JPH0287101A - 反射防止膜の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分！＃ｆ） 本発明は反射防止膜の新規な製造法に関する。

（従来の技術） ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと称す）フ
ィルムのような高分子基板の表面にＺｒ０ｚ　。

ＭｇＦｚ　、　５ｉ０２等の反射防止ｔｉｌｌ　４１”
形成せしめた反射防止膜は既に知られている。

そして、この反射防止膜の製造法としては真空蒸着法あ
るいはスパッタリング法により、基板表面に反射防止層
全薄膜形成する方法が知らｎておタ、更に反射防止ノー
の形成に先立ち、基板表面をアルゴンプラズマで処理す
る方法も提案されている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、前者の方法では反射防止ノーの形成時の
雰囲気温度を基板の軟化点（もしくは融点）よりも低く
設定する必要がｆｆ）す、かかる低温で形成さ几た反射
防止層は基板との密着力が弱く、剥ｌ１１を生じ易いと
いう問題がめつ九。

後者の方法によＩしば１反射防止ｌＩＩＩｇの基板への
密着力の若干の向１が見られるが、米だ充分なものでは
なかった。

従って１本発明は基板と反射防止ノーの密着力の大きな
反射防止１１ＪＩ製造する方法を提供すること金目的と
するものである。

（課題を解決するための手段） 本発明に係る反射防止膜の製造法は、高分子基板表面１
［素プラズマＩＣより処理し、その後該表面に反射防止
１１　を形成することｔ特徴とするものである。

本発明に用いる高分子基板は、従来から反射防止膜の基
板として使用されていたものをそのまま使用でき１例え
ば、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ＰＥＴ、ポリ
カーボネート、ポリメチルメタクリレート、ジエチレン
グリコールビスアリルカーボネート等から成るフィルム
、シー）、板等をその具体例として挙げることができる
。

上記高分子基板に対する酸素プラズマ処理は。

例えば図面に示す装置！１を用いて行なうことができる
。

図面において、ｌは真空容器であり、真空ポンプ（図示
省略）に接続され之排気管２と、パルプ３を有するガス
導入管４′ｆｔ有している。５５は回転可能なロール電
極であり、高周波電圧を印カロする几めの４源６に電気
的に接続されている。７はアースである。更に、容器ｌ
内には供給ロール８゜巻取りロール９およびガイドロー
ル１０．１１．１２゜１３が配置さｎ、高分子基板１４
はこれらロールによって導かれる。

この装置により高分子基板を処理するには、真空ポンプ
により真空容器１内の雰囲気圧’ｔ−１０−’Ｔｏｒｒ
以下とした後、パルプ３を開いて酸素を導入し、その雰
囲気圧を処理に適する真空度Ｉ　Ｘ　ｌ　Ｏ−”〜９Ｘ
ｌＯ−”　Ｔｏｒｒとし、を源６によりロールｔ、Ｍ５
に高周波電圧を印加すると該電極５上の高分子基板１４
表面に酸素プラズマが発生し、このプラズマにより高分
子基板１４の該：１１函が処理され、化学的に活性化さ
れる。

高分子基板表面の処理の程度は放電電力（Ｗａｔｔ／ｃ
ｄ）と処理時間（ｓｅｃ　）の積ｌｔ下、　コｆＬ’ｔ
−ｆｉ埋量と称す〕で示すことができ、不発明Ｖこおい
ては基板処理面と該処ＮＡ面に形成さルる反射防止層の
ｗ着力同上のため、処理ｔ’を通常０．　ｌ　Ｗａｔｊ
　・ｓｅｅ　／−以と好ましくは０．２〜１０　Ｗａｔ
ｔ−ｓｅｅ　／（−Ｊとする。

上記放電電力は通常０．０１６〜０．０８　Ｗａｔｔ／
ｃＪである。ま友、処理時間は放電電力が小さくなるほ
ど長くなるが、実用的には放電電力を大きくして処理時
間を短かくするのがよく１通常５〜１００秒とする。

