JP2558072B2 - 液晶セル基板の表面処理方法 - Google Patents
液晶セル基板の表面処理方法Info
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- JP2558072B2 JP2558072B2 JP6105746A JP10574694A JP2558072B2 JP 2558072 B2 JP2558072 B2 JP 2558072B2 JP 6105746 A JP6105746 A JP 6105746A JP 10574694 A JP10574694 A JP 10574694A JP 2558072 B2 JP2558072 B2 JP 2558072B2
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的に液晶に関し、よ
り具体的には液晶層をプレ配列させる基板に関する。
り具体的には液晶層をプレ配列させる基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】あるタイプの液晶電気光学デバイスは、
各々内側の面に導電体の層を被覆した２枚の透明基板の
間に液晶の薄い層を設けることによって作製される。導
電層間に電場が印加されない場合（電場オフ）には液晶
のディレクター（ｄｉｒｅｃｔｏｒ）はある１つの状態
にある（液晶の「ディレクター」とは液晶分子の長い分
子軸の巨視的方向である）。電場が印加された場合（電
場オン）にはディレクターは他の状態へ再配向する。液
晶は複屈折性であるため２つの状態は異なる屈折率を有
し、多くの場合液晶の薄い層は透明基板に対して向けら
れる光に対して複屈折性である。印加された電場に対し
て応答する状態変化は、光を制御する液晶デバイス例え
ばディスプレイおよびプロジェクター基本原理である。
各々内側の面に導電体の層を被覆した２枚の透明基板の
間に液晶の薄い層を設けることによって作製される。導
電層間に電場が印加されない場合（電場オフ）には液晶
のディレクター（ｄｉｒｅｃｔｏｒ）はある１つの状態
にある（液晶の「ディレクター」とは液晶分子の長い分
子軸の巨視的方向である）。電場が印加された場合（電
場オン）にはディレクターは他の状態へ再配向する。液
晶は複屈折性であるため２つの状態は異なる屈折率を有
し、多くの場合液晶の薄い層は透明基板に対して向けら
れる光に対して複屈折性である。印加された電場に対し
て応答する状態変化は、光を制御する液晶デバイス例え
ばディスプレイおよびプロジェクター基本原理である。
【０００３】通常の形態においては、液晶ライトバルブ
は、ライトバルブの一方の側に対して向けられる偏光投
影光ビームを、他方の側に対して向けられる書き込み光
ビームにしたがって変調するデバイスである。偏光投影
光ビームは、通常対向電極と呼ばれる２つの透明電極の
うちの一方からライトバルブに入り、液晶層を通過し、
他方の電極上のミラーから反射される。投影光ビーム
は、液晶層および対向電極を通って戻り、外部の検光子
を通過する。偏光子および検光子の機能は、しばしば単
一の偏光ビームスプリッターによって達成され、投影光
ビームは液晶の通過の前および後にこれを通過する。こ
のタイプおよび他のタイプの液晶ライトバルブの動作は
多くの技術出版物により詳細に議論されている；例え
ば、「液晶ライトバルブの進歩」、Ｗ．Ｐ．ブレハ、レ
ーザーフォーカス／電気光学、１９８３年１０月、第１
１１〜１２０頁（“Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｌｉｑｕ
ｉｄＣｒｙｓｔａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅｓ”，ｂ
ｙ Ｗ．Ｐ．Ｂｌｅｈａ，ｉｎ Ｌａｓｅｒ Ｆｏｃｕ
ｓ／Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃｓ，Ｏｃｔｏｂｅｒ１
９８３，ｐａｇｅｓ １１１−１２０）を参照された
い。
は、ライトバルブの一方の側に対して向けられる偏光投
影光ビームを、他方の側に対して向けられる書き込み光
ビームにしたがって変調するデバイスである。偏光投影
