JPH07115890B2 - ガラス基体面への薄膜形成方法 - Google Patents
ガラス基体面への薄膜形成方法Info
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- JPH07115890B2 JPH07115890B2 JP30552586A JP30552586A JPH07115890B2 JP H07115890 B2 JPH07115890 B2 JP H07115890B2 JP 30552586 A JP30552586 A JP 30552586A JP 30552586 A JP30552586 A JP 30552586A JP H07115890 B2 JPH07115890 B2 JP H07115890B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、ガラス基体面への薄膜の形成方法特にガラス
基体面と薄膜との付着性を向上させた薄膜形成方法に関
するものである。
基体面と薄膜との付着性を向上させた薄膜形成方法に関
するものである。
［従来の技術］ 従来、比較的低温のガラス基体への無機質被膜や金属質
被膜の形成手段として真空蒸着法、スパッター法やイオ
ンプレーティングなどが使われてきた。中でもスパッタ
ー法は、比較的低温の基体にもほとんどあらゆる材料の
膜形成が可能であり、しかもその膜厚、膜質、組成制御
も容易であることから、生産技術としても様々な用途に
使われてきた。スパッター法においては、基体に到達す
る粒子の運動エネルギーが、だいたい１〜100eVの範囲
にあり、通常の真空蒸着法の0.1〜1eVに比べると高く、
よって基体に対する膜の付着力も真空蒸着法に比べると
優れていることは経験的に知られていた。
被膜の形成手段として真空蒸着法、スパッター法やイオ
ンプレーティングなどが使われてきた。中でもスパッタ
ー法は、比較的低温の基体にもほとんどあらゆる材料の
膜形成が可能であり、しかもその膜厚、膜質、組成制御
も容易であることから、生産技術としても様々な用途に
使われてきた。スパッター法においては、基体に到達す
る粒子の運動エネルギーが、だいたい１〜100eVの範囲
にあり、通常の真空蒸着法の0.1〜1eVに比べると高く、
よって基体に対する膜の付着力も真空蒸着法に比べると
優れていることは経験的に知られていた。
しかしながら、大面積のガラス板のように、高温に加熱
できない場合においては得られた膜の付着力が高耐久性
の要求される用途によっては実用的に不十分な場合があ
った。また、基体加熱以外のガラス基体面への無機質膜
又は金属質膜の付着力改善方法として、ガラスに対する
付着力の強い材料を下地膜として用いるとか、ガラス表
面の洗浄方法を工夫するとか、あるいは膜形成前にグロ
ー放電プラズマによるイオンボンバード処理を施すなど
の方法があるが、いずれの方法でも大きな付着力改善効
果は得られなかった。
できない場合においては得られた膜の付着力が高耐久性
の要求される用途によっては実用的に不十分な場合があ
った。また、基体加熱以外のガラス基体面への無機質膜
又は金属質膜の付着力改善方法として、ガラスに対する
付着力の強い材料を下地膜として用いるとか、ガラス表
面の洗浄方法を工夫するとか、あるいは膜形成前にグロ
ー放電プラズマによるイオンボンバード処理を施すなど
の方法があるが、いずれの方法でも大きな付着力改善効
果は得られなかった。
また、蒸着中やスパッタ中に基体に直流バイアスや高周
波バイアスをかけ、成膜中の基体へのイオンボンバード
効果により付着力を改善できるという方法（いわゆるイ
オンプレーティング法）も従来より試みられてきてお
り、ある程度成果をおさめていた。しかしながら、イオ
ンプレーティング法における粒子のエネルギーもたかだ
か数百eVであり、得られる付着力改善にも限度があっ
た。特に、厳しい環境条件（熱、水、光の作用）下で使
われる場合など、膜の構造的変化や、基体と膜との熱膨
脹係数の違いによる応力発生、水分侵入による化学的な
