JP2645754B2 - 液晶素子 - Google Patents
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- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、強誘電性を発現するカイラルスメクチック
液晶を用いた液晶素子に関する。
液晶を用いた液晶素子に関する。
［従来の技術］ クラーク（Clark）およびラガウエル（Lager−wall）
により双安定性を有する液晶素子が提案されている（特
開昭56−107216号公報、米国特許第4,367,924号明細書
等）。双安定性を有する液晶としては、一般にカイラル
スメクチックＣ相（SmC＊）又はＨ相（SmH＊）を有する
強誘電性液晶が用いられる。この液晶は電界に対しての
第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態からなる
双安定状態を有し、従って従来のTN型の液晶を用いた光
学変調素子とは異なり、例えば一方の電界ベクトルに対
して第１の光学的安定状態に液晶が配向し、他方の電界
ベクトルに対しては第２図の光学的安定状態に液晶が配
向される。またこの型の液晶は、加えられる電界に応答
して、極めて速やかに上記２つの安定状態のいずれかを
とり、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
特質を有する。このような性質を有する強誘電性液晶を
利用して液晶素子を構成することにより、従来のTN型素
子が視野角特性が悪いという問題点の多くに対して、か
なり本質的な改善が得られている。
により双安定性を有する液晶素子が提案されている（特
開昭56−107216号公報、米国特許第4,367,924号明細書
等）。双安定性を有する液晶としては、一般にカイラル
スメクチックＣ相（SmC＊）又はＨ相（SmH＊）を有する
強誘電性液晶が用いられる。この液晶は電界に対しての
第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態からなる
双安定状態を有し、従って従来のTN型の液晶を用いた光
学変調素子とは異なり、例えば一方の電界ベクトルに対
して第１の光学的安定状態に液晶が配向し、他方の電界
ベクトルに対しては第２図の光学的安定状態に液晶が配
向される。またこの型の液晶は、加えられる電界に応答
して、極めて速やかに上記２つの安定状態のいずれかを
とり、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
特質を有する。このような性質を有する強誘電性液晶を
利用して液晶素子を構成することにより、従来のTN型素
子が視野角特性が悪いという問題点の多くに対して、か
なり本質的な改善が得られている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述従来の双安定性を有する強誘電性
液晶素子においては、液晶の均一な配向状態が必ずしも
満足に形成されていない。また、液晶のカイラルスメク
チック相でのチルト角が、最大の透過率となる22.5°よ
りも小さく、大きくて８°程度の角度であるため、コン
トラストが大きくならないという問題点がある。
液晶素子においては、液晶の均一な配向状態が必ずしも
満足に形成されていない。また、液晶のカイラルスメク
チック相でのチルト角が、最大の透過率となる22.5°よ
りも小さく、大きくて８°程度の角度であるため、コン
トラストが大きくならないという問題点がある。
本発明の目的はこの問題点を解決すること、すなわち
双安定性を有する均一な配向状態を形成し、かつカイラ
ルスメクチック相手でのチルト角を増大してコントラス
トを向上させた液晶素子を提供することにある。
双安定性を有する均一な配向状態を形成し、かつカイラ
ルスメクチック相手でのチルト角を増大してコントラス
トを向上させた液晶素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため本発明では、液晶配向面に一
軸性配向軸が付与された一対の基板及び該一対の基板間
に配置したカイラルスメクチック液晶を有する液晶素子
において、前記一対の基板のうち、一方の基板に付与さ
れた一軸性配向軸と他方の基板に付与された一軸性配向
軸とが角度２°〜15°で交差し、液晶配向面と液晶分子
とのなすプレチルト角が５°以上であることに特徴があ
る。
軸性配向軸が付与された一対の基板及び該一対の基板間
に配置したカイラルスメクチック液晶を有する液晶素子
において、前記一対の基板のうち、一方の基板に付与さ
れた一軸性配向軸と他方の基板に付与された一軸性配向
軸とが角度２°〜15°で交差し、液晶配向面と液晶分子
とのなすプレチルト角が５°以上であることに特徴があ
る。
［作用］ この構成において、一軸性配向軸が互いに交差角
