JPH1067542A

JPH1067542A - 薄膜付きガラス板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH1067542A
Application number: JP22382396A
Authority: JP
Inventors: Isao Muraguchi; 功村口; Hidemi Nakai; 日出海中井; Toshio Sumi; 俊雄角; Tadashi Kumakiri; 正熊切
Original assignee: Kobe Steel Ltd; Nippon Sheet Glass Techno Research Co Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd; NSG Techno Research Co Ltd
Priority date: 1996-08-26
Filing date: 1996-08-26
Publication date: 1998-03-10

Abstract

(57)【要約】【課題】下地膜を形成することなくガラス板とその表
面に形成した薄膜の密着性を改善する。【解決手段】ガラス板に断面方向の濃度分布が薄膜を
形成する表面の近傍で最大となるようにＴｉ等の金属イ
オンを含有させて、好ましくはガラス板中に含まれる金
属イオンと同種の金属を含む薄膜とガラス板との密着性
を向上させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱線反射ガラス等
に代表される薄膜付きガラス板、すなわち、表面に金属
薄膜または金属化合物薄膜を形成した薄膜付きガラス板
およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ガラス板表面に薄膜を形成する方法とし
て、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法などの真空成膜法が広く普及してきている。これ
らの真空成膜法では、膜の付着力を高めるために基板と
なるガラス板の洗浄が極めて重要である。ガラス板の洗
浄方法としては、ガラス板を各種の洗浄剤に浸漬した
り、これらの液でガラス板表面を吹き上げるいわゆる湿
式洗浄法が一般に採用されている。

【０００３】一方、これらの洗浄方法では、真空成膜法
において十分な膜強度が得られないことから、特公平７
−１１５８９０号には、ガラス板表面に下地膜を形成し
た後にこの下地膜をガスイオン照射により処理し、この
下地膜の上に形成する被膜の付着力を向上させる方法が
開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、特公
平７−１１５８９０号に記載の方法は、下地膜を別個に
形成する必要があるため、薄膜を必要とされる膜数より
も１層余分に形成する必要があり、製造効率上難点があ
った。また、製造された薄膜付きガラス板も、照射され
たガスイオンを含む下地膜の存在により、薄膜全体の特
性が本来求められているものとは合致しない場合があっ
た。

【０００５】かかる事情に鑑み、本発明は、本来必要と
される薄膜の他に下地膜等を形成することなくガラス板
と薄膜の密着性を向上させた薄膜付きガラス板およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【問題点を解決するための手段】本発明者は、基板とな
るガラス板に特徴的な濃度分布をもって金属イオンを分
布させることにより、上記目的を達成できることを見い
出した。

【０００７】すなわち、請求項１に係る薄膜付きガラス
板は、ガラス板と、このガラス板の表面に形成した金属
薄膜または金属化合物薄膜とを有する薄膜付きガラス板
であって、前記ガラス板には、断面方向の濃度分布が前
記表面の近傍で最大となるように金属イオンを含有させ
て、前記表面におけるガラス板と薄膜との密着性を向上
させたことを特徴とする。また、請求項２に係る薄膜付
きガラス板は、請求項１に記載の薄膜付きガラス板にお
いて、前記薄膜は、ガラス板に含まれる前記金属イオン
と同種の金属を含むことを特徴とする。さらに、請求項
３に係る薄膜付きガラス板は、請求項１または２に記載
の薄膜付きガラス板において、前記金属イオンが、Ａ
ｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｈｆ、
Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｙ、ＺｒおよびＺｎからなる群のうちの少なく
とも１種を含むことを特徴とする。

【０００８】また、請求項４に係る薄膜付きガラス板の
製造方法は、ガラス板の表面に金属薄膜または金属化合
物薄膜を形成する薄膜付きガラス板の製造方法であっ
て、薄膜を形成する前に、加速した金属イオンを前記ガ
ラス板の薄膜を形成する表面に照射して、断面方向の濃
度分布が前記表面の近傍で最大となるように前記ガラス
板中に金属イオンを含有させることを特徴とする。

