JPH08179328A - 液晶配向膜の製造方法およびそれを用いた液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶配向膜の製造方法およびそれを用いた液晶素子の製造方法Info
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- JPH08179328A JPH08179328A JP32440094A JP32440094A JPH08179328A JP H08179328 A JPH08179328 A JP H08179328A JP 32440094 A JP32440094 A JP 32440094A JP 32440094 A JP32440094 A JP 32440094A JP H08179328 A JPH08179328 A JP H08179328A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配向膜を用いてカイラルスメクチック液晶を
配向させる際に、均一にむらなくハイプレチルトによる
ユニフォーム配向を達成し、液晶の表示不良を防止でき
る液晶配向膜の製造方法および液晶素子の製造方法を提
供する。 【構成】 有機高分子またはその前駆体溶液を塗布し、
複数回焼成を行って液晶配向膜を形成することを特徴と
する液晶配向膜の製造方法およびそれを用いた液晶素子
の製造方法。
配向させる際に、均一にむらなくハイプレチルトによる
ユニフォーム配向を達成し、液晶の表示不良を防止でき
る液晶配向膜の製造方法および液晶素子の製造方法を提
供する。 【構成】 有機高分子またはその前駆体溶液を塗布し、
複数回焼成を行って液晶配向膜を形成することを特徴と
する液晶配向膜の製造方法およびそれを用いた液晶素子
の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶配向膜の製造方法
およびそれを用いた液晶素子の製造方法に関し、より詳
しくは、コントラストが高く、表示不良のないカイラル
スメクチック液晶表示素子の製造方法に関する。
およびそれを用いた液晶素子の製造方法に関し、より詳
しくは、コントラストが高く、表示不良のないカイラル
スメクチック液晶表示素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウ
ォル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の
温度域において、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
＊）またはＨ相（ＳｍＨ＊）を有し、この状態におい
て、加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態
（配向状態）と第２の光学的安定状態（配向状態）のい
ずれかを取り、且つ電界の印加のないときはその状態を
維持する性質、すなわち双安定性を有し、また電界の変
化に対する応答も速やかであり、高速ならびに記憶型の
表示素子としての広い利用が期待されている。
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウ
ォル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の
温度域において、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
＊）またはＨ相（ＳｍＨ＊）を有し、この状態におい
て、加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態
（配向状態）と第２の光学的安定状態（配向状態）のい
ずれかを取り、且つ電界の印加のないときはその状態を
維持する性質、すなわち双安定性を有し、また電界の変
化に対する応答も速やかであり、高速ならびに記憶型の
表示素子としての広い利用が期待されている。
【０００３】強誘電性液晶素子は、この双安定性を有す
る液晶を用いた光学変調素子であり、透明電極を設けた
一対の基板間に強誘電性液晶を挟持してなる。基板の透
明電極上には強誘電性液晶層と接する層として配向膜が
設けられる。配向膜は液晶表示素子の液晶を配向させる
ための層である。
る液晶を用いた光学変調素子であり、透明電極を設けた
一対の基板間に強誘電性液晶を挟持してなる。基板の透
明電極上には強誘電性液晶層と接する層として配向膜が
設けられる。配向膜は液晶表示素子の液晶を配向させる
ための層である。
【０００４】強誘電性液晶、特に非らせん構造のカイラ
ルスメクチック液晶のための配向方法としては、例えば
米国特許第４５６１７２６号公報に記載されたものなど
が知られている。
ルスメクチック液晶のための配向方法としては、例えば
米国特許第４５６１７２６号公報に記載されたものなど
