JPS6250956B2 - - Google Patents
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- JPS6250956B2 JPS6250956B2 JP57189406A JP18940682A JPS6250956B2 JP S6250956 B2 JPS6250956 B2 JP S6250956B2 JP 57189406 A JP57189406 A JP 57189406A JP 18940682 A JP18940682 A JP 18940682A JP S6250956 B2 JPS6250956 B2 JP S6250956B2
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- insulating film
- thin film
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- insulating
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Description
技術分野
この発明は薄膜ELの製造方法に関し、特にそ
の絶縁膜の形成方法に関する。 背景技術 薄膜ELは従来の無機型や有機型のELに比較し
て、発光輝度が大きいため最近注目されている。
第１図は従来の代表的な二重絶縁膜構造の薄膜
ELの断面図を示す。図において、１は透明ガラ
ス基板で、その片面にSnO2、TiO、In2O3等の透
明導電膜２を形成し、その上に透明導電膜２より
も小面積に、Y2O3、Ta2O5、Si3N4、Sm2O3、
Al2O3等の第１の絶縁膜３を形成し、この第１の
絶縁膜３上にこれよりも小面積にznS：Mn
（Cu、Cl）、TbF3、ZnSe：Mn等の発光層４を形
成し、この発光層４の上から前記第１の絶縁膜３
と同一面積に前記のような材料で第２の絶縁膜５
を形成し、さらにこの第２の絶縁膜５の上に前記
発光層４とほぼ同一面積にアルミニウム等よりな
る背面電極６を形成している。 従来上記各膜３〜６は蒸着やスパツタ法で形成
されていたが、第１、第２の絶縁膜３，５をこれ
らの方法で大面積に均一な厚さに形成することは
非常に困難で、しかも大型、複雑、高価な装置が
必要になるといつた問題点があつた。 発明の開示 そこで、この発明は大型の装置を必要としない
で、大面積に均一な厚さの絶縁膜を形成できる薄
膜ELの製造方法を提供することを目的とする。 この発明は簡単に言えば、酸化膜形成剤を塗
布、スプレー、デイツプ法によつて成膜し、加熱
分解することによつて絶縁膜を形成することを特
徴とするものである。 すなわち、上記成膜作業は蒸着やスパツタ法に
比較して、大気中で常圧に行なえるので、成膜作
業が著しく容易になり、また大型の装置を必要と
しないで、大面積に均一な厚さに成膜できるもの
であつて、大面積のかつ発光斑のない薄膜ELを
安価に製造できるという効果がある。 発明を実施するための最良の形態 透明ガラス基板１の片面に透明導電膜２を形成
したのち、第２図に示すような工程で第１の絶縁
膜３を形成した。すなわち、まず界面活性剤水溶
液で超音波洗浄したのち、水洗してアルコールま
たはアセトンで洗浄して、前処理１０を施す。そ
の後100〜150℃の温度で10分間程度乾操して表面
の水分およびアルコール分を揮発させることによ
り前乾燥処理１１を施す。こののち、酸化物膜形
成剤、例えば技研科学社製GIP型BaTiO3溶液に
浸漬し、10cm／minで引き上げて、透明導電膜２
上に有機金属化合物膜を形成し成膜処理１２を施
す。続いて、100〜150℃で30分間以上加熱して後
乾燥処理１３を施す。さらにこれを500℃で30分
間加熱して焼成処理１４を施し、徐冷処理１５を
施した。以上のようにして、30cm2内の厚さのばら
つきが500Å以下の厚さ4000Åの第１の絶縁膜３
が形成できた。 上記GIP型成膜剤は、Ｍ−（Ｏ−Ｒ）３、
の絶縁膜の形成方法に関する。 背景技術 薄膜ELは従来の無機型や有機型のELに比較し
て、発光輝度が大きいため最近注目されている。
第１図は従来の代表的な二重絶縁膜構造の薄膜
ELの断面図を示す。図において、１は透明ガラ
ス基板で、その片面にSnO2、TiO、In2O3等の透
明導電膜２を形成し、その上に透明導電膜２より
も小面積に、Y2O3、Ta2O5、Si3N4、Sm2O3、
Al2O3等の第１の絶縁膜３を形成し、この第１の
絶縁膜３上にこれよりも小面積にznS：Mn
（Cu、Cl）、TbF3、ZnSe：Mn等の発光層４を形
成し、この発光層４の上から前記第１の絶縁膜３
と同一面積に前記のような材料で第２の絶縁膜５
を形成し、さらにこの第２の絶縁膜５の上に前記
発光層４とほぼ同一面積にアルミニウム等よりな
る背面電極６を形成している。 従来上記各膜３〜６は蒸着やスパツタ法で形成
されていたが、第１、第２の絶縁膜３，５をこれ
らの方法で大面積に均一な厚さに形成することは
非常に困難で、しかも大型、複雑、高価な装置が
必要になるといつた問題点があつた。 発明の開示 そこで、この発明は大型の装置を必要としない
で、大面積に均一な厚さの絶縁膜を形成できる薄
膜ELの製造方法を提供することを目的とする。 この発明は簡単に言えば、酸化膜形成剤を塗
布、スプレー、デイツプ法によつて成膜し、加熱
分解することによつて絶縁膜を形成することを特
徴とするものである。 すなわち、上記成膜作業は蒸着やスパツタ法に
比較して、大気中で常圧に行なえるので、成膜作
業が著しく容易になり、また大型の装置を必要と
しないで、大面積に均一な厚さに成膜できるもの
であつて、大面積のかつ発光斑のない薄膜ELを
安価に製造できるという効果がある。 発明を実施するための最良の形態 透明ガラス基板１の片面に透明導電膜２を形成
したのち、第２図に示すような工程で第１の絶縁
膜３を形成した。すなわち、まず界面活性剤水溶
液で超音波洗浄したのち、水洗してアルコールま
たはアセトンで洗浄して、前処理１０を施す。そ
の後100〜150℃の温度で10分間程度乾操して表面
の水分およびアルコール分を揮発させることによ
り前乾燥処理１１を施す。こののち、酸化物膜形
成剤、例えば技研科学社製GIP型BaTiO3溶液に
浸漬し、10cm／minで引き上げて、透明導電膜２
上に有機金属化合物膜を形成し成膜処理１２を施
す。続いて、100〜150℃で30分間以上加熱して後
乾燥処理１３を施す。さらにこれを500℃で30分
