JPS58165212A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS58165212A JPS58165212A JP4738782A JP4738782A JPS58165212A JP S58165212 A JPS58165212 A JP S58165212A JP 4738782 A JP4738782 A JP 4738782A JP 4738782 A JP4738782 A JP 4738782A JP S58165212 A JPS58165212 A JP S58165212A
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- JP
- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- forming
- sputtering
- film
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電膜の形成方法、特に耐熱性の奉べ乞い
基蓼上に低温匿でかつ高速度で透明導電膜の形成を可能
にした透明導電膜の形成方法に関するものである。
基蓼上に低温匿でかつ高速度で透明導電膜の形成を可能
にした透明導電膜の形成方法に関するものである。
一般にスパッタリング法により基板上に透明導電膜を形
成する方法としては、ターゲラ）ＫＩｒｖ０３−８１１
０２酸化物を用いてムｒガス中でスパッタする方法と、
Ｉｎ−８ａ合金をＡｒと０２との混合ガス中でスパッタ
する方法の２１１が提案されている。
成する方法としては、ターゲラ）ＫＩｒｖ０３−８１１
０２酸化物を用いてムｒガス中でスパッタする方法と、
Ｉｎ−８ａ合金をＡｒと０２との混合ガス中でスパッタ
する方法の２１１が提案されている。
そして前場はスパッタ直後で低電気抵抗、高光透過率の
龜が形成できるが、成膜速度を大きくすることが困難で
ある一方、後者の鳩舎、成膜速度は比較的大きいが、基
板加熱りしに低電気抵抗、高光透過率の−が得られる成
膜条件の範囲が極めて狭く、成−のコントロールが極端
に難しいという欠点があうた。
龜が形成できるが、成膜速度を大きくすることが困難で
ある一方、後者の鳩舎、成膜速度は比較的大きいが、基
板加熱りしに低電気抵抗、高光透過率の−が得られる成
膜条件の範囲が極めて狭く、成−のコントロールが極端
に難しいという欠点があうた。
このような次点を改善したものとしては、第１図および
第２図に示すような透明導電膜の形成方法が提案されて
いる。すなわち、第１図は近年発ｖ４１１等によって提
案された透明導電膜の形成方法の一例をＷ！明するため
のスパッタリング装置を示すｌｌ！郁断如輌成図であり
１第２図はそのスパッタリング条件を示す特性図である
。まず、第１図において、１祉スパッタ装置、１ａはス
パッタ装置１内のプラズマ光Ｌ’を取ル出す石英ガラス
鈑からなる窓、１ｂＦｉ透明導′Ｉ！膜を形成する基板
を保持させるホルダ、１ｃｌｄホルダ１ｂに対向配置さ
れたＩｎ−８ｎＡｒ金からなるターゲット、２はホルダ
１ｂに装着された透明溝′に膜形成用基板、３はターゲ
ラ）１Ｃに高電圧を印加する％源、４は窓１ａから取り
出されるプラズマ光りを集光する集光レンズ、Ｓｉｔイ
ｙジウムのエミッションライン強度および酸素のエミッ
ションライン強度を検出する分光口、Ｓは上記両エミッ
ション強度ピーク値を増−させるアンプ、１はモニター
を兼ね−えたレコーダである。
第２図に示すような透明導電膜の形成方法が提案されて
いる。すなわち、第１図は近年発ｖ４１１等によって提
案された透明導電膜の形成方法の一例をＷ！明するため
のスパッタリング装置を示すｌｌ！郁断如輌成図であり
１第２図はそのスパッタリング条件を示す特性図である
。まず、第１図において、１祉スパッタ装置、１ａはス
パッタ装置１内のプラズマ光Ｌ’を取ル出す石英ガラス
鈑からなる窓、１ｂＦｉ透明導′Ｉ！膜を形成する基板