が知られている。
【０００５】また、一軸方向に配向する配向方法として
は、ＳｉＯの斜方蒸着によるハイプレチルト界面におけ
るユニフォーム配向（松下電器（株）ＪＡＰＡＮ ＤＩ
ＳＰＬＡＹ '８６ ４６４〜４６７）が報告されてい
る。ハイプレチルトとは、プレチルト角（基板と液晶の
界面付近における基板に対する液晶分子の傾き角）の大
きな状態のことである。ユニフォーム配向にすることに
より、高いチルト角を得ることができ、液晶表示素子の
コントラストを高くすることができる。しかしながら、
斜方蒸着による配向処理法は大画面を均一に配向させる
のには適していない。したがって、生産性に優れている
ラビング配向処理によりハイプレチルトを達成すること
で、ユニフォーム配向とすることが望まれる。
は、ＳｉＯの斜方蒸着によるハイプレチルト界面におけ
るユニフォーム配向（松下電器（株）ＪＡＰＡＮ ＤＩ
ＳＰＬＡＹ '８６ ４６４〜４６７）が報告されてい
る。ハイプレチルトとは、プレチルト角（基板と液晶の
界面付近における基板に対する液晶分子の傾き角）の大
きな状態のことである。ユニフォーム配向にすることに
より、高いチルト角を得ることができ、液晶表示素子の
コントラストを高くすることができる。しかしながら、
斜方蒸着による配向処理法は大画面を均一に配向させる
のには適していない。したがって、生産性に優れている
ラビング配向処理によりハイプレチルトを達成すること
で、ユニフォーム配向とすることが望まれる。
【０００６】そこで、フッ素を含むポリイミド配向膜を
用い、これをラビング等によるハイプレチルトを付与す
る一軸配向処理によりユニフォーム配向させることが提
案されている。
用い、これをラビング等によるハイプレチルトを付与す
る一軸配向処理によりユニフォーム配向させることが提
案されている。
【０００７】このような配向膜の形成方法としてはポリ
イミド溶液またはその前駆体溶液を印刷法により基板上
に塗布した後、１５０℃〜３００℃の温度で焼成してポ
リイミド配向膜を形成するのが一般的である。１５０℃
より焼成温度が低いと、溶剤の飛散が充分でなかった
り、イミド化が充分に進まず、液晶を広い範囲で安定に
配向させることができない。
イミド溶液またはその前駆体溶液を印刷法により基板上
に塗布した後、１５０℃〜３００℃の温度で焼成してポ
リイミド配向膜を形成するのが一般的である。１５０℃
より焼成温度が低いと、溶剤の飛散が充分でなかった
り、イミド化が充分に進まず、液晶を広い範囲で安定に
配向させることができない。
【０００８】この焼成には、例えば熱風循環式の雰囲気
炉または生産性を考慮した枚葉式のホットプレート方式
が用いられている。
炉または生産性を考慮した枚葉式のホットプレート方式
が用いられている。
【０００９】熱風循環式の雰囲気炉を用いて焼成する場
合、通常室温雰囲気から徐々に温度を上昇させ、所定の
温度に達した後、所定時間保持する。その際の温度上昇
速度（昇温レート）は雰囲気炉の構造上１〜１０℃／分
程度であった。しかしながら、昇温レートが低いこと、
および温度むらの影響により、熱風循環式の雰囲気炉を
用いた焼成では均一なハイプレチルトを達成できず、部
分的には１０〜１３°程度の低いプレチルト角しか得ら
れなかった。
合、通常室温雰囲気から徐々に温度を上昇させ、所定の
温度に達した後、所定時間保持する。その際の温度上昇
速度（昇温レート）は雰囲気炉の構造上１〜１０℃／分
程度であった。しかしながら、昇温レートが低いこと、
および温度むらの影響により、熱風循環式の雰囲気炉を
用いた焼成では均一なハイプレチルトを達成できず、部
分的には１０〜１３°程度の低いプレチルト角しか得ら
れなかった。
【００１０】上記方式に比べ、枚葉式のホットプレート
方式では熱せられたプレートにより基板に直接熱が加え
られるため、温度上昇速度（昇温レート）を１５℃／分
以上にすることが可能である。このような高い昇温レー
トの条件でポリイミド膜を形成した場合、１５〜２０°
程度のハイプレチルトが得られるが、急速に焼成を行う
ため溶液中に含まれる溶媒が蒸発しきらずに焼成後のポ
リイミド配向膜中に残留しやすい。ラビング処理して２
枚の基板を貼り合わせた後カイラルスメクチック液晶を
セル内に注入したとき、この残留溶媒が不純物として液
晶の配向を乱し、最終的に表示不良を引き起こすという
問題点を抱えていた。
方式では熱せられたプレートにより基板に直接熱が加え
られるため、温度上昇速度（昇温レート）を１５℃／分
以上にすることが可能である。このような高い昇温レー
トの条件でポリイミド膜を形成した場合、１５〜２０°
程度のハイプレチルトが得られるが、急速に焼成を行う
ため溶液中に含まれる溶媒が蒸発しきらずに焼成後のポ
リイミド配向膜中に残留しやすい。ラビング処理して２
枚の基板を貼り合わせた後カイラルスメクチック液晶を
セル内に注入したとき、この残留溶媒が不純物として液