光ビームは、通常対向電極と呼ばれる２つの透明電極の
うちの一方からライトバルブに入り、液晶層を通過し、
他方の電極上のミラーから反射される。投影光ビーム
は、液晶層および対向電極を通って戻り、外部の検光子
を通過する。偏光子および検光子の機能は、しばしば単
一の偏光ビームスプリッターによって達成され、投影光
ビームは液晶の通過の前および後にこれを通過する。こ
のタイプおよび他のタイプの液晶ライトバルブの動作は
多くの技術出版物により詳細に議論されている；例え
ば、「液晶ライトバルブの進歩」、Ｗ．Ｐ．ブレハ、レ
ーザーフォーカス／電気光学、１９８３年１０月、第１
１１〜１２０頁（“Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｌｉｑｕ
ｉｄＣｒｙｓｔａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅｓ”，ｂ
ｙ Ｗ．Ｐ．Ｂｌｅｈａ，ｉｎ Ｌａｓｅｒ Ｆｏｃｕ
ｓ／Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃｓ，Ｏｃｔｏｂｅｒ１
９８３，ｐａｇｅｓ １１１−１２０）を参照された
い。
【０００４】このタイプの液晶ライトバルブにおいて、
バイアス電場は導電性電極への電圧により液晶層を介し
て印加される。液晶はこのバイアス電場に応答して配向
する。液晶のディレクターは初期すなわち電場オフ状態
には基板に垂直に配向する。電場の印加は、ディレクタ
ーを基板面に向かって回転させ、デバイスの光透過率を
変化させる。書き込み光のパターンは、電場を変調し、
液晶を通過する光の位相遅延を変化させ、さらに検光子
を通過する投影光ビームを変調する。
バイアス電場は導電性電極への電圧により液晶層を介し
て印加される。液晶はこのバイアス電場に応答して配向
する。液晶のディレクターは初期すなわち電場オフ状態
には基板に垂直に配向する。電場の印加は、ディレクタ
ーを基板面に向かって回転させ、デバイスの光透過率を
変化させる。書き込み光のパターンは、電場を変調し、
液晶を通過する光の位相遅延を変化させ、さらに検光子
を通過する投影光ビームを変調する。
【０００５】ある種の応用にとっては、基板の表面に対
して水平配向を呈するように液晶のディレクターを配向
させることが望ましい。このような配向は、ある種のテ
レビジョン投影ディスプレイおよびカラー・シンボロジ
ー・ライトバルブに必要である。一般的に、電場が表面
に垂直に液晶を横切って印加されるならば、また液晶が
正の誘電異方性を有するならば水平配向が望ましく、こ
のため分子が基板表面に平行になっていると分子は垂直
配向の方へ傾けられる（ティルトされる）こともある。
して水平配向を呈するように液晶のディレクターを配向
させることが望ましい。このような配向は、ある種のテ
レビジョン投影ディスプレイおよびカラー・シンボロジ
ー・ライトバルブに必要である。一般的に、電場が表面
に垂直に液晶を横切って印加されるならば、また液晶が
正の誘電異方性を有するならば水平配向が望ましく、こ
のため分子が基板表面に平行になっていると分子は垂直
配向の方へ傾けられる（ティルトされる）こともある。
【０００６】Ｌ．Ｊ．ミラーら（Ｌ．Ｊ．Ｍｉｌｌｅｒ
ｅｔ ａｌ）に対して１９７７年６月２１日に発行さ
れた米国特許第４，０３０，９９７号、およびＬ．Ｊ．
ミラー（Ｌ．Ｊ．Ｍｉｌｌｅｒ）に対して１９７７年５
月１０日に発行された米国特許第４，０２２，９３４号
は、脂肪族アルコール蒸気で処理された蒸着二酸化シリ
コンを用い、液晶分子をホメオトロピック垂直配向また
はティルトした配向に配列させる方法を開示している。
ｅｔ ａｌ）に対して１９７７年６月２１日に発行さ
れた米国特許第４，０３０，９９７号、およびＬ．Ｊ．
ミラー（Ｌ．Ｊ．Ｍｉｌｌｅｒ）に対して１９７７年５
月１０日に発行された米国特許第４，０２２，９３４号
は、脂肪族アルコール蒸気で処理された蒸着二酸化シリ
コンを用い、液晶分子をホメオトロピック垂直配向また
はティルトした配向に配列させる方法を開示している。
【０００７】また、液晶分子を基板表面に平行に配向さ
せる（「ホモニジアス」配向）方法もある。最も単純な
配向方法は表面をラビングすることである。他の方法