本発明の方法においては１次いで高分子基板の酸素プラ
ズマ処理面に反射防止層が形成される。

反射防止層の形成は従来と同様に行なうことができ　、
　　ＺｒＯ鵞　、　　Ｍ／ｉＦｚ、　　５ｉＯｚ、　　
Ｔｉ１ｔ、　　Ｍ２Ｏ，ＰｂＦｚ、　　ＹｚＣ）ｓ。

Ｔａｘｅｓ　、　Ａｌ２Ｏ５、ＣａＦｓ　、　Ｃｅ０ｚ
　、　Ｈｌ（ｈ　、　ＺｎＳ　’４　ｔ”用い。

真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等によることができる。かような本発明の方法によれ
ば、高分子基板表面への反射防止層の形成温度が比較的
低温（例えば１００℃以下）でも、該防止ｊ−の基板へ
の田４力は強固なものとなる。

（実施例） 以下実施例により本発明ｋＷに詳細に説明する。

実施例１ 厚さ１００μ講の長尺ＰＥＴフィルムを図面に示す供給
ロール８にセットし、その一端をガイドロール１０．１
１．ロール電極５．ガイドロール１２．１３を経て巻取
りロールに導いてン＜。

次に％真空ポンプにより真空容器１内の雰囲気圧ｆ、　
４　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒとし、パルプ３を開け、ガ
ス導入管４から酸ｔＡを供給し雰囲気圧を３　Ｘ　ｌ　
Ｏ−”　’ｆ’ｏｒｒに調整維持する。

次いで、電源６から高周波電圧をロール電極５に印加し
、該電極５上の高分子基板１４（このときはＰＥＴフィ
ルム）の表面に酸素プラズマを発生させる。このとき、
ロール８〜１３Ｄ工び０−ルミ極５ｔｌ−回転させ、Ｐ
ＥＴフィルムを所定速度で移動させる。なお、この際の
放電電力は０．０４７Ｗａｔｔ／ｃＪとし、処理時間は
６０秒とした。

次に、ＰＥＴフィルムの処理面上にＺｒｋターゲットと
して、Ａｒ、０２混合ガス（Ａｒ：０２　＝ｌＬ）二１
容量比〕雰囲気下において１反応性マグネトロンスパッ
タリング法により、厚さ６００ＡのＺｒ０ｚの反射防止
層の形成された反射防止膜を得た。なお。

反射防止ｊｄ影形成時基板温度は約１００℃であった。

比較例１ 酸素プラズマ処理をしないこと以外は全て実施例と同様
にして反射防止膜を得た。

比較例２ 処理時に酸素に代えＡｒ　’（用いること以外は全て実
施例と同様に作業して反射防止膜を得之。

実施例２ 実施例１と同様ＶＣ処理したＰＥＴフィルムのＬ［面上
に真空蒸着法により厚さ９００　ＡのＭｉＦ２反射防止
Ｍｆ：形成し友。

１記実施例および比較例によって得られ念反射防止膜に
２ける基板と反射防止層の＠着力について下記試験を行
ない、得られた結果′を第１表に示す。

（Ａ）アルコール浸漬試験 反射防止層をエタノール（１夜＠２５’Ｃ）中に浸漬し
１反射防止ｊ−が基板から剥離するまでの時間を目視観
察した。

（Ｂ）テープ剥離試験 反射防止層上に市販の粘着テープ（日束岨工■製、商品
名ポリエステルテープ１３１Ｂ）を貼凄し、その後こｎ
２−気に剥離し１反射防止層の剥離の有無を目視観察し
友。

第１表 （発明の効果） 本発明は上記のように構成され、高分子基板表面を反射
防止Ｊ−の形成に先立ち酸素プラズマ処理するようにし
たので１反射防止層の基板への密着力を向上できる特徴
がある。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の方法に用いる装置の実例を示す概略図で
ある。 １・・・真空容器　　２・・・排気管　　３・・・パル
プ４・・・ガス導入管　　５・・・ロール電極　　６・
・・電源８・・・供給ロール　　９・・・巻取りロール
　　１４・・・高分子基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高分子基板表面を酸素プラズマにより処理し、その後該
   表面に反射防止層を形成することを特徴とする反射防止
   膜の製造法。