JPH0370326B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0370326B2 JPH0370326B2 JP56192935A JP19293581A JPH0370326B2 JP H0370326 B2 JPH0370326 B2 JP H0370326B2 JP 56192935 A JP56192935 A JP 56192935A JP 19293581 A JP19293581 A JP 19293581A JP H0370326 B2 JPH0370326 B2 JP H0370326B2
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- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- film
- sputtering
- substrate
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- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電膜の形成方法、特に耐熱性の
小さい基板上に低温度でかつ高速度で透明導電膜
の形成を可能にした透明導電膜の形成方法に関す
るものである。
小さい基板上に低温度でかつ高速度で透明導電膜
の形成を可能にした透明導電膜の形成方法に関す
るものである。
一般にスパツタリング法により基板上に透明導
電膜を形成する方法としては、ターゲツトに
In2O3−SnO2酸化物を用いてArガス中でスパツ
タする方法と、In−Sn合金をArとO2との混合ガ
ス中でスパツタする方法の２種が提案されてい
る。そして前者はスパツタ直後で低電気抵抗、高
光透過率の膜が形成できるが、成膜速度を大きく
することが困難である一方、後者の場合、成膜速
度は比較的大きいが、基板加熱なしに低電気抵
抗、高光透過率の膜が得られる成膜条件の範囲が
極めて狭く、成膜のコントロールが極端に難しい
という欠点があつた。
電膜を形成する方法としては、ターゲツトに
In2O3−SnO2酸化物を用いてArガス中でスパツ
タする方法と、In−Sn合金をArとO2との混合ガ
ス中でスパツタする方法の２種が提案されてい
る。そして前者はスパツタ直後で低電気抵抗、高
光透過率の膜が形成できるが、成膜速度を大きく
することが困難である一方、後者の場合、成膜速
度は比較的大きいが、基板加熱なしに低電気抵
抗、高光透過率の膜が得られる成膜条件の範囲が
極めて狭く、成膜のコントロールが極端に難しい
という欠点があつた。
したがつて本発明は、上記従来の欠点に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、
スパツタのプラズマ中のインジウムと酸素とのエ
ミツシヨンピーク強度を分光器で測定し、スパツ
タ時にこの比を一定値に保持させることによつ
て、正確な成膜コントロールを行ない、基板温度
を上げずに透明導電膜を高速度で形成可能にした
透明導電膜の形成方法を提供することにある。
なされたものであり、その目的とするところは、
スパツタのプラズマ中のインジウムと酸素とのエ
ミツシヨンピーク強度を分光器で測定し、スパツ
タ時にこの比を一定値に保持させることによつ
て、正確な成膜コントロールを行ない、基板温度
を上げずに透明導電膜を高速度で形成可能にした
透明導電膜の形成方法を提供することにある。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明による透明導電膜の形成方法の
一例を説明するためのスパツタリング装置を示す
要部断面構成図である。同図において、１はスパ
ツタ装置、１ａはスパツタ装置１内のプラズマ光
Ｌを取り出す石英ガラス板からなる窓、１ｂは透
明導電膜を形成する基板を保持させるホルダ、１
ｃはホルダ１ｂに対向配置されたIn−Sn合金か
らなるターゲツト、２はホルダ１ｂ上に装着され
た基板、３はターゲツト１ｃに高電圧を印加する
電源、４は窓１ａから取り出されるプラズマ光Ｌ
を集光する集光レンズ、５はインジウムのエミツ
シヨンピーク値および酸素のエミツシヨンピーク
値を検出する分光器、６は上記両ピーク値を増幅
させるアンプ、７はモニターを兼ねたレコーダで
ある。
一例を説明するためのスパツタリング装置を示す
要部断面構成図である。同図において、１はスパ
ツタ装置、１ａはスパツタ装置１内のプラズマ光
Ｌを取り出す石英ガラス板からなる窓、１ｂは透
明導電膜を形成する基板を保持させるホルダ、１
ｃはホルダ１ｂに対向配置されたIn−Sn合金か
らなるターゲツト、２はホルダ１ｂ上に装着され
た基板、３はターゲツト１ｃに高電圧を印加する
電源、４は窓１ａから取り出されるプラズマ光Ｌ