（θ）をもって交差しておりかつ液晶配向面と液晶分子
の成すプレチルト角が５°以上であるため、液晶の配向
性が良好となり、表示に際しては、より大きなチルト角
をもって、高いコントラストで表示が行われる。
（θ）をもって交差しておりかつ液晶配向面と液晶分子
の成すプレチルト角が５°以上であるため、液晶の配向
性が良好となり、表示に際しては、より大きなチルト角
をもって、高いコントラストで表示が行われる。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る液晶素子の平面図で
あり、第２図（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ異なる態様の第
１図のＡ−Ａ′断面図である。
あり、第２図（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ異なる態様の第
１図のＡ−Ａ′断面図である。
第１図と第２図で示すセル構造体100は、ガラス板又
はプラスチック板などからなる一対の基板101と101′を
スペーサ104で所定の間隔に保持して対向させ、この一
対の基板をシーリングするために接着剤106で接着した
セル構造を有しており、さらに基板101上には複数の透
明電極102からなる電極群（例えば、マトリクス電極構
造のうちの走査電圧印加用電極群）が例えば帯状パター
ンなどの所定パターンで形成されている。基板101′の
上には前述の透明電極102と交差させた複数の透明電極1
02′からなる電極群（例えば、マトリクス電極構造のう
ちの信号電圧印加用電極群）が形成されている。
はプラスチック板などからなる一対の基板101と101′を
スペーサ104で所定の間隔に保持して対向させ、この一
対の基板をシーリングするために接着剤106で接着した
セル構造を有しており、さらに基板101上には複数の透
明電極102からなる電極群（例えば、マトリクス電極構
造のうちの走査電圧印加用電極群）が例えば帯状パター
ンなどの所定パターンで形成されている。基板101′の
上には前述の透明電極102と交差させた複数の透明電極1
02′からなる電極群（例えば、マトリクス電極構造のう
ちの信号電圧印加用電極群）が形成されている。
そして、透明電極102と102′の少なくとも一方にショ
ート防止用絶縁体膜を用いることができるが、第２図
（Ａ）の素子ではこの絶縁体膜は用いず、透明電極102
と102′かそれぞれ形成された基板101と101′上に直接
配向制御膜105と105′がそれぞれ配置される。第２図
（Ｂ）の素子では基板101と101′上にそれぞれショート
防止用絶縁体膜109と109′並びに配向制御膜105と105′
が配置される。第２図（Ｃ）の素子では、基板101′上
にショート防止用絶縁体膜109′と配向制御膜105′を配
置し、基板101上には直接配向制御膜105が配置されてい
る。
ート防止用絶縁体膜を用いることができるが、第２図
（Ａ）の素子ではこの絶縁体膜は用いず、透明電極102
と102′かそれぞれ形成された基板101と101′上に直接
配向制御膜105と105′がそれぞれ配置される。第２図
（Ｂ）の素子では基板101と101′上にそれぞれショート
防止用絶縁体膜109と109′並びに配向制御膜105と105′
が配置される。第２図（Ｃ）の素子では、基板101′上
にショート防止用絶縁体膜109′と配向制御膜105′を配
置し、基板101上には直接配向制御膜105が配置されてい
る。
配向制御膜105と105′としては、例えば一酸化硅素、
二酸化硅素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マ
グネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン
窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁
物質やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポ
リエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセター
ル、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セル
ロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂
などの有機絶縁物質を用いて被膜形成したものを用いる
ことができる。上述の無機絶縁物質の膜は、ショート防
止用絶縁体膜の機能を兼ねることができる。特に、上述
したように、第２図（Ａ）に示す液晶素子で用いた配向
制御膜105及び105′は、前述した配向制御とショート防
止の機能を併せ持つ無機絶縁体膜によって形成される。
すなわち、例えば、SiOやSiO2などの無機絶縁物質を基
