JPS5897203A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPS5897203A JPS5897203A JP19293581A JP19293581A JPS5897203A JP S5897203 A JPS5897203 A JP S5897203A JP 19293581 A JP19293581 A JP 19293581A JP 19293581 A JP19293581 A JP 19293581A JP S5897203 A JPS5897203 A JP S5897203A
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- JP
- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- film
- sputtering
- forming
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電膜の形成方法、特に耐熱性の小さい基
板上に低温度でかつ高速度で透明導電膜の形成を可能に
した透明導電膜の゛形成方法に関するものである。
板上に低温度でかつ高速度で透明導電膜の形成を可能に
した透明導電膜の゛形成方法に関するものである。
一般にスパッタリング法により基板上に透明導電膜を形
成する方法として社、ターゲットＫＩｎ虐０ｓ−８ＲＱ
虐酸化物を用いてムｒガス中でスパッタする方法と、Ｉ
ｎ−１１ｍ合金をムｒとＯｓとの混合ガス中でスパッタ
する方法の２種が提案されている。そして前者はスパッ
タ直後で低電気抵抗、高光透過率０ＩＩＩｉｊＡ形成で
きるが、酸膜速度を大きくすることが困難である一方、
徒者Ｏ場舎、酸膜速度は比較的大きいが、基板加熱なし
に低電気抵抗、１４光透過率Ｏ膜が得られる成膜条件の
範囲が極めて狭く、成膜Ｏコントーールが極端に難しい
という欠点があつえ。
成する方法として社、ターゲットＫＩｎ虐０ｓ−８ＲＱ
虐酸化物を用いてムｒガス中でスパッタする方法と、Ｉ
ｎ−１１ｍ合金をムｒとＯｓとの混合ガス中でスパッタ
する方法の２種が提案されている。そして前者はスパッ
タ直後で低電気抵抗、高光透過率０ＩＩＩｉｊＡ形成で
きるが、酸膜速度を大きくすることが困難である一方、
徒者Ｏ場舎、酸膜速度は比較的大きいが、基板加熱なし
に低電気抵抗、１４光透過率Ｏ膜が得られる成膜条件の
範囲が極めて狭く、成膜Ｏコントーールが極端に難しい
という欠点があつえ。
し喪がって本発明は、上記従来の欠点に鍾与てなされた
ものであシ、その目的とするところは、ス／（ツタＯプ
ラズマ中のインジウふと酸素とＯ工Ｚツシ璽ンビーク強
度を分光器でｓｇ室し、スパッタ時にこの比を一定値に
保持させることによって、正確な成膜コントロールを行
ない、基板温度を上げずに透明導“電膜を高速度で形成
可能にした透明導電膜の形成方法を提供するととＫある
。
ものであシ、その目的とするところは、ス／（ツタＯプ
ラズマ中のインジウふと酸素とＯ工Ｚツシ璽ンビーク強
度を分光器でｓｇ室し、スパッタ時にこの比を一定値に
保持させることによって、正確な成膜コントロールを行
ない、基板温度を上げずに透明導“電膜を高速度で形成
可能にした透明導電膜の形成方法を提供するととＫある
。
以下ｍ両を用いて本発明の爽論°例を詳細Ｋ１１ｌｉす
る。
る。
ｌｌ５１１Ｉｌは本発明による透明導電膜の形成方法の
一例を説明するためのスパッタリング装置を示す要部＃
１ｌｔＮ構成図である。同１１Ｋｍ−いて、１はスパッ
タ装置、１ｍはスパッタ装置１内Ｏプラズ！光Ｌを堆す
出す石英ガラス板からなる窓、１ｂＨ透明導電膜を形成
する基板を保持させるホルダ、１・はホルダ１ｂに対向
配置されたＩｎ−１１ｎ合金からなるターゲット、２は
ホルダ１ｂ上に装着された基板、３はターゲット１・に
高電圧を印加する電源、４は１１１＆から取り出される
プラズマ光りを集光する集光レンズ、５はインジウムの
エミッシ層ンビーク値および酸素のニオツシｌンビーク
値を検出する分光器、６は上記両ピーク値を増幅させる
アンプ、Ｔはモニターを兼ねたレコーダである。
一例を説明するためのスパッタリング装置を示す要部＃
１ｌｔＮ構成図である。同１１Ｋｍ−いて、１はスパッ
タ装置、１ｍはスパッタ装置１内Ｏプラズ！光Ｌを堆す
出す石英ガラス板からなる窓、１ｂＨ透明導電膜を形成
する基板を保持させるホルダ、１・はホルダ１ｂに対向
配置されたＩｎ−１１ｎ合金からなるターゲット、２は
ホルダ１ｂ上に装着された基板、３はターゲット１・に
高電圧を印加する電源、４は１１１＆から取り出される
プラズマ光りを集光する集光レンズ、５はインジウムの
エミッシ層ンビーク値および酸素のニオツシｌンビーク
値を検出する分光器、６は上記両ピーク値を増幅させる
アンプ、Ｔはモニターを兼ねたレコーダである。
このように構成されたスパッタリング装置において、ま
ず、スパッタ装置１内ＫＡｒガスと十数％酸素ガスとの
混合ガスを封入し、ターゲット１＠に高電圧を印加して
基板ｌの対向面上にターゲット１ＣのＩｎ−１ｍ合金を
スパッタリングさせる。このターゲット１＠かも放射さ
れるプラズマ光りを窓１ａおよびレンズ４を介して職夛
出し、分光器ｉでプラズマ分光を行ない、アンプ１で増