を保持させるホルダ、１ｃｌｄホルダ１ｂに対向配置さ
れたＩｎ−８ｎＡｒ金からなるターゲット、２はホルダ
１ｂに装着された透明溝′に膜形成用基板、３はターゲ
ラ）１Ｃに高電圧を印加する％源、４は窓１ａから取り
出されるプラズマ光りを集光する集光レンズ、Ｓｉｔイ
ｙジウムのエミッションライン強度および酸素のエミッ
ションライン強度を検出する分光口、Ｓは上記両エミッ
ション強度ピーク値を増−させるアンプ、１はモニター
を兼ね−えたレコーダである。
このように構成されたスパッタリング装置において、ま
ず、スパッタ装置１内にＡｒガスと十数囁瞭素ガスとの
混合ガス誓専入し、ターゲット１・に１ およびレンズ４を介して取ル出し、分光器５でプラズマ
分光を行ない、アンプ６で増幅し、レコーダＴで観測す
ると、ターゲラ）ｌｃに印加する電源３からの入カパワ
ー、ＷＲ素ガス分圧等の成膜パラメータ、例えば入力パ
ワーを上昇させると、第２図に示すように入力パワーの
約数百ワット近傍の領域ムでインジウムのエミッション
ライン強度（弔性Ｉ）か急増し、ｗ！累ガスのエミッシ
ョンライン強度（％性■）が急減する。そして、この両
省のピーク強度が急激に変化が起る領域ムにおいて成膜
速Ｊ［が急激に上昇し、この成膜速度の急激力変化が起
る領域ムで低抵抗でかつ高光透過率を有する透明溝′＃
Ｌ＃が得られた。しかしながら、この急１な成展速度変
化領ＭＡは、極めて狭く、ま九ターゲットＩＣの銅面状
態によル大きく変動するため、予め最適化を行ない、成
膜条件を固定させてスパッタをｌ′ｉなっても良質の談
を再現性良く１： 形成することが１−一であった。そこで、分光器５．１
１．′ □ で測定したインー’ｉ、ウムのエミッションラインｉｔ
（％性■）と酸素ガスのエミッションライン強度Ｃ特性
■）とから上記領域Ａの条件が得られる最適な％ａＩ／
特性■特性上求め、この値がスパッタリング時に常時一
定値を保持するようにアンプ６から電源３にフィードバ
ックをかけ、ターゲットＩＣへの入力パワーをコントロ
ールさせ、レコーダＴでモニタしながらスパッタリング
を行ない、成膜することによって、低温度で再現性良く
低電気抵抗、高光透過率を有する透明導電膜が得られる
。
ず、スパッタ装置１内にＡｒガスと十数囁瞭素ガスとの
混合ガス誓専入し、ターゲット１・に１ およびレンズ４を介して取ル出し、分光器５でプラズマ
分光を行ない、アンプ６で増幅し、レコーダＴで観測す
ると、ターゲラ）ｌｃに印加する電源３からの入カパワ
ー、ＷＲ素ガス分圧等の成膜パラメータ、例えば入力パ
ワーを上昇させると、第２図に示すように入力パワーの
約数百ワット近傍の領域ムでインジウムのエミッション
ライン強度（弔性Ｉ）か急増し、ｗ！累ガスのエミッシ
ョンライン強度（％性■）が急減する。そして、この両
省のピーク強度が急激に変化が起る領域ムにおいて成膜
速Ｊ［が急激に上昇し、この成膜速度の急激力変化が起
る領域ムで低抵抗でかつ高光透過率を有する透明溝′＃
Ｌ＃が得られた。しかしながら、この急１な成展速度変
化領ＭＡは、極めて狭く、ま九ターゲットＩＣの銅面状
態によル大きく変動するため、予め最適化を行ない、成
膜条件を固定させてスパッタをｌ′ｉなっても良質の談
を再現性良く１： 形成することが１−一であった。そこで、分光器５．１
１．′ □ で測定したインー’ｉ、ウムのエミッションラインｉｔ
（％性■）と酸素ガスのエミッションライン強度Ｃ特性
■）とから上記領域Ａの条件が得られる最適な％ａＩ／
特性■特性上求め、この値がスパッタリング時に常時一
定値を保持するようにアンプ６から電源３にフィードバ
ックをかけ、ターゲットＩＣへの入力パワーをコントロ
ールさせ、レコーダＴでモニタしながらスパッタリング
を行ない、成膜することによって、低温度で再現性良く
低電気抵抗、高光透過率を有する透明導電膜が得られる
。
しかし力から、上述した透明導電膜の形成方法によると
、良質の膜が得られる最適成膜条件の範囲が極めて狭い
ため、形成された膜の特性に偏差（バラツキ）が生じる
という問題が発生した。
