JPS62297462A - 高速真空成膜方法 - Google Patents
高速真空成膜方法Info
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- JPS62297462A JPS62297462A JP14164986A JP14164986A JPS62297462A JP S62297462 A JPS62297462 A JP S62297462A JP 14164986 A JP14164986 A JP 14164986A JP 14164986 A JP14164986 A JP 14164986A JP S62297462 A JPS62297462 A JP S62297462A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野]
本発明は膜の白濁を抑制する真空成膜方法に関する。本
発明は、ITOで透明なS電性S膜を形成するイオンブ
レーティング法に利用することができる。
発明は、ITOで透明なS電性S膜を形成するイオンブ
レーティング法に利用することができる。
[従来の技術]
高速真空成膜方法、例えばイオンブレーティング法では
、従来より、真空容器内に基板を配(dする第1工程と
、真空容器内を減圧した状態で、加速された正イオンを
ぶつけることによって、膜構成成分を蒸発させて膜構成
成分を基板の成膜側の面に衝突堆積させて成膜する第2
工程と、を順に実施することにしている。かかるイオン
ブレーティング方法によれば、蒸気圧が低くて蒸発しに
くい物質であっても気体にてき成膜を行うことができる
。
、従来より、真空容器内に基板を配(dする第1工程と
、真空容器内を減圧した状態で、加速された正イオンを
ぶつけることによって、膜構成成分を蒸発させて膜構成
成分を基板の成膜側の面に衝突堆積させて成膜する第2
工程と、を順に実施することにしている。かかるイオン
ブレーティング方法によれば、蒸気圧が低くて蒸発しに
くい物質であっても気体にてき成膜を行うことができる
。
しかしながらこのイオンブレーティング法では、スパッ
タリングの清浄効果があるものの、成膜速度をかなり速
くした場合などには、第3図に模式的に示すように、成
膜されたFa膜の表面に凹凸などが生ずるなどして、膜
表面に白濁が発生する不具合がある。白濁が生じると、
透明導電膜の透明性が損われる。従ってかかる白濁を抑
えるためには成膜速度を遅くせざるを得ず、成膜の高速
化には限界があった。
タリングの清浄効果があるものの、成膜速度をかなり速
くした場合などには、第3図に模式的に示すように、成
膜されたFa膜の表面に凹凸などが生ずるなどして、膜
表面に白濁が発生する不具合がある。白濁が生じると、
透明導電膜の透明性が損われる。従ってかかる白濁を抑
えるためには成膜速度を遅くせざるを得ず、成膜の高速
化には限界があった。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明は上記した高速真空成膜方法の不具合を改善する
ためになされたものであり、その目的は成膜速度をかな
り速くした場合であっても、膜の白濁を抑制し得る高速
真空成膜方法を提供するにある。
ためになされたものであり、その目的は成膜速度をかな
り速くした場合であっても、膜の白濁を抑制し得る高速
真空成膜方法を提供するにある。
[問題点を解決するための手段〕
本発明者は、高速真空成膜方法にて、成膜途中にて一旦
成膜を中断し、形成された膜にプラズマエツチング処理
をMi極的に行なえば、上記不具合を一改善しうろこと
に着目した。
成膜を中断し、形成された膜にプラズマエツチング処理
をMi極的に行なえば、上記不具合を一改善しうろこと
に着目した。
本発明による高速真空成膜方法は、真空容器内に基板を
配置する第1工程と、真空容器内を減圧した状態で、膜
構成成分を蒸発させて膜構成成分を基板の成膜側の面に
衝突堆積させることにより、膜構成成分を含む薄膜を基
板の成膜側の面に成膜する第2工程とを順に実施する高
速真空成膜方法において、 第2工程は、成膜途中にて一旦成膜を中断し、形成され
た膜にプラズマエツチング処理を施して、膜の表面の平
滑度を向上させることを特徴とする。
配置する第1工程と、真空容器内を減圧した状態で、膜
構成成分を蒸発させて膜構成成分を基板の成膜側の面に
衝突堆積させることにより、膜構成成分を含む薄膜を基
板の成膜側の面に成膜する第2工程とを順に実施する高
速真空成膜方法において、 第2工程は、成膜途中にて一旦成膜を中断し、形成され
た膜にプラズマエツチング処理を施して、膜の表面の平
滑度を向上させることを特徴とする。
第1工程では、真空容器内に基板を配置する。
この真空容器は、従来より使用されているイオンブレー
ティング法、真空蒸着法、スパッタリング法で用いられ
