JPS60258460A - 透明導電性フイルムの製造方法 - Google Patents
透明導電性フイルムの製造方法Info
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- JPS60258460A JPS60258460A JP11367384A JP11367384A JPS60258460A JP S60258460 A JPS60258460 A JP S60258460A JP 11367384 A JP11367384 A JP 11367384A JP 11367384 A JP11367384 A JP 11367384A JP S60258460 A JPS60258460 A JP S60258460A
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- film
- vacuum
- indium oxide
- polyether sulfone
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電性フィルムの製造方法に関するもので
あるっ 更に詳しくは、高分子フィルム基材にポリエーテルスル
ホンフィルムを用い、酸化インジウムまたは酸化インジ
ウムと酸化ス勿盲膜を真空蒸着法により、上記フィルム
上に形成し、しかる後１６０℃から８００’Ｃの温度範
囲にて加熱処理することにより光透過率が大きく、かつ
耐熱性、密着性および耐薬品性の優れた透明導電性フィ
ルムを製造する方法に関するものである。
あるっ 更に詳しくは、高分子フィルム基材にポリエーテルスル
ホンフィルムを用い、酸化インジウムまたは酸化インジ
ウムと酸化ス勿盲膜を真空蒸着法により、上記フィルム
上に形成し、しかる後１６０℃から８００’Ｃの温度範
囲にて加熱処理することにより光透過率が大きく、かつ
耐熱性、密着性および耐薬品性の優れた透明導電性フィ
ルムを製造する方法に関するものである。
透明導電性フィルムは液晶用電極、エレクトロルミネッ
センス用電極、メンブレンスウィッチの電極、ガラスに
ラミネートした透明発熱体材などのは・か、可撓性、多
凰生産性を活用した新しい用途ニーズが発生している。
センス用電極、メンブレンスウィッチの電極、ガラスに
ラミネートした透明発熱体材などのは・か、可撓性、多
凰生産性を活用した新しい用途ニーズが発生している。
そしてエツチング工程における生産性の向上のため基材
フィルムの耐熱性、耐薬品性のより優れたもの、液晶用
に用いたとき対液晶適応性のより優れた緒特性を備えて
いるもの、面発熱体用として用いたとき、より耐熱安定
性の優れたものなど多様化する用途ニーズに広範囲に対
応できるより過酷な加工条件、使用条件に耐えうる高性
能でタフな、透明導電性フィルムがめられている。
フィルムの耐熱性、耐薬品性のより優れたもの、液晶用
に用いたとき対液晶適応性のより優れた緒特性を備えて
いるもの、面発熱体用として用いたとき、より耐熱安定
性の優れたものなど多様化する用途ニーズに広範囲に対
応できるより過酷な加工条件、使用条件に耐えうる高性
能でタフな、透明導電性フィルムがめられている。
従来、可撓性を有する透明電極のニーズに対応するため
、酸化インジウムを生成分とす゛る透明導電性被膜を、
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの
基材上に形成した透明導電性フィルムが提案されている
。
、酸化インジウムを生成分とす゛る透明導電性被膜を、
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの
基材上に形成した透明導電性フィルムが提案されている
。
ＰＥＴは、透明性、常温における機械特性、寸法安定性
が優れているので、特定の製造条件、用途分野に用いら
れる透明導電膜の基材用に好ましい素材である。しかし
ながら、ＰＥＴは耐熱寸法安定性、耐熱劣化性、耐紫外
線劣化性などが劣っており、それを用いた透明導電性フ
