JPS62146274A - 硫化カルシウム薄膜及びその形成方法 - Google Patents
硫化カルシウム薄膜及びその形成方法Info
- Publication number
- JPS62146274A JPS62146274A JP28607185A JP28607185A JPS62146274A JP S62146274 A JPS62146274 A JP S62146274A JP 28607185 A JP28607185 A JP 28607185A JP 28607185 A JP28607185 A JP 28607185A JP S62146274 A JPS62146274 A JP S62146274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- calcium
- mixture
- film
- calcium sulfide
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエレクトロニクスデバイスに使用される硫化カ
ルシウム薄膜及びその形成方法に関するものである。
ルシウム薄膜及びその形成方法に関するものである。
従来の技術
従来より硫化カルシウム薄膜はエレクトロニクス分野、
特にユーロピウムやセリウムをドープすることにより、
エレクトロルミネッセンスパネル等に広く使用されてい
る。
特にユーロピウムやセリウムをドープすることにより、
エレクトロルミネッセンスパネル等に広く使用されてい
る。
これらの硫化カルシウム薄膜の形成方法としてはスパッ
タリング法、蒸着法等によって基板上に形成されていた
。
タリング法、蒸着法等によって基板上に形成されていた
。
発明が解決しようとする問題点
上記、硫化カルシウム薄膜の形成方法は真空容器中で行
われるために生産性が悪く、連続操柴が困難でちるか、
あるいは非常に高額の生産設備を必要とする。また、真
空容器の大きさで製品の犬きさを規定され、大面積の製
造が困難である等の問題点を有している。
われるために生産性が悪く、連続操柴が困難でちるか、
あるいは非常に高額の生産設備を必要とする。また、真
空容器の大きさで製品の犬きさを規定され、大面積の製
造が困難である等の問題点を有している。
本発明は真空容器を使用せずに、硫化カルシウム薄膜を
得ることを目的とするものである。
得ることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明が上記問題点を解決するための手段は、カルシウ
ム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機カルシ
ウム化合物に、ドープ剤として硫黄との結合を少なくと
も一つ内部に有する有機金属化合物を混合したものを用
い、形成方法としてはその混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成により形成することである。
ム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機カルシ
ウム化合物に、ドープ剤として硫黄との結合を少なくと
も一つ内部に有する有機金属化合物を混合したものを用
い、形成方法としてはその混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成により形成することである。
本発明に使用できるカルシウム−硫黄結合を少なくとも
一つ内部に有する有機カルシウム化合物としては、各種
カル／ラムメルカプチド、各種チオカルボン酸、または
ジチオカルボン酸のカルシウム塩等を挙げることができ
る０ ドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有
する有機金属化合物はユーロピウム等のメルカプチド、
チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げること
ができる。
一つ内部に有する有機カルシウム化合物としては、各種
カル／ラムメルカプチド、各種チオカルボン酸、または
ジチオカルボン酸のカルシウム塩等を挙げることができ
る０ ドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有
する有機金属化合物はユーロピウム等のメルカプチド、
チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げること
ができる。
基板としては、熱分解温度に耐えるものであれば任意に
選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４５Ｑ′
Ｃ８度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使
用できる。
選ぶことができる。通常熱分解温度は３２０〜４５Ｑ′
Ｃ８度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使
用できる。
熱分解は大気中や、酸素雰囲気中等の酸化雰囲気中で行
うことにより有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すためには高温に
上げる場合は酸化雰囲気中では硫化カルシウム薄膜が酸
化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成することが有効である。
うことにより有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すためには高温に
上げる場合は酸化雰囲気中では硫化カルシウム薄膜が酸
化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱分解後不
活性雰囲気中で焼成することが有効である。
作 用
上記本発明の手段を用いることにより、従来の方法の問
題となっている真空容器を使用せずに、カルシウム薄膜
を形成できるため、薄膜の製造に関して、生産性の向上
が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うことができる
等の作用がある。
題となっている真空容器を使用せずに、カルシウム薄膜
を形成できるため、薄膜の製造に関して、生産性の向上
が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うことができる
等の作用がある。
実施例
以下実施例により説明する。
（実施例１）
カルンウムラウリルメルカプチド、ユーロピウムオクチ
ルメルカプチドをテトラリ／に混合、溶解し、アルミナ
