JP2667231B2 - ジョセフソン素子の製造方法 - Google Patents
ジョセフソン素子の製造方法Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は超電導応用技術であるジョセフソン素子の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
従来の技術 近年発見された酸化物超電導体の中には、その超電導
遷移温度が液体窒素温度（77.3K）を越えるものがあ
り、超電導体の応用分野を大きく拡げることとなった。
その実用化の一つであるジョセフソン素子については、
酸化物超電導体を二つ割り、再びわずかに接触させたブ
レーク型ジョセフソン素子、酸化物超電導体を薄膜に
し、小さなくびれをつけたブリッジ型ジョセフソン素
子、酸化物超電導体間をAu、Ag等の貴金属で接続した近
接効果ブリッジ型ジョセフソン素子が従来試作されてい
る。また、Ｙ−Ba−Cu−ＯやBi−Sr−Ca−Cu−ＯやTl−
Ba−Ca−Cu−Ｏの酸化物超伝導体とNbやPb等の金属超伝
導体とのトンネル型ジョセフソン素子が試作されてい
る。
遷移温度が液体窒素温度（77.3K）を越えるものがあ
り、超電導体の応用分野を大きく拡げることとなった。
その実用化の一つであるジョセフソン素子については、
酸化物超電導体を二つ割り、再びわずかに接触させたブ
レーク型ジョセフソン素子、酸化物超電導体を薄膜に
し、小さなくびれをつけたブリッジ型ジョセフソン素
子、酸化物超電導体間をAu、Ag等の貴金属で接続した近
接効果ブリッジ型ジョセフソン素子が従来試作されてい
る。また、Ｙ−Ba−Cu−ＯやBi−Sr−Ca−Cu−ＯやTl−
Ba−Ca−Cu−Ｏの酸化物超伝導体とNbやPb等の金属超伝
導体とのトンネル型ジョセフソン素子が試作されてい
る。
発明が解決しようとしている課題 液体窒素温度を越える動作温度を有する酸化物超導電
体を用いたジョセフソン素子としては前記のブレーク型
とブリッジ型ぐらいであり、酸化物超電導体同志 のト
ンネル型ジョセフソン素子は作成困難であった。この原
因としては、障壁層あるいは第二の酸化物超伝導薄膜の
形成時に障壁層と金属酸化物との界面反応が起こり、第
一または第二の酸化物超伝導薄膜の特性劣化を引き起こ
すものと考えられ、大きな問題となっていた。
体を用いたジョセフソン素子としては前記のブレーク型
とブリッジ型ぐらいであり、酸化物超電導体同志 のト
ンネル型ジョセフソン素子は作成困難であった。この原
因としては、障壁層あるいは第二の酸化物超伝導薄膜の
形成時に障壁層と金属酸化物との界面反応が起こり、第
一または第二の酸化物超伝導薄膜の特性劣化を引き起こ
すものと考えられ、大きな問題となっていた。
課題を解決するための手段 基板上に第一の金属酸化物超電導薄膜と障壁層を形成
した後に、フォトプロセスとエッチングにより前記第一
の金属酸化物超電導薄膜および前記障壁層をパターン加
工した後、前記障壁層の一部上にレジストをパターン形
成して更に層間絶縁膜を堆積し、前記レジストを除去す
ることにより前記層間絶縁膜をリフトオフ加工して、更
に酸素プラズマ中に曝した後、第二の金属酸化物超伝導
薄膜を前記障壁層の一部に接触して形成し、前記第二の
金属酸化物超伝導薄膜のパターン加工をした後、酸素雰
囲気中にて熱処理を行うことによりジョセフソン素子を
製造する。
した後に、フォトプロセスとエッチングにより前記第一
の金属酸化物超電導薄膜および前記障壁層をパターン加
工した後、前記障壁層の一部上にレジストをパターン形
成して更に層間絶縁膜を堆積し、前記レジストを除去す
ることにより前記層間絶縁膜をリフトオフ加工して、更
に酸素プラズマ中に曝した後、第二の金属酸化物超伝導
薄膜を前記障壁層の一部に接触して形成し、前記第二の
金属酸化物超伝導薄膜のパターン加工をした後、酸素雰
囲気中にて熱処理を行うことによりジョセフソン素子を
製造する。
第一および第二の金属酸化物超伝導薄膜の材料とし
て、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ、または、Bi−Pb−Sr−Ca−Cu
−Ｏ、または、Ａ−Ｂ−Cu−ＯまたはＡ−Ｂ−Cu−Ｏ−
Ｓの複合化合物とする場合も有効である。ここに、Ａは
Sc,Y,LaおよびLa系列元素（原子番号57〜71、但し58、5
9、61を除く）のうち少なくとも一種、Ｂは、Ba,Srなど