を集光する集光レンズ、５はインジウムのエミツ
シヨンピーク値および酸素のエミツシヨンピーク
値を検出する分光器、６は上記両ピーク値を増幅
させるアンプ、７はモニターを兼ねたレコーダで
ある。
このように構成されたスパツタリング装置にお
いて、まず、スパツタ装置１内にArガスと十数
％酸素ガスとの混合ガスを封入し、ターゲツト１
ｃに高電圧を印加して基板２の対向面上にターゲ
ツト１ｃのIn−Sn合金をスパツタリングさせる。
このターゲツト１ｃから放射されるプラズマ光Ｌ
を窓１ａおよびレンズ４を介して取り出し、分光
器５でプラズマ分光を行ない、アンプ６で増幅
し、レコーダ７で観測すると、ターゲツト１ｃに
印加する電源３からの入力パワー、酸素ガス分圧
等の成膜パラメータ、例えば入力パワーを上昇さ
せると、第２図に示すように入力パワーの約数百
ワツト近傍の領域Ａでインジウムのエミツシヨン
ピーク強度（特性）が急増し、酸素ガスのエミ
ツシヨンピーク強度（特性）が急減する。そし
て、この両者のピーク強度が急激に変化が起る領
域Ａにおいて成膜速度が急激に上昇し、この成膜
速度の急激な変化が起る領域Ａで低抵抗、高光透
過率を有する透明導電膜が得られた。しかしなが
ら、この急激な成膜速度変化領域Ａは、ターゲツ
ト１ｃの表面状態により大きく変動するため、予
め最適化を行ない、成膜条件を固定させてスパツ
タを行なつても良質の膜を再現性良く形成するこ
とが困難であつた。そこで、分光器５で測定した
インジウムのエミツシヨンピーク強度（特性）
と酸素ガスのエミツシヨンピーク強度（特性）
とから上記領域Ａの条件が得られる最適な特性
／特性の比（特性）を求め、この値がスパ
ツタリング時に常時一定値を保持するようにアン
プ６から電源３にフイードバツクをかけ、ターゲ
ツト１ｃへの入力パワーをコントロールさせ、レ
コーダ７でモニタしながらスパツタリングを行な
い、成膜することによつて、低温度で再現性良く
低電気抵抗、高光透過率を有する透明導電膜が得
られた。
いて、まず、スパツタ装置１内にArガスと十数
％酸素ガスとの混合ガスを封入し、ターゲツト１
ｃに高電圧を印加して基板２の対向面上にターゲ
ツト１ｃのIn−Sn合金をスパツタリングさせる。
このターゲツト１ｃから放射されるプラズマ光Ｌ
を窓１ａおよびレンズ４を介して取り出し、分光
器５でプラズマ分光を行ない、アンプ６で増幅
し、レコーダ７で観測すると、ターゲツト１ｃに
印加する電源３からの入力パワー、酸素ガス分圧
等の成膜パラメータ、例えば入力パワーを上昇さ
せると、第２図に示すように入力パワーの約数百
ワツト近傍の領域Ａでインジウムのエミツシヨン
ピーク強度（特性）が急増し、酸素ガスのエミ
ツシヨンピーク強度（特性）が急減する。そし
て、この両者のピーク強度が急激に変化が起る領
域Ａにおいて成膜速度が急激に上昇し、この成膜
速度の急激な変化が起る領域Ａで低抵抗、高光透
過率を有する透明導電膜が得られた。しかしなが
ら、この急激な成膜速度変化領域Ａは、ターゲツ
ト１ｃの表面状態により大きく変動するため、予
め最適化を行ない、成膜条件を固定させてスパツ
タを行なつても良質の膜を再現性良く形成するこ
とが困難であつた。そこで、分光器５で測定した
インジウムのエミツシヨンピーク強度（特性）
と酸素ガスのエミツシヨンピーク強度（特性）
とから上記領域Ａの条件が得られる最適な特性
／特性の比（特性）を求め、この値がスパ
ツタリング時に常時一定値を保持するようにアン
プ６から電源３にフイードバツクをかけ、ターゲ
ツト１ｃへの入力パワーをコントロールさせ、レ
コーダ７でモニタしながらスパツタリングを行な
い、成膜することによつて、低温度で再現性良く
低電気抵抗、高光透過率を有する透明導電膜が得
られた。
このような方法によれば、基板２の温度が約50
℃以下、成膜速度200Å／min以上で良質の透明
導電膜が再現性良く作製することができた。この
場合、膜特性は基板２の種類、材質等により、多
少異なるが、例えばソーダガラス上に上記実施例
で形成した膜厚約500Åの透明導電膜においては、
シート抵抗約200Ω／口、波長500nｍにおいて約
82％の光透過率が得られた。
℃以下、成膜速度200Å／min以上で良質の透明
導電膜が再現性良く作製することができた。この
場合、膜特性は基板２の種類、材質等により、多
少異なるが、例えばソーダガラス上に上記実施例
で形成した膜厚約500Åの透明導電膜においては、
シート抵抗約200Ω／口、波長500nｍにおいて約
82％の光透過率が得られた。
以上説明したように本発明による透明導電膜の
形成方法によれば、基板温度を上げずに透明導電
膜を高速度で形成することができ、また、基板温
度を高温度に上げられない耐熱性の小さい基板、
例えばプラスチツク基板、偏光板等にも透明導電
膜を低温度でかつ高速度でしかも容易に形成する
ことができるなどの極めて優れた効果が得られ
る。