ィルムは製造条件が限定され、性能が制限される、製造
コストが高くなる、用途が限定されるという欠点があっ
た。
が優れているので、特定の製造条件、用途分野に用いら
れる透明導電膜の基材用に好ましい素材である。しかし
ながら、ＰＥＴは耐熱寸法安定性、耐熱劣化性、耐紫外
線劣化性などが劣っており、それを用いた透明導電性フ
ィルムは製造条件が限定され、性能が制限される、製造
コストが高くなる、用途が限定されるという欠点があっ
た。
このような透明導電性フィルムの欠点を改良する方法が
いくつか提案された。たとえば基材としてポリエチレン
−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを用い、導電
膜として酸化インジウムを主成分とする被膜を用いた透
明導電性フィルムが提案された（特公昭５５−６５００
号）。
いくつか提案された。たとえば基材としてポリエチレン
−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを用い、導電
膜として酸化インジウムを主成分とする被膜を用いた透
明導電性フィルムが提案された（特公昭５５−６５００
号）。
また、上記の欠点は、基材として熱に弱い高分子材料を
用いたことによるものであるが、これを改良する手段と
して、特殊な蒸着方法を採用することが提案された（特
開昭５５−１０４８２８号）。しかしながらこの方法に
よれば複雑な装置が必要であるため製造コストが高くな
る。
用いたことによるものであるが、これを改良する手段と
して、特殊な蒸着方法を採用することが提案された（特
開昭５５−１０４８２８号）。しかしながらこの方法に
よれば複雑な装置が必要であるため製造コストが高くな
る。
本発明者らは上記のような従来の透明導電性フィルムの
製造法の欠点を改善するために、新しい基材の探索およ
び基材上に透明導電膜を被覆する方法につき鋭意研究の
結果、本発明に到達した。
製造法の欠点を改善するために、新しい基材の探索およ
び基材上に透明導電膜を被覆する方法につき鋭意研究の
結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、ポリエーテルスルホンフィルム表
面に酸化インジウムまたは酸化インジウムと酸化スズか
らなる被膜を真空蒸着法で形成した後、１６０℃〜８０
０℃の温度で熱処理することを特徴とする透明導電性フ
ィルムの製造方法に関する。
面に酸化インジウムまたは酸化インジウムと酸化スズか
らなる被膜を真空蒸着法で形成した後、１６０℃〜８０
０℃の温度で熱処理することを特徴とする透明導電性フ
ィルムの製造方法に関する。
本発明でいうポリエーテルスルホンフィルムとは、一般
式 （但し、ｎは重合度を表わす。） で表わされる高分子から作成したフィルムで、フィルム
の成形方法は押出成形法、溶剤キャスト法など公知のい
ずれの方法で作成したものであってもよい。また、フィ
ルムの厚さは目的とする用途に応じて適宜法めればよく
特に限定はない。
式 （但し、ｎは重合度を表わす。） で表わされる高分子から作成したフィルムで、フィルム
の成形方法は押出成形法、溶剤キャスト法など公知のい
ずれの方法で作成したものであってもよい。また、フィ
ルムの厚さは目的とする用途に応じて適宜法めればよく
特に限定はない。
真空蒸着法は、抵抗加熱法であっても電子ビーム加熱法
であっても ゛− 噴＝零鴫よい。酸化スズを含む酸化インジウム膜を形成
する場合は膜組成の均質化の点で電子ビーム加熱法が好
ましいが真空蒸着の方法は本発明において本質的なもの
ではない。
であっても ゛− 噴＝零鴫よい。酸化スズを含む酸化インジウム膜を形成
する場合は膜組成の均質化の点で電子ビーム加熱法が好
ましいが真空蒸着の方法は本発明において本質的なもの
ではない。
酸化インジウムと共に用いられる酸化スズの社は１５ｗ
ｔ％以下、好ましくは１０ｗｔ％以下の範囲で用いられ
る。真空度は、１×１０′Ｔｏｒｒ 以下でよく、５
Ｘ １０−’ 以下にする必要はない。通常５Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒから５Ｘ１０４Ｔｏｒ ｒ の範囲で実施す