【０００９】請求項１に係る発明によれば、ガラス板表
面近傍に金属イオンが存在しているので、この表面上に
形成される金属薄膜または金属化合物薄膜とガラス板と
の付着が強固になり、密着性が向上する。この密着性の
向上には、ガラス板表面近傍の金属イオンと薄膜中の金
属との化学結合が寄与していると考えられる。また、同
発明によれば、下地膜による薄膜特性への影響が排除さ
れる。さらに、同発明によれば、金属イオンはガラス板
表面近傍において最大の濃度を有していてガラス板内部
の濃度が相対的に低いので、金属イオンによる薄膜付き
ガラス板の特性への影響は過度に至ることはない。すな
わち、ガラス板に金属イオンを均等に分布させて薄膜と
の密着性向上を図った場合よりも、薄膜付きガラス板の
光学特性等の変化（例えば可視光透過率の低減）は抑制
されている。

【００１０】請求項２に係る発明によれば、金属薄膜ま
たは金属化合物薄膜に、ガラス板に含まれる金属イオン
と同種の金属が含まれているので、ガラス板表面におけ
る化学結合がより大きく密着性に寄与する。

【００１１】請求項４に係る発明によれば、薄膜とガラ
ス板の密着性が向上した薄膜付きガラス板を効率的に製
造できる。すなわち、薄膜とガラス板との間に下地膜を
形成することなく薄膜の付着力を向上させることができ
る。下地膜は、その形成自体が製造効率上好ましくない
だけではなく、上述のように、薄膜の特性を変化させる
おそれがある。

【００１２】特に、請求項４に係る発明によれば、金属
イオンをガラス板表面に照射することによるガラス板表
面のエッチング効果（スパッタリング効果）もあり、単
にガラス板中に金属イオンを分散させただけでは得られ
ない大きな薄膜の付着力向上が得られる。すなわち、金
属イオンの照射は、ガラス板表面に付着している有機汚
染物質や吸着水の除去、およびダングリングボンドの生
成による基板表面の活性化にも効果があり、これら効果
はすべてガラス板とその上に形成する薄膜との付着力の
向上に寄与する。

【００１３】しかも、請求項４に係る発明によれば、ソ
ーダライムシリカガラス等アルカリ成分を含むガラス板
を用いた場合には、金属イオン注入によるガラス板中に
おけるアルカリ成分の分布変化が薄膜の付着力向上に寄
与する。すなわち、ガラス板表面近傍のソーダ（Ｎａ₂
Ｏ）等のアルカリ成分は、水分や炭酸ガスを吸収し溶
解しやすく、ガラス板と薄膜との密着性を悪化させる原
因となるが、ガラス板への金属イオン照射によりガラス
板表面近傍に含まれるアルカリ成分の濃度分布を低下さ
せることができるため、薄膜の付着力はアルカリ成分に
よる悪影響を受けない。また、ガラス板表面近傍で濃度
が最大となるように分布する金属イオンは、この近傍で
のアルカリ成分の濃度を最小にするとともに、相対的に
濃度が上昇したガラス板内部のアルカリ成分の表面への
溶出をも抑制する。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る薄膜付きガ
ラス板１の模式的断面図である。表面近傍で最大濃度を
示すように分布した金属イオンを含有するガラス板２の
表面に薄膜３が形成されている。なお、図１における金
属イオン４は、濃度分布を視覚的に明示するために模式
的に示してある。

【００１５】ここで、ガラス板２としては、使用目的に
応じて、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラ
ス、硼珪酸ガラス、リチウムアルミノシリケートガラ
ス、石英ガラス等を使用することができる。ソーダライ
ムガラス等アルカリ成分を含むガラスを用いると、上述
のようなアルカリ成分の薄膜への影響排除の効果が得ら
れる。

【００１６】また、薄膜３としては、金属薄膜または金
属化合物薄膜であれば特に限定されないが、代表的に
は、紫外線吸収薄膜、熱線反射薄膜、熱線吸収薄膜等の
太陽光線をコントロールするための薄膜、ガラス表面の
放射率を制御する低放射薄膜、通電によりガラス表面を
加熱するための導電性薄膜、可視光反射率を制御する低
反射薄膜、美観向上のための有色薄膜等を挙げることが
できる。この薄膜３は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃ、Ｃｅ、
Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚｒ、Ｚｎ等の
金属薄膜または金属化合物薄膜であり、金属化合物薄膜
としては、上記に例示される金属の酸化物薄膜、窒化物
薄膜、炭化物薄膜、珪化物薄膜、硼化物薄膜またはこれ
らの複合膜を挙げることができる。なお、本発明におい
ては、薄膜３は１層に限るものではなく、２層以上の多
層膜（例えば金属酸化物薄膜と銀薄膜を交互に積層した
低放射薄膜、高屈折率薄膜と低屈折率薄膜とを交互に積
層した低反射薄膜）でもよい。この場合は、最もガラス
板に近い薄膜が、ガラス板中に含まれる金属イオンと同
種の金属を含むことが好ましい。