は、Ｍ．Ｊ．リトルら（Ｍ．Ｊ．Ｌｉｔｔｅｌ ｅｔ
ａｌ）による米国特許第４，１５３，５２９号に記載さ
れているように、表面をＳｉＯ2 で被覆し表面をイオン
ビームによりエッチする方法である。さらに他の方法
は、Ｊ．Ｌ．ジャニング（Ｊ．Ｌ．Ｊａｎｎｉｎｇ）に
よりアプライド・フィジカル・レター、第２１巻、第１
７３〜１７４頁（１９７２）（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃａｌ Ｌｅｔｔｅｒ，Ｖｏｌ．２１，ｐｐ．１７
３−１７４（１９７２））に報告されているようなＳｉ
Ｏ2 の斜方蒸着である。
せる（「ホモニジアス」配向）方法もある。最も単純な
配向方法は表面をラビングすることである。他の方法
は、Ｍ．Ｊ．リトルら（Ｍ．Ｊ．Ｌｉｔｔｅｌ ｅｔ
ａｌ）による米国特許第４，１５３，５２９号に記載さ
れているように、表面をＳｉＯ2 で被覆し表面をイオン
ビームによりエッチする方法である。さらに他の方法
は、Ｊ．Ｌ．ジャニング（Ｊ．Ｌ．Ｊａｎｎｉｎｇ）に
よりアプライド・フィジカル・レター、第２１巻、第１
７３〜１７４頁（１９７２）（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃａｌ Ｌｅｔｔｅｒ，Ｖｏｌ．２１，ｐｐ．１７
３−１７４（１９７２））に報告されているようなＳｉ
Ｏ2 の斜方蒸着である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】蒸着ＳｉＯ2 層を用
い、ＳｉＯ2 層を気相中においてアルコールで処理する
方法の多くは、数時間の処理時間を要する。処理時間の
大半は、主にアルコール源およびアルコール蒸気が蒸着
される基板の別個のヒートサイクルに費やされる。この
処理仕様の理由は、被覆された基板上でのアルコール凝
縮液滴の形成を避ける必要性からである。従来技術にお
いては、長鎖アルコールの温度を上げるための第１の加
熱手段と液晶セルの温度をアルコールの温度よりもわず
かに高いレベルに上げるための第２の加熱手段とを備え
た真空チャンバー内に基板を入れることにより、別個の
ヒートサイクルを得ていた。この従来技術の方法は、反
応が起こる前にアルコール蒸気と加熱基板との間で熱的
平衡に達していなければならないため、非常に時間がか
かる。
い、ＳｉＯ2 層を気相中においてアルコールで処理する
方法の多くは、数時間の処理時間を要する。処理時間の
大半は、主にアルコール源およびアルコール蒸気が蒸着
される基板の別個のヒートサイクルに費やされる。この
処理仕様の理由は、被覆された基板上でのアルコール凝
縮液滴の形成を避ける必要性からである。従来技術にお
いては、長鎖アルコールの温度を上げるための第１の加
熱手段と液晶セルの温度をアルコールの温度よりもわず
かに高いレベルに上げるための第２の加熱手段とを備え
た真空チャンバー内に基板を入れることにより、別個の
ヒートサイクルを得ていた。この従来技術の方法は、反
応が起こる前にアルコール蒸気と加熱基板との間で熱的
平衡に達していなければならないため、非常に時間がか
かる。
【０００９】基板上のＳｉＯ2 被膜を処理するための処
理時間を減らす方法に対する要求は残ったままである。
本発明はこの要求を実現し、さらに関連する長所を提供
するものである。
理時間を減らす方法に対する要求は残ったままである。
本発明はこの要求を実現し、さらに関連する長所を提供
するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段と作用】本発明によれば、
基板をマイクロ波加熱炉で加熱することにより、二酸化
シリコンで被覆された導電性の基板をソースからのアル
コール蒸気に接触させる。この方法は、 （ａ）主表面に導電層を有する基板を用意する工程と； （ｂ）前記基板上にシリカ源からシリカの層を蒸着する
工程と； （ｃ）処理された基板をマイクロ波加熱炉中で約１から
５分の範囲の時間にわたって加熱することにより、シリ
カで被覆された基板をアルコール蒸気で処理する工程
と； （ｄ）前記処理された基板を液晶の層で覆う工程とを有
する。
基板をマイクロ波加熱炉で加熱することにより、二酸化
シリコンで被覆された導電性の基板をソースからのアル
コール蒸気に接触させる。この方法は、 （ａ）主表面に導電層を有する基板を用意する工程と； （ｂ）前記基板上にシリカ源からシリカの層を蒸着する
工程と； （ｃ）処理された基板をマイクロ波加熱炉中で約１から
５分の範囲の時間にわたって加熱することにより、シリ
カで被覆された基板をアルコール蒸気で処理する工程
と； （ｄ）前記処理された基板を液晶の層で覆う工程とを有
する。
【００１１】本発明の方法は、従来技術の数時間から数
分への、おおよそ１００倍の処理時間の減少をもたら
す。この方法は、セル中の液晶の垂直配向または水平配
向のいずれを導入するにも用いることができる。
分への、おおよそ１００倍の処理時間の減少をもたら
す。この方法は、セル中の液晶の垂直配向または水平配
向のいずれを導入するにも用いることができる。
【００１２】
【実施例】本発明において、二酸化シリコン層（その上
にアルコール蒸気が蒸着される）を下地の導電性のイン
ジウム・すず酸化物層にマイクロ波エネルギーを加える
ことにより加熱する。このような方法により、加熱され
る質量が最少に減少するので反応が高速化する。化学的
な酸化または比抵抗の変化の徴候は、全く観察されなか
った。
にアルコール蒸気が蒸着される）を下地の導電性のイン
ジウム・すず酸化物層にマイクロ波エネルギーを加える
ことにより加熱する。このような方法により、加熱され
る質量が最少に減少するので反応が高速化する。化学的
な酸化または比抵抗の変化の徴候は、全く観察されなか
った。
【００１３】図１は本発明を実施するのに用いられる装
置を示す。ここで、容器１０はアルコール１４を入れて
あるアルコール蒸気源であるるつぼ１２および導電層
（図示せず）例えばインジウム・すず酸化物に重なる二
酸化シリコン（図示せず）で被覆された基板１６を入れ
ている。容器１０は好ましくは非導電性材料例えばガラ
スからなる。容器１０はマイクロ波加熱炉中に入れられ
るように改造されている。
置を示す。ここで、容器１０はアルコール１４を入れて
あるアルコール蒸気源であるるつぼ１２および導電層
（図示せず）例えばインジウム・すず酸化物に重なる二
酸化シリコン（図示せず）で被覆された基板１６を入れ
ている。容器１０は好ましくは非導電性材料例えばガラ
スからなる。容器１０はマイクロ波加熱炉中に入れられ
るように改造されている。
【００１４】表面処理反応は市販の５００ワットマイク
ロ波加熱炉中で３分間で実施できる。より広い範囲で
は、マイクロ波加熱炉中での加熱時間は、約１から５分
の範囲である。
ロ波加熱炉中で３分間で実施できる。より広い範囲で
は、マイクロ波加熱炉中での加熱時間は、約１から５分
の範囲である。
【００１５】好適な結果は大気圧でも得られるけれど
も、結果の再現性は真空、具体的には約２０から３０ミ
リメートル水銀の分圧で得られる。アルコールの温度が
上昇したときに、アルコール蒸気は発散して脱気した容
器に沿って拡散するであろう。
も、結果の再現性は真空、具体的には約２０から３０ミ
リメートル水銀の分圧で得られる。アルコールの温度が
上昇したときに、アルコール蒸気は発散して脱気した容
器に沿って拡散するであろう。
【００１６】真空での使用に対して、すり合わせのテー
パージョイント１８はニップル２０に取り付けた真空ポ
ンプ（図示せず）およびニップル２２に取り付けたマノ
メーター（図示せず）によるシールした容器１０内部の
分圧の制御を可能にする。ニップル２０および２２は、
バルブ２４によって真空容器１０に制御可能に連結され
ている。
パージョイント１８はニップル２０に取り付けた真空ポ
ンプ（図示せず）およびニップル２２に取り付けたマノ
メーター（図示せず）によるシールした容器１０内部の
分圧の制御を可能にする。ニップル２０および２２は、
バルブ２４によって真空容器１０に制御可能に連結され
ている。
【００１７】驚くべきことに、二酸化シリコン層の下地
の導電層は、マイクロ波加熱炉中で加熱されるべき物質
が例えば金属のような導電性の容器に入れられている場
合に通常観測されるようには、マイクロ波の作用に悪影
響を及ぼさない。
の導電層は、マイクロ波加熱炉中で加熱されるべき物質
が例えば金属のような導電性の容器に入れられている場
合に通常観測されるようには、マイクロ波の作用に悪影
響を及ぼさない。