晶の配向を乱し、最終的に表示不良を引き起こすという
問題点を抱えていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来例
における問題点に鑑みてなされたもので、配向膜を用い
てカイラルスメクチック液晶を配向させる際に、均一に
むらなくハイプレチルトによるユニフォーム配向を達成
し、かつ配向膜中に溶媒を残留しにくくすることによ
り、液晶の表示不良を防止できる配向膜の製造方法およ
びそれを用いた液晶表示素子の製造方法を提供すること
を目的とする。
における問題点に鑑みてなされたもので、配向膜を用い
てカイラルスメクチック液晶を配向させる際に、均一に
むらなくハイプレチルトによるユニフォーム配向を達成
し、かつ配向膜中に溶媒を残留しにくくすることによ
り、液晶の表示不良を防止できる配向膜の製造方法およ
びそれを用いた液晶表示素子の製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段および作用】上記の目的を
達成するため本発明では、基板に有機高分子溶液または
その前駆体溶液を塗布し、焼成処理として複数回の焼成
を行うことによって配向膜を形成することを特徴とす
る。
達成するため本発明では、基板に有機高分子溶液または
その前駆体溶液を塗布し、焼成処理として複数回の焼成
を行うことによって配向膜を形成することを特徴とす
る。
【００１３】その際、所定の温度レートで昇温し、一定
温度で保持した後、所定の温度レートで降温して加熱焼
成を行う工程を複数回行う。好ましくは、夫々の工程に
おいて昇温時の温度レートを変化させる。
温度で保持した後、所定の温度レートで降温して加熱焼
成を行う工程を複数回行う。好ましくは、夫々の工程に
おいて昇温時の温度レートを変化させる。
【００１４】これにより均一なハイプレチルトのユニフ
ォーム配向を得ることができ、さらに膜中の残留溶媒を
低減できることにより液晶の表示不良を防ぐことが可能
となる。
ォーム配向を得ることができ、さらに膜中の残留溶媒を
低減できることにより液晶の表示不良を防ぐことが可能
となる。
【００１５】例えば、２０℃／分以上の昇温レートで１
回目の昇温焼成処理を行い１００℃まで降温した後、さ
らに１０℃／分以下の昇温レートで２回目の昇温焼成処
理を行うことによって配向膜を形成する。あるいは、逆
に１０℃／分以上の昇温レートで１回目の昇温焼成処理
を行い１００℃まで降温した後、さらに１０℃／分以下
の昇温レートで２回目の昇温焼成処理を行うことによっ
て配向膜を形成する。より好ましくは、２０℃／分以上
の昇温レートでの昇温焼成処理は２００℃以上３００℃
以下の温度で行うことが好ましく、１０℃／分以下の昇
温レートでの昇温焼成処理は２６０℃以上３００℃以下
の温度で行うことが好ましい。
回目の昇温焼成処理を行い１００℃まで降温した後、さ
らに１０℃／分以下の昇温レートで２回目の昇温焼成処
理を行うことによって配向膜を形成する。あるいは、逆
に１０℃／分以上の昇温レートで１回目の昇温焼成処理
を行い１００℃まで降温した後、さらに１０℃／分以下
の昇温レートで２回目の昇温焼成処理を行うことによっ
て配向膜を形成する。より好ましくは、２０℃／分以上
の昇温レートでの昇温焼成処理は２００℃以上３００℃
以下の温度で行うことが好ましく、１０℃／分以下の昇
温レートでの昇温焼成処理は２６０℃以上３００℃以下
の温度で行うことが好ましい。
【００１６】これにより均一なハイプレチルトのユニフ
ォーム配向を得ることができ、さらに膜中の残留溶媒を
除去できることにより液晶の表示不良が更に改善され
る。
ォーム配向を得ることができ、さらに膜中の残留溶媒を
除去できることにより液晶の表示不良が更に改善され
る。
【００１７】
【実施例】以下、実施例および比較例を示し本発明をさ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
【００１８】（実施例１）図１は本発明の実施例にかか
る液晶表示素子の断面を模式的に示したもので１０はセ
ル構造体、１、１’は基板、２、２’は透明電極群、
３、３’は絶縁膜、４、４’は配向膜、５はシール材、
６はスペーサー、７は接着ビーズ、８は液晶である。こ
のセル構造体１０を以下のようにして作成した。
る液晶表示素子の断面を模式的に示したもので１０はセ
ル構造体、１、１’は基板、２、２’は透明電極群、
３、３’は絶縁膜、４、４’は配向膜、５はシール材、
６はスペーサー、７は接着ビーズ、８は液晶である。こ
のセル構造体１０を以下のようにして作成した。
【００１９】まず、厚さ１．１ｍｍの２枚のガラス基板
１、１’上にＩＴＯのストライプ状電極２、２’を形成
し、該電極２、２’を形成したガラス基板１、１’上に
スパッタリング法にてＴａ2 Ｏ5 からなる絶縁膜３、
３’を１０００Åの厚さで形成した。
１、１’上にＩＴＯのストライプ状電極２、２’を形成