変化などにより初期の付着力が保存されない場合があっ
た。
波バイアスをかけ、成膜中の基体へのイオンボンバード
効果により付着力を改善できるという方法（いわゆるイ
オンプレーティング法）も従来より試みられてきてお
り、ある程度成果をおさめていた。しかしながら、イオ
ンプレーティング法における粒子のエネルギーもたかだ
か数百eVであり、得られる付着力改善にも限度があっ
た。特に、厳しい環境条件（熱、水、光の作用）下で使
われる場合など、膜の構造的変化や、基体と膜との熱膨
脹係数の違いによる応力発生、水分侵入による化学的な
変化などにより初期の付着力が保存されない場合があっ
た。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、前述のような従来技術が有していた膜
のガラスに対する付着力の不十分な点を解消しようとす
るものである。また、同時に、膜自身の構造的改質によ
り膜のその他の機械的性質、化学的安定性などを改善す
ることも目的とする。
のガラスに対する付着力の不十分な点を解消しようとす
るものである。また、同時に、膜自身の構造的改質によ
り膜のその他の機械的性質、化学的安定性などを改善す
ることも目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、あらかじめスパッタ法などによりガラス基体上に薄
い無機質又は金属質の下地膜を形成し、その上から高エ
ネルギーの加速イオンを照射するイオン打込み処理を施
すことによって、ガラス基体面と下地膜との境界に、打
込んだイオンと、下地膜材料と基体材料の混合層を形成
することによって、ガラスに対する下地膜の付着力を高
め、次いで所望の上層膜を形成することによって、付着
力の著しく優れた膜を形成する方法を提供するものであ
る。
り、あらかじめスパッタ法などによりガラス基体上に薄
い無機質又は金属質の下地膜を形成し、その上から高エ
ネルギーの加速イオンを照射するイオン打込み処理を施
すことによって、ガラス基体面と下地膜との境界に、打
込んだイオンと、下地膜材料と基体材料の混合層を形成
することによって、ガラスに対する下地膜の付着力を高
め、次いで所望の上層膜を形成することによって、付着
力の著しく優れた膜を形成する方法を提供するものであ
る。
基体と下地膜との付着力を高める最も有効な方法は、両
者の間に、両者の混合層を形成し、明瞭な境界をなくし
てしまうことと考えられる。金属同志のように熱的に相
互拡散しやすい材料の組みあわせ、例えばCuとNiの組み
合せにおいては、この混合層の形成は比較的容易である
が、ガラス基体と無機膜、特に窒化膜や、酸化膜、炭化
膜、硼化膜や珪化膜など無機質膜との組み合せにおいて
は、熱的に混合層を作ることは難しく、したがって、物
理的に混ぜ合わせることが最良と考えられる。本発明で
は、ガラス基体との無機膜の間に混合境界層を形成する
のに、高エネルギーのイオン打込みを利用したものであ
り、金属・無機質の組合せ、無機質同志の組合せの混合
境界層を形成するのに最も有効な方法である。
者の間に、両者の混合層を形成し、明瞭な境界をなくし
てしまうことと考えられる。金属同志のように熱的に相
互拡散しやすい材料の組みあわせ、例えばCuとNiの組み
合せにおいては、この混合層の形成は比較的容易である
が、ガラス基体と無機膜、特に窒化膜や、酸化膜、炭化
膜、硼化膜や珪化膜など無機質膜との組み合せにおいて
は、熱的に混合層を作ることは難しく、したがって、物
理的に混ぜ合わせることが最良と考えられる。本発明で
は、ガラス基体との無機膜の間に混合境界層を形成する
のに、高エネルギーのイオン打込みを利用したものであ
り、金属・無機質の組合せ、無機質同志の組合せの混合
境界層を形成するのに最も有効な方法である。
特に、本発明では薄い膜をまずガラス基体面上に下地膜
として形成し、その上から高エネルギーのイオンを打込
んでガラス基体とその下地膜の境界近傍に混合層を形成
し、ガラス基体上に形成する無機質膜又は金属質膜、特