れば本発明の効果は達成される。熱処理温度は１６０℃
から３００℃の範囲がよく、８００℃以との高温に加熱
する必要はなく、ＳＯＯ℃以上の熱処理をすることはフ
ィルムの劣化のため好ましくない。
ｔ％以下、好ましくは１０ｗｔ％以下の範囲で用いられ
る。真空度は、１×１０′Ｔｏｒｒ 以下でよく、５
Ｘ １０−’ 以下にする必要はない。通常５Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒから５Ｘ１０４Ｔｏｒ ｒ の範囲で実施す
れば本発明の効果は達成される。熱処理温度は１６０℃
から３００℃の範囲がよく、８００℃以との高温に加熱
する必要はなく、ＳＯＯ℃以上の熱処理をすることはフ
ィルムの劣化のため好ましくない。
本発明方法によれば、光透過率が大きく、かつ耐熱性、
導電性蒸着被膜の密着性、耐薬品性の優れた透明導電性
フィルムが得られる。
導電性蒸着被膜の密着性、耐薬品性の優れた透明導電性
フィルムが得られる。
とくに本発明方法によれば、基材フィルム明方法におい
て、基材フィルム上に導電性被膜を形成する方法は、簡
単な装置で行なえる通常の真空蒸着法であるので、製造
コストが安い。
て、基材フィルム上に導電性被膜を形成する方法は、簡
単な装置で行なえる通常の真空蒸着法であるので、製造
コストが安い。
以下、本発明を実施例をあげて説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
実施例１
高分子フィルム基材として波長５５０ｎｍにお（プる光
透過率が８６．７％である、厚さ１００μのポリエーテ
ルスルホンフィルムヲ、マタ蒸着源として純度９９．９
９％の酸イ″ンジウムをアルミナコートしたタングステ
ン製ボートの中に入れｒこものを、それぞれ真空蒸着装
置内に設置し、真空度２Ｘ １０−４Ｔｏｒｒにて、通
電加熱し、酸化インジウムを真空蒸着し、ポ厚さは日本
真空技術■製Ｔｂ１ｃｋｎｅｓｓ ＭｏｎｉｔｏｒＭｏ
ｄｅｌ ＣＲＭを用いて測定しに０この際、蒸着縁と基
材フィルムとの距離は８０ｅｘであり、蒸着速度は０．
４ Ａ／ Ｓｅｃである。この蒸着によって得られた酸
化インジウム被膜を形成したフィルムは、半透明であり
光透過率は４８．８％（波長５５０ｎｍ）であり、表面
抵抗は２４．８にΩ／口 でめった。この半透明フィル
ムを２００℃にて２０分間加熱し透明フィルムを得た。
透過率が８６．７％である、厚さ１００μのポリエーテ
ルスルホンフィルムヲ、マタ蒸着源として純度９９．９
９％の酸イ″ンジウムをアルミナコートしたタングステ
ン製ボートの中に入れｒこものを、それぞれ真空蒸着装
置内に設置し、真空度２Ｘ １０−４Ｔｏｒｒにて、通
電加熱し、酸化インジウムを真空蒸着し、ポ厚さは日本
真空技術■製Ｔｂ１ｃｋｎｅｓｓ ＭｏｎｉｔｏｒＭｏ
ｄｅｌ ＣＲＭを用いて測定しに０この際、蒸着縁と基
材フィルムとの距離は８０ｅｘであり、蒸着速度は０．
４ Ａ／ Ｓｅｃである。この蒸着によって得られた酸
化インジウム被膜を形成したフィルムは、半透明であり
光透過率は４８．８％（波長５５０ｎｍ）であり、表面
抵抗は２４．８にΩ／口 でめった。この半透明フィル
ムを２００℃にて２０分間加熱し透明フィルムを得た。
こうして得られた透明フィルムの波長５５０ｎｍにおけ
る光透過率は９１．４％であり、表面抵抗は２．４にΩ
／口であった。
る光透過率は９１．４％であり、表面抵抗は２．４にΩ
／口であった。
本発明方法によって得られる透明導電性フィルムの光透
過率は基材フィルムのそれより高いことがわかる。
過率は基材フィルムのそれより高いことがわかる。
実施例２
高分子フィルム基材として波長５５０ｎｍにおける光透
過率が８６．７％である。厚さｌＯＯμのポリエーテル
スルホンフィルムを、マタ蒸着源として純度９９．９９
％の酸化インジウムと５．ｗｔ％ の９９．９９％酸化
第二錫をアルミナコートしたタングステン製ボードの中
に入れたものをそれぞれ真空蒸着装置内に設置し、に真