し、該電極２、２’を形成したガラス基板１、１’上に
スパッタリング法にてＴａ2 Ｏ5 からなる絶縁膜３、
３’を１０００Åの厚さで形成した。
【００２０】続いて、フッ素を含むポリアミック酸溶液
ＬＱ１８００（日立化成社製）をフレキソ印刷法により
塗布した。次に、上記塗布膜を有する基板を枚葉式のホ
ットプレートを用いて３０℃／分の昇温レートで２７０
℃まで昇温することによって加熱し、２７０℃を１０分
間保持してから２０℃／分の降温レートで１００℃まで
降温した後、さらに熱風循環式の雰囲気炉で４℃／分の
昇温レートで２７０℃まで昇温することによって加熱
し、２７０℃を１時間保持してから５℃／分の降温レー
トで室温まで下げ、上記塗布膜の加熱焼成を行いポリイ
ミド系配向膜を形成した。この後、上記ポリイミド系配
向膜にラビング処理を施した。基板上には、必要に応じ
て絶縁膜とポリイミド系配向膜以外の、例えばアルミナ
等の微粒子が分散された膜やＴｉ−シリカ等の膜を設け
てもよい。以上のようにして得られた第１の基板１にス
クリーン印刷法などの周知の印刷法にてシール材５を印
刷した後、スプレー法により、基板１上にスペーサー６
および接着ビーズ７を散布した。このようにして得られ
た第１の基板１に第２の基板１’をラビング方向が略平
行になるように貼り合わせた後、この一対の基板を１０
０℃に加温しながら圧着し、さらに１５０℃で１時間加
熱硬化処理を行った後、下記に示すような相転移温度を
有するピリミジン系カイラルスメクチック液晶８を注入
した。
ＬＱ１８００（日立化成社製）をフレキソ印刷法により
塗布した。次に、上記塗布膜を有する基板を枚葉式のホ
ットプレートを用いて３０℃／分の昇温レートで２７０
℃まで昇温することによって加熱し、２７０℃を１０分
間保持してから２０℃／分の降温レートで１００℃まで
降温した後、さらに熱風循環式の雰囲気炉で４℃／分の
昇温レートで２７０℃まで昇温することによって加熱
し、２７０℃を１時間保持してから５℃／分の降温レー
トで室温まで下げ、上記塗布膜の加熱焼成を行いポリイ
ミド系配向膜を形成した。この後、上記ポリイミド系配
向膜にラビング処理を施した。基板上には、必要に応じ
て絶縁膜とポリイミド系配向膜以外の、例えばアルミナ
等の微粒子が分散された膜やＴｉ−シリカ等の膜を設け
てもよい。以上のようにして得られた第１の基板１にス
クリーン印刷法などの周知の印刷法にてシール材５を印
刷した後、スプレー法により、基板１上にスペーサー６
および接着ビーズ７を散布した。このようにして得られ
た第１の基板１に第２の基板１’をラビング方向が略平
行になるように貼り合わせた後、この一対の基板を１０
０℃に加温しながら圧着し、さらに１５０℃で１時間加
熱硬化処理を行った後、下記に示すような相転移温度を
有するピリミジン系カイラルスメクチック液晶８を注入
した。
【００２１】
【００２２】この液晶パネルを偏光顕微鏡下で観察した
ところ、パネル全面にわたり均一でコントラストの高い
ユニフォーム配向であり表示不良も観察されなかった。
ところ、パネル全面にわたり均一でコントラストの高い
ユニフォーム配向であり表示不良も観察されなかった。
【００２３】次に、パネルのプレチルト角を測定するた
めに同様の方法でプレチルト角測定用セルを作成した。
ただし上下基板のラビング方向が反平行になるように貼
り合わせた。以下の方法でプレチルト角を測定したとこ
ろ１８．７°であり、ハイプレチルトが達成されている
ことが確認された。
めに同様の方法でプレチルト角測定用セルを作成した。
ただし上下基板のラビング方向が反平行になるように貼
り合わせた。以下の方法でプレチルト角を測定したとこ
ろ１８．７°であり、ハイプレチルトが達成されている
ことが確認された。
【００２４】〔プレチルト角の測定方法〕プレチルト角
の測定は、クリスタルローション法（Ｊｐａ．Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ．１１９（１９８０）Ｎｏ．Ｓｈ
ｏｒｔ Ｎｏｔｅｓ ２０３１）により求めた。またプ
レチルト角の測定用液晶としてはカイラルスメクチック
液晶（チッソ社製ＣＳー１０１４）に下記の構造式で示
される化合物を重量比で２０％混合したものを標準液晶
として注入して測定した。
の測定は、クリスタルローション法（Ｊｐａ．Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ．１１９（１９８０）Ｎｏ．Ｓｈ
ｏｒｔ Ｎｏｔｅｓ ２０３１）により求めた。またプ
レチルト角の測定用液晶としてはカイラルスメクチック
液晶（チッソ社製ＣＳー１０１４）に下記の構造式で示
される化合物を重量比で２０％混合したものを標準液晶
として注入して測定した。
【００２５】
【外１】
【００２６】なお、この混合した液晶組成物は１０〜５
５℃でＳｍＡ相を呈した。
５℃でＳｍＡ相を呈した。