【００１８】実際に、アルコール蒸気源であるるつぼ１
２の内部を導電層（例えば、インジウム・すず酸化物）
で被覆すると、アルコールの加熱を増大させ、さらに二
酸化シリコンで被覆された基板１６との気相反応のため
の時間を減少させる。
２の内部を導電層（例えば、インジウム・すず酸化物）
で被覆すると、アルコールの加熱を増大させ、さらに二
酸化シリコンで被覆された基板１６との気相反応のため
の時間を減少させる。
【００１９】以上は、液晶分子を配向できる指向性を有
する表面を調製するための新規で速い方法の説明であ
る。代替される従来技術の方法は、１００倍の処理時
間、典型的には少なくとも４時間を必要とする。
する表面を調製するための新規で速い方法の説明であ
る。代替される従来技術の方法は、１００倍の処理時
間、典型的には少なくとも４時間を必要とする。
【００２０】本発明は垂直および水平配向処理の両者に
好適に用いられる。両者の方法とも、導電層例えばイン
ジウム・すず酸化物上に二酸化シリコン被膜を形成す
る。本発明に実施においては、二酸化シリコン被膜を蒸
着するために用いられる方法は重要ではなく、例えば米
国特許第５，０１１，２６７号（中間的なおよび浅い入
射角度での連続的なＳｉＯ2 の蒸着）および４，０３
０，９９７号（浅い角度でのイオンビームエッチング）
ならびに１９９１年６月１４日に出願された出願番号０
７／７１５，５３７号（ＳｉＯ2 をスパッタリングして
いる間の基板移動）など、いかなる蒸着法からなってい
てもよい。
好適に用いられる。両者の方法とも、導電層例えばイン
ジウム・すず酸化物上に二酸化シリコン被膜を形成す
る。本発明に実施においては、二酸化シリコン被膜を蒸
着するために用いられる方法は重要ではなく、例えば米
国特許第５，０１１，２６７号（中間的なおよび浅い入
射角度での連続的なＳｉＯ2 の蒸着）および４，０３
０，９９７号（浅い角度でのイオンビームエッチング）
ならびに１９９１年６月１４日に出願された出願番号０
７／７１５，５３７号（ＳｉＯ2 をスパッタリングして
いる間の基板移動）など、いかなる蒸着法からなってい
てもよい。
【００２１】垂直配向の典型例は米国特許第４，４６
４，１３４号であり、これは式ＲＯＨで特徴づけられる
長鎖アルコールの使用を開示しておる。ここで、Ｒは式
ＣＨ3（ＣＨ2 ）n −をもつ脂肪鎖、ｎは約９から２３
の整数（すなわち、１０から２４の炭素原子を有する炭
素鎖）である。
４，１３４号であり、これは式ＲＯＨで特徴づけられる
長鎖アルコールの使用を開示しておる。ここで、Ｒは式
ＣＨ3（ＣＨ2 ）n −をもつ脂肪鎖、ｎは約９から２３
の整数（すなわち、１０から２４の炭素原子を有する炭
素鎖）である。
【００２２】水平配向の典型例は本出願人による同日付
けの出願であり、これは芳香族アルコール例えば２−フ
ェニルエタノール、脂肪鎖に少なくとも１つの酸素原子
を有する脂肪族アルコール、脂環式のアルコール、鎖中
に芳香環および数個の酸素原子を有するアルコール、鎖
中に芳香環および硫黄原子を有するアルコール、脂肪鎖
に枝分かれを有するアルコール、１より多いアルコール
基を有するアルコール、ならびにヘテロ環芳香族基を有
するアルコールの使用を開示している。
けの出願であり、これは芳香族アルコール例えば２−フ
ェニルエタノール、脂肪鎖に少なくとも１つの酸素原子
を有する脂肪族アルコール、脂環式のアルコール、鎖中
に芳香環および数個の酸素原子を有するアルコール、鎖
中に芳香環および硫黄原子を有するアルコール、脂肪鎖
に枝分かれを有するアルコール、１より多いアルコール
基を有するアルコール、ならびにヘテロ環芳香族基を有
するアルコールの使用を開示している。
【００２３】アルコールによる二酸化シリコン被膜の処
理につづき、（ａ）間隔を隔てて対向した２つの被覆基
板を用意する、（ｂ）基板間の空間を所望の液晶で満た
す、および（ｃ）基板の周縁をシールしてセルを形成す
ることにより、液晶セルを組み立てる。
理につづき、（ａ）間隔を隔てて対向した２つの被覆基
板を用意する、（ｂ）基板間の空間を所望の液晶で満た
す、および（ｃ）基板の周縁をシールしてセルを形成す
ることにより、液晶セルを組み立てる。
【００２４】以上のように、マイクロ波加熱を用いた液
晶セル基板の表面処理方法を開示した。当業者であれ