【００１７】金属イオン４のガラス板中への分散は、電
圧印可により加速し、高エネルギーを付与した金属イオ
ン４をガラス板２の表面に照射してイオンをガラス板中
に注入すればよい。この金属イオン４の注入は、薄膜３
を形成する前に行われる。薄膜３を形成する前に行え
ば、薄膜３には金属イオン４が本質的には含有されない
ので、薄膜３の特性が変化することはない。なお、イオ
ン照射の工程は低圧に保った容器内において行われる
が、このイオン照射の後に容器内における低圧を保持し
たまま（場合によっては気圧を調整してから）続けてス
パッタリング法等のいわゆる真空成膜法を実施すること
が好ましい。製造効率が向上するばかりでなく、金属イ
オンによるエッチングによって形成された活性点を保持
して、ガラス板表面への大気中の汚染物質や水分の付着
を防止することができるからである。

【００１８】一般に、真空成膜法による薄膜は、密着性
が問題となるから、本発明による効果が顕著となる。例
えば、スパッタリング法は大面積ガラス板への成膜が容
易であるが、本発明の利用により高耐久性を有するスパ
ッタリング薄膜の形成が可能となる。また、アーク蒸着
法による薄膜は、硬度は高いものの膜中の内部応力が高
いため膜剥離が起こりやすいが、本発明の利用に高硬度
で耐久性に優れた薄膜の形成が可能となる。

【００１９】本発明者らは、種々の金属イオン照射実験
を繰り返し、金属イオン４がガラス板表面近傍にて最大
濃度となるような金属イオンの照射条件を見出した。こ
れらの条件は、具体的には、金属イオンの加速電圧、照
射角度、ドーズ量である。これらの条件は相互に密接に
関係するが、一般に好ましい条件を以下に例示する。

【００２０】金属イオンの照射角度としては、３５〜７
５゜が好ましい。金属イオンの分布はイオン照射角度に
最も依存し、一般的には、照射角度が３５゜よりも小さ
いとガラス板内部で金属イオンが最大濃度となり、一
方、照射角度が７５゜よりも大きいと金属イオンが効率
よく注入できない。ここで、照射角度とは、イオンの照
射方向とガラス板の法線のなす角度である。

【００２１】金属イオンの加速エネルギーとしては、１
０〜１４０ｋｅＶが好ましく、さらに好ましくは、２０
〜６０ｋｅＶである。金属イオンの濃度分布は、イオン
の注入深さとその際のガラス板表面のエッチング率によ
って決まるためイオンの加速エネルギーにも大きく依存
するが、一般的には、１０ｋｅＶ以下の加速電圧ではイ
オンの注入よりもガラス板表面のエッチングが支配的に
なり、一方、１４０ｋｅＶ以上の加速電圧では注入深さ
が深くなりすぎてガラス板表面のイオン濃度が最大にな
らない。

【００２２】注入する金属イオンのドーズ量としては、
５．０×１０¹⁵〜１×１０¹⁷ｉｏｎｓ／ｃｍ²が好まし
い。一般的に、ドーズ量が５．０×１０¹⁵ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ²より小さい場合にはガラス板中に十分に金属イオン
が注入されず、一方、１×１０¹⁷ｉｏｎｓ／ｃｍ²より
多い場合にはガラス板が着色したり、構造変化によるダ
メージ（クラックの発生）が生じ、イオン注入にも必要
以上に長時間を要する。

【００２３】本発明においては、上記のように諸条件を
調整して、ガラス板中の金属イオンの断面方向の濃度分
布がガラス板表面から５０ｎｍ以内の範囲で最大とする
ことが本発明の効果をより顕著にする上で好ましい。