に無機質膜の付着力改善を図る方法である。
として形成し、その上から高エネルギーのイオンを打込
んでガラス基体とその下地膜の境界近傍に混合層を形成
し、ガラス基体上に形成する無機質膜又は金属質膜、特
に無機質膜の付着力改善を図る方法である。
第１図は、本発明を説明するためのガラス基体の断面の
表面状態を示す図面であり、（ａ）は下地膜１が形成さ
れたガラス基体２を示し、（ｂ）は下地膜１の上からイ
オン打込み処理により下地膜１とガラス基体２面との間
に混合境界層３が形成されたガラス基体２、（ｃ）はイ
オン打込み処理を施した表面に上層膜４を形成したガラ
ス基体２を示す。
表面状態を示す図面であり、（ａ）は下地膜１が形成さ
れたガラス基体２を示し、（ｂ）は下地膜１の上からイ
オン打込み処理により下地膜１とガラス基体２面との間
に混合境界層３が形成されたガラス基体２、（ｃ）はイ
オン打込み処理を施した表面に上層膜４を形成したガラ
ス基体２を示す。
本発明において、下地膜１を形成するガラス基体２とし
ては、使用目的に応じてソーダライムシリケートガラ
ス、アルミノシリケートガラス、硼珪酸塩ガラス、リシ
ウムアルミノシリケートガラス、石英ガラスなどが使用
される。
ては、使用目的に応じてソーダライムシリケートガラ
ス、アルミノシリケートガラス、硼珪酸塩ガラス、リシ
ウムアルミノシリケートガラス、石英ガラスなどが使用
される。
又、下地膜１としては、使用目的に応じて金属質又は無
機質からなる薄膜、例えば、Ti,Cr,Zr,Hf,Ta,Nb,Si,Al,
Mo,Ni,Fe,Coなどの金属単体もしくは、これらの少なく
とも一種の金属元素を含む合金、例えばSUS,Ti合金など
の金属質薄膜、又は炭素膜、又は硼素膜、又は酸化物
膜、窒化物膜、炭化物膜、硼化物膜、珪化物膜、又は、
酸素、窒素、炭素、硼素、珪素の少なくとも２種を含む
例えば多元化物膜、例えば炭化硼化物膜、窒化硼化物
膜、窒化珪素膜、炭化珪素膜、あるいは上記各種物質の
複合膜などが選ばれる。
機質からなる薄膜、例えば、Ti,Cr,Zr,Hf,Ta,Nb,Si,Al,
Mo,Ni,Fe,Coなどの金属単体もしくは、これらの少なく
とも一種の金属元素を含む合金、例えばSUS,Ti合金など
の金属質薄膜、又は炭素膜、又は硼素膜、又は酸化物
膜、窒化物膜、炭化物膜、硼化物膜、珪化物膜、又は、
酸素、窒素、炭素、硼素、珪素の少なくとも２種を含む
例えば多元化物膜、例えば炭化硼化物膜、窒化硼化物
膜、窒化珪素膜、炭化珪素膜、あるいは上記各種物質の
複合膜などが選ばれる。
例えば、熱線反射ガラスや反射鏡として使用する場合に
は、下地膜としてTi,Crなどの金属単体やTi合金、SUSな
どの金属質や、酸化物、窒化物、炭化物などの無機質が
選ばれ、反射防止ガラスとして使用する場合には、下地
膜として酸化物などの無機質が選ばれ、又フォトマスク
ブランクスとして使用する場合には、下地膜としてCr単
体やCr合金などの金属質や窒化物、炭化物、酸化物、珪
化物又はこれらの多元化物が使用され、又ガラス磁気デ
ィスクとして使用する場合には、下地膜としてCr、フェ
ライト、Co−Fe合金、Cr−Fe合金などが使用され、又導
電性ガラスとして使用する場合には、下地膜として導電
性の酸化物などが使用される。
は、下地膜としてTi,Crなどの金属単体やTi合金、SUSな
どの金属質や、酸化物、窒化物、炭化物などの無機質が
選ばれ、反射防止ガラスとして使用する場合には、下地
膜として酸化物などの無機質が選ばれ、又フォトマスク
ブランクスとして使用する場合には、下地膜としてCr単
体やCr合金などの金属質や窒化物、炭化物、酸化物、珪
化物又はこれらの多元化物が使用され、又ガラス磁気デ
ィスクとして使用する場合には、下地膜としてCr、フェ
ライト、Co−Fe合金、Cr−Fe合金などが使用され、又導
電性ガラスとして使用する場合には、下地膜として導電
性の酸化物などが使用される。
又、イオン打込み処理の施された表面に形成される上層
膜４としては、使用目的に応じて各種の材質からなる膜
が選ばれる。例えば、下地膜として例示した各種材質の
膜も利用できるし、又、その他の材質からなる膜も利用
できる。又、上層膜は下地膜と同種のものを用いてもよ
いし、又、異なる材質のものを用いてもよい。特に、本
発明を効果的に利用できるようにするためには、耐久性
に優れた材質からなる上層膜が最適である。かかる上層
膜は目的に応じて一層としてもよいし、あるいは多層と
してもよい。
膜４としては、使用目的に応じて各種の材質からなる膜
が選ばれる。例えば、下地膜として例示した各種材質の
膜も利用できるし、又、その他の材質からなる膜も利用
できる。又、上層膜は下地膜と同種のものを用いてもよ
いし、又、異なる材質のものを用いてもよい。特に、本
発明を効果的に利用できるようにするためには、耐久性
に優れた材質からなる上層膜が最適である。かかる上層
膜は目的に応じて一層としてもよいし、あるいは多層と
してもよい。
以下に、本発明により形成される最適な膜構成のいくつ
かについて例示する。
かについて例示する。
（１）熱線反射ガラス TiO2/TiN/TiO2/ガラス （２）反射鏡 Al/Al2O3/ガラス （３）反射防止ガラス SiO2/ZrO2/Al2O3ガラス （４）電導性ガラス ITO/SiO2/ガラス （５）フォトマスクブランクス CrN/ガラス （６）ガラス磁気ディスク C/CoNiCr/ガラス 本発明において、ガラス基体に形成された下地膜に照射
する加速イオンのエネルギーは下地膜の厚みによって変
える必要がある。イオンのもぐり込み深さはエネルギー
に依存するので、イオンが下地膜とガラス基体の境界近
傍に到達するように下地膜の厚みに応じて打込むイオン
のエネルギーを選択しなければならない。あるいはエネ
ルギーをあまり大きく変えられない場合にはその可能な
イオンのエネルギーに応じた膜厚を選択しなければなら
ない。つまり、エネルギーが大きくとれるほど、下地膜
の厚みを厚くすることができる。本発明においては、打
込む加速イオンの必要なエネルギー範囲は10〜200eVで
あり、好ましくは20〜50KeVである。これ以下のエネル
ギーでは、イオンのもぐり込みが小さくなり、下地膜の
スパッタ効果が大きくなるためであり、又、これ以上の
エネルギーはイオンガンのコストも高くなるためであ
る。従って、下地膜の厚みとしては、20〜1000Å、好ま
しくは50〜500Åとなる。薄すぎては、下地膜としての
役割を果さなくなるし、厚すぎではイオンが下地膜とガ
ラスの基体面の境界に到達しなくなるためである。
する加速イオンのエネルギーは下地膜の厚みによって変
える必要がある。イオンのもぐり込み深さはエネルギー
に依存するので、イオンが下地膜とガラス基体の境界近
傍に到達するように下地膜の厚みに応じて打込むイオン
のエネルギーを選択しなければならない。あるいはエネ
ルギーをあまり大きく変えられない場合にはその可能な
イオンのエネルギーに応じた膜厚を選択しなければなら
ない。つまり、エネルギーが大きくとれるほど、下地膜
の厚みを厚くすることができる。本発明においては、打
込む加速イオンの必要なエネルギー範囲は10〜200eVで
あり、好ましくは20〜50KeVである。これ以下のエネル
ギーでは、イオンのもぐり込みが小さくなり、下地膜の
スパッタ効果が大きくなるためであり、又、これ以上の
エネルギーはイオンガンのコストも高くなるためであ
る。従って、下地膜の厚みとしては、20〜1000Å、好ま
しくは50〜500Åとなる。薄すぎては、下地膜としての
役割を果さなくなるし、厚すぎではイオンが下地膜とガ
ラスの基体面の境界に到達しなくなるためである。
又、イオン打込み処理におけるイオンのドーズ量として
は１×1015〜１×1018ions/cm2の範囲が本発明において
は最適である。イオンのドーズ量が１×1015より低い場
合には、注入量が少ないため、十分なミキシング効果が
得られず好ましくなく、又１×1018ions/cm2より高い場
合には、処理時間が長くなるとともに、膜そのものの変
質が著しくなり好ましくない。
は１×1015〜１×1018ions/cm2の範囲が本発明において
は最適である。イオンのドーズ量が１×1015より低い場
合には、注入量が少ないため、十分なミキシング効果が
得られず好ましくなく、又１×1018ions/cm2より高い場
合には、処理時間が長くなるとともに、膜そのものの変
質が著しくなり好ましくない。
下地膜にイオン打込みを施した後で、上層膜を形成する
が、下地膜と上層膜の付着力を十分強くするためには、
下地膜形成工程、イオン打込み工程、上層膜形成工程の
３つの工程を真空を破ることなく、同一真空装置内、即
ちオンライン型の真空装置内で連続処理することが特に
好ましい。下地膜を形成した後、あるいはイオン打込み
を施した後で、基体を大気にさらすと、空気中の水分や
油脂分が付着し、付着力を低下させる要因となるからで
ある。下地膜及び上層膜の形成方法は、PVD法（真空を
利用した物理的薄膜形成技術）であれば、何でもよく、
特に限定するものではないが、大面積のガラスへのコー
ティング方法としては、スパッタ法特にプレーナーマグ
ネトロンスパッタ法が膜の均一性、再現性、生産性など
の点で優れている。
が、下地膜と上層膜の付着力を十分強くするためには、
下地膜形成工程、イオン打込み工程、上層膜形成工程の
３つの工程を真空を破ることなく、同一真空装置内、即
ちオンライン型の真空装置内で連続処理することが特に
好ましい。下地膜を形成した後、あるいはイオン打込み
を施した後で、基体を大気にさらすと、空気中の水分や
油脂分が付着し、付着力を低下させる要因となるからで
ある。下地膜及び上層膜の形成方法は、PVD法（真空を
利用した物理的薄膜形成技術）であれば、何でもよく、
特に限定するものではないが、大面積のガラスへのコー
ティング方法としては、スパッタ法特にプレーナーマグ
ネトロンスパッタ法が膜の均一性、再現性、生産性など
の点で優れている。
又、上層膜の形成方法としては、非常に硬い膜が得られ
るが、その反面膜の内部応力が高くなり、又膜厚が厚く
なると剥離が生じやすくなるアーク蒸着法が上記下地膜
のイオン打込み処理との組合せにより上記点が改善さ
れ、適用可能となる。特に、この組合せによりガラス基
体面上に強い付着力を有し、かつ非常に硬く、又剥離が
生ずることのない耐久性に優れた膜を得ることが可能と
なる。
るが、その反面膜の内部応力が高くなり、又膜厚が厚く
なると剥離が生じやすくなるアーク蒸着法が上記下地膜
のイオン打込み処理との組合せにより上記点が改善さ
れ、適用可能となる。特に、この組合せによりガラス基
体面上に強い付着力を有し、かつ非常に硬く、又剥離が
生ずることのない耐久性に優れた膜を得ることが可能と
なる。
［作用］ 本発明の方法により、下地膜とガラス基体との間に境界
層が形成されると、下地膜と基体の境界が乱れた、はっ
きりしない状態となる。これは膜の付着力の改善に大き
な効果をもたらすと考えられる。通常、例えば、各種酸
化膜や窒化膜、炭化膜、硼化膜、珪化膜、BN膜、B4C
膜、Ｃ膜、Ｂ膜などの内部応力の大きな膜をガラス基体
上に形成する場合、その強い内部応力のために、相当付
着力が強くないと、膜はがれを生じるが、はがれを生じ
ないまでもその機械的強度は、内部応力による付着力の
低下のために、十分ではなくなってしまう。理由は、膜
の内部応力が、膜と基体の境界に集中するため膜の付着
力の低下をもたらすと考えられる。ところが本発明のよ
うに、イオン打込みにより境界層を形成し、しかもその
境界を乱してぼかすようにすると、膜の応力の境界への
集中を回避でき、その結果として付着力の低下も防止で
きると考えられる。また、厳しい環境下（熱，水，光）
でも、付着力低下を防止できるのではないかと考えられ
る。
層が形成されると、下地膜と基体の境界が乱れた、はっ
きりしない状態となる。これは膜の付着力の改善に大き
な効果をもたらすと考えられる。通常、例えば、各種酸
化膜や窒化膜、炭化膜、硼化膜、珪化膜、BN膜、B4C
膜、Ｃ膜、Ｂ膜などの内部応力の大きな膜をガラス基体
上に形成する場合、その強い内部応力のために、相当付
