る。焼成炉内部は、窒素ガス気流とする。
焼成されたガラス板上には、はぼ透明な薄膜が形成され
ており、Ｘ線回折測定によシ硫化亜鉛であることが確認
された。
ており、Ｘ線回折測定によシ硫化亜鉛であることが確認
された。
実施例６
２−ブロモ−Ｐ−シメンをグリュヤール試某化したもの
に二硫化炭素を反応させて得られる７ミルカルビチオ酸
のナトリウム塩に塩化亜鉛を作用して合成されたシミル
カルビチオ酸亜鉛（Ｊ 、Ａｍ 。
に二硫化炭素を反応させて得られる７ミルカルビチオ酸
のナトリウム塩に塩化亜鉛を作用して合成されたシミル
カルビチオ酸亜鉛（Ｊ 、Ａｍ 。
Ｃｈｅｍ、Ｓａｃ 、 ｓｌ ３１０６ （１９２８）
） を炭化水素系溶媒に溶かし、ガラス板上にスピ
ナ一方式で塗布する。
） を炭化水素系溶媒に溶かし、ガラス板上にスピ
ナ一方式で塗布する。
塗布されたガラス板は、約１６０℃で予備乾燥して溶媒
を揮散させた後、焼成炉中で、５５０’（：。
を揮散させた後、焼成炉中で、５５０’（：。
１時間焼成する。焼成炉内部は、窒素ガス気流とする。
焼成されたガラス板上には、はぼ透明な薄膜が形成され
ており、Ｘ線回折測定により硫化亜鉛であることが確認
された。
ており、Ｘ線回折測定により硫化亜鉛であることが確認
された。
発明の効果
以上、実施例から判るごとく、本発明にかかる手法を採
用することにより、真空蒸着あるいはスパッタ等による
製造方法と比較して、生産性に優れ、非常な高額の生産
設備を必要とせず、また大面積の製造が容易であるとい
う産業上極めて有益な特徴をもつ。
用することにより、真空蒸着あるいはスパッタ等による
製造方法と比較して、生産性に優れ、非常な高額の生産
設備を必要とせず、また大面積の製造が容易であるとい
う産業上極めて有益な特徴をもつ。
さらに、本発明にかかる手法は低温での結晶性、成膜性
も良好で、硫化亜鉛の場合、従来の手法では１ｏｏｏ′
Ｃ以上で生成するα型六方品系硫化亜鉛が、５００℃程
度の焼成温度で得られるという点でも効果的な手法であ
るといえる。
も良好で、硫化亜鉛の場合、従来の手法では１ｏｏｏ′
Ｃ以上で生成するα型六方品系硫化亜鉛が、５００℃程
度の焼成温度で得られるという点でも効果的な手法であ
るといえる。
Claims (4)
- （１）金属−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有
機金属化合物層を基板上に形成してのち、不活性ガス中
で上記有機金属化合物層を熱分解して形成することを特
長とする硫化物薄膜の形成方法。 - （２）金属−硫黄結合を有する有機金属化合物が金属メ
ルカプチドであることを特徴とする特許請求の範囲第一
項に記載の硫化物薄膜の形成方法。 - （３）金属−硫黄結合を有する有機金属化合物が金属の
チオカルボン酸塩であることを特徴とする特許請求の範
囲第一項に記載の硫化物薄膜の形成方法。 - （４）金属−硫黄結合を有する有機金属化合物が金属の
ジチオカルボン酸塩であることを特徴とする特許請求の
範囲第一項に記載の硫化物薄膜の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006441A JPH0718015B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化物薄膜の形成方法 |
| PCT/JP1986/000015 WO1986004362A1 (en) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | Process for forming thin metal sulfide film |
| DE8686900838T DE3672285D1 (de) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | Verfahren zur bildung duenner metallsulfidfilme. |
| US07/910,215 US4885188A (en) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | Process for forming thin film of metal sulfides |
| EP86900838A EP0211083B1 (en) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | Process for forming thin metal sulfide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006441A JPH0718015B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化物薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166979A true JPS61166979A (ja) | 1986-07-28 |
| JPH0718015B2 JPH0718015B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=11638487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60006441A Expired - Lifetime JPH0718015B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化物薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718015B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989010326A1 (en) * | 1988-04-21 | 1989-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for producing thin film of metal sulfide |
| US6211043B1 (en) | 1997-09-05 | 2001-04-03 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a compound semiconductor thin film on a substrate |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP60006441A patent/JPH0718015B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989010326A1 (en) * | 1988-04-21 | 1989-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for producing thin film of metal sulfide |
| US5110622A (en) * | 1988-04-21 | 1992-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for preparing a metal sulfide thin film |
| US6211043B1 (en) | 1997-09-05 | 2001-04-03 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a compound semiconductor thin film on a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0718015B2 (ja) | 1995-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |