JPS59204625A - 透明導電性フイルムの製造方法 - Google Patents
透明導電性フイルムの製造方法Info
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- JPS59204625A JPS59204625A JP7911083A JP7911083A JPS59204625A JP S59204625 A JPS59204625 A JP S59204625A JP 7911083 A JP7911083 A JP 7911083A JP 7911083 A JP7911083 A JP 7911083A JP S59204625 A JPS59204625 A JP S59204625A
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Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電性フィルムの製造方法に関し、特に酸
化インジウムを主成分とするターゲットを用いてスパッ
タリングすることを特徴とする透明導電性フィルムの製
造方法に関するものである。
化インジウムを主成分とするターゲットを用いてスパッ
タリングすることを特徴とする透明導電性フィルムの製
造方法に関するものである。
ネサガラスに代表される酸化インジウム系の導電膜は、
一般に可視域の光の透過率が高く、かつ低い電気抵抗を
示すという特有の性質を有し、各種の分野においてその
利用が期待されている。しかしながら酸化インジウム系
の導電膜の抵抗値は製作条件によシロット内あるいはロ
ット間で大きなバラツキを示すことが多く、かつその場
合に表面抵抗が高い値を示すようになることが多い。従
って一定の低い表面抵抗を有する膜を再現性よく製作す
るととは困難であり、その工業的製造法は未だ確立され
る迄には至っていない。他方、膜抵抗のできるだけの安
定化及び再現性を図るために、従来からＮＰｌＸ形成の
プ四セス中においては５００℃以上の温度での基板加熱
が要求されるのが通常である。このようなことから、従
来有機高分子フィルム上をｒ７ Ｉｌ、’！化、して透
明導電性フィルムを作成することは４＾めて困難であっ
た。また、従来はＩ！ｆｙの透明化及び低抵抗化を図る
ために、薄脆形成後プラズマ酸化やが酸化などの後処理
を行うことが必要とされ ｆｆｉ Ｊｌｌｉ形成自体の
困ｒｆｒ性に加えて工程の複雑さ、煩雅さといった欠点
も存していた。そこで本発明者は鋭意研究を重ねだ結果
、酸化インジウムに他の金Ｒｅ化物を添加し、スパッタ
リング法を用いて薄膜化を行うことが有効であることを
見出し本発明を得たのである。
一般に可視域の光の透過率が高く、かつ低い電気抵抗を
示すという特有の性質を有し、各種の分野においてその
利用が期待されている。しかしながら酸化インジウム系
の導電膜の抵抗値は製作条件によシロット内あるいはロ
ット間で大きなバラツキを示すことが多く、かつその場
合に表面抵抗が高い値を示すようになることが多い。従
って一定の低い表面抵抗を有する膜を再現性よく製作す
るととは困難であり、その工業的製造法は未だ確立され
る迄には至っていない。他方、膜抵抗のできるだけの安
定化及び再現性を図るために、従来からＮＰｌＸ形成の
プ四セス中においては５００℃以上の温度での基板加熱
が要求されるのが通常である。このようなことから、従
来有機高分子フィルム上をｒ７ Ｉｌ、’！化、して透
明導電性フィルムを作成することは４＾めて困難であっ
た。また、従来はＩ！ｆｙの透明化及び低抵抗化を図る
ために、薄脆形成後プラズマ酸化やが酸化などの後処理
を行うことが必要とされ ｆｆｉ Ｊｌｌｉ形成自体の
困ｒｆｒ性に加えて工程の複雑さ、煩雅さといった欠点
も存していた。そこで本発明者は鋭意研究を重ねだ結果
、酸化インジウムに他の金Ｒｅ化物を添加し、スパッタ
リング法を用いて薄膜化を行うことが有効であることを
見出し本発明を得たのである。
即ち本発明は、有機高分子物質上に薄膜を形成して透明
導電性フィルムを製造する方法において、四価以上の金
属酸化物を２〜１５重量係配合添加せしめた酸化インジ
ウムをターゲットとして用いてスパッタリングすること
を特徴とする透明導電性フィルムの製造方法である。以
下群に１■に説明する。
導電性フィルムを製造する方法において、四価以上の金
属酸化物を２〜１５重量係配合添加せしめた酸化インジ
ウムをターゲットとして用いてスパッタリングすること
を特徴とする透明導電性フィルムの製造方法である。以
下群に１■に説明する。
本発明において用いられるスパッタリングとは、高いエ
ネルギーを持つ原子を固体に衝突させた時に固体を形成
する原子が表面から飛び出す原理を応用して、飛び出し
た原子をある物質の表面に堆積させて薄膜を作成するも
のである。
ネルギーを持つ原子を固体に衝突させた時に固体を形成
する原子が表面から飛び出す原理を応用して、飛び出し
た原子をある物質の表面に堆積させて薄膜を作成するも
のである。
通常は高真空の密閉容器内に電極を入れ、アルゴンガス
を注入して電圧をかけて電界を゛作り、電離したアルゴ
ンの陽イオンを電界によって加速してターゲット（陰極
）に管突させてターゲット金属を陽極付近に置いた物質
上に堆積させることによって行われる。
を注入して電圧をかけて電界を゛作り、電離したアルゴ
ンの陽イオンを電界によって加速してターゲット（陰極
）に管突させてターゲット金属を陽極付近に置いた物質
上に堆積させることによって行われる。
本発明によれば、四価以上の金Ｌ１酸化物を配合添加せ
しめた酸化インジウムがスパッタリングのターゲットと
して用いられ、これによって有機高分子物質上に薄膜を
形成する。ここで四価以上の金属酸化物とは、酸化スズ
、酸化チタン、酸化タングステン、酸化モリブデンなど
である。またかかる金属酸化物の添加量は２〜１５重量
係である。これ以外の範囲で用いた場合は膜の透明性及
び導電性が低下するので好壕しくない。
しめた酸化インジウムがスパッタリングのターゲットと
して用いられ、これによって有機高分子物質上に薄膜を
形成する。ここで四価以上の金属酸化物とは、酸化スズ
、酸化チタン、酸化タングステン、酸化モリブデンなど
である。またかかる金属酸化物の添加量は２〜１５重量
係である。これ以外の範囲で用いた場合は膜の透明性及
び導電性が低下するので好壕しくない。
本発明によれば、有機高分子物質上に落胆を形成して導
電性フィルムを製造するが、ここで有機高分子物質とし
ては、フィルムに形成できる有機高分子物質ならばすべ
て使用可能である。
電性フィルムを製造するが、ここで有機高分子物質とし
ては、フィルムに形成できる有機高分子物質ならばすべ
て使用可能である。
しかし透明の導電性フィルムを製造するという見地から
、特に透明のフィルムとして形成しうる有機高分子物質
が好ましく用いられる。そのフイルノ、としての例を誉
げれば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、アセテ
ートフィルム。
、特に透明のフィルムとして形成しうる有機高分子物質
が好ましく用いられる。そのフイルノ、としての例を誉
げれば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、アセテ
ートフィルム。
塩化ビニルフィルム、ポリスルフォンフィルム等である
。
。
本発明を実施するにあたっては、四価以上の今月酸化物
を所定量配合添加した酸化インジウムをターゲットとし
て作成して真空系内に配置せしめるが、この場合真空系
内は１０ ＴＯｒｒ以下の真空度にすることが好まし
い。その後アルゴン等の不活性ガスを注入し、１０〜１
０ ＴＯｒｒ台の真空度でスパッタリングを行って薄
膜化せしめる。このとき、被スパツタリング物すなわち
有機高分子フィルムのホルダー（基板）は水冷しておく
ととが好ましく、印加電圧によって成膜速度をコントロ
ールしながら薄膜化を行う５ものである。なお、成膜速
度は広範囲にわたって適用できるが、特に好ましくは３
００〜６００Ａ／ｍｉ ｎ の範囲で適用される。
を所定量配合添加した酸化インジウムをターゲットとし
て作成して真空系内に配置せしめるが、この場合真空系
内は１０ ＴＯｒｒ以下の真空度にすることが好まし
い。その後アルゴン等の不活性ガスを注入し、１０〜１
０ ＴＯｒｒ台の真空度でスパッタリングを行って薄
膜化せしめる。このとき、被スパツタリング物すなわち
有機高分子フィルムのホルダー（基板）は水冷しておく
ととが好ましく、印加電圧によって成膜速度をコントロ
ールしながら薄膜化を行う５ものである。なお、成膜速
度は広範囲にわたって適用できるが、特に好ましくは３
００〜６００Ａ／ｍｉ ｎ の範囲で適用される。
実施例 １
酸化インジウム９８重量係、酸化スズ２重量係からなる
ターゲットを作成し、真空系内を十分に排気した後にア
ルゴンガスを１０〜１０Ｔｏｒｒ まで注入する。タ
ーゲットから５ ｃｍ 離れた位置に基板ホルダ部を設
置して水冷し、その上に厚さ１２５μのポリエチレンテ
レフタレートフィルムをセットする。ターゲットに５０
０ｖの直流電圧を印加して３６０ Ａ／ｍｉｎの速度で
スズくツタリング蒸着を行い％２００Ａの膜厚に蒸着し
たととる、面抵抗２００Ω／口 のすぐれた導電性フィ
ルムを得た。可視域の光の透過率は８０チであった。
ターゲットを作成し、真空系内を十分に排気した後にア
ルゴンガスを１０〜１０Ｔｏｒｒ まで注入する。タ
ーゲットから５ ｃｍ 離れた位置に基板ホルダ部を設
置して水冷し、その上に厚さ１２５μのポリエチレンテ
レフタレートフィルムをセットする。ターゲットに５０
０ｖの直流電圧を印加して３６０ Ａ／ｍｉｎの速度で
スズくツタリング蒸着を行い％２００Ａの膜厚に蒸着し
たととる、面抵抗２００Ω／口 のすぐれた導電性フィ