基板上にスピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を
揮散させた後、大気中で４５０’Ｃ１１時間熱分解する
。この結果、膜厚５００〜６０００へのほぼ無色の亀裂
のない均一な硫化カルシウムの薄膜が得られた。この薄
膜を元素分析にかけた結果、硫化カルシウムが生成して
いることが確認された。また、膜内に炭素、水素の残留
は認められなかった。
ルメルカプチドをテトラリ／に混合、溶解し、アルミナ
基板上にスピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を
揮散させた後、大気中で４５０’Ｃ１１時間熱分解する
。この結果、膜厚５００〜６０００へのほぼ無色の亀裂
のない均一な硫化カルシウムの薄膜が得られた。この薄
膜を元素分析にかけた結果、硫化カルシウムが生成して
いることが確認された。また、膜内に炭素、水素の残留
は認められなかった。
（実施例２）
カルンウムラウリルメル力ブチド、ユーロピウムオクチ
ルメルカプチドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ
基板上にスピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を
揮散させた後、大気中で４５０℃、３０分熱分解する。
ルメルカプチドをテトラリンに混合、溶解し、アルミナ
基板上にスピナーにて塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を
揮散させた後、大気中で４５０℃、３０分熱分解する。
その後窒素気流中で７００℃１時間焼成する。この結果
、膜厚６００〜５ｏｏｏ入のほぼ無色の亀裂のない均一
な硫化カルシウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分
析にかけた結果、硫化カルシウムが生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸
化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕
著であった。
、膜厚６００〜５ｏｏｏ入のほぼ無色の亀裂のない均一
な硫化カルシウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分
析にかけた結果、硫化カルシウムが生成していることが
確認された。また、膜内に炭素、水素の残留は認められ
なかった。また、走査型電子顕微鏡で観察した結果、酸
化雰囲気中で熱分解しただけの膜に比べ結晶の成長が顕
著であった。
（実施例３）
チオ安息香酸カルシウム、チオ安息香酸セリウムをテト
ラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて
塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４５０℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚６００
〜５０００にのほぼ無色の亀裂のない均一な硫化カルシ
ウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた結
果、硫化カルシウムが生成していることが確認された。
ラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて
塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４５０℃、１時間熱分解する。この結果、膜厚６００
〜５０００にのほぼ無色の亀裂のない均一な硫化カルシ
ウムの薄膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた結
果、硫化カルシウムが生成していることが確認された。
また、膜内に炭素、水素の残留は認められなかった。
（実施例４）
チオ安息香酸カルシウム、チオ安息香酸セリウムをテト
ラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて
塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４５０℃、３０分熱分解する。その後窒素気流中で７
００℃１時間焼成する。この結果、膜厚５００〜５００
０人のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化カルシウムの薄
膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた結果、硫化
カルシウムが生成していることが確認された。また、膜
内に炭素、水素の残留は認められなかった。また、走査
型電子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気中で熱分解し
ただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であった。
ラリンに混合、溶解し、アルミナ基板上にスピナーにて
塗布し、１５０℃で乾燥し溶媒を揮散させた後、大気中
で４５０℃、３０分熱分解する。その後窒素気流中で７
００℃１時間焼成する。この結果、膜厚５００〜５００
０人のほぼ無色の亀裂のない均一な硫化カルシウムの薄
膜が得られた。この薄膜を元素分析にかけた結果、硫化
カルシウムが生成していることが確認された。また、膜
内に炭素、水素の残留は認められなかった。また、走査
型電子顕微鏡で観察した結果、酸化雰囲気中で熱分解し
ただけの膜に比べ結晶の成長が顕著であった。
発明の効果
以北のように本発明の硫化カルシウム薄膜及びその形成
方法は、カルンウムー硫黄結合を少なくとも一つ内部に
有する有機カルシウム化合物に、ドープ剤として硫黄と
の結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を
混合したものを用い、その混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後還
元雰囲気中で焼成により形成することにより、スパッタ
リング法、蒸着法に比較して、生産性の向上が計られ、
非常に高額の設備を必要とせず、大面積の製造を容易に
行うことができ、その実用的効果は犬なるものがある。
方法は、カルンウムー硫黄結合を少なくとも一つ内部に
有する有機カルシウム化合物に、ドープ剤として硫黄と
の結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を