【００２７】測定手順は、液晶パネルを上下基板に垂直
かつ配向処理軸（ラビング軸）を含む面で回転させなが
ら、回転軸と４５°の角度をなす偏光面を持つヘリウム
・ネオンレーザー光を回転軸に垂直な方向から照射し
て、その反対側で入射偏光面と平行な透過軸を持つ偏光
板を通してフォトダイオードで透過光強度を測定した。
そして、干渉によってできた透過光強度のスペクトルに
対し、理論曲線、数式３、４とフィッティングを行うシ
ュミレーションによりプレチルト角αを求めた。
かつ配向処理軸（ラビング軸）を含む面で回転させなが
ら、回転軸と４５°の角度をなす偏光面を持つヘリウム
・ネオンレーザー光を回転軸に垂直な方向から照射し
て、その反対側で入射偏光面と平行な透過軸を持つ偏光
板を通してフォトダイオードで透過光強度を測定した。
そして、干渉によってできた透過光強度のスペクトルに
対し、理論曲線、数式３、４とフィッティングを行うシ
ュミレーションによりプレチルト角αを求めた。
【００２８】
【外２】
【００２９】（実施例２）実施例１と同様な方法で液晶
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸溶液を塗布後、枚葉式のホットプ
レートを用いて２０℃／分の昇温レートで２４０℃まで
昇温することによって加熱し、２４０℃を１０分間保持
してから２０℃／分の降温レートで１００℃以下まで降
温した後、熱風循環式の雰囲気炉で１０℃／分の昇温レ
ートで２７０℃まで昇温することによって加熱し、２７
０℃を１時間保持してから５℃／分の降温レートで室温
まで下げることによって焼成処理を行った。液晶を注入
後、パネルを偏光顕微鏡下で観察したところ、実施例１
と同様パネル全面に渡り均一でコントラストの高いユニ
フォーム配向であり表示不良も観察されなかった。また
実施例１と同様の方法でプレチルト角を測定したところ
１８．５°であり、ハイプレチルトが達成されているこ
とが確認された。
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸溶液を塗布後、枚葉式のホットプ
レートを用いて２０℃／分の昇温レートで２４０℃まで
昇温することによって加熱し、２４０℃を１０分間保持
してから２０℃／分の降温レートで１００℃以下まで降
温した後、熱風循環式の雰囲気炉で１０℃／分の昇温レ
ートで２７０℃まで昇温することによって加熱し、２７
０℃を１時間保持してから５℃／分の降温レートで室温
まで下げることによって焼成処理を行った。液晶を注入
後、パネルを偏光顕微鏡下で観察したところ、実施例１
と同様パネル全面に渡り均一でコントラストの高いユニ
フォーム配向であり表示不良も観察されなかった。また
実施例１と同様の方法でプレチルト角を測定したところ
１８．５°であり、ハイプレチルトが達成されているこ
とが確認された。
【００３０】材料によっては、２７０℃という高温での
複数回焼成を行うと、膜が基板などから剥れてしまう場
合がある。しかしながら、本実施例の手法を用いれば、
２７０℃での焼成を１回しか行わないため、比較的熱に
弱い材料を配向膜等に用いることができる。
複数回焼成を行うと、膜が基板などから剥れてしまう場
合がある。しかしながら、本実施例の手法を用いれば、
２７０℃での焼成を１回しか行わないため、比較的熱に
弱い材料を配向膜等に用いることができる。
【００３１】（実施例３）実施例１と同様な方法で液晶
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸溶液を塗布後、熱風循環式の雰囲
気炉で１０℃／分の昇温レートで２７０℃まで昇温する
ことによって加熱し、２７０℃を１時間保持してから５
℃／分の降温レートで１００℃以下まで降温した後、枚
葉式のホットプレートを用いて２０℃／分の昇温レート
で２７０℃まで昇温することによって加熱し、２７０℃
を１０分間保持してから２０℃／分の降温レートで室温
まで下げた。液晶を注入後、パネルを偏光顕微鏡下で観
察したところ、実施例１と同様パネル全面に渡り均一で
コントラストの高いユニフォーム配向であり表示不良も
観察されなかった。また実施例１と同様の方法でプレチ
ルト角を測定したところ１８°であり、ハイプレチルト
が達成されていることが確認された。
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸溶液を塗布後、熱風循環式の雰囲
気炉で１０℃／分の昇温レートで２７０℃まで昇温する
ことによって加熱し、２７０℃を１時間保持してから５
℃／分の降温レートで１００℃以下まで降温した後、枚
葉式のホットプレートを用いて２０℃／分の昇温レート
で２７０℃まで昇温することによって加熱し、２７０℃
を１０分間保持してから２０℃／分の降温レートで室温
まで下げた。液晶を注入後、パネルを偏光顕微鏡下で観
察したところ、実施例１と同様パネル全面に渡り均一で