ルムを得た。可視域の光の透過率は８０チであった。
実施例 ２
酸化インジウム ９０重量％、酸化スズ １０重量％か
らなるターゲットを用いて実施例１と同様ニジてポリエ
チレンテレフタレートフィルムをセットした後、２００
Ｗの高周波電力を用いて２４ＯＸの膜厚に蒸着を行った
ところ、面抵抗２００Ω／口、可視光透過率 ７７％の
透明導電性フイルムが得られた。
らなるターゲットを用いて実施例１と同様ニジてポリエ
チレンテレフタレートフィルムをセットした後、２００
Ｗの高周波電力を用いて２４ＯＸの膜厚に蒸着を行った
ところ、面抵抗２００Ω／口、可視光透過率 ７７％の
透明導電性フイルムが得られた。
実施例 ５
酸化インジウム ９５重量係、酸化チタン５重−’７１
％からターゲットを作成し、実施例２と同様にしてポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に２６０Ａの膜厚
に蒸着を行ったところ、面抵抗５００Ω／口、可視光透
過率 ８２係の透明導電性フィルムが得られた。
％からターゲットを作成し、実施例２と同様にしてポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に２６０Ａの膜厚
に蒸着を行ったところ、面抵抗５００Ω／口、可視光透
過率 ８２係の透明導電性フィルムが得られた。
実施例 ４
酸化インジウム ９８ 重量％ 、酸化タングステン２
重ｆ） ％からなるターゲットを用いて実施例２と同様
の方法でスパッタリングを行い、・ポリエチレンテレフ
タレートフィルム上に３５ＯＡの膜厚に蒸着したところ
、面抵抗７００Ω／口、可視光透過率８０係の透明導電
性フィルムを得た。
重ｆ） ％からなるターゲットを用いて実施例２と同様
の方法でスパッタリングを行い、・ポリエチレンテレフ
タレートフィルム上に３５ＯＡの膜厚に蒸着したところ
、面抵抗７００Ω／口、可視光透過率８０係の透明導電
性フィルムを得た。
以上の記載からも明らかなように、本発明に係る方法を
用いて透明導電性フィルムを製造すると、均一な低抵抗
であり、しかも透光性の高いフィルムを得ることができ
る。しかも工程も一段階よりなるものであるから、後処
理等不要きる。
用いて透明導電性フィルムを製造すると、均一な低抵抗
であり、しかも透光性の高いフィルムを得ることができ
る。しかも工程も一段階よりなるものであるから、後処
理等不要きる。
出願人代理人 古 谷 馨
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有様高分子物質上に薄膜を形成して透明導電性フィ
ルムを製造する方法において、四価以上の金Ｅｅ化物を
２〜１５重量係配合添加せしめた酸化インジシムをター
ゲットとして用いてス共ツタリ〜グす五ことを特徴とす
る透明導電性フィルムの製造方法。 ２ 四価以上の金属酸化物が酸化スズ、酸化チタン、酸
化タングステン、酸化モリブデンからなる群より選択さ
れたものである特許請求の範囲第１項記載の透明導電性
フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7911083A JPS59204625A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7911083A JPS59204625A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59204625A true JPS59204625A (ja) | 1984-11-20 |
Family
ID=13680759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7911083A Pending JPS59204625A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59204625A (ja) |
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| JP2005292768A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-10-20 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Ｔｆｔ基板及びスパッタリングターゲット及び液晶表示装置及び画素電極及び透明電極及びｔｆｔ基板の製造方法 |
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-
1983
- 1983-05-06 JP JP7911083A patent/JPS59204625A/ja active Pending
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