ている真空容器を用いることができる。この真空容器は
真空ポンプに接続されており、通常、ヒータ、蒸発材料
を保持するホルダー、基板を保持するホルダーをもつ。
ティング法、真空蒸着法、スパッタリング法で用いられ
ている真空容器を用いることができる。この真空容器は
真空ポンプに接続されており、通常、ヒータ、蒸発材料
を保持するホルダー、基板を保持するホルダーをもつ。
第1工程では、この基板を保持するホルダーに基板を保
持して配置する。基板としては従来より用いられている
透明ガラス板、プラスチック板、セラミックス板を用い
ることができるが、他の材料の板でもよい。
持して配置する。基板としては従来より用いられている
透明ガラス板、プラスチック板、セラミックス板を用い
ることができるが、他の材料の板でもよい。
第2工程では、真空容器内を減圧状態にする。
この場合イオンブレーティング法では、通常アルゴン圧
力で6x10−”Torrの真空下とする。
力で6x10−”Torrの真空下とする。
このように真空下にした状態で膜構成成分を蒸発させて
膜構成成分を基板の成膜側の面に衝突−堆積させる。こ
の結果、膜構成成分を含む薄膜が基板の成膜側の面に成
膜される。ここで、膜構成成分としては、酸化インジウ
ム(I n 203 ) 、酸化スズ(SnOt>、こ
れらの組合わせであるITO(インジウム−スズ−オキ
サイド)、酸化亜鉛(ZnO)、金(Au)、銀(Ag
)、銅(Cu)、鉛(Pb) 、白金(Pt)、アルミ
ニウム(Al)があげられる。
膜構成成分を基板の成膜側の面に衝突−堆積させる。こ
の結果、膜構成成分を含む薄膜が基板の成膜側の面に成
膜される。ここで、膜構成成分としては、酸化インジウ
ム(I n 203 ) 、酸化スズ(SnOt>、こ
れらの組合わせであるITO(インジウム−スズ−オキ
サイド)、酸化亜鉛(ZnO)、金(Au)、銀(Ag
)、銅(Cu)、鉛(Pb) 、白金(Pt)、アルミ
ニウム(Al)があげられる。
この第2工程は、成膜途中にて一旦成膜を中断し、形成
された膜にプラズマエツチングを行なって平滑化処理を
施して、膜の表面の平滑度を向上させる工程である。
された膜にプラズマエツチングを行なって平滑化処理を
施して、膜の表面の平滑度を向上させる工程である。
一プラズマエッチング工程は少なくとも1回行う。
このプラズマエツチング処理は、エツチング液を使用す
るウェットエツチングと1なり、プラズマ化されたエツ
チングガスによりエツチングする処理方法である。この
場合には、エツチングガスはアルゴンガスを用いること
ができる。この場合、真空容器内のアルゴン圧力を1X
10− ’Torr〜1X10−2Torrにした状態
で電圧を印加しアルゴンガスをプラズマ化する。この結
果、生じたプラズマ粒子は、薄膜の表面の凸部に選択的
に衝突する。その結果、薄膜の表面の突起部は削りとら
れ、薄膜の表面の平滑度は向上する。
るウェットエツチングと1なり、プラズマ化されたエツ
チングガスによりエツチングする処理方法である。この
場合には、エツチングガスはアルゴンガスを用いること
ができる。この場合、真空容器内のアルゴン圧力を1X
10− ’Torr〜1X10−2Torrにした状態
で電圧を印加しアルゴンガスをプラズマ化する。この結
果、生じたプラズマ粒子は、薄膜の表面の凸部に選択的
に衝突する。その結果、薄膜の表面の突起部は削りとら
れ、薄膜の表面の平滑度は向上する。
[発明の効果]
本発明にかかる高速真空成膜方法によれば、成膜途中に
て一旦成膜を中断し、プラズマエツチング処理を行なう
ので、薄膜の表面の平滑度が向上するため、成膜速度を
速くした場合であっても薄膜の白濁を抑えることができ
る。従って透明導電膜を形成する場合に適する。
て一旦成膜を中断し、プラズマエツチング処理を行なう
ので、薄膜の表面の平滑度が向上するため、成膜速度を
速くした場合であっても薄膜の白濁を抑えることができ
る。従って透明導電膜を形成する場合に適する。
[実施例]
本実施例は真空成膜方法としての高周波励起イオンブレ
ーティング法に適用した実施例である。
ーティング法に適用した実施例である。
本実施例にかかる第1工程では、第2図に示すように、
真空容器1内の陰極となる基板ホルダー10に基板2を
配置する。この真空容器1内は、RFコイル11、蒸発
源ホルダー12をもつ。この真空容器1は真空ポンプ3
に接続されている。更に、真空容器1は、バルブ16を
アルゴンガス供給装置に、又、バルブ17を介して酸素
供給装置に接続されている。又、基板ホルダー10は、
加速用直流電源に接続されている。RFコイル11は図
示はしないがマツチングボックス、高周波電源に接続さ
れている。
真空容器1内の陰極となる基板ホルダー10に基板2を
配置する。この真空容器1内は、RFコイル11、蒸発
源ホルダー12をもつ。この真空容器1は真空ポンプ3
に接続されている。更に、真空容器1は、バルブ16を