のII a族元素のうちの少なくとも一種、かつA,B元素とC
u元素との濃度は 0.5≦（Ａ＋Ｂ）/Cu≦2.5 である。
て、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ、または、Bi−Pb−Sr−Ca−Cu
−Ｏ、または、Ａ−Ｂ−Cu−ＯまたはＡ−Ｂ−Cu−Ｏ−
Ｓの複合化合物とする場合も有効である。ここに、Ａは
Sc,Y,LaおよびLa系列元素（原子番号57〜71、但し58、5
9、61を除く）のうち少なくとも一種、Ｂは、Ba,Srなど
のII a族元素のうちの少なくとも一種、かつA,B元素とC
u元素との濃度は 0.5≦（Ａ＋Ｂ）/Cu≦2.5 である。
また、障壁層の材料が、酸化ビスマス、酸化ストロン
チュウム、酸化カルシュウム、酸化バリュウム、酸化
鉛、酸化マグネシュウム、酸化ジルコニウムのうち少な
くとも一つ、あるいはこれらの混合物を用いる場合も有
効である。
チュウム、酸化カルシュウム、酸化バリュウム、酸化
鉛、酸化マグネシュウム、酸化ジルコニウムのうち少な
くとも一つ、あるいはこれらの混合物を用いる場合も有
効である。
更に、酸素雰囲気中での熱処理を金属酸化物超伝導薄
膜の結晶化温度以上の温度で行う場合も同じく有効であ
る。
膜の結晶化温度以上の温度で行う場合も同じく有効であ
る。
作用 発明者らは、本発明のジョセフソン素子の製造方法に
おいて、第一および第二の金属酸化物超伝導薄膜の材料
を、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ、または、Bi−Pb−Sr−Ca−Cu
−Ｏ、または、Ａ−Ｂ−Cu−ＯまたはＡ−Ｂ−Cu−Ｏ−
Ｓの複合化合物（ＡはSc,Y,Laおよび原子番号58、59、6
1を除く原子番号57〜71のLa系列元素のうち少なくとも
一種、Ｂは、Ba,SrなどのII a族元素のうちの少なくと
も一種、A,B元素とCu元素の濃度は0.5≦（Ａ＋Ｂ）/Cu
≦2.5）とし、障壁層の材料を、酸化ビスマス、酸化ス
トロンチュウム、酸化カルシュウム、酸化バリュウム、
酸化鉛、酸化マグネシュウム、酸化ジルコニュウムのう
ち少なくとも一つ、あるいはこれらの混合物とし、第一
の金属酸化物超伝導薄膜を障壁層で被覆した後にパター
ン加工することにより第一の金属酸化物超伝導薄膜の加
工時の特性劣化を防止するという作用がある。また、層
間絶縁膜をリフトオフ加工形成した後、酸素プラズマ中
に曝することにより障壁層のクリーニング、あるいはプ
ロセス後の第一の金属酸化物超伝導薄膜の酸素欠損を補
うための酸素の供給が行われ、第二の金属酸化物超伝導
薄膜と良好なトンネル接合を形成できるという作用があ
る。更に、第二の金属酸化物超伝導薄膜のパターン加工
をした後、酸素雰囲気中にて熱処理を行うことにより、
作成加工時の特性劣化を回復する、もしくは、金属酸化
物超伝導薄膜の結晶化温度以上の温度で行うことにより
超伝導特性を生ぜしめるという作用がある。
おいて、第一および第二の金属酸化物超伝導薄膜の材料
を、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ、または、Bi−Pb−Sr−Ca−Cu
−Ｏ、または、Ａ−Ｂ−Cu−ＯまたはＡ−Ｂ−Cu−Ｏ−
Ｓの複合化合物（ＡはSc,Y,Laおよび原子番号58、59、6
1を除く原子番号57〜71のLa系列元素のうち少なくとも
一種、Ｂは、Ba,SrなどのII a族元素のうちの少なくと
も一種、A,B元素とCu元素の濃度は0.5≦（Ａ＋Ｂ）/Cu
≦2.5）とし、障壁層の材料を、酸化ビスマス、酸化ス
トロンチュウム、酸化カルシュウム、酸化バリュウム、
酸化鉛、酸化マグネシュウム、酸化ジルコニュウムのう
ち少なくとも一つ、あるいはこれらの混合物とし、第一
の金属酸化物超伝導薄膜を障壁層で被覆した後にパター
ン加工することにより第一の金属酸化物超伝導薄膜の加
工時の特性劣化を防止するという作用がある。また、層
間絶縁膜をリフトオフ加工形成した後、酸素プラズマ中
に曝することにより障壁層のクリーニング、あるいはプ
ロセス後の第一の金属酸化物超伝導薄膜の酸素欠損を補
うための酸素の供給が行われ、第二の金属酸化物超伝導
薄膜と良好なトンネル接合を形成できるという作用があ
る。更に、第二の金属酸化物超伝導薄膜のパターン加工
をした後、酸素雰囲気中にて熱処理を行うことにより、
作成加工時の特性劣化を回復する、もしくは、金属酸化