、良質の膜が得られる最適成膜条件の範囲が極めて狭い
ため、形成された膜の特性に偏差（バラツキ）が生じる
という問題が発生した。
し九がって本発明は、上述した問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、スパッタのプラ
ズマ中でのインジウムと酸素とのエミッションライン強
度を分光器で測定し、スパッタ時に両者のエミッション
ライン強度比ｔ一定値Ｋｌｉ！持させることにょシ、正
確な成膜コントロールを行なうとともに、このスパッタ
槽中に１０−５〜１０ Ｔ＠ｒｒ程度の酸化性ガスと
して例えば水蒸気を導入して一定値のエミッタ１フ２４
２強度比が得られる成−パラメータ、例えば入力パワー
の幅を拡大させることによって基板温度を上昇させるこ
となく、良質の透明導電膜を高速度でしかも安定１良く
形成可能にした透明導電膜の形成方法を提供することに
ある。
ものであり、その目的とするところは、スパッタのプラ
ズマ中でのインジウムと酸素とのエミッションライン強
度を分光器で測定し、スパッタ時に両者のエミッション
ライン強度比ｔ一定値Ｋｌｉ！持させることにょシ、正
確な成膜コントロールを行なうとともに、このスパッタ
槽中に１０−５〜１０ Ｔ＠ｒｒ程度の酸化性ガスと
して例えば水蒸気を導入して一定値のエミッタ１フ２４
２強度比が得られる成−パラメータ、例えば入力パワー
の幅を拡大させることによって基板温度を上昇させるこ
となく、良質の透明導電膜を高速度でしかも安定１良く
形成可能にした透明導電膜の形成方法を提供することに
ある。
以下＠面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３ＷＡは本発明による透明溝ｔｌ！Ｉの形成方法の一
例を説明するためのスパッタリングの装置を示す！！部
断ｌ１ｌｉ構成図であル、第１図と同記号は同−費素と
なるのでその説明は省略する。同図において、８＃ｉヒ
ータ、９はヒータ８で加熱される水蒸気発生婁、１０１
１水蒸気発生ＳＳに収容された純水、１ｌＦｉマスフロ
ーコントローラテアル。
例を説明するためのスパッタリングの装置を示す！！部
断ｌ１ｌｉ構成図であル、第１図と同記号は同−費素と
なるのでその説明は省略する。同図において、８＃ｉヒ
ータ、９はヒータ８で加熱される水蒸気発生婁、１０１
１水蒸気発生ＳＳに収容された純水、１ｌＦｉマスフロ
ーコントローラテアル。
このようＫｍ成された装置において、上述したように成
膜時にマスフローコントローラ１１を介してスパッタ装
置１内に分圧で１０〜ＩＱ Ｔｏｒｒ＠ｌｙＯ水蒸気
を導入し、上述したと同様にプラズマ分光を行なった結
果１ｊ１４図にボす。同図から明らか愈ように成ＩｋＩ
ＩｌＦに１０ 〜１０ Ｔｏｒｒ８度の水蒸気を導入
することによシ、入力／切−に対してのインジウムのエ
ミツシ′ＥＩｙライン強度の急増の度合と酸素のエミッ
ションライフ強度の急減の度合とが共に緩和され、これ
によって良質な躾が形成される特性ｌ／特性■の比を与
える領域Ｂを、水蒸気を導入しない場合の′＃Ｘ１図の
領域ＡＫ比べ３倍以上拡大させることが可能となった。
膜時にマスフローコントローラ１１を介してスパッタ装
置１内に分圧で１０〜ＩＱ Ｔｏｒｒ＠ｌｙＯ水蒸気
を導入し、上述したと同様にプラズマ分光を行なった結
果１ｊ１４図にボす。同図から明らか愈ように成ＩｋＩ
ＩｌＦに１０ 〜１０ Ｔｏｒｒ８度の水蒸気を導入
することによシ、入力／切−に対してのインジウムのエ
ミツシ′ＥＩｙライン強度の急増の度合と酸素のエミッ
ションライフ強度の急減の度合とが共に緩和され、これ
によって良質な躾が形成される特性ｌ／特性■の比を与
える領域Ｂを、水蒸気を導入しない場合の′＃Ｘ１図の
領域ＡＫ比べ３倍以上拡大させることが可能となった。
以上のようにＩｎ−８ｎ金金をムｒと０２とＯ温合ガス
中で反応スパッタさせる際、１０″″’−１０−〜ｒｒ
程度の水蒸気をスパッタ装置１内に導入し、分光器らで
測定したインジウムのエミッションライン８３１（４Ｉ