アルゴンガス供給装置に、又、バルブ17を介して酸素
供給装置に接続されている。又、基板ホルダー10は、
加速用直流電源に接続されている。RFコイル11は図
示はしないがマツチングボックス、高周波電源に接続さ
れている。
第2工程では、真空容器1内を真空ポンプ3により減圧
して1O−4TOrr 〜10−57orrの真空下に
する。具体的には2X10−5TOrrの高真空下とす
る。そして反応ガスとして酸素及びアルゴンを供給して
、6X10−4Torrとした模、RFコイル11によ
り、高周波を導入しプラズマ放電を起こす。このように
した状態で′蒸発源ホルダ12に保持したるつぼ120
内のITOを陽極とし、基板ホルダー10を陰極とした
状態で、ITOを蒸発させて該IT○を基板2の成膜側
の面20に衝突さぜ堆積させる。具体的には成膜速度を
20Aングストローム、’secの速度にて厚みが50
00オングストロームとなるように成膜した。
して1O−4TOrr 〜10−57orrの真空下に
する。具体的には2X10−5TOrrの高真空下とす
る。そして反応ガスとして酸素及びアルゴンを供給して
、6X10−4Torrとした模、RFコイル11によ
り、高周波を導入しプラズマ放電を起こす。このように
した状態で′蒸発源ホルダ12に保持したるつぼ120
内のITOを陽極とし、基板ホルダー10を陰極とした
状態で、ITOを蒸発させて該IT○を基板2の成膜側
の面20に衝突さぜ堆積させる。具体的には成膜速度を
20Aングストローム、’secの速度にて厚みが50
00オングストロームとなるように成膜した。
次に第2工程にかかる平滑化工程では、アルゴンガス圧
力が1×10″″’Torrの状態にて約5分間、前記
高周波Ti源により電圧を印加し、プラズマエツチング
処理を行なう。すると、アルゴンガスが解離して活性化
し、プラズマとなり、プラズマにより膜の表面が平滑化
された。
力が1×10″″’Torrの状態にて約5分間、前記
高周波Ti源により電圧を印加し、プラズマエツチング
処理を行なう。すると、アルゴンガスが解離して活性化
し、プラズマとなり、プラズマにより膜の表面が平滑化
された。
なお、イオンブレーティング法では、成膜途中において
も膜の清浄効果は、若干あるものの、本実施例では、成
膜途中にて成膜を一旦中断し、積極的に平滑化処理する
。
も膜の清浄効果は、若干あるものの、本実施例では、成
膜途中にて成膜を一旦中断し、積極的に平滑化処理する
。
平滑化処理後、再び成膜速度207Iングストローム/
secの速度にて3000オングストローム成膜し、薄
膜の厚みを増加させた。その後再び、アルゴン圧力1×
10−’Torrにて平滑化処理を約5分間行ない、膜
の表面を平滑化した。
secの速度にて3000オングストローム成膜し、薄
膜の厚みを増加させた。その後再び、アルゴン圧力1×
10−’Torrにて平滑化処理を約5分間行ない、膜
の表面を平滑化した。
さらに成膜速度20Jングストローム/secの速度に
て3000オングストローム厚みを増加させた。
て3000オングストローム厚みを増加させた。
次に、アルゴンガス圧力1x1o−’Torrにて約5
分間平滑化処理を行い、薄膜の表面を平滑化した。この
結果、第1図に模式的に示すように、厚みが約1μmの
ITOIIIが基板2の成膜側の面20に形成された。
分間平滑化処理を行い、薄膜の表面を平滑化した。この
結果、第1図に模式的に示すように、厚みが約1μmの
ITOIIIが基板2の成膜側の面20に形成された。
このITO膜でtよ白濁が極めて′少なかった。具体的
には従来曇(1i2〜5%であったものが@価o。
には従来曇(1i2〜5%であったものが@価o。
5%と著しく低下した。ここで曇価は具体的にはへイズ
メーターにより測定した。
メーターにより測定した。
第1図は本実施例により成膜した薄膜を模式的に示す拡
大断面図であり、第2図は本実施例にかかる真空容器の
内部構造を示す概略説明図であり、第3図は従来の真空
成膜方法で製造した薄膜を模式的に示す断面図である。 一図中、1は真空容器、2は基板、10は繕板ホルダー
、11はRFコイル、12は蒸発源ホルダー、3は真空
ポンプをそれぞれ示す。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社代理人
弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫
大断面図であり、第2図は本実施例にかかる真空容器の
内部構造を示す概略説明図であり、第3図は従来の真空
成膜方法で製造した薄膜を模式的に示す断面図である。 一図中、1は真空容器、2は基板、10は繕板ホルダー
、11はRFコイル、12は蒸発源ホルダー、3は真空
ポンプをそれぞれ示す。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社代理人
弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫
Claims (3)
- (1)真空容器内に基板を配置する第1工程と、該真空
容器内を減圧した状態で、膜構成成分を蒸発させて該膜
構成成分を該基板の成膜側の面に衝突堆積させることに
より、該膜構成成分を含む薄膜を該基板の該成膜側の面
に成膜する第2工程とを順に実施する高速真空成膜方法
において、第2工程は、成膜途中にて一旦成膜を中断し
、形成された膜にプラズマエッチングを行なつて平滑化
処理を施して、該膜の表面の平滑度を向上させることを
特徴とする高速真空成膜方法。 - (2)ガスプラズマエッチング処理では、エッチングガ
スとして活性化したアルゴンガスを用いる特許請求の範
囲第1項記載の高速真空成膜方法。 - (3)膜構成成分は、酸化インジウム(In_2O_3
)、酸化スズ(SnO_2)、ITO(Indium
Tin Oxide)、酸化亜鉛(ZnO)、金(Au
)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉛(Pb)、白金(Pt
)、アルミニウム(Al)の少なくとも1種である特許
請求の範囲第1項記載の高速真空成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14164986A JPS62297462A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 高速真空成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14164986A JPS62297462A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 高速真空成膜方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62297462A true JPS62297462A (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=15296957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14164986A Pending JPS62297462A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 高速真空成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62297462A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO1994013851A1 (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent conductive film, transparent conductive base material, and conductive material |
EP1840966A1 (fr) | 2006-03-30 | 2007-10-03 | Universite De Neuchatel | Couche conductrice transparente et texturée et son procédé de réalisation |
DE102008033977A1 (de) * | 2008-07-21 | 2010-02-04 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Verfahren zur Oberflächenbeschichtung mit Schichtmaterialien |
JP2018526829A (ja) * | 2015-09-04 | 2018-09-13 | レイセオン カンパニー | レーザー・システム又は他のシステム及び関連するデバイスで使用するウェーブガイドを形成するための技術 |
CN110596986A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-12-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩膜基板的制备方法、彩膜基板及液晶显示面板 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14164986A patent/JPS62297462A/ja active Pending
Cited By (10)
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