着力が強くないと、膜はがれを生じるが、はがれを生じ
ないまでもその機械的強度は、内部応力による付着力の
低下のために、十分ではなくなってしまう。理由は、膜
の内部応力が、膜と基体の境界に集中するため膜の付着
力の低下をもたらすと考えられる。ところが本発明のよ
うに、イオン打込みにより境界層を形成し、しかもその
境界を乱してぼかすようにすると、膜の応力の境界への
集中を回避でき、その結果として付着力の低下も防止で
きると考えられる。また、厳しい環境下（熱，水，光）
でも、付着力低下を防止できるのではないかと考えられ
る。
付着力の改善方法として、化学的な結合力を増すという
ことも効果があるが、上記のように内部応力の強い膜を
形成する場合には、十分とは言えない。膜が薄い場合
や、内部応力の小さい膜の場合は有効と考えられる。
ことも効果があるが、上記のように内部応力の強い膜を
形成する場合には、十分とは言えない。膜が薄い場合
や、内部応力の小さい膜の場合は有効と考えられる。
実施例 ［実施例１］ ガラス基体として10cm角のソーダライムガラス基体を用
意し、炭酸カルシウム粉末研磨、流水すすぎ、中性洗剤
による洗浄、流水すすぎ、蒸留水すすぎ、エタノールす
すぎ、N2乾燥の手順で洗浄した。このガラス基体をイン
ライン型のスパッタ装置にセットし、Ar雰囲気中でのTi
のスパッタにより、300ÅのTi膜を形成した。次いで真
空を破ることなくをN+イオンの注入がおこなえるゾーン
に移動し、エネルギー20KeV、ドーズ量３×1016ions/cm
2の条件でイオン打込み処理をほどこした。その後もう
一度スパッタ部に移動し、TiN膜をAr＋N2混合ガス雰囲
気中で1000Å形成した。その結果得られた膜は金色の反
射色を呈し、膜はくりや目立つピンホールも見られなか
った。このガラスは高耐久性金色表面鏡や装飾ガラスと
して有用である。
意し、炭酸カルシウム粉末研磨、流水すすぎ、中性洗剤
による洗浄、流水すすぎ、蒸留水すすぎ、エタノールす
すぎ、N2乾燥の手順で洗浄した。このガラス基体をイン
ライン型のスパッタ装置にセットし、Ar雰囲気中でのTi
のスパッタにより、300ÅのTi膜を形成した。次いで真
空を破ることなくをN+イオンの注入がおこなえるゾーン
に移動し、エネルギー20KeV、ドーズ量３×1016ions/cm
2の条件でイオン打込み処理をほどこした。その後もう
一度スパッタ部に移動し、TiN膜をAr＋N2混合ガス雰囲
気中で1000Å形成した。その結果得られた膜は金色の反
射色を呈し、膜はくりや目立つピンホールも見られなか
った。このガラスは高耐久性金色表面鏡や装飾ガラスと
して有用である。
一方、直接ガラス基体にスパッタ方によりTiN膜1000Å
形成したところ、膜がすべて自然剥離してしまった。
形成したところ、膜がすべて自然剥離してしまった。
注2.の処理条件 加速イオンの照射時のエネルギー:20KeV イオンのドーズ量:3×1016ions/cm2 3.の処理条件 加速イオンの照射時のエネルギー:20KeV イオンのドーズ量:1×1017ions/cm2 ［実施例２］ ソーダライムガラス板を用意し、炭酸カルシウム粉末研
磨、流水すすぎ、中性洗剤による洗浄、流水すすぎ、蒸
留水すすぎ、エタノールすすぎ、N2乾燥の手順で洗浄し
た。このガラス基体をインライン型のプイレナーマグネ
トロンスパッタ装置にセットした。Arガス中で、Tiをタ
ーゲットとしてスパッタ法により基板を移動させながら
Tiを50Å形成した。次いでTiターゲットの隣り位置に取
り付けられているイオンガンを用い、基板を移動させな
がらTi膜のうえに0+イオンの打込み処理をほどこした。
条件はイオンのエネルギーが20KeV、ドーズ量が１×10
17ions/cm2である。これにより膜はほぼ透明化した。こ
の上に反応性スパッタ法により、Ar＋O2雰囲気中でTiO2
膜を400Å形成し、次いで、さらにイオンガンの隣り位
置に取り付けられているアーク蒸発源を用い、基板を移
動させながら硬度の大きいZrN膜を100Å形成した。つい