板101及び101′の上に斜め蒸着法によって被膜形成する
ことによって配向制御膜105及び105′を得ることができ
る。
二酸化硅素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マ
グネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン
窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁
物質やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポ
リエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセター
ル、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セル
ロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂
などの有機絶縁物質を用いて被膜形成したものを用いる
ことができる。上述の無機絶縁物質の膜は、ショート防
止用絶縁体膜の機能を兼ねることができる。特に、上述
したように、第２図（Ａ）に示す液晶素子で用いた配向
制御膜105及び105′は、前述した配向制御とショート防
止の機能を併せ持つ無機絶縁体膜によって形成される。
すなわち、例えば、SiOやSiO2などの無機絶縁物質を基
板101及び101′の上に斜め蒸着法によって被膜形成する
ことによって配向制御膜105及び105′を得ることができ
る。
この配向制御膜105と105′は、前述の如き無機絶縁物
質または有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面を
ビロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビング）すること
によって、一軸性配向処理軸が付与される。
質または有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面を
ビロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビング）すること
によって、一軸性配向処理軸が付与される。
ただし、この一軸性配向軸は第３図（Ａ）および
（Ｂ）に示す様に上下の基板101及び101′で互いに交差
角（θ）をもって交差するように付与される。交差角θ
は、使用する強誘電性液晶材料の種類や配向制御膜の種
類によって変化するが、好ましくは一般に２°〜25°の
範囲に設定される。また、第４図に示すように、液晶配
向面402と液晶分子403の成すプレチルト角αは５°以上
に設定される。
（Ｂ）に示す様に上下の基板101及び101′で互いに交差
角（θ）をもって交差するように付与される。交差角θ
は、使用する強誘電性液晶材料の種類や配向制御膜の種
類によって変化するが、好ましくは一般に２°〜25°の
範囲に設定される。また、第４図に示すように、液晶配
向面402と液晶分子403の成すプレチルト角αは５°以上
に設定される。
又、ショート防止用絶縁体膜109と109′は200Å厚以
上、好ましくは500Å厚以上の膜厚に設定され、SiO2，T
iO2，Al2O3，Si3N4やBaTiO3などの無機絶縁物質を成膜
することによって得られる。成膜法としては、スパッタ
法、イオンビーム蒸着法あるいは有機チタン化合物、有
機シラン化合物や有機アルミニウム化合物の塗布膜を焼
成する方法を用いることができる。この際有機チタン化
合物としては、アルキル（メチル、エチル、プロピル、
ブチルなど）、チタネート化合物、有機シラン化合物と
しては通常のシランカップリング剤などを用いることが
できる。ショート防止用絶縁体膜109と109′の膜厚が20
0Å以下である場合では、十分なショート防止効果を得
ることができず、又その膜厚を5000Å以上とすると、液
晶層に印加される実効的な電圧が印加されなくなるの
で、5000Å以下、好ましくは2000Å以下に設定する。
上、好ましくは500Å厚以上の膜厚に設定され、SiO2，T
iO2，Al2O3，Si3N4やBaTiO3などの無機絶縁物質を成膜
することによって得られる。成膜法としては、スパッタ
法、イオンビーム蒸着法あるいは有機チタン化合物、有
機シラン化合物や有機アルミニウム化合物の塗布膜を焼
成する方法を用いることができる。この際有機チタン化
合物としては、アルキル（メチル、エチル、プロピル、
ブチルなど）、チタネート化合物、有機シラン化合物と
しては通常のシランカップリング剤などを用いることが
できる。ショート防止用絶縁体膜109と109′の膜厚が20
0Å以下である場合では、十分なショート防止効果を得
ることができず、又その膜厚を5000Å以上とすると、液
晶層に印加される実効的な電圧が印加されなくなるの
で、5000Å以下、好ましくは2000Å以下に設定する。
本発明で用いる液晶材料として、特に適したものは、
カイラルスメクティック液晶であって強誘電性を有する
ものである。具体的にはカイラルスメクティックＣ相
（SmC＊）、カイラルスメクティックＧ相（SmG＊）、カ
イラルスメクティックＦ相（SmF＊）、カイラルスメク
ティックＩ相（SmI＊）またはカイラルスメクティック
Ｈ相（SmH＊）の液晶を用いることができる。
カイラルスメクティック液晶であって強誘電性を有する
ものである。具体的にはカイラルスメクティックＣ相
（SmC＊）、カイラルスメクティックＧ相（SmG＊）、カ
イラルスメクティックＦ相（SmF＊）、カイラルスメク
ティックＩ相（SmI＊）またはカイラルスメクティック
Ｈ相（SmH＊）の液晶を用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、例えばLEJOURNAL DE
PHYSIQUE LETTERS"36（Ｌ−69）1975、「Ferroelectir
c Liquid Crystals」；“Appleid Physics Letters"36
（11）1980「Submicro Second Bi−stable Electroopti
c Switching in Liquid Crystals」；“固体物理”16
（141）1981「液晶」、米国特許第4,561,726号公報、米
国特許第4,589,996号公報、米国特記第4,592,858号公
報、米国特許９第4,596,667号公報、米国特許第4,613,2
09号公報、米国特許第4,614,609号公報、米国特許第4,6
22,165号公報等に記載されており、本発明ではこれらに
開示された強誘電性液晶を用いることができる。
PHYSIQUE LETTERS"36（Ｌ−69）1975、「Ferroelectir
c Liquid Crystals」；“Appleid Physics Letters"36
（11）1980「Submicro Second Bi−stable Electroopti
c Switching in Liquid Crystals」；“固体物理”16
（141）1981「液晶」、米国特許第4,561,726号公報、米
国特許第4,589,996号公報、米国特記第4,592,858号公
報、米国特許９第4,596,667号公報、米国特許第4,613,2
09号公報、米国特許第4,614,609号公報、米国特許第4,6
22,165号公報等に記載されており、本発明ではこれらに
開示された強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベ
ンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメ
ート（DOBAMBC）、ヘキシルオキシベンジリデン−ｐ′
−アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACP
C）、４−ｏ−（２−メチル）プチルレゾルシリデン−
４′−オクチルアニリン（MBR8）が挙げられる。
ンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメ
ート（DOBAMBC）、ヘキシルオキシベンジリデン−ｐ′
−アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACP
C）、４−ｏ−（２−メチル）プチルレゾルシリデン−
４′−オクチルアニリン（MBR8）が挙げられる。
以下、実際に製造した例を示す。
実施例１〜４及び比較例１ 上下の基板用としての２枚の1.1mm厚のガラス板を用
意し、それぞれにITOのストライプ状電極を形成した。
次に、この上下基板電極のショート防止絶縁体膜として
SiO2をスパッタ法により500Å形成した。さらに、その
上にポリイミド形成液LQ1802（日立化成社製）1.0％溶
液を回転数3000rpmのスピンナーで30秒間塗布した。そ
の後、約１時間300℃の加熱焼成処理を施してポリイミ
ド配向膜を形成した。このポリイミド配向膜の膜厚は15
0Åであった。次いで、両基板上に形成されたポリイミ
ド配向膜の表面に後述するようなラビング処理軸（一軸
性配向軸）方向でのラビング処理を施した。この後、平
均粒径約1.5μｍのアルミナビーズを一方の基板上に散
布した後、２枚の基板を電極が平面的に交差し、かつ上
下基板の一軸性配向軸が第３図（Ａ）に示す所定の角度
θをなすように組み合わせて上下基板を貼り付け、セル
を作成した。
意し、それぞれにITOのストライプ状電極を形成した。
次に、この上下基板電極のショート防止絶縁体膜として
SiO2をスパッタ法により500Å形成した。さらに、その
上にポリイミド形成液LQ1802（日立化成社製）1.0％溶
液を回転数3000rpmのスピンナーで30秒間塗布した。そ
の後、約１時間300℃の加熱焼成処理を施してポリイミ
ド配向膜を形成した。このポリイミド配向膜の膜厚は15
0Åであった。次いで、両基板上に形成されたポリイミ
ド配向膜の表面に後述するようなラビング処理軸（一軸
性配向軸）方向でのラビング処理を施した。この後、平
均粒径約1.5μｍのアルミナビーズを一方の基板上に散
布した後、２枚の基板を電極が平面的に交差し、かつ上
下基板の一軸性配向軸が第３図（Ａ）に示す所定の角度
θをなすように組み合わせて上下基板を貼り付け、セル
を作成した。
次に、このセル内にチッソ（株）社製の「CS−1014」
（商品名）を等方相下で真空注入してから、これをカイ
ラルスメクチック相まで徐冷して配向させた。このセル
の液晶配向面と液晶分子のダイレクタの成すプレチルト
角αは、クリスタルローテーション法（Jpn.J.Appl.Phy
s.Vol.19（1980）.No.10）によって測定を行なった結
果、12°であった。
（商品名）を等方相下で真空注入してから、これをカイ
ラルスメクチック相まで徐冷して配向させた。このセル
の液晶配向面と液晶分子のダイレクタの成すプレチルト
角αは、クリスタルローテーション法（Jpn.J.Appl.Phy
s.Vol.19（1980）.No.10）によって測定を行なった結
果、12°であった。
以上の工程によって、上下基板のラビング処理軸が交
差する角度θが本発明により特定されるθ＝２°、５
°、θ＝10°、θ＝15°及び25°のセルを作成して、配
向状態、および十分な電圧の単発パルスを印加したとき
の双安定性を観察し、また、クロスニコル下でのチルト
角、及びコントラスト比を測定したところ、第１表に示
す結果が得られた。
差する角度θが本発明により特定されるθ＝２°、５
°、θ＝10°、θ＝15°及び25°のセルを作成して、配
向状態、および十分な電圧の単発パルスを印加したとき
の双安定性を観察し、また、クロスニコル下でのチルト
角、及びコントラスト比を測定したところ、第１表に示
す結果が得られた。
比較例２ 実施例１と同様な方法で、ラビング処理軸の交差角θ
が０°のセルを作成した。このセルのプレチルト角を測
定したところ、12°であった。このセルの配向状態を観
察したところコントラストの低いスプレイ配向とコント
ラストの高いユニフォーム配向のそれぞれ２状態が混在
しており、コントラストは第２表のとおり10であった。
が０°のセルを作成した。このセルのプレチルト角を測
定したところ、12°であった。このセルの配向状態を観
察したところコントラストの低いスプレイ配向とコント
ラストの高いユニフォーム配向のそれぞれ２状態が混在
しており、コントラストは第２表のとおり10であった。
比較例３〜６ 実施例１で用いたポリイミド形成液LQ1802（日立化成
社製）に代えLP64（東レ社製）を用いた他は前述実施例
１と同様の方法でラビング処理軸の交差角θが０°、２
°、10°及び25°の４種のセルを作成した。実施例１と
同様にプレチルト角を測定したところ、2.5°であっ
た。これらのセルのチルト角及びコントラスト比を測定
した結果を第３表に示す。
社製）に代えLP64（東レ社製）を用いた他は前述実施例
１と同様の方法でラビング処理軸の交差角θが０°、２
°、10°及び25°の４種のセルを作成した。実施例１と
同様にプレチルト角を測定したところ、2.5°であっ
た。これらのセルのチルト角及びコントラスト比を測定
した結果を第３表に示す。
第３表の結果より、プレチルト角の小さい（2.5°）
セルに於いては一軸性配向軸を交差させることによって
もチルト角とコントラスト比の増大はあまり見られなか
った。
セルに於いては一軸性配向軸を交差させることによって
もチルト角とコントラスト比の増大はあまり見られなか
った。
比較例７〜10 実施例１で用いたポリイミド形成液LQ1802に代えてCE
100（日産化学社製）を用いた他は、前述の実施例１と
同様の方法で、ラビリング処理軸の交差角θが０°、２
°、10°及び25°となる４種類のセルを作成した。プレ
チルト角は4.0°であった。これらのセルについて実施
例１と同様の測定を行ったところ、第４表のとおりの結
果が得られた。
100（日産化学社製）を用いた他は、前述の実施例１と
同様の方法で、ラビリング処理軸の交差角θが０°、２
°、10°及び25°となる４種類のセルを作成した。プレ
チルト角は4.0°であった。これらのセルについて実施
例１と同様の測定を行ったところ、第４表のとおりの結
果が得られた。
実施例５〜８及び比較例11 実施例１で用いたポリイミド形成液LQ1802に代えてRN
626（日産化学社製）を用いた他は、前述の実施例と同
様の方法で、ラビング処理軸の交差角θが０°、２°、
10°、15°及び25°の５種のセルを作成した。プレチル
ト角は5.0°であった。これらのセルについて、実施例
１と同様の測定を行ったところ、第５表のとおりの結果