幅し、レコーダＴで観測すると、ターゲット１＠に印加
する電源３からの入力パワー、酸素ガス分圧岬の成膜パ
ラメータ、例えば入力パワーを上昇させると、第２図に
示すように入力パワーの約数百ワット近傍の領域ムでイ
ンジウムの工建ツシ璽ンビーク強度（４９性Ｉ）が急増
し、酸素ガスの工ンツシ璽ンビーク強度（４１４１，１
）が急減する。そして、この両者のピーク強度が急激に
変化が起る領域Ａにおいて成膜速度が急激に上昇し、仁
の成膜速度の急激な変化が起ゐ領域ムで低抵抗、高光透
過率を有する透明導電膜が得られた。しかしながら、仁
の急激な酸膜速度変化領域ムは、ターゲット１＠の表面
状１１により大きく装動する喪め、予め最適化を行ない
、成膜条件を固定させてスパッタを行なっても良質の膜
を再現性良く形成すゐことが困難であった。そこで、分
光ａＳで測定したインジウムの工擢ツシ１ンビーク強度
（特性ｌ）と酸素ガスめヱ建ツシ璽ンビーク強度（特性
ｌ）とから上記領域ムの条件が得られる最適な特性Ｉ／
４！性ｌの比を求め、この値がスパッタリング時に常時
一定値を保持するようにアンプＳから電Ｉ１３にフィー
ドバックをかけ、ターゲット１０への入力パワーをコン
トロールさせ、レコーダ１でモニタしながらスパッタリ
ングを行ない、成膜することによって、低温度で再現性
良く低電気抵抗、高光透過率を有する透明導電膜が得ら
れた。
ず、スパッタ装置１内ＫＡｒガスと十数％酸素ガスとの
混合ガスを封入し、ターゲット１＠に高電圧を印加して
基板ｌの対向面上にターゲット１ＣのＩｎ−１ｍ合金を
スパッタリングさせる。このターゲット１＠かも放射さ
れるプラズマ光りを窓１ａおよびレンズ４を介して職夛
出し、分光器ｉでプラズマ分光を行ない、アンプ１で増
幅し、レコーダＴで観測すると、ターゲット１＠に印加
する電源３からの入力パワー、酸素ガス分圧岬の成膜パ
ラメータ、例えば入力パワーを上昇させると、第２図に
示すように入力パワーの約数百ワット近傍の領域ムでイ
ンジウムの工建ツシ璽ンビーク強度（４９性Ｉ）が急増
し、酸素ガスの工ンツシ璽ンビーク強度（４１４１，１
）が急減する。そして、この両者のピーク強度が急激に
変化が起る領域Ａにおいて成膜速度が急激に上昇し、仁
の成膜速度の急激な変化が起ゐ領域ムで低抵抗、高光透
過率を有する透明導電膜が得られた。しかしながら、仁
の急激な酸膜速度変化領域ムは、ターゲット１＠の表面
状１１により大きく装動する喪め、予め最適化を行ない
、成膜条件を固定させてスパッタを行なっても良質の膜
を再現性良く形成すゐことが困難であった。そこで、分
光ａＳで測定したインジウムの工擢ツシ１ンビーク強度
（特性ｌ）と酸素ガスめヱ建ツシ璽ンビーク強度（特性
ｌ）とから上記領域ムの条件が得られる最適な特性Ｉ／
４！性ｌの比を求め、この値がスパッタリング時に常時
一定値を保持するようにアンプＳから電Ｉ１３にフィー
ドバックをかけ、ターゲット１０への入力パワーをコン
トロールさせ、レコーダ１でモニタしながらスパッタリ
ングを行ない、成膜することによって、低温度で再現性
良く低電気抵抗、高光透過率を有する透明導電膜が得ら
れた。
このような方法によれば、基板２の温度が約５０℃以下
、成績速度＝０〇五／ｍＩＭ１以上で良質の透明導電膜
が再現性良〈作製すゐことができた。この場合、膜特性
は基１２のｍｓ、材質等により１多少異なるが、例えば
ソーダガラス上に上記実施例で形成した膜厚約８００ム
の透明導電膜においては、シート抵抗約２００６／口、
波長５００ｎｍにおいて約８２Ｎの光透過率が得られた
。
、成績速度＝０〇五／ｍＩＭ１以上で良質の透明導電膜
が再現性良〈作製すゐことができた。この場合、膜特性
は基１２のｍｓ、材質等により１多少異なるが、例えば
ソーダガラス上に上記実施例で形成した膜厚約８００ム
の透明導電膜においては、シート抵抗約２００６／口、
波長５００ｎｍにおいて約８２Ｎの光透過率が得られた
。
以上説明し喪ように本発明による透明導電膜の形成方法
によれば、基板温度を上げずに透明導電膜を高、速度で
形成すみことができ、また、基板温度を高温度に上げら
れかい耐熱性の小さい基板、例えばプラスチック基板、
偏光板等に本透明導電膜を像温度でかつ高速度でしかも
容易に形成することができるなどの極めて優れた効果が
得られる。
によれば、基板温度を上げずに透明導電膜を高、速度で
形成すみことができ、また、基板温度を高温度に上げら
れかい耐熱性の小さい基板、例えばプラスチック基板、
偏光板等に本透明導電膜を像温度でかつ高速度でしかも
容易に形成することができるなどの極めて優れた効果が
得られる。
第１図は本発明による透明導電膜の形成方法の一例を説
明す為ためのスパッタリンダ装置を示す要部断面構成図
、＃！２図はターゲットへの入力パワーに対する翼々ツ
シ冒ンビーク強度を示す特性図である。 １・・・・スパッタ装置、１＆・・・・窓、１ｂｅ・・
・ホルダ、１・・・・φターゲット、２・・・・基板、
１・・・・電源、４・・・・集光レンズ、ｉ・・・参会
光器、・・・・・アンプ、Ｔ・・・・レコー〆・ 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
明す為ためのスパッタリンダ装置を示す要部断面構成図
、＃！２図はターゲットへの入力パワーに対する翼々ツ