【００２４】

【実施例】

（実施例１、２）厚さ２ｍｍで１００ｍｍ×１００ｍｍ
の石英ガラス板について、アルカリ洗剤による超音波洗
浄、上水超音波洗浄、純水超音波洗浄をこの順序で実施
した。この石英ガラス板をイオン注入装置を取り付けた
直流マグネトロンスパッタ装置内に設置し、真空ポンプ
で約１．０×１０^-5Ｔｏｒｒにまで排気した。次に、陰
極アーク放電を利用したイオン源を用いたイオン注入装
置により、石英ガラス板に対してＴｉイオン照射を実施
した。このときのＴｉイオンの加速電圧は３０ｋＶ（加
速エネルギーは６０ｋｅＶ）、ドーズ量は、５．０×１
０¹⁶ｉｏｎｓ／ｃｍ²とした。また、イオンの照射角度
は、ガラス板の法線との角度が６０゜（実施例１）と０
°（実施例２）の２方向から実施した。

【００２５】イオン照射終了後、スパッタ装置内に窒素
ガスを導入して圧力を約３．０×１０^-3Ｔｏｒｒに調整
し、装置内のＴｉターゲットに対して直流電源から電力
を印加することによってスパッタ成膜を開始した。電流
値が４．５Ａになるように調整し、所定の時間だけスパ
ッタ成膜を実施することによって厚さ約７０ｎｍのＴｉ
Ｎ膜を形成した。

【００２６】以上のように、Ｔｉイオンの照射角度が異
なるＴｉＮ膜を形成した薄膜付きガラス板について、テ
ーバー摩耗テストを実施した。テーバー摩耗テストには
テーバー試験器（ＴＡＢＥＲ社製ＭＯＤＥＬ５１３０）
を使用し、摩耗ホイール（ＣＳ−１０Ｆ）に４．９０Ｎ
（５００ｇｆ）の荷重をかけて膜面について１０００回
転の摩耗試験を実施した。テーバー摩耗テスト後の可視
光透過率およびヘイズ率を分光光度計（日立製作所製Ｕ
−３４００）およびヘイズメーター（スガ試験器製ＨＧ
Ｍ−２ＤＰ）を用いて測定し、摩耗テスト実施前に同じ
装置を用いて測定しておいた可視光透過率およびヘイズ
率と比較した。これらの測定結果を表１に示す。また、
上述のイオン照射条件でＴｉイオンを注入したガラス板
についてのガラス板断面方向のＴｉイオン濃度分布を図
２に示す。

【００２７】（比較例１）石英ガラス板に金属イオンを
照射する工程を省略した他は、実施例１、２と同様にし
て、ＴｉＮ膜付きガラス板を製造した。このＴｉＮ膜付
きガラス板について、実施例１、２と同様の特性評価を
実施した。この結果を表２に示す。

【００２８】表１、２に示したように、Ｔｉイオンの照
射の有無は、テーバー磨耗テスト実施前の可視光透過率
にほとんど影響を及ばさない。一方、テーバー摩耗テス
ト実施前後の可視光透過率変化およびヘイズ率変化は、
Ｔｉイオンを照射しない場合が５％を超えたのに対し、
Ｔｉイオンを照射した場合は５％以下となった。特に、
Ｔｉイオン照射角度が６０゜の実施例１においては、変
化量が３％以下であった。また、テーバー摩耗テスト実
施前後のヘイズ率変化も可視光透過率変化と同様の傾向
が認められた。なお、実施例１のＴｉＮ膜付きガラス板
は、摺動部に用いられる自動車用窓ガラスに求められる
耐摩耗性（５００ｇｆ荷重１０００回転テスト前後のヘ
イズ率変化が２％以下）を具備している。

【００２９】また、図２から、ガラス板表面に斜方から
イオン照射を実施すると、ガラス板表面に垂直にイオン
照射を実施した場合よりも、金属イオンがガラス板最表
面に集中することがわかる。すなわち、ガラス板に垂直
にイオンを注入した場合のイオン濃度分布が表面から５
０ｎｍ程度で最大となったのに対し、ガラス板の法線と
６０゜をなす角度からイオンを注入した場合のイオン濃
度分布はガラス板表面から１０ｎｍ以内において最大と
なった。

