JPS59204542A - 透明導電性膜の形成方法 - Google Patents

透明導電性膜の形成方法

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JPS59204542A
JPS59204542A JP7995283A JP7995283A JPS59204542A JP S59204542 A JPS59204542 A JP S59204542A JP 7995283 A JP7995283 A JP 7995283A JP 7995283 A JP7995283 A JP 7995283A JP S59204542 A JPS59204542 A JP S59204542A
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JP
Japan
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film
conductive film
transparent conductive
heat
substrate
Prior art date
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Pending
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JP7995283A
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English (en)
Inventor
山本 英
森内 孝彦
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はポリエチレンテレフタレートフイルムまたは
これを少なくとも表面側フィルムとする複合フィルムか
らなる支持体上に透明導電性膜を形成する方法に関する
透明導電性膜の形成方法として、酸化インジウムを主成
分とする金属酸化物を蒸発源としこれを有機高分子フィ
ルム上に真空蒸着によって被膜形成したのち加熱処理す
る方法が知られている。上記加熱処理の目的は真空蒸着
時に酸化インジウムなどの蒸発源が低次の酸化物に分解
するためこれを高次の酸化物に酸化することによって透
明導電性膜としての性能を向上させる、つまり表面電気
抵抗の低下と透明性の向上とを図ることにある。
しかるに、支持体となる有機高分子フィルムとして、表
面平滑性や可撓性などの性能にすぐれるルムを適用した
ときには、このフィルムの耐熱性に限度があることから
、前記加熱処理を150°Cまでの低温で行う必要があ
った。この場合処理時間をかなり長くしなければならず
、また場合によりかかる加熱処理後さらにプラズマ陽極
酸化などの他の酸化手段を付加しなければならなかった
そして、このような面倒な酸化処理を行ったとしても性
能的に満足できる透明導電性膜が得られるとはいえず、
たとえばネサガラス、つまり耐熱性を有するガラス基板
上に前記同様の蒸発源を真空蒸着しだのち300℃以上
の高温に加熱処理して得られるものなどに比較すると、
透明導電性膜としての性能にかなり劣るものであった。
また、前記支持体が2枚のポリエチレンテレフタレート
フィルム間にプラスチック偏光子を介在させた構造の複
合フィルム、つまり液晶表示用プラスチックセルの偏光
板として利用されるような複合フィルムであるときには
、上記偏光子の耐熱性の点から100〜120°Cの温
度よりもさらに低い温度で加熱処理する必要があり、か
かる加熱処理では実質的な効果はほとんど得られなかっ
た。このため、今日までかかる支持体に対して前記方法
で透明導電性膜を形成することは極めて困難なこととさ
れてきた。
一方、透明導電性膜の他の形成方法として、金属インジ
ウムもしくはこれと金属スズなどとの合金をターゲート
とした反応性スパッタリングによって所望の表面電気抵
抗と所望の透明度とを有する」−記金属の酸化物からな
る透明導電性膜を得る方法が知られている。この方法で
は、反応性スパッタリング後加熱処理を施さない場合は
支持体としてポリエチレンテレフタレートフィルムやそ
の複合フィルムを適用できるが、この場合得られる透明
導電性膜の高温ないし高湿下での安定性に劣ったものと
なり、特に表面電気抵抗が経口的に著しく増大してくる