物超伝導薄膜の結晶化温度以上の温度で行うことにより
超伝導特性を生ぜしめるという作用がある。
実施例 本発明のジョセフソン素子の製造方法の一実施例を示
す工程図を第１図〜第６図に示す。MgO（100）面基板１
上にBi−Sr−Ca−Cu−Ｏからなる第一の金属酸化物超伝
導薄膜２（膜厚300nm）を基板温度700℃でrfマグネトロ
ンスパッタリング法により形成し、その後真空を破らず
にトンネルバリヤと成る障壁層３（膜厚2nm）を室温でr
fマグネトロンスパッタリング法により堆積する。材料
はBi2O3である。（第１図）。これを、フォトプロセス
と、Arイオンミリングとを用いて第一の金属酸化物超伝
導薄膜をパターン加工する（第２図）。
す工程図を第１図〜第６図に示す。MgO（100）面基板１
上にBi−Sr−Ca−Cu−Ｏからなる第一の金属酸化物超伝
導薄膜２（膜厚300nm）を基板温度700℃でrfマグネトロ
ンスパッタリング法により形成し、その後真空を破らず
にトンネルバリヤと成る障壁層３（膜厚2nm）を室温でr
fマグネトロンスパッタリング法により堆積する。材料
はBi2O3である。（第１図）。これを、フォトプロセス
と、Arイオンミリングとを用いて第一の金属酸化物超伝
導薄膜をパターン加工する（第２図）。
次に、保護層としてネガ型レジストを80nmスピンコー
トし、その上にポジ型レジストを800nmスピンコートし
た後、露光、現像して接合部および第一の金属酸化物超
伝導薄膜２のコンタクト部分に相当する箇所にレジスト
４をパターン形成する。これに、層間絶縁膜５としてBi
2O3を300nm厚さにrfマグネトロンスパッタリング法によ
り室温で堆積する（第３図）。アセトンに浸して、軽く
超音波をかけてリフトオフを行う（第４図）。酸素プラ
ズマによるアッシングを行い残りのレジストを除去する
とともに、障壁層のクリーニングを行う。その直後、第
二の金属酸化物超伝導薄膜６をrfマグネトロンスパッタ
リング法により基板温度700℃で堆積する。膜厚は、300
nmとした、これに通常のフォトプロセスにより第二の酸
化物超伝導薄膜６のパターン加工のためにレジスト７を
形成する（第５図）。Arイオンミリングにより、エッチ
ングを行い、第二の酸化物超伝導薄膜６のパターン加工
を行うと同時に第一の酸化物超伝導薄膜２のコンタクト
のための障壁層３の窓開けを行う。残りのレジスト７を
酸素プラズマによるアッシングにより除去した後、酸素
雰囲気中にてアニールを行ってジョセフソン素子を形成
する（第６図）。アニールは、890℃で20分加熱した
後、855℃で４時間維持し、室温まで炉冷して行った。
この製造方法により作成した超電導素子は、臨界温度80
Kの物が得られ、直流ジョセフソン効果も見られヒステ
リシスのあるトンネル型の特性が得られた。また、この
特性は再現性よく得られ、得られた特性も安定であっ
た。
トし、その上にポジ型レジストを800nmスピンコートし
た後、露光、現像して接合部および第一の金属酸化物超
伝導薄膜２のコンタクト部分に相当する箇所にレジスト
４をパターン形成する。これに、層間絶縁膜５としてBi
2O3を300nm厚さにrfマグネトロンスパッタリング法によ
り室温で堆積する（第３図）。アセトンに浸して、軽く
超音波をかけてリフトオフを行う（第４図）。酸素プラ
ズマによるアッシングを行い残りのレジストを除去する
とともに、障壁層のクリーニングを行う。その直後、第
二の金属酸化物超伝導薄膜６をrfマグネトロンスパッタ
リング法により基板温度700℃で堆積する。膜厚は、300
nmとした、これに通常のフォトプロセスにより第二の酸
化物超伝導薄膜６のパターン加工のためにレジスト７を
形成する（第５図）。Arイオンミリングにより、エッチ
ングを行い、第二の酸化物超伝導薄膜６のパターン加工
を行うと同時に第一の酸化物超伝導薄膜２のコンタクト
のための障壁層３の窓開けを行う。残りのレジスト７を
酸素プラズマによるアッシングにより除去した後、酸素
雰囲気中にてアニールを行ってジョセフソン素子を形成
する（第６図）。アニールは、890℃で20分加熱した
後、855℃で４時間維持し、室温まで炉冷して行った。
この製造方法により作成した超電導素子は、臨界温度80
Kの物が得られ、直流ジョセフソン効果も見られヒステ
リシスのあるトンネル型の特性が得られた。また、この
特性は再現性よく得られ、得られた特性も安定であっ
た。
第２図後の第一の金属酸化物超伝導薄膜２の特性劣化
はほとんど見られなかった。これは、障壁層３が第一の