となった。
626（日産化学社製）を用いた他は、前述の実施例と同
様の方法で、ラビング処理軸の交差角θが０°、２°、
10°、15°及び25°の５種のセルを作成した。プレチル
ト角は5.0°であった。これらのセルについて、実施例
１と同様の測定を行ったところ、第５表のとおりの結果
となった。
比較例11のセルでは、前述のスプレイ配向とユニフォ
ーム配向が混在し、コントラストの向上があまり見られ
なかった。実施例５〜８では均一なユニフォーム配向と
なりコントラストが向上した。
ーム配向が混在し、コントラストの向上があまり見られ
なかった。実施例５〜８では均一なユニフォーム配向と
なりコントラストが向上した。
実施例９〜13 上下基板の一軸配向軸が第３図（Ｂ）に示す様に相互
に逆向きになるように上下基板を張り付けた以外は実施
例１と同様な方法で一軸性配向軸の交差角θが０°、２
°、５°、10°、15°及び25°の６種のセルを作成し
た。また、プレチルト角は8.5°であった（実施例９〜1
3）。
に逆向きになるように上下基板を張り付けた以外は実施
例１と同様な方法で一軸性配向軸の交差角θが０°、２
°、５°、10°、15°及び25°の６種のセルを作成し
た。また、プレチルト角は8.5°であった（実施例９〜1
3）。
クロスニコル下でこれらのセルのチルト角及びコント
ラスト比を測定して得られた結果を第６表にまとめて示
す。
ラスト比を測定して得られた結果を第６表にまとめて示
す。
以上の実施例及び比較例の結果より、交差した一軸性
配向軸を有する上下基板を用い、かつ、液晶配向面と液
晶分子との成すプレチルト角を５°以上に設定すること
で配向性の良い、コントラストの向上した強誘電性液晶
素子が得られることがわかる。
配向軸を有する上下基板を用い、かつ、液晶配向面と液
晶分子との成すプレチルト角を５°以上に設定すること
で配向性の良い、コントラストの向上した強誘電性液晶
素子が得られることがわかる。
実施例14〜18 チッソ（株）社製の「CS−1014」（商品名）の代わり
に同社製の「CS−1011」（商品名）を用いた以外は実施
例１と同様な方法でラビング処理軸の交差角θが２°、
５°、10°、20°及び25°の５種のセルを作成し、クロ
スニコル下でこれらセルのチルト角及びコントラスト比
を測定した。また、プレチルト角は10.5°であった（実
施例14〜18）。
に同社製の「CS−1011」（商品名）を用いた以外は実施
例１と同様な方法でラビング処理軸の交差角θが２°、
５°、10°、20°及び25°の５種のセルを作成し、クロ
スニコル下でこれらセルのチルト角及びコントラスト比
を測定した。また、プレチルト角は10.5°であった（実
施例14〜18）。
得られた結果を第７表にまとめて示す。
第１表〜第７表を一つのグラフにまとめたものが第５
図である。横軸に交差角θを縦軸にコントラスト比C/R
をとり、プレチルト角αが同じである測定点群の間を直
線でそれぞれ結んでコントラスト比C/Rの交差角θ依存
性とプレチルト角α依存性を同時に示した。
図である。横軸に交差角θを縦軸にコントラスト比C/R
をとり、プレチルト角αが同じである測定点群の間を直
線でそれぞれ結んでコントラスト比C/Rの交差角θ依存
性とプレチルト角α依存性を同時に示した。
このグラフからプレチルト角αが5.0°未満と5.0°以
上で、コントラスト比の交差角θ依存性に大きな違いが
あることがわかる。また、交差角０°の場合、プレチル
ト角αの増加は、ほとんどコントラスト比の改善をもた
らさないことがわかる。すなわち、コントラスト比の向
上には、プサチルト角αと配向処理軸の交差角θの２者
が重要なパラメータとなっている。しかも、この２者を
同時に規定することにより、はじめてコントラストの著
しい向上をはかることができる。
上で、コントラスト比の交差角θ依存性に大きな違いが
あることがわかる。また、交差角０°の場合、プレチル
ト角αの増加は、ほとんどコントラスト比の改善をもた
らさないことがわかる。すなわち、コントラスト比の向
上には、プサチルト角αと配向処理軸の交差角θの２者
が重要なパラメータとなっている。しかも、この２者を
同時に規定することにより、はじめてコントラストの著
しい向上をはかることができる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、一軸性配向軸を
有する２枚の基板間に強誘電性液晶を配置した液晶素子
に於いて、一軸性配向軸が互いに交差角θを２°〜15°
の交差角をもって交差し、かつ液晶配向面と液晶分子の
成すプレチルト角が５°以上となるようにしたため、配
向性を良好にし、チルト角及びコントラスト比を増大す
ることができる。
有する２枚の基板間に強誘電性液晶を配置した液晶素子
に於いて、一軸性配向軸が互いに交差角θを２°〜15°
の交差角をもって交差し、かつ液晶配向面と液晶分子の