間加熱して焼成処理１４を施し、徐冷処理１５を
施した。以上のようにして、30cm2内の厚さのばら
つきが500Å以下の厚さ4000Åの第１の絶縁膜３
が形成できた。 上記GIP型成膜剤は、Ｍ−（Ｏ−Ｒ）３、
【式】（Ｍは金属、Ｒは直鎖アルキル
基などの有機物）等の構造を有し、加熱によつて
（Ｏ−Ｒ）３、
（Ｏ−Ｒ）３、
【式】等が熱分解し、酸
素（Ｏ）が金属（Ｍ）と結合して、金属酸化物よ
りなる絶縁膜を形成するのである。したがつて、
上記構造式の金属（Ｍ）を適宜選定することによ
つて、PbTiO3、TiO2、MgO、BaO、Ta2O5等ま
たはそれらの複合膜も形成することができる。 このようにして得られた第１の絶縁膜３を周知
のフオトエツチング法等によりパターニングし、
その上に従来と同様に発光層４を形成し、さらに
上記と同様の方法で第２の絶縁膜５を形成したの
ち、背面電極６を形成したところ、発光斑のない
薄膜ELが得られた。 なお、上記の成膜工程１２では、上記実施例に
示したデイツプ法のみならず、スピンナー塗布
法、スプレー法や印刷法を採用することができ
る。
りなる絶縁膜を形成するのである。したがつて、
上記構造式の金属（Ｍ）を適宜選定することによ
つて、PbTiO3、TiO2、MgO、BaO、Ta2O5等ま
たはそれらの複合膜も形成することができる。 このようにして得られた第１の絶縁膜３を周知
のフオトエツチング法等によりパターニングし、
その上に従来と同様に発光層４を形成し、さらに
上記と同様の方法で第２の絶縁膜５を形成したの
ち、背面電極６を形成したところ、発光斑のない
薄膜ELが得られた。 なお、上記の成膜工程１２では、上記実施例に
示したデイツプ法のみならず、スピンナー塗布
法、スプレー法や印刷法を採用することができ
る。
第１図はこの発明の背景となる二重絶縁膜構造
の薄膜ELの断面図、第２図はこの発明の薄膜EL
の製造方法における絶縁膜の製造工程のブロツク
図である。 １……透明ガラス基板、２……透明導電膜、
３，５……絶縁膜、４……発光層、６……背面電
極。
の薄膜ELの断面図、第２図はこの発明の薄膜EL
の製造方法における絶縁膜の製造工程のブロツク
図である。 １……透明ガラス基板、２……透明導電膜、
３，５……絶縁膜、４……発光層、６……背面電
極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明ガラス基板に透明導電膜、絶縁膜、発光
層、背面電極を薄膜状に積層形成する薄膜ELの
製造方法において、 前記絶縁膜を、酸化物形成剤を塗布、スプレ
ー、デイツプ法により成膜し、加熱分解によつて
形成することを特徴とする薄膜ELの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57189406A JPS5978491A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 薄膜ｅｌの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57189406A JPS5978491A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 薄膜ｅｌの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978491A JPS5978491A (ja) | 1984-05-07 |
| JPS6250956B2 true JPS6250956B2 (ja) | 1987-10-27 |
Family
ID=16240740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57189406A Granted JPS5978491A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 薄膜ｅｌの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978491A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10516121B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-12-24 | Sakai Display Products Corporation | Apparatus for producing flexible display |
| US10991898B2 (en) | 2017-09-13 | 2021-04-27 | Sakai Display Products Corporation | Flexible display, method for manufacturing same, and support substrate for flexible display |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2770299B2 (ja) * | 1993-10-26 | 1998-06-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP57189406A patent/JPS5978491A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10516121B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-12-24 | Sakai Display Products Corporation | Apparatus for producing flexible display |
| US10991898B2 (en) | 2017-09-13 | 2021-04-27 | Sakai Display Products Corporation | Flexible display, method for manufacturing same, and support substrate for flexible display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5978491A (ja) | 1984-05-07 |
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