で基板を移動させながらTiO2膜500Åを形成し、TiO2/Zr
N/TiO2/ガラスの３層膜を形成した。この方法で得られ
た膜は、非常に強い付着力と硬さと、高い可視光透過率
（TV〜73％）、大きな太陽光遮断性能し（TE〜48％）を
示した。
磨、流水すすぎ、中性洗剤による洗浄、流水すすぎ、蒸
留水すすぎ、エタノールすすぎ、N2乾燥の手順で洗浄し
た。このガラス基体をインライン型のプイレナーマグネ
トロンスパッタ装置にセットした。Arガス中で、Tiをタ
ーゲットとしてスパッタ法により基板を移動させながら
Tiを50Å形成した。次いでTiターゲットの隣り位置に取
り付けられているイオンガンを用い、基板を移動させな
がらTi膜のうえに0+イオンの打込み処理をほどこした。
条件はイオンのエネルギーが20KeV、ドーズ量が１×10
17ions/cm2である。これにより膜はほぼ透明化した。こ
の上に反応性スパッタ法により、Ar＋O2雰囲気中でTiO2
膜を400Å形成し、次いで、さらにイオンガンの隣り位
置に取り付けられているアーク蒸発源を用い、基板を移
動させながら硬度の大きいZrN膜を100Å形成した。つい
で基板を移動させながらTiO2膜500Åを形成し、TiO2/Zr
N/TiO2/ガラスの３層膜を形成した。この方法で得られ
た膜は、非常に強い付着力と硬さと、高い可視光透過率
（TV〜73％）、大きな太陽光遮断性能し（TE〜48％）を
示した。
［発明の効果］ 本発明によれば、下記のような効果が発揮され、各種用
途の薄膜付ガラス基体、例えば熱線反射ガラス、着色ガ
ラス、低輻射ガラス、反射防止ガラス。反射鏡、その他
各種用途のガラス基体を構造するのに有用である。
途の薄膜付ガラス基体、例えば熱線反射ガラス、着色ガ
ラス、低輻射ガラス、反射防止ガラス。反射鏡、その他
各種用途のガラス基体を構造するのに有用である。
（１）ガラス基体を高温に加熱しなくても付着力の強い
膜が形成できる。
膜が形成できる。
（２）膜の耐擦傷性が向上する。
（３）化学的な耐久性が向上する。
（４）付着力が強いので、内部応力の大きな膜（例えば
TiN）の厚膜を形成できる。
TiN）の厚膜を形成できる。
第１図は本発明の方法を説明するためのガラス基体の断
面の表面状態を示す説明図である。図において、１は下
地膜、２はガラス基体、３は混合境界層、４は上層膜を
示している。
面の表面状態を示す説明図である。図において、１は下
地膜、２はガラス基体、３は混合境界層、４は上層膜を
示している。
Claims (10)
- 【請求項１】ガラス基体面上に無機質又は金属質からな
る下地膜を形成した後、該下地膜面に高エネルギーの加
速イオンを照射してイオン打込み処理を施し、次いでイ
オン打込み処理の施された表面に所望の上層膜を形成す
ることを特徴とするガラス基体面への薄膜形成方法。 - 【請求項２】１〜200KeVの加速イオンを照射してイオン
打込み処理を施すことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のガラス基体面への薄膜形成方法。 - 【請求項３】イオン打込み処理におけるイオンのドーズ
量が１×1015〜1018ions/cm2であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のガラス基体面への薄膜形成方
法。 - 【請求項４】下地膜の形成工程、イオン打込み処理工程
及び上層膜の形成工程を、ガラス基板を大気にさらすこ
となく真空中で連続して行なうことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のガラス基体面への薄膜形成方法。 - 【請求項５】ガラス基体を水平方向に移動させながら下
地膜の形成、イオン打込み処理及び上層膜の形成を行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のガラス
基体面への薄膜形成方法。 - 【請求項６】下地膜及び上層膜をスパッター法により形