欠点があった。
この発明は、以上の観点から、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムないしこれを用いた複合フィルム上に初期
特性とさらに高温ないし高湿下の安定性とに共にすぐれ
る透明導電性膜を作業容易に形成する方法を提供するこ
とを目的としたものである。
すなわち、この発明は、剥離性を有する耐熱性基板上に
酸化インジウムを主成分とする低酸化状態の薄膜を形成
したのち150°Cを超える温度で加熱処理して透明導
電性膜とすると共に、熱硬化性接着剤を塗布した支持体
としてのポリエチレンテレフタレートフィルム(以下、
PETフィルムという)またはこれを上記接着剤の塗布
面側フィルムとする複合フィルムの上記塗布面に上記導
電性膜を上記基板と一体に貼り合せ、ついで上記接着剤
を加熱硬化させたのち上記基板を剥離して上記導電性膜
を上記支持体上に転写することを特徴とする透明導電性
膜の形成方法に係るものであムこのように、この発明で
は、第一段階として剥離性を有する耐熱性基板上にこの
基板の耐熱性を活かした充分な加熱処理を施すことによ
って表面電気抵抗が低くてかつ透明性にすぐれしかも高
温ないし高湿下に放置したときの安定性にすぐれる透明
導電性膜を形成し、第二段階として1−記基板の剥離性
を利用することにより上記品質良好な透明導電性膜を熱
硬化性接着剤が塗布された1?ETフイルム系の支持体
上に上記基板と一体に貼り合せ上記接着剤の硬化後上記
基板を剥離するという簡単な操作で上記支持体上に」−
記透明導電性膜を転写するようにしたものである。
これを要するに、この発明においては、剥離性を有する
耐熱性基板を使用すると共に転写技術を採用することに
より、PETフィルム系の支持体」−に初期特性と高温
ないし高湿下に放置したときの安定性とに共にすぐれる
工業的有用な透明導電性膜を作業容易に形成することが
できたものである。
この発明において用いられる剥離性を有する耐熱性基板
としては、剥離性と耐熱性とを共に具備するものであれ
ば特に限定されない。もつとも好適な基板としては剥離
処理されたガラス板を挙げることができ、また基板自体
が剥離性を有するものとしてふつ化オレフィン系ポリマ
ーの成形物が挙げられる。
ガラス板を剥離処理するには、ガラス板−1−1ごシリ
コーン系グリースなどの剥離剤を界面活性剤と共に溶剤
で希釈してなる液を塗布したのち加熱乾燥(シリコーン
系グリースでは250〜300°Cで約10時間程度加
熱)し、必要に応じてその後溶剤洗浄すればよく、まだ
プラズマ重合法などによりガラス板」1に直接剥離性を
有するポリマー被膜を設けるようにしてもよい。
ふつ化オレフィン系ポリマーの成形物としては、耐熱性
に特にすぐれまた表面平滑性の良好なものが好ましい。
その例としてテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロ
プロピレン共重合体(以下、FEPという)、ポリクロ
ルトリフルオロエチレン(以下、C’[’FEという)
、つぎの化学構造式;%式%) (ただし、式中Rfはフッ化アルキル基を意味する) で表わされるポリマー(以下、PFAという)などのフ
ィルム状成形物などが挙げられる。フィルム状成形品と
してはその厚みが通常30〜300μm程度であるのが
よい。
なお、上記ガラス板とふつ化オレフィン系ポリマーの成
形物とを対比すると、前者のガラス板では蒸着後の加熱
処理をより高温下で行えることによって膜特性の面で一
段と好結果が得られ、一方後者のポリマー成形物ではそ
の可撓性などを活かすことによって転写時の剥離作業を
より容易に行えるといった利点が得られる。
この発明においてはまず−1−記の如き剥離性を有する
耐熱性基板−にに酸化インジウムを主成分とする厚みが
通常100〜700X程度の低酸化状態の薄膜を形成す
る。この形成は真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法などの任意の方法で行うことができる
。たとえば真空蒸着法では酸化インジウム(In203
)単独もしくはこれと20モル%までの酸化スズ(Sn
 02 )との混合物を蒸発源とし、これを10−4〜
10−6Torrの真空上抵抗加熱や電子ビームなどの
手段で蒸発させればよく、またスパッタリング法では金