成すプレチルト角が５°以上となるようにしたため、配
向性を良好にし、チルト角及びコントラスト比を増大す
ることができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の一実施例に係る強誘電性液晶素子の
平面図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ異なる実施態様の第１
図のＡ−Ａ′断面図、 第３図（Ａ）および（Ｂ）は、第１図の液晶素子におい
て交差する上下基板の一軸性配向軸を模式的に表わす平
面図、そして 第４図は、液晶配向面と液晶分子を模式的に表わした模
式図である。 第５図は、第１表〜第７表の結果をまとめてグラフに表
した説明図である。 101,101′：基板、102,102′：誘明電極、103:強誘電性
液晶、105,105′：配向制御膜、301,302:一軸性配向
軸、402:液晶配向面、403:液晶分子。
平面図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ異なる実施態様の第１
図のＡ−Ａ′断面図、 第３図（Ａ）および（Ｂ）は、第１図の液晶素子におい
て交差する上下基板の一軸性配向軸を模式的に表わす平
面図、そして 第４図は、液晶配向面と液晶分子を模式的に表わした模
式図である。 第５図は、第１表〜第７表の結果をまとめてグラフに表
した説明図である。 101,101′：基板、102,102′：誘明電極、103:強誘電性
液晶、105,105′：配向制御膜、301,302:一軸性配向
軸、402:液晶配向面、403:液晶分子。
Claims (2)
- 【請求項１】液晶配向面に一軸性配向軸が付与された一
対の基板及び該一対の基板間に配置したカイラルスメク
チック液晶を有する液晶素子において、前記一対の基板
のうち、一方の基板に付与さた一軸性配向軸と他方の基
板に付与された一軸性配向軸とが角度２°〜15°で交差
し、液晶配向面と液晶分子とのなすプレチルト角が５°
以上であることを特徴とした液晶素子。 - 【請求項２】前記液晶配向面がポリイミド配向膜面であ
り、該ポリイミド膜と基板との間にショート防止用絶縁
膜を配置してなる請求項１の液晶素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277028A JP2645754B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 液晶素子 |
| DE69024907T DE69024907T2 (de) | 1989-10-26 | 1990-10-25 | Ferroelektrische Flüssigkristallvorrichtung |
| ES90120500T ES2081895T3 (es) | 1989-10-26 | 1990-10-25 | Dispositivo de cristal liquido ferroelectrico. |
| AT90120500T ATE133273T1 (de) | 1989-10-26 | 1990-10-25 | Ferroelektrische flüssigkristallvorrichtung |
| EP90120500A EP0424944B1 (en) | 1989-10-26 | 1990-10-25 | Ferroelectric liquid crystal device |
| US08/373,539 US5646704A (en) | 1989-10-26 | 1995-01-17 | Chiral smectic liquid crystal device having predetermined pre-tilt angle and intersection angle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277028A JP2645754B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03139614A JPH03139614A (ja) | 1991-06-13 |
| JP2645754B2 true JP2645754B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17577768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277028A Expired - Fee Related JP2645754B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 液晶素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0424944B1 (ja) |
| JP (1) | JP2645754B2 (ja) |