【００３０】（実施例３、４、比較例２）厚さ２ｍｍで
１００ｍｍ×１００ｍｍのソーダライムガラス板（市販
のフロートガラス）について、実施例１、２と同様の洗
浄工程およびイオン照射工程を実施した。Ｔｉイオンの
加速電圧、ドーズ量も、上記実施例と同様、それぞれ３
０ｋＶ（加速エネルギーは６０ｋｅＶ）、５．０×１０
¹⁶ｉｏｎｓ／ｃｍ²とした。また、イオンの照射角度は
ガラス板法線と６０°（実施例３）と０゜（実施例４）
の２方向から実施した。

【００３１】イオン照射終了後、スパッタ装置内にＡｒ
ガスを導入して圧力を約３．０×１０^-3Ｔｏｒｒに調整
し、装置内のＴｉターゲットに対して直流電源から電力
を印加することによってスパッタ成膜を開始した。電流
値が１．０Ａになるように調整し、所定の時間だけスパ
ッタ成膜を実施することによって厚さ約１０ｎｍのＴｉ
膜を形成した。

【００３２】その後、スパッタ装置内を真空ポンプで
１．０×１０^-5Ｔｏｒｒにまで排気してからＡｒガス５
０％と酸素ガス５０％の混合ガスを導入し、圧力を約
３．０×１０^-3Ｔｏｒｒに調整した。続いてスパッタ装
置内に取り付けてあるＴｉターゲットに対して直流電源
から電力を印加することによって反応性のスパッタ成膜
を開始し、２．５Ａの電流に調整した。所定の時間だけ
スパッタ成膜を実施することによって厚さ約１５ｎｍの
Ｔｉ酸化物膜を形成した。

【００３３】以上のように、Ｔｉイオンの照射角度が異
なるＴｉ膜／Ｔｉ酸化物膜を形成した薄膜付きガラス板
（実施例３、４）およびイオン照射を実施しないでＴｉ
膜／Ｔｉ酸化物膜を形成した薄膜付きガラス板（比較例
２）について、実施例１、２と同様に諸特性を評価し
た。これらの結果を表１、２に併せて示す。また、上述
のイオン照射条件でＴｉイオンを注入したソーダライム
ガラス板についてのガラス板断面方向のＮａ濃度分布を
図３に示す。

【００３４】表１、２に示したように、被膜の構成を変
更しても、ガラス板への金属イオンの照射は、被膜の耐
磨耗性を向上させる。特に、実施例３、４と比較例２と
では、テーバー摩耗テスト実施前後の可視光透過率変化
に大きな差異が認められる。

【００３５】また、図３から、ガラス板表面に斜方から
イオン照射を実施すると、ガラス板表面に垂直にイオン
照射を実施した場合よりも、ガラス板最表面でのＮａイ
オン濃度が減少することがわかる。

【００３６】（実施例５、比較例３）直流マグネトロン
装置の代わりにアークイオン蒸着装置を用いた他は、実
施例３、４と同様にして、ソーダライムガラス板にＴｉ
イオン照射を実施した。このときのイオンの照射は、ガ
ラス板法線と６０゜をなす方向から実施した。

【００３７】イオン照射終了後、アークイオン蒸着装置
内にＮ₂ガスを導入して圧力を約３．０×１０^-3Ｔｏｒ
ｒに調整し、装置内のＴｉカソードに対して直流電源か
ら１４０Ａの直流電流を流して放電電圧１８Ｖのアーク
放電を開始した。このアーク放電を所定の時間維持し、
アークイオン蒸着により厚さ４０ｎｍのＴｉＮ膜を形成
した。

【００３８】以上のように、ＴｉＮ膜を形成した薄膜付
きガラス板（実施例５）について、実施例１、２と同様
にして諸特性を評価した。この結果を表１に併せて示
す。一方、イオン照射を実施しないで同様にアークイオ
ン蒸着によりＴｉＮ膜を形成した薄膜付きガラス板（比
較例３）は、大気中に取り出した時点でＴｉＮ膜がガラ
ス板から剥離した。

【００３９】（実施例６〜１２）金属イオンを照射する
工程における金属イオンの加速電圧、ドーズ量、照射角
度を適宜変更した他は、実施例１と同様の手順でソーダ
ライムガラス板にイオン照射処理を実施し、また、実施
例１と同様のスパッタリング法によりＴｉＮ膜を形成し
て、ＴｉＮ膜付きガラス板を製造した（実施例６〜１
２）。これらの薄膜付きガラス板について、実施例１と
同様に諸特性を評価した。これらの結果を表１に併せて
示す。