成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のガ
ラス基体面への薄膜形成方法。 - 【請求項７】上層膜の一部をアーク蒸着法により形成す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のガラス
基体面への薄膜形成方法。 - 【請求項８】下地膜の厚さが20〜1000Å以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のガラス基体面
への薄膜形成方法。 - 【請求項９】下地膜が、Ti,Cr,Zr,Hf,Ta,Nb,Si,Al,Mo,N
i,Fe,Coの少なくとも一種の金属元素を含む金属質から
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のガラ
ス基体面への薄膜形成方法。 - 【請求項１０】下地膜が、酸化物、窒化物、炭化物、硼
化物、珪化物、炭化硼化物、窒化硼化物、炭素、硼素の
少なくとも一種を含む無機質からなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のガラス基体面への薄膜形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30552586A JPH07115890B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | ガラス基体面への薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30552586A JPH07115890B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | ガラス基体面への薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63159237A JPS63159237A (ja) | 1988-07-02 |
| JPH07115890B2 true JPH07115890B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=17946194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30552586A Expired - Fee Related JPH07115890B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | ガラス基体面への薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115890B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06102558B2 (ja) * | 1987-05-29 | 1994-12-14 | セントラル硝子株式会社 | 色ガラス板 |
| JP2820253B2 (ja) * | 1988-04-14 | 1998-11-05 | 富士通株式会社 | 磁気ディスク基板及びその製造方法 |
| RU2152911C2 (ru) * | 1994-04-05 | 2000-07-20 | Дзе Юниверсити Оф Квинсленд | Способ нанесения покрытия на непроводящее основание (варианты) |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP30552586A patent/JPH07115890B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63159237A (ja) | 1988-07-02 |
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