| AT (1) | ATE133273T1 (ja) |
| DE (1) | DE69024907T2 (ja) |
| ES (1) | ES2081895T3 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5347381B1 (en) * | 1991-01-25 | 1997-07-01 | Sharp Kk | Ferroelectric liquid crystal display device with molecules between hairpin and lightning defects following the lightning defects |
| JP2835787B2 (ja) * | 1991-03-22 | 1998-12-14 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子 |
| JP2785163B2 (ja) * | 1991-07-24 | 1998-08-13 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6015624A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Ltd | 液晶プリンタの駆動方法 |
| US4778259A (en) * | 1985-07-17 | 1988-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal devices having reverse twist angle and stable states resulting from A.C. excitation |
| GB8608116D0 (en) * | 1986-04-03 | 1986-05-08 | Secr Defence | Liquid crystal devices |
| JPH06100755B2 (ja) * | 1986-06-18 | 1994-12-12 | 日産化学工業株式会社 | 液晶セル用配向処理剤 |
| FR2613846B1 (fr) * | 1987-04-10 | 1990-10-26 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'affichage a cristal liquide smectique ferroelectrique bistable |
| JPH0648338B2 (ja) * | 1987-04-16 | 1994-06-22 | 日産化学工業株式会社 | 液晶表示素子用配向処理剤 |
| JPH01101516A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶光学素子の配向制御方法 |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1277028A patent/JP2645754B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-10-25 ES ES90120500T patent/ES2081895T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-25 EP EP90120500A patent/EP0424944B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-25 AT AT90120500T patent/ATE133273T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-10-25 DE DE69024907T patent/DE69024907T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03139614A (ja) | 1991-06-13 |
| DE69024907D1 (de) | 1996-02-29 |
| EP0424944A2 (en) | 1991-05-02 |
| EP0424944A3 (en) | 1991-09-25 |
| DE69024907T2 (de) | 1996-06-05 |
| ES2081895T3 (es) | 1996-03-16 |
| EP0424944B1 (en) | 1996-01-17 |
| ATE133273T1 (de) | 1996-02-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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