金属酸化物超伝導薄膜２の加工劣化を防止しているため
と考えられる。また、第６図の工程でアニール前の第一
の金属酸化物超伝導薄膜２と第二の金属酸化物超伝導薄
膜６間の接合は、臨界温度が約30K程度のトンネル型ジ
ョセフソン接合性であったが、アニール後は前述のよう
に80Kまで向上した。
はほとんど見られなかった。これは、障壁層３が第一の
金属酸化物超伝導薄膜２の加工劣化を防止しているため
と考えられる。また、第６図の工程でアニール前の第一
の金属酸化物超伝導薄膜２と第二の金属酸化物超伝導薄
膜６間の接合は、臨界温度が約30K程度のトンネル型ジ
ョセフソン接合性であったが、アニール後は前述のよう
に80Kまで向上した。
なお、本発明の実施例において、基板１にMgO（100）
面を用いたが、これに限定するわけではなく他に同様な
超伝導薄膜を堆積出来るものなら何でもよい。
面を用いたが、これに限定するわけではなく他に同様な
超伝導薄膜を堆積出来るものなら何でもよい。
また、第一の金属酸化物超伝導薄膜２と第二の金属酸
化物超伝導薄膜６として、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏを用いた
が、Bi−Pb−Sr−Ca−Cu−Ｏ、または、Ａ−Ｂ−Cu−Ｏ
またはＡ−Ｂ−Cu−Ｏ−Ｓの複合化合物（ＡはSc,Y,La
および原子番号58、59、61を除く原子番号57〜71のLa系
列元素のうち少なくとも一種,Bは、Ba,SrなどのII a族
元素のうちの少なくとも一種、かつＡ、Ｂ元素とCu元素
の濃度は0.5≦（Ａ＋Ｂ）/Cu≦2.5）としても同様な効
果が見られた。
化物超伝導薄膜６として、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏを用いた
が、Bi−Pb−Sr−Ca−Cu−Ｏ、または、Ａ−Ｂ−Cu−Ｏ
またはＡ−Ｂ−Cu−Ｏ−Ｓの複合化合物（ＡはSc,Y,La
および原子番号58、59、61を除く原子番号57〜71のLa系
列元素のうち少なくとも一種,Bは、Ba,SrなどのII a族
元素のうちの少なくとも一種、かつＡ、Ｂ元素とCu元素
の濃度は0.5≦（Ａ＋Ｂ）/Cu≦2.5）としても同様な効
果が見られた。
また、障壁層および層間絶縁膜の材料を、酸化ビスマ
スを用いて説明したが、酸化ビスマス、酸化ストロンチ
ュウム、酸化カルシュウム、酸化バリュウム、酸化鉛、
酸化マグネシュウム、酸化ジルコニュウムのうち少なく
とも一つ、あるいはこれらの混合物としても、同様な効
果が得られた。
スを用いて説明したが、酸化ビスマス、酸化ストロンチ
ュウム、酸化カルシュウム、酸化バリュウム、酸化鉛、
酸化マグネシュウム、酸化ジルコニュウムのうち少なく
とも一つ、あるいはこれらの混合物としても、同様な効
果が得られた。
また、第３図の工程で、レジストにネガ型とポジ型の
二層レジストを用いたが、リフトオフ出来るレジストな
ら何でも良いのはいうまでもない。
二層レジストを用いたが、リフトオフ出来るレジストな
ら何でも良いのはいうまでもない。
さらに超伝導薄膜および障壁層の堆積法として実施例
には、物理的堆積法の一つであるスパッタリング法を用
いたが、他の物理的堆積法の真空蒸着法、電子ビーム蒸
着法、MBE法、レーザー堆積法、さらには化学的蒸着法
のCVD法、MOCVD法、なども試みた結果、同様にジョセフ
ソン素子が製造できることを確認した。
には、物理的堆積法の一つであるスパッタリング法を用
いたが、他の物理的堆積法の真空蒸着法、電子ビーム蒸
着法、MBE法、レーザー堆積法、さらには化学的蒸着法
のCVD法、MOCVD法、なども試みた結果、同様にジョセフ
ソン素子が製造できることを確認した。
発明の効果 本発明の実施により、第一の金属酸化物超伝導薄膜と
トンネル接合となる障壁層が同一真空中で成膜でき界面
での汚染が防止できた。また、層間絶縁膜をリフトオフ
加工形成した後、酸素プラズマ中に曝することにより障
壁層表面のクリーニング、あるいはプロセス後の第一の
金属酸化物超伝導薄膜の酸素欠損を補うための酸素の供
給が行われ、トンネル接合外面の汚染または劣化を防ぐ
ことができ、第二の金属酸化物超伝導薄膜と良好なトン
ネル接合を形成することが可能となった。
トンネル接合となる障壁層が同一真空中で成膜でき界面
での汚染が防止できた。また、層間絶縁膜をリフトオフ
加工形成した後、酸素プラズマ中に曝することにより障