形成方法によれば、基板温度を上げずに透明導電
膜を高速度で形成することができ、また、基板温
度を高温度に上げられない耐熱性の小さい基板、
例えばプラスチツク基板、偏光板等にも透明導電
膜を低温度でかつ高速度でしかも容易に形成する
ことができるなどの極めて優れた効果が得られ
る。
第１図は本発明による透明導電膜の形成方法の
一例を説明するためのスパツタリング装置を示す
要部断面構成図、第２図はターゲツトへの入力パ
ワーに対するエミツシヨンピーク強度を示す特性
図である。 １……スパツタ装置、１ａ……窓、１ｂ……ホ
ルダ、１ｃ……ターゲツト、２……基板、３……
電源、４……集光レンズ、５……分光器、６……
アンプ、７……レコーダ。
一例を説明するためのスパツタリング装置を示す
要部断面構成図、第２図はターゲツトへの入力パ
ワーに対するエミツシヨンピーク強度を示す特性
図である。 １……スパツタ装置、１ａ……窓、１ｂ……ホ
ルダ、１ｃ……ターゲツト、２……基板、３……
電源、４……集光レンズ、５……分光器、６……
アンプ、７……レコーダ。
Claims (1)
- １ ArとO2との混合ガス中でIn−Sn合金をスパ
ツタリングして基板上に透明導電膜を形成する透
明導電膜の形成方法において、入力パワーを変化
させた際、プラズマ中のインジウムと酸素とのエ
ミツシヨンピーク値の比が急激に変化し始めた直
後の領域内の一定値に、前記比が保持されるよう
前記入力パワーを制御することを特徴とした透明
導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19293581A JPS5897203A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19293581A JPS5897203A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897203A JPS5897203A (ja) | 1983-06-09 |
| JPH0370326B2 true JPH0370326B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=16299441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19293581A Granted JPS5897203A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897203A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740447B2 (ja) * | 1986-06-18 | 1995-05-01 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
| JPS63125676A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-28 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | スパツタリング成膜法 |
| JPH0413859A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-17 | Stec Kk | 装飾用反応性スパッタ装置 |
| CN110718322B (zh) * | 2019-10-18 | 2021-02-09 | 江苏亨通电力电缆有限公司 | 风机桥架电缆 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130009A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-12 | Sharp Kk | Method of producing transparent conductive film |
-
1981
- 1981-12-02 JP JP19293581A patent/JPS5897203A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130009A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-12 | Sharp Kk | Method of producing transparent conductive film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5897203A (ja) | 1983-06-09 |
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