属インジウムもしくはこれと20原子%までの金属スズ
との合金をターゲットとし、真空系内にアルゴンガスと
酸素ガスとの混合ガスを導入してl Q”” Torr
程度の真空度で反応性スパッタリングを行えばよい。
つぎに、上記酸化インジウムを主成分とする低酸化状態
の薄膜を150’Cを超える温度で加熱処理する。この
温度が150°C以下になると処理時間をかなり長くし
なければならず、またかかる長時間処理を行っても膜特
性の改善効果は充分に得られない。加熱温度は高いほど
望ましいが、耐熱性基板の耐熱度を考慮してたとえばガ
ラス板では250〜400°C1ぶつ化オレフィン系ポ
リマーの成形物では160〜250℃の範囲とするのが
よい。処理時間は上記加熱温度により決定され、たとえ
はガラス板を基板として300°Cの加熱温度としたと
きには1時間程度で充分であり、またぶつ化オレフィン
系ポリマー成形物を基板として加熱温度が170°Cで
は数時間程度、200°Cでは1時間程度で充分である
なお、」1記加熱処理は酸化インジウムを主成分とする
金属酸化物を高酸化状態にすることを目的としだもので
あるから、その雰囲気としては当然酸化性ガス雰囲気と
され、一般には空気中での加熱処理が好ましく採用され
る。
上記の如くして剥離性を有する耐熱性基板上に透明導電
性膜を形成したのち、この膜を上記基板の剥離性を利用
して支持体上に転写する。この支持体としては表面平滑
性や可撓性などのフィルム特性にすぐれるPETフィル
ムが用いられ、マタコノフィルムを2枚使用し両フィル
ム間にフラスチック偏光子を介在させた構造の複合フィ
ルムで液晶表示用プラスチックセルの偏光板として有用
なものなどPETフィルムを利用した各種の複合フィル
ムが使用される。PETフィルムの厚みとしては30〜
150μm程度である。
支持体上への転写は、まず支持体の表面に熱硬化性接着
剤を通常2〜20pm程度の厚みに塗布する。なお、支
持体がPE’J’フィルムと他のポリ7−フィルムトラ
二層構造の複合フィルムの場合には」−記塗布面はPE
Tフィルム側とされる。かくすることにより転写後の」
二記PETフィルムの表面平滑性などが活かされる。接
着剤として特に熱硬化性接着剤を用いる理由は熱硬化さ
せることによって支持体と透明導電性膜との接着力を向
上させ、まだ転写後の耐熱特性を向上させるためである
。しかし、加熱硬化の条件があまり高くなるようではP
ETフィルムへの熱的影響を無視できなくなるから、一
般には100℃以下の比較的低い温度で硬化しうるよう
な接着剤が好ましく用いられる。
つぎに、上記接着剤の塗布面に前記の透明導電性膜をそ
の耐熱性基板と一体に貼り合せる。その後接着剤を所定
温度で加熱硬化させて支持体と」二記膜との接着強度を
大きくし、ついで耐熱性基板をその剥離性を利用して剥
離すると、PETフィルム系の支持体上に透明導電性膜
が転写される。
このようにして転写された透明導電性膜は、耐熱性基板
」二に形成された状態での良好な膜特性がそのまま継承
されることによって表面電気抵抗が5000/口以下の
低抵抗でかつ透明性に非常にすぐれたものとなり、その
うえ高温ないし高湿下に放置されたときの膜特性の変化
、特に抵抗値の変化が少なく、」1記雰囲気下での安定
性にすぐれるという特徴を有している。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。
実施例1 厚さ2mmのガラス基板を真空チャンバー内の中央にセ
ットし、1O−5Torr程度まで真空引きを行った。
その後、アルゴンガスとテトラフルオロエチレン(02
F4)ガスとを導入して2XIO−3Torrに保ち、
ガラス基板両側に離設された電極に13゜56 MH2
の高周波電力を印加した。このようにしてテトラフルオ
ロエチレンのプラズマ重合を行ってガラス基板」二に厚
さ約100Xのポリテトラフルオロエチレンからなる剥
離処理膜を形成した。
つぎに、このガラス基板の上記剥離処理膜上に、9モル
%の酸化スズを含む酸化インジウム蒸発源を用いて電子
ビーム蒸着法により、厚さ300Xの低酸化状態の酸化
インジウムと酸化スズとからなる酸化物薄膜(表面電気
抵抗5,000Ω/口)を形成した。その後、この薄膜
を300°Cで1時間空気中で熱風加熱して、表面電気
抵抗が6oΩ/口の透明導電性膜とした。
一方、−軸延伸された厚さ100μmの2枚のPETフ