壁層表面のクリーニング、あるいはプロセス後の第一の
金属酸化物超伝導薄膜の酸素欠損を補うための酸素の供
給が行われ、トンネル接合外面の汚染または劣化を防ぐ
ことができ、第二の金属酸化物超伝導薄膜と良好なトン
ネル接合を形成することが可能となった。
第二の金属酸化物超伝導薄膜のパターン加工をした
後、酸素雰囲気中にて熱処理を行うことにより、作成加
工時の特性劣化が回復するという効果が得られた。ま
た、金属酸化物超伝導薄膜の結晶化温度以上の温度で行
うことにより、堆積後に超伝導特性を示さない薄膜を用
いた場合でも超伝導特性が生じるという効果がみられ
た。
後、酸素雰囲気中にて熱処理を行うことにより、作成加
工時の特性劣化が回復するという効果が得られた。ま
た、金属酸化物超伝導薄膜の結晶化温度以上の温度で行
うことにより、堆積後に超伝導特性を示さない薄膜を用
いた場合でも超伝導特性が生じるという効果がみられ
た。
現在、超電導応用のひとつとしてジョセフソン素子を
構成要素とする超電導量子干渉計が実用化されている
が、本発明の超電導素子はジョセフソン素子として動作
しており、この素子を用いると液体窒素温度で動作する
超電導量子干渉計を構成できる。さらにこの超電導素子
は、低消費電力のスイッチング素子とすることができ
る。これらの点で本発明の、計算機応用、電子機器応用
などに対する実用的効果は大である。
構成要素とする超電導量子干渉計が実用化されている
が、本発明の超電導素子はジョセフソン素子として動作
しており、この素子を用いると液体窒素温度で動作する
超電導量子干渉計を構成できる。さらにこの超電導素子
は、低消費電力のスイッチング素子とすることができ
る。これらの点で本発明の、計算機応用、電子機器応用
などに対する実用的効果は大である。
第１図〜第６図は本発明のジョセフソン素子の製造方法
の一実施例を示す工程断面図である。 １……基板、２、６……金属酸化物超伝導薄膜、３……
障壁層、４、７……レジスト、５……層間絶縁膜。
の一実施例を示す工程断面図である。 １……基板、２、６……金属酸化物超伝導薄膜、３……
障壁層、４、７……レジスト、５……層間絶縁膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榎原 晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 瀬恒 謙太郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−47479（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−274190（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−266889（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に第一の金属酸化物超電導薄膜と障
壁層を形成した後に、フォトプロセスとエッチングによ
り前記第一の金属酸化物超電導薄膜および前記障壁層を
パターン加工した後、前記障壁層の一部上にレジストを
パターン形成して更に層間絶縁膜を堆積し、前記レジス
トを除去することにより前記層間絶縁膜をリフトオフ加
工して、更に酸素プラズマ中に曝した後、第二の金属酸
化物超伝導薄膜を前記障壁層の一部に接触して形成し、
前記第二の金属酸化物超伝導薄膜のパターン加工をした
後、酸素雰囲気中にて熱処理を行うことを特徴とするジ
ョセフソン素子の製造方法。 - 【請求項２】第一および第二の金属酸化物超伝導薄膜の
材料がBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ、または、 Bi−Pb−Sr−Ca
−Cu−Ｏ、または、Ａ−Ｂ−Cu−ＯまたはＡ−Ｂ−Cu−
Ｏ−Ｓの複合化合物から成ることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のジョセフソン素子の製造方法。 ここに、ＡはSc,Y,LaおよびLa系列元素（原子番号57〜7
1、但し58、59、61を除く）のうち少なくとも一種、Ｂ
は、Ba,SrなどのII a族元素のうちの少なくとも一種、
かつＡ、Ｂ元素とCu元素の濃度は 0.5≦（Ａ＋Ｂ）/Cu≦2.5 - 【請求項３】障壁層の材料が、酸化ビスマス、酸化スト
ロンチュウム、酸化カルシュウム、酸化バリュウム、酸