コントラストの高いユニフォーム配向であり表示不良も
観察されなかった。また実施例１と同様の方法でプレチ
ルト角を測定したところ１８°であり、ハイプレチルト
が達成されていることが確認された。
【００３２】（実施例４）実施例１と同様の方法で液晶
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸を塗布後、枚葉式のホットプレー
トを用いて２０℃／分の昇温レートで２７０℃まで昇温
することによって加熱し、２７０℃を１０分間保持して
から１００℃まで降温した後、さらに熱風循環式の雰囲
気炉を用いて４℃／分の昇温レートで２４０℃まで昇温
することによって加熱し、２４０℃を１時間保持してか
ら室温まで下げた。液晶を注入後、パネルを偏光顕微鏡
下で観察したところ、図２に示すように液晶注入口の反
対側に若干の配向不良が認められた。この配向不良は液
晶中に残留している不純物の影響によって発生したと考
えられ、スジ状の欠陥が多く、電界印加時に白黒の双安
定性を示さなかった。一方、配向不良部以外の領域は、
コントラストの高い白黒のユニフォーム配向が均一に達
成されていた。また実施例１と同様の方法でプレチルト
角を測定したところ１８．５°であり、ハイプレチルト
は達成されていることが確認された。
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸を塗布後、枚葉式のホットプレー
トを用いて２０℃／分の昇温レートで２７０℃まで昇温
することによって加熱し、２７０℃を１０分間保持して
から１００℃まで降温した後、さらに熱風循環式の雰囲
気炉を用いて４℃／分の昇温レートで２４０℃まで昇温
することによって加熱し、２４０℃を１時間保持してか
ら室温まで下げた。液晶を注入後、パネルを偏光顕微鏡
下で観察したところ、図２に示すように液晶注入口の反
対側に若干の配向不良が認められた。この配向不良は液
晶中に残留している不純物の影響によって発生したと考
えられ、スジ状の欠陥が多く、電界印加時に白黒の双安
定性を示さなかった。一方、配向不良部以外の領域は、
コントラストの高い白黒のユニフォーム配向が均一に達
成されていた。また実施例１と同様の方法でプレチルト
角を測定したところ１８．５°であり、ハイプレチルト
は達成されていることが確認された。
【００３３】（比較例１）実施例１と同様の方法で液晶
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸を塗布後、熱風循環式の雰囲気炉
を用いて４℃／分の昇温レートで２７０℃まで昇温する
ことによって加熱し、２７０℃を１時間保持してから、
５℃／分の降温レートで室温まで下げた。液晶を注入
後、パネルを偏光顕微鏡下で観察したところ、コントラ
ストの高い白黒のユニフォーム配向の領域とコントラス
トの低い白黒のスプレー配向の領域が存在した。また実
施例１と同様の方法でプレチルト角を測定したところ１
２°であり、ハイプレチルトは達成されていないことが
確認された。
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸を塗布後、熱風循環式の雰囲気炉
を用いて４℃／分の昇温レートで２７０℃まで昇温する
ことによって加熱し、２７０℃を１時間保持してから、
５℃／分の降温レートで室温まで下げた。液晶を注入
後、パネルを偏光顕微鏡下で観察したところ、コントラ
ストの高い白黒のユニフォーム配向の領域とコントラス
トの低い白黒のスプレー配向の領域が存在した。また実
施例１と同様の方法でプレチルト角を測定したところ１
２°であり、ハイプレチルトは達成されていないことが
確認された。
【００３４】（比較例２）実施例１と同様の方法で液晶
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸を塗布後、枚葉式のホットプレー
トを用いて２０℃／分の昇温レートで２７０℃まで昇温
することによって加熱し、２７０℃を１０分間保持して
から、２０℃／分の降温レートで室温まで下げた。液晶
を注入後、パネルを偏光顕微鏡下で観察したところ、図
２に示すように液晶注入口の反対側に、実施例４の場合
よりも広い範囲にわたって、不純物の影響によると思わ
れる配向不良が認められた。また実施例１と同様の方法
でプレチルト角を測定したところ１９．１°であり、ハ
イプレチルトは達成されていることが確認された。
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸を塗布後、枚葉式のホットプレー
トを用いて２０℃／分の昇温レートで２７０℃まで昇温
することによって加熱し、２７０℃を１０分間保持して
から、２０℃／分の降温レートで室温まで下げた。液晶
を注入後、パネルを偏光顕微鏡下で観察したところ、図
２に示すように液晶注入口の反対側に、実施例４の場合