ィルムの間にプラスチック偏光子を貼り合せて作製した
液晶表示用プラスチックセルに用いる偏光板の表面に、
二液硬化型の低温硬化性のエポキシ樹脂接着剤を約10
μm厚に塗布し、この塗布面に前記の透明導電性膜をガ
ラス基板と一体に貼り合せ、80℃で1時間の条件で上
記接着剤を硬化させたのちガラス基板を引き剥がして、
上記偏光板表面に透明導電性膜を転写した。
実施例2 剥離処理膜を有するガラス基板の代りに厚さ100μm
のFEPフィルムを使用し、かつ真空蒸着後の熱風加熱
の条件を170℃で10時間とした以外は実施例1と同
様にしてFEPフィルム上に表面電気抵抗が1000/
口の透明導電性膜を形成し、さらにこの膜を実施例1と
同様の手法で偏光板の表面に転写した。
上記実施例1,2で偏光板上に転写させてなる透明導電
性膜の表面電気抵抗と透明性とを調べた結果、並びにこ
の膜を120°Cで150時間放置したのちの抵抗変化
率Aおよび70°C295%RH下で500時間放置し
たのちの抵抗変化率Bを調べだ結果は、それぞれつぎの
表に示されるとおりであった。
なお、抵抗変化率AおよびBとは、初期の表面電気抵抗
に対して放置後の表面電気抵抗が何倍に増加しているか
どうかで表わした。また、透明性とは呂律製作所製の分
光光度計(550nm の光線使用)にて光透過率を測
定したものである。
また、下記表中のrXJとは上記実施例1,2の結果で
あり、rYJとは上記実施例1,2にお    □いて
真空蒸着後の表面電気抵抗が2000/口となるような
条件で真空蒸着させたのち加熱処理を施さなかった以外
は各実施例1,2と同様にして転写形成した導電性膜の
結果を参考のために示したものである。
上記の結果から明らかなように、この発明によれば従来
困難とされていたPETフィルム製の偏光板表面に対し
ても初期特性と高温ないし高湿下の安定性とに共にすぐ
れる透明導電性膜を作業容易に形成しつるものであるこ
とがわかる。
特許出願人  日東電気工業株式会社 259−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (+)剥離性を有する耐熱性基板上に酸化インジウムを
    主成分とする低酸化状態の薄膜を形成したのち150℃
    を超える温度で加熱処理して透明導電性膜とすると共に
    、熱硬化性接着剤を塗布した支持体としてのポリエチレ
    ンテレフタレートフィルムまだはこれを上記接着剤の塗
    布面側フィルムとする複合フィルムの上記塗布面に上記
    導電性膜を上記基板と一体に貼り合せ、ついで上記接着
    剤を加熱硬化させたのち上記基板を剥離して上記導電性
    膜を上記支持体上に転写することを特徴とする透明導電
    性膜の形成方法。 (2)剥離性を有する耐熱性基板が剥離処理されたガラ
    ス板からなる特許請求の範囲第f1j項記載の透明導電
    性膜の形成方法。 (3)剥離性を有する耐熱性基板がぶつ化オレフィン系
    ポリマーの成形物からなる特許請求の範囲第(1)項記
    載の透明導電性膜の形成方法。
JP7995283A 1983-05-07 1983-05-07 透明導電性膜の形成方法 Pending JPS59204542A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02174011A (ja) * 1988-12-27 1990-07-05 Reiko Co Ltd 透明導電性部品の製造方法及びそれに使用する透明導電膜転写材料
JPH03192215A (ja) * 1989-12-21 1991-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd パネル基板とそのパネル基板の作成方法
JP2003059748A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Toyo Metallizing Co Ltd 電子部品用金属膜転写フィルム
JP2015009994A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 尾池工業株式会社 無機結晶膜積層体の製造方法

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