化鉛、酸化マグネシュウム、酸化ジルコニュウムのうち
少なくとも一つ、あるいはこれらの混合物であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のジョ
セフソン素子の製造方法。 - 【請求項４】酸素雰囲気中での熱処理を金属酸化物超伝
導薄膜の結晶化温度以上の温度で行うことを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載のジョセフソン素
子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63291219A JP2667231B2 (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | ジョセフソン素子の製造方法 |
| US07/413,174 US5047390A (en) | 1988-10-03 | 1989-09-27 | Josephson devices and process for manufacturing the same |
| EP89118259A EP0366949B1 (en) | 1988-10-03 | 1989-10-02 | Josephson devices and process for manufacturing the same |
| DE68928564T DE68928564T2 (de) | 1988-10-03 | 1989-10-02 | Josephson-Einrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63291219A JP2667231B2 (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | ジョセフソン素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137277A JPH02137277A (ja) | 1990-05-25 |
| JP2667231B2 true JP2667231B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=17766013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63291219A Expired - Fee Related JP2667231B2 (ja) | 1988-10-03 | 1988-11-17 | ジョセフソン素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2667231B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0473976A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導装置の作製方法 |
| JP2730336B2 (ja) * | 1991-07-02 | 1998-03-25 | 住友電気工業株式会社 | 超電導装置の作製方法 |
| CA2047139C (en) * | 1990-07-16 | 1997-12-09 | Mitsuchika Saitoh | Method for manufacturing superconducting device composed of oxide superconductor material and superconducting device manufactured thereby |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047479A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トンネル型ジヨセフソン接合の構造ならびに製法 |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP63291219A patent/JP2667231B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02137277A (ja) | 1990-05-25 |
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