混合したものを用い、その混合物を基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、熱分解後還
元雰囲気中で焼成により形成することにより、スパッタ
リング法、蒸着法に比較して、生産性の向上が計られ、
非常に高額の設備を必要とせず、大面積の製造を容易に
行うことができ、その実用的効果は犬なるものがある。
Claims (3)
- （１）カルシウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有
する有機カルシウム化合物に、ドープ剤として硫黄との
結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を混
合したものを用いた硫化カルシウム薄膜。 - （２）カルシウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有
する有機カルシウム化合物に、ドープ剤として硫黄との
結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を混
合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解に
より形成することを特徴とする硫化カルシウム薄膜の形
成方法。 - （３）カルシウム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有
する有機カルシウム化合物に、ドープ剤として硫黄との
結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物を混
合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で熱分解し
た後、不活性雰囲気中での焼成により形成することを特
徴とする硫化カルシウム薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28607185A JPS62146274A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化カルシウム薄膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28607185A JPS62146274A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化カルシウム薄膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62146274A true JPS62146274A (ja) | 1987-06-30 |
Family
ID=17699574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28607185A Pending JPS62146274A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 硫化カルシウム薄膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62146274A (ja) |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP28607185A patent/JPS62146274A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01268873A (ja) | 金属硫化物薄膜の製造方法 | |
| KR910000408B1 (ko) | 투명도전막의 제조방법 | |
| US5271956A (en) | Method of forming ternary metal fluoride films by the decomposition of metallo-organic compounds in the presence of a fluorinating agent | |
| JPS62146274A (ja) | 硫化カルシウム薄膜及びその形成方法 | |
| JPH0699809B2 (ja) | 硫化物薄膜の形成方法 | |
| JPS62146272A (ja) | 硫化ストロンチウム薄膜及びその形成方法 | |
| US4885188A (en) | Process for forming thin film of metal sulfides | |
| JPH079065B2 (ja) | 硫化亜鉛薄膜の形成方法 | |
| JPS62146270A (ja) | 金属セレン化物薄膜の形成方法 | |
| JPS62146273A (ja) | セレン化亜鉛薄膜及びその形成方法 | |
| JPS62146271A (ja) | 硫化カドミウム薄膜の形成方法 | |
| JPS61166978A (ja) | 金属硫化物薄膜の形成方法 | |
| KR20150065624A (ko) | 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 | |
| JPS62243285A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 | |
| JP5245365B2 (ja) | 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法 | |
| JPS61166983A (ja) | 硫化物薄膜の形成方法 | |
| JPH0632303B2 (ja) | エレクトロルミネッセンスパネルの形成方法 | |
| JP2627803B2 (ja) | 金属窒化物薄膜の形成方法 | |
| JPS61166979A (ja) | 硫化物薄膜の形成方法 | |
| JPS62243286A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 | |
| JPH03177304A (ja) | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0260974A (ja) | 卑金属薄膜形成用インキ | |
| JPH01138129A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH05116941A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JP4697499B2 (ja) | 酸化物膜の製造方法 |