性Ｉ）と酸素のエミッションライフ強度（４Ｉ性■）と
から上記領域ｎの条件が得られる最適１に特！Ｉ／％性
■の比を求め、この値がスノ（ツタリング時に常時一定
値を森持するようにアンプ□ ６から電ｌ１３にフィードパラ、りをかけ、ターゲツビ ト １Ｃへの入力パワーをコントローラサ４に、レコー
ダ１でモニタし表からスパッタリングを行ない、成膜す
ることによって、基１１２０温簾が約５０℃以下、成膜
速度４００Ａ／ｗｉｎ以上で良質のａＷＲ導電哄が再現
性良く作製することができた。この場合、１１％性は基
１１２の種類、＠質等により、多少異なるか、例えば、
ソーダガラス上に上記５ｊ！ｍ例で形成した膜厚的３０
ＯＡの透明導電膜においては、シート抵抗約２０００／
口、波長ｓｏｏｎｍにおいて約８２嘩の光透過率が得ら
れた。
中で反応スパッタさせる際、１０″″’−１０−〜ｒｒ
程度の水蒸気をスパッタ装置１内に導入し、分光器らで
測定したインジウムのエミッションライン８３１（４Ｉ
性Ｉ）と酸素のエミッションライフ強度（４Ｉ性■）と
から上記領域ｎの条件が得られる最適１に特！Ｉ／％性
■の比を求め、この値がスノ（ツタリング時に常時一定
値を森持するようにアンプ□ ６から電ｌ１３にフィードパラ、りをかけ、ターゲツビ ト １Ｃへの入力パワーをコントローラサ４に、レコー
ダ１でモニタし表からスパッタリングを行ない、成膜す
ることによって、基１１２０温簾が約５０℃以下、成膜
速度４００Ａ／ｗｉｎ以上で良質のａＷＲ導電哄が再現
性良く作製することができた。この場合、１１％性は基
１１２の種類、＠質等により、多少異なるか、例えば、
ソーダガラス上に上記５ｊ！ｍ例で形成した膜厚的３０
ＯＡの透明導電膜においては、シート抵抗約２０００／
口、波長ｓｏｏｎｍにおいて約８２嘩の光透過率が得ら
れた。
なお、上記笑施例においては、酸化性ガスとして水蒸気
を用い大場合について説明したが、本発明は水蒸気に限
定されるものではなく、酸素を含む全てのガス、例えば
ＣＯ２などを用いても前述と全く同様の効果が得られる
ことは勿論である。
を用い大場合について説明したが、本発明は水蒸気に限
定されるものではなく、酸素を含む全てのガス、例えば
ＣＯ２などを用いても前述と全く同様の効果が得られる
ことは勿論である。
以上説明したように本発明による透明導電膜の形成方法
によれに５基飯＠罠を上げずにａ明導電−を高速度でか
つ安定性良く形成することができ、また、基叛温ｔな高
一度に上げられない耐熱性の４−低い１飯、例えばオラ
スチック基板、偏光板に□・、１ も透明導電膜を低温度モかつ高速度でしかも安定性良く
容易に形成することができるなどの極めて優れた効果が
得られる。
によれに５基飯＠罠を上げずにａ明導電−を高速度でか
つ安定性良く形成することができ、また、基叛温ｔな高
一度に上げられない耐熱性の４−低い１飯、例えばオラ
スチック基板、偏光板に□・、１ も透明導電膜を低温度モかつ高速度でしかも安定性良く
容易に形成することができるなどの極めて優れた効果が
得られる。
第１図は近年発明者等によって提案されている透明導電
膜の形成方法の一例を説明するためのスパッタリング装
置を示す要部断面構成図、第２図はターゲットへの入力
パワーに対するエミッションビーク強度を示す特性図、
第３図は本発明による透明導電膜の形成方法の一例を説
明するためのスパッタリング装置を示す要部断面構成図
、第４図は水蒸気を導入した場合のターゲットへの入力
パワーに対するエミッションピーク強度を示す特性図で
ある。 １・・ｅ・スパッタ装置ｋ、１亀・・・・窓、１ｂ・・
１１１Ｉホルダ、ｌｃ・・・・ターゲット、２・・ｅ＠
蓬職、３・−・・電源、４・ｅ自・集光レンズ、５・・
・・分光器、６・・・・アンプ、Ｔ・Ｏ・・レコーダ、
８＠＠・・ヒータ、９・・・・水蒸気発生源、１０・−
・・純水、１１・・・・マスフローコントローラ。
゛
膜の形成方法の一例を説明するためのスパッタリング装
置を示す要部断面構成図、第２図はターゲットへの入力