よりも広い範囲にわたって、不純物の影響によると思わ
れる配向不良が認められた。また実施例１と同様の方法
でプレチルト角を測定したところ１９．１°であり、ハ
イプレチルトは達成されていることが確認された。
【００３５】（比較例３）実施例１と同様な方法で液晶
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸溶液を塗布後、枚葉式のホットプ
レートを用いて２０℃／分の昇温レートで２７０℃まで
昇温することによって加熱し、２７０℃を１時間保持し
てから室温まで下げた。液晶を注入後、パネルを偏光顕
微鏡下で観察したところ、比較例２同様、図２に示すよ
うに液晶注入口の反対側の広い範囲にわたって、不純物
の影響によると思われる配向不良が認められた。また実
施例１と同様の方法でプレチルト角を測定したところ１
８．２°であり、ハイプレチルトは達成されていること
が確認された。
セルを作成し、同様の液晶を注入した。但し、配向膜の
焼成はポリアミック酸溶液を塗布後、枚葉式のホットプ
レートを用いて２０℃／分の昇温レートで２７０℃まで
昇温することによって加熱し、２７０℃を１時間保持し
てから室温まで下げた。液晶を注入後、パネルを偏光顕
微鏡下で観察したところ、比較例２同様、図２に示すよ
うに液晶注入口の反対側の広い範囲にわたって、不純物
の影響によると思われる配向不良が認められた。また実
施例１と同様の方法でプレチルト角を測定したところ１
８．２°であり、ハイプレチルトは達成されていること
が確認された。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上に有機高分子溶液またはその前駆体溶液を塗布
し、焼成処理として、複数回の焼成を行うことにより配
向膜を形成する。
基板上に有機高分子溶液またはその前駆体溶液を塗布
し、焼成処理として、複数回の焼成を行うことにより配
向膜を形成する。
【００３７】その際、所定の温度レートで昇温し、一定
温度で保持した後、所定の温度レートで降温して加熱焼
成を行う工程を複数回行う。
温度で保持した後、所定の温度レートで降温して加熱焼
成を行う工程を複数回行う。
【００３８】好ましくは、夫々の工程において昇温時の
温度レートを変化させる。
温度レートを変化させる。
【００３９】これにより、液晶素子においてパネル面内
で均一にハイプレチルトのユニフォーム配向を達成で
き、かつ部分的な液晶の表示不良（配向不良）を防ぐこ
とができる配向膜が製造できるという効果を奏する。
で均一にハイプレチルトのユニフォーム配向を達成で
き、かつ部分的な液晶の表示不良（配向不良）を防ぐこ
とができる配向膜が製造できるという効果を奏する。
【図１】本発明の実施例にかかる液晶素子の構造を模式
的に表す断面図。
的に表す断面図。
【図２】本発明の実施例および比較例にかかる液晶素子
の配向不良部を示す模式的な平面図。
の配向不良部を示す模式的な平面図。
１、１’ 基板 ２、２’ 透明電極群 ３、３’ 絶縁膜 ４、４’ 配向膜 ５ シール材 ６ スペーサー ７ 接着ビーズ ８ 液晶 １０ セル構造体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大沼 健次 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に有機高分子またはその前駆体溶
液を塗布した後、複数回の加熱焼成を行う工程により配
向膜を形成することを特徴とする液晶配向膜の製造方
法。 - 【請求項２】 前記液晶配向膜を形成する工程が、所定
の温度レートで昇温することによって加熱し、一定温度
で保持した後、所定の温度レートで降温して加熱焼成を
行うサイクルを複数回行う工程である請求項１に記載の
液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記２回以上の加熱焼成の夫々におい
て、昇温レートが異なる請求項１乃至は請求項２に記載
の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記配向膜を形成する工程において、２
０℃／分以上の昇温レートで昇温する条件下での焼成処
理と１０℃／分以下の昇温レートで昇温する条件下での
焼成処理の両方を行うことを特徴とする請求項３に記載
の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項５】 前記配向膜を形成する工程において、２
０℃／分以上の昇温レートで昇温して焼成処理する過程
の保持温度が２００℃以上３００℃以下であり、１０℃
／分以下の昇温レートで昇温して焼成処理する過程の保
持温度が２６０℃以上３００℃以下であることを特徴と
する請求項４に記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項６】 前記配向膜を形成する工程において、２