空度５Ｘ１０ Ｔｏｒｒにて通電加熱し、酸化インジウ
ムを真空蒸着し、ポリエーテルスルホンフィルムの上に
８８５人厚さの透明導電性被膜を形成した。この際蒸着
激と基材フィルムとの距離は２５ａａであり、蒸着速度
は０、４ Ａ／ ｓｅｃ である。この蒸着によって得
られた、酸化インジウム被膜を形成したフィルムは半透
明であり、光透過率は６１．８％（波長５５０ｎｍ）で
あり、表面抵抗は０．５ Ｋｉｎ／口であった。この半
透明フィルムを２２５℃化で４０分間加熱し透明フィル
ムを得た。こうして得られた透明フィルムの波長５５０
ｎｍにおける光透過率は８８．１％であり、表面抵抗は
０．８にΩ／口 であった。また１０ｄ当たりの面積に
ナイフにより１鰭幅の縦横のキズをつけ、ｌｊについて
１００個の１−の正方形を作り、セロテープにチバン株
式会社登録商ＩＩ）により剥離試験を行なった結果、全
く剥離は認められず、密着性は良好であった。
過率が８６．７％である。厚さｌＯＯμのポリエーテル
スルホンフィルムを、マタ蒸着源として純度９９．９９
％の酸化インジウムと５．ｗｔ％ の９９．９９％酸化
第二錫をアルミナコートしたタングステン製ボードの中
に入れたものをそれぞれ真空蒸着装置内に設置し、に真
空度５Ｘ１０ Ｔｏｒｒにて通電加熱し、酸化インジウ
ムを真空蒸着し、ポリエーテルスルホンフィルムの上に
８８５人厚さの透明導電性被膜を形成した。この際蒸着
激と基材フィルムとの距離は２５ａａであり、蒸着速度
は０、４ Ａ／ ｓｅｃ である。この蒸着によって得
られた、酸化インジウム被膜を形成したフィルムは半透
明であり、光透過率は６１．８％（波長５５０ｎｍ）で
あり、表面抵抗は０．５ Ｋｉｎ／口であった。この半
透明フィルムを２２５℃化で４０分間加熱し透明フィル
ムを得た。こうして得られた透明フィルムの波長５５０
ｎｍにおける光透過率は８８．１％であり、表面抵抗は
０．８にΩ／口 であった。また１０ｄ当たりの面積に
ナイフにより１鰭幅の縦横のキズをつけ、ｌｊについて
１００個の１−の正方形を作り、セロテープにチバン株
式会社登録商ＩＩ）により剥離試験を行なった結果、全
く剥離は認められず、密着性は良好であった。
実施例８
実施例２において用いたのと同じ光透過率８６．７％（
波長５５０ｎｍ）の厚さ１００μのポリエーテルスルホ
ンフィルムを用い、真空度５Ｘ１０ Ｔｏｒｒにするこ
と及び蒸着速度を０．６〜１．ＩＸ／ｓｅｃにすること
以外は実施例２と同じ条件で真空蒸着し、ポリエーテル
スルホンフィルムの上に８００＾厚さの導電性被膜を形
成した。この蒸着によって得られた導電性被膜を形成し
たフィルムは半透明であり、半透過率は４５．７％（波
長５５０ｎｍ）であり、表面抵抗は２．０にΩ屓であっ
た。この半透明フィルムを２００℃にて４０分間加熱し
、表面抵抗１．４にΩ／口 の透明フィルムを得た。
波長５５０ｎｍ）の厚さ１００μのポリエーテルスルホ
ンフィルムを用い、真空度５Ｘ１０ Ｔｏｒｒにするこ
と及び蒸着速度を０．６〜１．ＩＸ／ｓｅｃにすること
以外は実施例２と同じ条件で真空蒸着し、ポリエーテル
スルホンフィルムの上に８００＾厚さの導電性被膜を形
成した。この蒸着によって得られた導電性被膜を形成し
たフィルムは半透明であり、半透過率は４５．７％（波
長５５０ｎｍ）であり、表面抵抗は２．０にΩ屓であっ
た。この半透明フィルムを２００℃にて４０分間加熱し
、表面抵抗１．４にΩ／口 の透明フィルムを得た。
示した。
第１表
実施例４．比較例
実施例２と同じポリエーテルスルホンフィルムを用い、
同じ条件で真空蒸着を行ない、得られた半透明導電性フ
ィルムを所定の温度で５分間加熱処理した。
同じ条件で真空蒸着を行ない、得られた半透明導電性フ
ィルムを所定の温度で５分間加熱処理した。
得られた透明導電性フィルムの光透過率と表面抵抗を測
定した結果を第２表に示した。
定した結果を第２表に示した。
また、比較例として、波長５５０ ｎｍにおける光透過
率が８５２％の厚さ１００μのポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルムを用い、実施例４と同じ条件で