パワーに対するエミッションビーク強度を示す特性図、
第３図は本発明による透明導電膜の形成方法の一例を説
明するためのスパッタリング装置を示す要部断面構成図
、第４図は水蒸気を導入した場合のターゲットへの入力
パワーに対するエミッションピーク強度を示す特性図で
ある。 １・・ｅ・スパッタ装置ｋ、１亀・・・・窓、１ｂ・・
１１１Ｉホルダ、ｌｃ・・・・ターゲット、２・・ｅ＠
蓬職、３・−・・電源、４・ｅ自・集光レンズ、５・・
・・分光器、６・・・・アンプ、Ｔ・Ｏ・・レコーダ、
８＠＠・・ヒータ、９・・・・水蒸気発生源、１０・−
・・純水、１１・・・・マスフローコントローラ。
゛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ Ａｒと０２ との混合ガス中でｉｎ−１ａ１ｍ合
金をスパッタリングして基板上に透明導電膜を成膜する
透明導電膜の形成方法において、前記スパッタ槽内に１
０−５〜１０−３Ｔｏ ｒ ｒの０２より酸化性の弱い
酸化性ガスを導入し、グツズｉ中のインジウムト酸素と
の工ずツションライン強度の比が急激に変化する領域内
で、その比を常に◆適止に保持させながらスパッタリン
グし１成暎することを特徴とし九透明導電験の形成方法
。 ２、前記酸化性ガスを水蕉気としたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4738782A JPS58165212A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4738782A JPS58165212A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58165212A true JPS58165212A (ja) | 1983-09-30 |
| JPH0338681B2 JPH0338681B2 (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=12773689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4738782A Granted JPS58165212A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58165212A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02163363A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-06-22 | Ulvac Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| JP2013001991A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5201248B2 (ja) | 2011-03-31 | 2013-06-05 | 株式会社豊田自動織機 | 圧縮機の安全弁 |
-
1982
- 1982-03-26 JP JP4738782A patent/JPS58165212A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02163363A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-06-22 | Ulvac Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| JP2013001991A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338681B2 (ja) | 1991-06-11 |
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