【００４０】（実施例１３〜１６）照射する金属イオン
種を適宜変更し、また、スパッタリング法に使用するタ
ーゲットの種類を照射する金属イオン種により適宜変更
して、ソーダライムガラス板上に、実施例１と同様の手
順で、各種薄膜を形成した（実施例１３〜１６）。これ
らの薄膜付きガラス板についても、実施例１と同様にし
て諸特性を評価した。一方、実施例１３〜１６におい
て、各種金属イオンを照射せずに薄膜を形成したガラス
板（比較例４〜７）についても、同様の特性評価を実施
した。これらの結果を表１、２に併せて示す。表１、２
より、各種薄膜についても耐摩耗性の向上が認められ
た。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、薄膜付きガラス板にお
ける薄膜の耐摩耗性を向上させる。

【００４２】請求項１に係る発明によれば、金属薄膜ま
たは金属化合物薄膜とガラス板との付着が強固になり、
密着性が向上する。したがって、内部応力の大きな薄膜
にも良好な耐摩耗性を付与することができる。また、同
発明によれば、下地膜を形成することなく薄膜の密着性
を向上させているので、薄膜の特性が全体として変化せ
ず、膜特性の制御も容易である。さらに、同発明によれ
ば、薄膜の密着性の改善を薄膜付きガラス板の光学特性
等を大きく変化させずに実現することができる。薄膜の
密着性のさらなる改善は、請求項２に係る発明により達
成される。

【００４３】請求項４に係る発明によれば、薄膜とガラ
ス板の密着性が向上した薄膜付きガラス板を下地膜を設
けることなく効率的に製造できる。また、金属イオンに
よるガラス板表面のエッチング（スパッタリング）、有
機汚染物質等の除去、ダングリングボンドの生成による
基板表面の活性化等により、ガラス板とその上に形成す
る薄膜との付着力の一層の向上が実現する。さらに、同
発明において、ソーダライムシリカガラス等アルカリ成
分を含むガラス板を用いた場合には、ガラス板表面近傍
に含まれるアルカリ成分の濃度分布を低下することがで
きるため、薄膜の付着力はアルカリ成分により阻害され
ない。ガラス板表面近傍の金属イオンは、ガラス板内部
のアルカリ成分の表面への溶出をも抑制する。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜付きガラス板の模式的断面
図である。

【図２】ガラス板にイオンを注入するときのガラス板
断面方向のイオン濃度分布に対するイオン照射角度の影
響を示す図である。

【図３】ソーダライムシリカガラス板にイオンを注入
したときのガラス板断面方向のＮａ分布に対するイオン
照射角度の影響を示す図である。

【符号の簡単な説明】

１：薄膜付きガラス板、２：ガラス板、３：薄膜、４：
金属イオン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者角俊雄兵庫県伊丹市鴻池字街道下１番日本板硝子テクノリサーチ株式会社内 (72)発明者熊切正兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目３番１号株式会社神戸製鋼所高砂製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス板と、このガラス板の表面に形成
した金属薄膜または金属化合物薄膜とを有する薄膜付き
ガラス板であって、前記ガラス板には、断面方向の濃度
分布が前記表面の近傍で最大となるように金属イオンを
含有させて、この表面におけるガラス板と薄膜との密着
性が向上するようにしたことを特徴とする薄膜付きガラ
ス板。
【請求項２】前記薄膜は、ガラス板に含まれる前記金
属イオンと同種の金属を含む請求項１に記載の薄膜付き
ガラス板。
【請求項３】前記金属イオンが、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、
Ｃ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍ
ｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚ
ｒおよびＺｎからなる群のうちの少なくとも１種を含む
請求項１または２に記載の薄膜付きガラス板。
【請求項４】ガラス板の表面に金属薄膜または金属化
合物薄膜を形成する薄膜付きガラス板の製造方法であっ
て、薄膜を形成する前に、加速した金属イオンを前記ガ
ラス板の薄膜を形成する表面に照射して、断面方向の濃
度分布が前記表面の近傍で最大となるように前記ガラス
板中に金属イオンを含有させることを特徴とする薄膜付
きガラス板の製造方法。