蒸着および熱処理を行なって得た導電性フィルムの光透
過率と表面抵抗を測定した結果を同表に示した。
率が８５２％の厚さ１００μのポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルムを用い、実施例４と同じ条件で
蒸着および熱処理を行なって得た導電性フィルムの光透
過率と表面抵抗を測定した結果を同表に示した。
第２表の結果から、基材としてポリエーテルスルホンを
用いた場合は、従来のＰＥＴフィルムを用いた場合に比
べて得られる導電性フィルムの光透過率が著しく優れて
おり、また表面抵抗値も低いことがわかる。
用いた場合は、従来のＰＥＴフィルムを用いた場合に比
べて得られる導電性フィルムの光透過率が著しく優れて
おり、また表面抵抗値も低いことがわかる。
また、熱処理温度は、１５０℃では試材にポリエーテル
スルホンを用いｊこ場合でモ得うれる導電性フィルムの
光透過率が低く１表面抵抗値が高いことがわかる。
スルホンを用いｊこ場合でモ得うれる導電性フィルムの
光透過率が低く１表面抵抗値が高いことがわかる。
また、本例において基材フィルムとして用いたポリエー
テルスルホンフィルムおよびＰＥＴフィルムについて蒸
着を行なうことなく。
テルスルホンフィルムおよびＰＥＴフィルムについて蒸
着を行なうことなく。
２００℃５分間の熱処理を行ない、得られたフィルムの
光透過率を測定した結果を第３表に示す。
光透過率を測定した結果を第３表に示す。
第 ８ 表
Claims (1)
- ゛ ポリエーテルスルホンフィルム表面に酸化インジウ
ムまたは酸化インジウムと酸化スズからなる被膜を真空
蒸着法−で形成した後、１６０℃〜３００℃の温度で熱
処理することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11367384A JPS60258460A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11367384A JPS60258460A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60258460A true JPS60258460A (ja) | 1985-12-20 |
Family
ID=14618260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11367384A Pending JPS60258460A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60258460A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63454A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | Konica Corp | 透明導電性フイルムの製造方法 |
| JPS6372882A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Nok Corp | 錫透明薄膜の形成方法 |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP11367384A patent/JPS60258460A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63454A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | Konica Corp | 透明導電性フイルムの製造方法 |
| JPS6372882A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Nok Corp | 錫透明薄膜の形成方法 |
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