ば、本発明の精神を逸脱することなく種々の変形および
修正が可能であり、添付のクレームで定義されるように
これらの全ての変形および修正は本発明の範囲内にある
ことは容易にわかるであろう。
晶セル基板の表面処理方法を開示した。当業者であれ
ば、本発明の精神を逸脱することなく種々の変形および
修正が可能であり、添付のクレームで定義されるように
これらの全ての変形および修正は本発明の範囲内にある
ことは容易にわかるであろう。
【図１】本発明の実施に好適に用いられる装置を示す
図。
図。
１０…容器、１２…るつぼ、１４…アルコール、１６…
基板、１８…テーパージョイント、２０、２２…ニップ
ル、２４…バルブ。
基板、１８…テーパージョイント、２０、２２…ニップ
ル、２４…バルブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−51118（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−132931（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−143854（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】（ａ）主表面に導電層を有する基板を用意
する工程と； （ｂ）前記基板上にシリカ源からシリカの層を蒸着する
工程と； （ｃ）処理された基板をマイクロ波加熱炉中で約１から
５分の範囲の時間にわたって加熱することにより、シリ
カで被覆された基板をアルコール蒸気で処理する工程
と； （ｄ）前記処理された基板を液晶の層で覆う工程と を具備したことを特徴とする、基板の主表面上で液晶の
配向を生じさせる処理基板の製造方法。 - 【請求項２】前記（ｃ）工程における処理が、約２０か
ら３０ミリメートル水銀の分圧でなされることを特徴と
する請求項１記載の方法。 - 【請求項３】前記マイクロ波加熱炉が、５００ワットを
出力することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】前記加熱が、約３分間行われることを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項５】前記配向が垂直であり、前記アルコールが
式ＲＯＨを有する長鎖脂肪族アルコール（式中、Ｒは式
ＣＨ3 （ＣＨ2 ）n −をもつ脂肪鎖、ｎは約９から２３
の整数である）から選択されることを特徴とする請求項
１記載の方法。 - 【請求項６】前記配向が水平であり、前記アルコール
が、芳香族アルコール、脂肪鎖に少なくとも１つの酸素
原子を有する脂肪族アルコール、脂環式アルコール、鎖
中に芳香環および数個の酸素原子を有するアルコール、
鎖中に芳香環および硫黄原子を有するアルコール、脂肪
鎖中に枝分かれを有するアルコール、１より多いアルコ
ール基を有するアルコール、ならびにヘテロ環芳香族基
を有するアルコールからなる群より選択されることを特
徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項７】前記二酸化シリコンで被覆された基板を前
記アルコールとともに容器に入れ、前記容器を前記マイ
クロ波加熱炉に入れることを特徴とする請求項１記載の
方法。 - 【請求項８】前記導電層がインジウム・すず酸化物を含
有することを特徴とする請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/064,601 US5382446A (en) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | Surface treatment process for liquid crystal cell substrates |
| US064601 | 1993-05-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07134299A JPH07134299A (ja) | 1995-05-23 |
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