JPH04208454A - 透明導電性基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は透明導電性基板に関する。

（従来の技術） 従来の透明導電性基板は、例えば、ポリエステル等の高
分子フィルムやガラスを基板とし、この表面に、スパッ
タリング等の方法により透明導電層を積層した構造にな
っていて、タッチスイッチの透明電極等として用いられ
ている。

特に、基板に高分子フィルムを用いた透明導電性基板は
、ガラス基板を用いたものに比較して柔軟性があり、各
種の形状に加工できる長所がある。

（発明が解決しようとする課題） しかし、高分子フィルムの基板はガラス基板に比べて耐
熱性が低いため、透明導電膜を形成する際の加熱温度を
低くしなければならない、透明導電膜は、製造方法によ
っては、形成時の加熱温度低いと、抵抗値を低くするこ
とができない欠点がある。

そして、現在の汎用品の透明導電膜の抵抗値は２００Ω
／口以上であるが、表示素子用などには５０Ω／四程度
のものが検討されているが、導明導電膜の耐薬品性等が
低下する欠点がある。

本発明の目的は、以上の欠点を改良し、低抵抗値を有し
、耐薬品性を向上できる透明導電性基板を提供するもの
である。

（課題を解決するための手段） 本発明は、上記の目的を達成するために、基板の表面に
積層したインジウム酸化物を含む第１の導電層と、この
第１の導電層の表面に積層した酸化錫からなる第２の導
電層とを設けることを特徴とする透明導電性基板を提供
するものである。

（作用） 第１の導電層は、インジウム酸化物を含むため、低抵抗
の導電性を示す。

また、第２の導電層は、酸化錫からなるため、耐酸性が
高い。

それ故、第１の導電層の表面に第２の導電層を積層する
ことによって、低抵抗値を有し、耐酸性の高い透明導電
層が得られる。

（実施例） 以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

第１図において、１はポリエステル等の高分子フィルム
からなる基板である。２は基板に直接積層しな、酸化イ
ンジウム錫等のインジウム酸化物を含む第１の導電層で
ある。３は第１の導電層に積層した、酸化錫からなる第
２の導電層である。

次に上記実施例の製造方法を述べる。

先ず、酸化錫等を含む酸化インジウムからなるターゲッ
トを用いスパッタリング法や真空蒸着法等により、基板
１の表面に第１の導電層２を形成する。

次に、酸化錫を蒸発しイオンブレーティング法等により
、第１の導電層２の表面に第２の導電層３を形成する。

なお、実施例と比較例とについて抵抗値及び耐酸性を測
定した。

実施例等の製造条件は次の通りとする。

実施例１： イ）基体 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルムロ）第１の導電
層 次の条件下で直流マグネトロンスパッタリング法により
酸化インジウム錫を基体に付着する。

ターゲット　　　酸化錫を１０％含む酸化インジウム Ｑ２流量　　　　１．５ＣＣ／分 Ａｒ流量　　　　１００　ｃｃ／分 スパッタ電流　　ＤＣ４，５Ａ 基体の走行速度　約０．２ｍ／分 膜抵抗値　　　　５０Ω／ロ バ）第２の導電層 次の条件のイオンブレーティング法により酸化錫を第１
の導電層に付着する。

蒸発源　　　　酸化錫を用い電子ビー ムで加熱蒸発する。

真空度　　　５ｘｌＯ−４ｔｏｒｒ イオン化　　　　蒸発源から蒸発した粒子及び酸素分子
に周波 数１３．５６８Ｈ２の高周波電 界を印加して行なう。

膜　　　厚　　　　　　約２００人 実施例２： 実施例１において、第１の導電層を形成する際に、基体
の走行速度を０．２５ｍ／分、膜抵抗を８０Ω／口とす
る以外は、同じ条件で製造する。

比較例１： 実施例１において、第２の導電層を省く以外は同じ条件
で製造する。

比較例２： 実施例１において、第２の導電層を形成する際の蒸発源
を酸化インジウムとする以外は、同じ条件で製造する。

また、耐酸性の試験は、次の試験用の液に試料を３時間
浸漬して行ない、第１の導電層と第２の導電層とを合わ
せた抵抗値の変化を測定した。

エチレングリコール　　３０ｗｔ％ 塩化カリウム　　　　　　１１０ｊ／ｊ塩　　　酸　　
　　　　　　　　微量 液　　　温　　　　　　　　　　室温 ｐＨ３ 測定結果は表の通りとなった。

以下余白。

表から明らかな通り、実施例１及び実施例２は、初期の
抵抗値が比較例１及び比較例２よりも大きいが、いずれ
も１００Ω／口より小さ〈従来の汎用品に必要とされる
抵抗値（２００Ω／口）の１層２未満になっている。ま
た、耐酸性の試験後の抵抗値の変化については、実施例
１及び実施例２は、比較例１及び比較例２に比較して約
１９％〜３０％となり、それらの抵抗値が酸性溶液に対
して安定している。

（発明の効果） 以上の通り、本発明によれば、透明導電膜を少なくとも
２層とし、下層を抵抗値を有するインジウム酸化物を含
む層で形成し、上層を耐酸性の高い酸化錫で形成してい
るなめに、低抵抗値で耐酸性の高い透明導電性基板が得
られる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の実施例の断面図を示す。 １・・・基体、　２・・・第１の導電層、３・・・第２
の導電層。 特許出願人　日立ニーアイシー株式会社手続補正書（自
発） Ｑ　　　　／Ｉた　　　　り 平成−年！・ご月　日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板に透明導電膜を積層した透明導電性基板にお
   いて、基板の表面に積層したインジウム酸化物を含む第
   １の導電層と、この第１の導電層の表面に積層した酸化
   錫からなる第２の導電層とを設けることを特徴とする透
   明導電性基板。