０℃／分以上の昇温レートで昇温して焼成処理を行った
後１００℃まで降温し、さらに１０℃／分以下の昇温レ
ートで昇温して焼成処理を行って、配向膜を形成するこ
とを特徴とする請求項４に記載の液晶配向膜の製造方
法。 - 【請求項７】 前記配向膜を形成する工程において、１
０℃／分以下の昇温レートで昇温して焼成処理を行った
後１００℃まで降温し、さらに２０℃／分以下の昇温レ
ートで昇温して焼成処理を行って、配向膜を形成するこ
とを特徴とする請求項４に記載の液晶配向膜の製造方
法。 - 【請求項８】 前記配向膜を形成する工程において、２
０℃／分以上の昇温レートで昇温して焼成処理する過程
が、枚葉式のホットプレートによる加熱によってなさ
れ、１０℃／分以下の昇温レートで昇温して焼成処理す
る過程が、熱風循環式の雰囲気炉による加熱によってな
されることを特徴とする請求項４に記載の液晶配向膜の
製造方法。 - 【請求項９】 前記配向膜がフッ素原子を含むポリイミ
ド膜であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいず
れかに記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項１０】 一対の透明電極を有する基板間にカイ
ラルスメクチック液晶を挟持してなる液晶素子の製造方
法において、請求項１〜請求項９のいずれかに記載の方
法を用いて液晶配向膜を形成することを特徴とする液晶
素子の製造方法。 - 【請求項１１】 上記カイラルスメクチック液晶が強誘
電性液晶である請求項１０に記載の液晶表示素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32440094A JPH08179328A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 液晶配向膜の製造方法およびそれを用いた液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32440094A JPH08179328A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 液晶配向膜の製造方法およびそれを用いた液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08179328A true JPH08179328A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18165380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32440094A Withdrawn JPH08179328A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 液晶配向膜の製造方法およびそれを用いた液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08179328A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9034567B2 (en) | 2013-08-21 | 2015-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid crystal display device, and liquid crystal display device |
| US9977290B2 (en) | 2013-07-30 | 2018-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid crystal display device |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP32440094A patent/JPH08179328A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9977290B2 (en) | 2013-07-30 | 2018-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid crystal display device |
| US9034567B2 (en) | 2013-08-21 | 2015-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid crystal display device, and liquid crystal display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020305 |