シ冒ンビーク強度を示す特性図である。 １・・・・スパッタ装置、１＆・・・・窓、１ｂｅ・・
・ホルダ、１・・・・φターゲット、２・・・・基板、
１・・・・電源、４・・・・集光レンズ、ｉ・・・参会
光器、・・・・・アンプ、Ｔ・・・・レコー〆・ 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- ムｒと０１との混合ガス中でｌｌｌ−Ｉｎｎ壷金スパッ
タリングして基板上に透明ｉ電膜を形成する透明導電膜
の形成方法において、前記スパッタリングを、プラズマ
中のインジウムと酸素とのエミツシｍｙピーク値の比が
急激に変化する領域内で行なうことを特徴とした透明導
電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19293581A JPS5897203A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19293581A JPS5897203A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897203A true JPS5897203A (ja) | 1983-06-09 |
| JPH0370326B2 JPH0370326B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=16299441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19293581A Granted JPS5897203A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897203A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63909A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
| JPS63125676A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-28 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | スパツタリング成膜法 |
| JPH0413859A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-17 | Stec Kk | 装飾用反応性スパッタ装置 |
| CN110718322A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-21 | 江苏亨通电力电缆有限公司 | 风机桥架电缆 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130009A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-12 | Sharp Kk | Method of producing transparent conductive film |
-
1981
- 1981-12-02 JP JP19293581A patent/JPS5897203A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130009A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-12 | Sharp Kk | Method of producing transparent conductive film |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63909A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
| JPS63125676A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-28 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | スパツタリング成膜法 |
| JPH0413859A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-17 | Stec Kk | 装飾用反応性スパッタ装置 |
| CN110718322A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-21 | 江苏亨通电力电缆有限公司 | 风机桥架电缆 |
| CN110718322B (zh) * | 2019-10-18 | 2021-02-09 | 江苏亨通电力电缆有限公司 | 风机桥架电缆 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0370326B2 (ja) | 1991-11-07 |
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